CN114567266B - 一种低功耗低噪声宽带放大器 - Google Patents

一种低功耗低噪声宽带放大器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种低功耗低噪声宽带放大器，属于集成电路技术领域，包括输入关断匹配网络、负反馈双堆叠电流复用放大网络、输出关断匹配网络、开关控制电路和使能控制电路。本发明负反馈双堆叠电流复用放大网络，结合输入输出关断匹配架构，使得放大器具备使能关断功能，在开启状态时能够实现低功耗模式下的低噪声、高线性度、高增益和宽带特性，以及良好的开态驻波特性；在关断时放大器仍保持良好的关断驻波特性。

Description

一种低功耗低噪声宽带放大器
技术领域
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种低功耗低噪声宽带放大器。
背景技术
随着超宽带通信、无线局域网（WLAN）与民用通信市场的快速发展，射频前端接收器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求超宽带、高增益、高线性度、低功耗、低噪声的射频与微波低噪声放大器芯片。同时由于无线通信多采用TDD控制信号，因此迫切需求放大器芯片具备使能开关功能，并且开关速度要求在100nS以内。在TDD控制系统工作时，当放大器关闭时，系统往往要求放大器芯片的输入和输出驻波保持良好的匹配状态。
为了实现上述功能，现有的典型放大器芯片的解决方案存在一些设计不足，主要体现在：
（1）基于传统行波放大器结构，该放大器的输入和输出端接有标准的50欧姆吸收负载，因此放大器在关断下驻波指标较好，并且传统行波放大器电路频带相应宽。但是，这种结构的芯片尺寸较大，成本较高，效率低功耗高，并且增益较低，因此无法满足现有应用。
（2）基于传统平衡型放大器结构，该放大器的输入和输出端接有标准的50欧姆兰格桥或者90度巴伦，也可以实现关断下良好的驻波指标。但是，这种结构引入的兰格桥或者90度巴伦的插损较大，导致噪声系数和输出线性度指标发生恶化，因此也无法满足现有应用。
发明内容
本发明为了解决上述问题，提出了一种低功耗低噪声宽带放大器。
本发明的技术方案是：一种低功耗低噪声宽带放大器包括输入关断匹配网络、负反馈双堆叠电流复用放大网络、输出关断匹配网络、开关控制电路和使能控制电路；
输入关断匹配网络的第一输入端作为低功耗低噪声宽带放大器的输入端，其第一输入端与开关控制电路的输出端连接，其输出端与负反馈双堆叠电流复用放大网络的第一输入端连接；
输出关断匹配网络的输出端作为低功耗低噪声宽带放大器的输入端，其第一输入端与负反馈双堆叠电流复用放大网络的输出端连接，其第二输入端与开关控制电路的第二输出端连接；
使能控制电路的第一输出端和第二输出端分别与负反馈双堆叠电流复用放大网络的第二输入端和第三输入端一一对应连接。
本发明的有益效果是：本发明负反馈双堆叠电流复用放大网络，结合输入输出关断匹配架构，使得放大器具备使能关断功能，在开启状态时能够实现低功耗模式下的低噪声、高线性度、高增益和宽带特性，以及良好的开态驻波特性；在关断时放大器仍保持良好的关断驻波特性。
进一步地，输入关断匹配网络包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、接地电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、晶体管M7和电感L1；
电容C1的一端作为输入关断网络的第一输入端，其另一端作为输入关断匹配网络的输出端，并分别与二极管D3的负极、二极管D1的正极、电阻R1的一端、电阻R3的一端和晶体管M7的漏极连接；二极管D3的正极和二极管D4的负极连接；二极管D4的正极接地；二极管D1的负极和二极管D2的正极连接；二极管D2的负极连接；电阻R1的另一端分别与晶体管M7的源极和电感L1的一端连接；电感L1的另一端和电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端和接地电容C2连接；电阻R3的另一端和漏极偏置电源Vd连接；晶体管M7的栅极和电阻R4的一端连接；电阻R4的另一端作为输入关断网络的第二输入端。
上述进一步方案的有益效果是：在本发明中，输入关断匹配网络使得关断时放大器仍保持良好的输入关断驻波特性，并且具备ESD保护功能。
