CN111740706A - 一种5g系统的宽带高线性度驱动放大器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器，包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络，本发明利用差分晶体管堆叠双级放大网络，实现了低噪声系数与高线性度指标，并进一步降低了功耗，改善了温度波动；同时利用差分放大器在微波频段的良好的寄生参数抑制性，使得整个低噪声放大器获得了良好的高增益、低噪声和高线性输出能力，避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。

Description

一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器

技术领域

本发明属于5G通信和集成电路技术领域，具体涉及一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器的设计。

背景技术

随着5G民用通信市场的快速发展，射频前端接收器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求超宽带、高增益、高线性度、低功耗、低噪声的射频与微波低噪声放大器芯片。然而，当前传统射频与微波低噪声放大器芯片设计中，一直存在一些设计难题，主要体现：

（1）低功耗、高增益、低噪声放大指标相互制约：由于市场的驱使，射频前端接收器的待机功耗需要尽量降低，从而实现节能的功能，但是传统的共源（或共射）低噪声放大器设计中，满足实现噪声最优的最佳噪声偏置点，和满足增益与跨导最大的偏置点往往不能实现放大器的功耗最低，因此两个指标不能很好地兼容。

（2）低功耗和高线性度指标相互制约：传统共源（或共射）低噪声放大器设计中，高线性度指标需要在固定工艺下选择功率容量高且1dB压缩点高的放大器晶体管，而高功率容量往往需要消耗较大的直流功耗，因此低功耗和线性度两者不能很好的兼容。

常见的低功耗、高线性度低噪声放大器的电路结构有很多，最典型的是电流复用式共源（或共射）放大器，但是，典型电流复用式共源（或共射）放大器，仍然存在一些设计不足，主要体现在：

（1）电流复用结构需要采用馈电电感和大电容实现两个共源（或共射）放大器的静态偏置复用，这种大电感和大电容馈电结构的自谐振频率点较低，在实现超宽带放大的时候，有可能自谐振频率点会落入放大频带内，从而恶化射频特性；同时大电感和电容往往占用较大的芯片面积，从而提高了芯片成本；

（2）电流复用结构往往采用传统AB类偏置状态为了获得高增益和低噪声系数，仍无法很好地解决低功耗和高线性度指标相互制约的固有问题。

发明内容

本发明的目的是提出一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器，利用差分放大技术，实现一种能够应用于5G通信系统的宽带、高线性度的驱动放大器结构。

本发明的技术方案为：一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器，包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络；差分输入匹配供电网络的第一输入端和第二输入端共同作为宽带高线性度驱动放大器的射频输入端，其第一输出端与差分驱动放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分驱动放大网络的第二输入端连接，其第三输出端与差分驱动放大网络的第三输入端连接；差分驱动放大网络的第一输出端与差分功率放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分功率放大网络的第二输入端连接；差分功率放大网络的第一输出端与差分转单端及供电网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分转单端及供电网络的第二输入端连接，其第三输出端与差分转单端及供电网络的第三输入端连接；差分转单端及供电网络的输出端为宽带高线性度驱动放大器的射频输出端。

本发明的有益效果是：本发明利用差分晶体管堆叠双级放大网络，实现了低噪声系数与高线性度指标，并进一步降低了功耗，改善了温度波动；同时利用差分放大器在微波频段的良好的寄生参数抑制性，使得整个低噪声放大器获得了良好的高增益、低噪声和高线性输出能力，避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。

进一步地，差分输入匹配供电网络包括晶体管M₁，晶体管M₁的栅极分别与其漏极以及电阻R₁的一端连接，并作为差分输入匹配供电网络的第二输出端，其源极与接地电阻R₂连接，电阻R₁的另一端分别与接地电容C₄、二极管D₅的阴极、二极管D₆的阳极以及低压偏置电源V_g1连接，二极管D₅的阳极和二极管D₆的阴极均接地；差分输入匹配供电网络还包括电容C₁，电容C₁的一端分别与二极管D₁的阴极以及二极管D₂的阳极连接，并作为差分输入匹配供电网络的第一输入端，二极管D₁的阳极和二极管D₂的阴极均接地，电容C₁的另一端通过电感L₁分别与电感L₃的一端以及接地电容C₃连接，电感L₃的另一端作为差分输入匹配供电网络的第一输出端；差分输入匹配供电网络还包括电容C₂，电容C₂的一端分别与二极管D₃的阴极以及二极管D₄的阳极连接，并作为差分输入匹配供电网络的第二输入端，二极管D₃的阳极和二极管D₄的阴极均接地，电容C₂的另一端通过电感L₂分别与电感L₄的一端以及接地电容C₅连接，电感L₄的另一端作为差分输入匹配供电网络的第三输出端。

上述进一步方案的有益效果是：差分输入匹配供电网络中，由晶体管M₁供电电路可以在一定范围内根据温度波动调节放大器的静态偏置点，在低温的时候将静态偏置点降低，从而降低功耗提高稳定性；在高温状态下降静态偏置点提升，从而改善放大器随着温度升高而出现的增益恶化现象；输入利用差分信号的特性，抑制对于高频寄生参数的敏感特性。

进一步地，差分驱动放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M₃和底层晶体管M₂，以及按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M₅和底层晶体管M₄；底层晶体管M₂的源极接地，其栅极与电阻R₄的一端连接，并作为差分驱动放大网络的第一输入端，底层晶体管M₄的源极接地，其栅极与电阻R₅的一端连接，并作为差分驱动放大网络的第三输入端，电阻R₄的另一端分别与电阻R₅的另一端以及电阻R₃的一端连接，电阻R₃的另一端作为差分