进一步地，负反馈双堆叠电流复用放大网络包括接地电阻R11、电阻R12、接地电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、接地电阻R18、电阻R19、电阻R20、接地电阻R21、电阻R22、电容C3、接地电容C4、电容C5、接地电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、接地电感L2、电感L3、电感L4、接地电感L5、电感L6和电感L7；
电阻R12的一端作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的第一输入端，并与电容C3的一端连接；电容C3的另一端和晶体管M1的栅极连接；晶体管M1的源极和接地电感L2连接；晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极连接；晶体管M2的栅极作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的第二输入端，并分别与接地电容C4和接地电阻R11连接；电阻R12的另一端分别与电阻R14的一端和电容C5的一端连接；电阻R14的另一端分别与电阻R15的一端、晶体管M3的漏极和漏极偏置电源Vd连接；晶体管M3的栅极分别与电阻R15的另一端和接地电容C6连接；晶体管M3的源极和接地电阻R13连接；电容C5的另一端和电感L3的一端连接；电感L3的另一端分别与晶体管M2的漏极、电感L6的一端、电容C8的一端和电容C7的一端连接；电容C7的另一端和电感L4的一端连接；电感L4的另一端分别与接地电感L5和电阻R16的一端连接；电阻R16的另一端和电容C9的一端连接；电容C9的另一端分别与电阻R17的一端和晶体管M4的栅极连接；晶体管M4的源极分别与电阻R22的一端、电感L6的另一端和电容C8的另一端连接；电阻R22的另一端和电容C10的一端连接；电容C10的另一端作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的输出端，并分别与电感L7的一端和晶体管M5的漏极连接；晶体管M4的漏极和晶体管M5的源极连接；电阻R17的另一端分别与电阻R20的一端、晶体管M6的漏极和漏极偏置电源Vd连接；晶体管M6的栅极分别与电阻R20的另一端和接地电容C11连接；晶体管M6的源极和接地电阻R21连接；晶体管M5的栅极和电阻R19的一端连接；电阻R19的另一端作为反馈双堆叠电流复用放大网络的第三输入端，并分别与接地电容C12和接地电阻R18连接；电感L7的另一端分别与接地电容C13和漏极偏置电源Vd连接。
上述进一步方案的有益效果是：在本发明中，负反馈双堆叠电流复用放大网络在开启状态时能够实现低功耗模式下的低噪声、高线性度、高增益和宽带特性，以及良好的开态驻波特性。
进一步地，开关控制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、晶体管M9、晶体管M10和晶体管M11；
电阻R7的一端作为开关控制电路的第一输出端和第二输出端，其另一端分别与电阻R5的一端、晶体管M10的栅极和晶体管M10的漏极连接；晶体管M10的源极和晶体管M11的漏极连接；晶体管M11的源极接地；晶体管M11的栅极分别与电阻R9的一端和接地电阻R10连接；晶体管M9的栅极分别与接地电阻R8和电阻R6的一端连接；电阻R6的另一端和电阻R5的另一端连接；晶体管M9的源极和电阻R9的另一端连接；晶体管M9的漏极和使能控制信号Vpd连接。
上述进一步方案的有益效果是：在本发明中，开关控制电路使得放大器的输入和输出匹配网络配合使能信号具备开关切换功能。
进一步地，使能控制电路包括电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、接地电阻R33、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14和晶体管M15；
晶体管M12的漏极作为使能控制电路的第一输出端；晶体管M12的源极接地；晶体管M12的栅极分别与电阻R25的一端和晶体管M13的栅极连接；晶体管M13的漏极作为使能控制电路的第二输出端；晶体管M14的栅极和电阻R28的一端连接；晶体管M14的源极接地；晶体管M14的漏极分别与电阻R25的另一端和电阻R26的一端连接；晶体管M15的栅极和电阻R29的一端连接；晶体管M15的漏极接地；晶体管M15的源极分别与电阻R32的一端和接地电阻R33连接；电阻R29的另一端分别与电阻R28的另一端、电阻R27的一端和电阻R30的一端连接；电阻R27的另一端分别与电阻R26的另一端和漏极偏置电源Vd连接；电阻R30的另一端分别与电阻R31的一端和电阻R32的一端连接；电阻R31的另一端和使能控制信号Vpd连接。
上述进一步方案的有益效果是：在本发明中，使能控制电路使得放大器具备配合使能信号的使能关断功能，并且开关速度较快，可以达到100nS以内。
进一步地，输出关断匹配网络包括电阻R23、电阻R24、电阻R34、电容C14、接地电容C15、电感L8、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L8和晶体管M8；
电容C14的一端作为输出关断匹配网络的第一输入端，并分别与二极管D7的负极、二极管D5的正极、电阻R34的一端和晶体管M8的漏极连接；电容C14的另一端作为输出关断匹配网络的输出端；二极管D7的正极和二极管D8的负极连接；二极管D5的负极和二极管D6的正极连接；二极管D8的正极和二极管D6的负极均接地；晶体管M8的栅极和电阻R23的一端连接；电阻R23的另一端作为输出关断匹配网络的第二输入端；晶体管M8的源极分别与电感L8的一端和电阻R34的另一端连接；电感L8的另一端和电阻R24的一端连接；电阻R24的另一端和接地电容C15连接。
上述进一步方案的有益效果是：在本发明中，输出关断匹配网络使得关断时放大器仍保持良好的输出关断驻波特性，并且具备ESD保护功能。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的一种低功耗低噪声宽带放大器原理框图。
图2所示为本发明实施例提供的一种低功耗低噪声宽带放大器电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例作进一步的说明。
如图1所示，本发明提供了一种低功耗低噪声宽带放大器，包括输入关断匹配网络、负反馈双堆叠电流复用放大网络、输出关断匹配网络、开关控制电路和使能控制电路；
输入关断匹配网络的第一输入端作为低功耗低噪声宽带放大器的输入端，其第一输入端与开关控制电路的输出端连接，其输出端与负反馈双堆叠电流复用放大网络的第一输入端连接；
输出关断匹配网络的输出端作为低功耗低噪声宽带放大器的输入端，其第一输入端与负反馈双堆叠电流复用放大网络的输出端连接，其第二输入端与开关控制电路的第二输出端连接；
使能控制电路的第一输出端和第二输出端分别与负反馈双堆叠电流复用放大网络的第二输入端和第三输入端一一对应连接。
在本发明实施例中，如图2所示，输入关断匹配网络包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、接地电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、晶体管M7和电感L1；
电容C1的一端作为输入关断网络的第一输入端，其另一端作为输入关断匹配网络的输出端，并分别与二极管D3的负极、二极管D1的正极、电阻R1的一端、电阻R3的一端和晶体管M7的漏极连接；二极管D3的正极和二极管D4的负极连接；二极管D4的正极接地；二极管D1的负极和二极管D2的正极连接；二极管D2的负极连接；电阻R1的另一端分别与晶体管M7的源极和电感L1的一端连接；电感L1的另一端和电阻R2的一端连接；电阻R2的另一端和接地电容C2连接；电阻R3的另一端和漏极偏置电源Vd连接；晶体管M7的栅极和电阻R4的一端连接；电阻R4的另一端作为输入关断网络的第二输入端。
在本发明实施例中，如图2所示，负反馈双堆叠电流复用放大网络包括接地电阻R11、电阻R12、接地电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、接地电阻R18、电阻R19、电阻R20、接地电阻R21、电阻R22、电容C3、接地电容C4、电容C5、接地电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、接地电感L2、电感L3、电感L4、接地电感L5、电感L6和电感L7；
电阻R12的一端作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的第一输入端，并与电容C3的一端连接；电容C3的另一端和晶体管M1的栅极连接；晶体管M1的源极和接地电感L2连接；晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极连接；晶体管M2的栅极作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的第二输入端，并分别与接地电容C4和接地电阻R11连接；电阻R12的另一端分别与电阻R14的一端和电容C5的一端连接；电阻R14的另一端分别与电阻R15的一端、晶体管M3的漏极和漏极偏置电源Vd连接；晶体管M3的栅极分别与电阻R15的另一端和接地电容C6连接；晶体管M3的源极和接地电阻R13连接；电容C5的另一端和电感L3的一端连接；电感L3的另一端分别与晶体管M2的漏极、电感L6的一端、电容C8的一端和电容C7的一端连接；电容C7的另一端和电感L4的一端连接；电感L4的另一端分别与接地电感L5和电阻R16的一端连接；电阻R16的另一端和电容C9的一端连接；电容C9的另一端分别与电阻R17的一端和晶体管M4的栅极连接；晶体管M4的源极分别与电阻R22的一端、电感L6的另一端和电容C8的另一端连接；电阻R22的另一端和电容C10的一端连接；电容C10的另一端作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的输出端，并分别与电感L7的一端和晶体管M5的漏极连接；晶体管M4的漏极和晶体管M5的源极连接；电阻R17的另一端分别与电阻R20的一端、晶体管M6的漏极和漏极偏置电源Vd连接；晶体管M6的栅极分别与电阻R20的另一端和接地电容C11连接；晶体管M6的源极和接地电阻R21连接；晶体管M5的栅极和电阻R19的一端连接；电阻R19的另一端作为反馈双堆叠电流复用放大网络的第三输入端，并分别与接地电容C12和接地电阻R18连接；电感L7的另一端分别与接地电容C13和漏极偏置电源Vd连接。
在本发明实施例中，如图2所示，开关控制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、晶体管M9、晶体管M10和晶体管M11；
电阻R7的一端作为开关控制电路的第一输出端和第二输出端，其另一端分别与电阻R5的一端、晶体管M10的栅极和晶体管M10的漏极连接；晶体管M10的源极和晶体管M11的漏极连接；晶体管M11的源极接地；晶体管M11的栅极分别与电阻R9的一端和接地电阻R10连接；晶体管M9的栅极分别与接地电阻R8和电阻R6的一端连接；电阻R6的另一端和电阻R5的另一端连接；晶体管M9的源极和电阻R9的另一端连接；晶体管M9的漏极和使能控制信号Vpd连接。
在本发明实施例中，如图2所示，使能控制电路包括电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、接地电阻R33、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14和晶体管M15；
晶体管M12的漏极作为使能控制电路的第一输出端；晶体管M12的源极接地；晶体管M12的栅极分别与电阻R25的一端和晶体管M13的栅极连接；晶体管M13的漏极作为使能控制电路的第二输出端；晶体管M14的栅极和电阻R28的一端连接；晶体管M14的源极接地；晶体管M14的漏极分别与电阻R25的另一端和电阻R26的一端连接；晶体管M15的栅极和电阻R29的一端连接；晶体管M15的漏极接地；晶体管M15的源极分别与电阻R32的一端和接地电阻R33连接；电阻R29的另一端分别与电阻R28的另一端、电阻R27的一端和电阻R30的一端连接；电阻R27的另一端分别与电阻R26的另一端和漏极偏置电源Vd连接；电阻R30的另一端分别与电阻R31的一端和电阻R32的一端连接；电阻R31的另一端和使能控制信号Vpd连接。
在本发明实施例中，如图2所示，输出关断匹配网络包括电阻R23、电阻R24、电阻R34、电容C14、接地电容C15、电感L8、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L8和晶体管M8；
电容C14的一端作为输出关断匹配网络的第一输入端，并分别与二极管D7的负极、二极管D5的正极、电阻R34的一端和晶体管M8的漏极连接；电容C14的另一端作为输出关断匹配网络的输出端；二极管D7的正极和二极管D8的负极连接；二极管D5的负极和二极管D6的正极连接；二极管D8的正极和二极管D6的负极均接地；晶体管M8的栅极和电阻R23的一端连接；电阻R23的另一端作为输出关断匹配网络的第二输入端；晶体管M8的源极分别与电感L8的一端和电阻R34的另一端连接；电感L8的另一端和电阻R24的一端连接；电阻R24的另一端和接地电容C15连接。
下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍：
当使能控制信号Vpd为低电平时，输入关断匹配网络、输出关断匹配网络切换到直通匹配状态，射频信号进入输入关断匹配网络，经过输入阻抗匹配后，进入负反馈双堆叠电流复用放大网络进行信号放大，之后进入输出关断匹配网络，经过输出阻抗匹配后进入放大器的输出端口；当使能控制信号Vpd为高电平时，射频信号进入输入关断匹配网络中的标准50欧姆吸收负载，射频输出端的反射信号进入输出关断匹配网络的标准50欧姆吸收负载，使得放大器在关断状态下仍然具有良好的驻波特性，同时负反馈双堆叠电流复用放大网络工作在截止状态，不会放大射频信号。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种低功耗低噪声宽带放大器，其特征在于，包括输入关断匹配网络、负反馈双堆叠电流复用放大网络、输出关断匹配网络、开关控制电路和使能控制电路；
所述输入关断匹配网络的第一输入端作为低功耗低噪声宽带放大器的输入端，其第二输入端与开关控制电路的输出端连接，其输出端与负反馈双堆叠电流复用放大网络的第一输入端连接；
所述输出关断匹配网络的输出端作为低功耗低噪声宽带放大器的输入端，其第一输入端与负反馈双堆叠电流复用放大网络的输出端连接，其第二输入端与开关控制电路的第二输出端连接；
所述使能控制电路的第一输出端和第二输出端分别与负反馈双堆叠电流复用放大网络的第二输入端和第三输入端一一对应连接；
所述输入关断匹配网络包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、接地电容C2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、晶体管M7和电感L1；
所述电容C1的一端作为输入关断网络的第一输入端，其另一端作为输入关断匹配网络的输出端，并分别与二极管D3的负极、二极管D1的正极、电阻R1的一端、电阻R3的一端和晶体管M7的漏极连接；所述二极管D3的正极和二极管D4的负极连接；所述二极管D4的正极接地；所述二极管D1的负极和二极管D2的正极连接；所述二极管D2的负极接地；所述电阻R1的另一端分别与晶体管M7的源极和电感L1的一端连接；所述电感L1的另一端和电阻R2的一端连接；所述电阻R2的另一端和接地电容C2连接；所述电阻R3的另一端和漏极偏置电源Vd连接；所述晶体管M7的栅极和电阻R4的一端连接；所述电阻R4的另一端作为输入关断网络的第二输入端；
所述输出关断匹配网络包括电阻R23、电阻R24、电阻R34、电容C14、接地电容C15、电感L8、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、电感L8和晶体管M8；
所述电容C14的一端作为输出关断匹配网络的第一输入端，并分别与二极管D7的负极、二极管D5的正极、电阻R34的一端和晶体管M8的漏极连接；所述电容C14的另一端作为输出关断匹配网络的输出端；所述二极管D7的正极和二极管D8的负极连接；所述二极管D5的负极和二极管D6的正极连接；所述二极管D8的正极和二极管D6的负极均接地；所述晶体管M8的栅极和电阻R23的一端连接；所述电阻R23的另一端作为输出关断匹配网络的第二输入端；所述晶体管M8的源极分别与电感L8的一端和电阻R34的另一端连接；所述电感L8的另一端和电阻R24的一端连接；所述电阻R24的另一端和接地电容C15连接；
所述负反馈双堆叠电流复用放大网络包括接地电阻R11、电阻R12、接地电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、接地电阻R18、电阻R19、电阻R20、接地电阻R21、电阻R22、电容C3、接地电容C4、电容C5、接地电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、接地电感L2、电感L3、电感L4、接地电感L5、电感L6和电感L7；
所述电阻R12的一端作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的第一输入端，并与电容C3的一端连接；所述电容C3的另一端和晶体管M1的栅极连接；所述晶体管M1的源极和接地电感L2连接；所述晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极连接；所述晶体管M2的栅极作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的第二输入端，并分别与接地电容C4和接地电阻R11连接；所述电阻R12的另一端分别与电阻R14的一端和电容C5的一端连接；所述电阻R14的另一端分别与电阻R15的一端、晶体管M3的漏极和漏极偏置电源Vd连接；所述晶体管M3的栅极分别与电阻R15的另一端和接地电容C6连接；所述晶体管M3的源极和接地电阻R13连接；所述电容C5的另一端和电感L3的一端连接；所述电感L3的另一端分别与晶体管M2的漏极、电感L6的一端、电容C8的一端和电容C7的一端连接；所述电容C7的另一端和电感L4的一端连接；所述电感L4的另一端分别与接地电感L5和电阻R16的一端连接；所述电阻R16的另一端和电容C9的一端连接；所述电容C9的另一端分别与电阻R17的一端和晶体管M4的栅极连接；所述晶体管M4的源极分别与电阻R22的一端、电感L6的另一端和电容C8的另一端连接；所述电阻R22的另一端和电容C10的一端连接；所述电容C10的另一端作为负反馈双堆叠电流复用放大网络的输出端，并分别与电感L7的一端和晶体管M5的漏极连接；所述晶体管M4的漏极和晶体管M5的源极连接；所述电阻R17的另一端分别与电阻R20的一端、晶体管M6的漏极和漏极偏置电源Vd连接；所述晶体管M6的栅极分别与电阻R20的另一端和接地电容C11连接；所述晶体管M6的源极和接地电阻R21连接；所述晶体管M5的栅极和电阻R19的一端连接；所述电阻R19的另一端作为反馈双堆叠电流复用放大网络的第三输入端，并分别与接地电容C12和接地电阻R18连接；所述电感L7的另一端分别与接地电容C13和漏极偏置电源Vd连接。
2.根据权利要求1所述的低功耗低噪声宽带放大器，其特征在于，所述开关控制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、接地电阻R10、晶体管M9、晶体管M10和晶体管M11；
所述电阻R7的一端作为开关控制电路的第一输出端和第二输出端，其另一端分别与电阻R5的一端、晶体管M10的栅极和晶体管M10的漏极连接；所述晶体管M10的源极和晶体管M11的漏极连接；所述晶体管M11的源极接地；所述晶体管M11的栅极分别与电阻R9的一端和接地电阻R10连接；所述晶体管M9的栅极分别与接地电阻R8和电阻R6的一端连接；所述电阻R6的另一端和电阻R5的另一端连接；所述晶体管M9的源极和电阻R9的另一端连接；所述晶体管M9的漏极和使能控制信号Vpd连接。
3.根据权利要求1所述的低功耗低噪声宽带放大器，其特征在于，所述使能控制电路包括电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R32、接地电阻R33、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14和晶体管M15；
所述晶体管M12的漏极作为使能控制电路的第一输出端；所述晶体管M12的源极接地；所述晶体管M12的栅极分别与电阻R25的一端和晶体管M13的栅极连接；所述晶体管M13的漏极作为使能控制电路的第二输出端；所述晶体管M14的栅极和电阻R28的一端连接；所述晶体管M14的源极接地；所述晶体管M14的漏极分别与电阻R25的另一端和电阻R26的一端连接；所述晶体管M15的栅极和电阻R29的一端连接；所述晶体管M15的漏极接地；所述晶体管M15的源极分别与电阻R32的一端和接地电阻R33连接；所述电阻R29的另一端分别与电阻R28的另一端、电阻R27的一端和电阻R30的一端连接；所述电阻R27的另一端分别与电阻R26的另一端和漏极偏置电源Vd连接；所述电阻R30的另一端分别与电阻R31的一端和电阻R32的一端连接；所述电阻R31的另一端和使能控制信号Vpd连接。
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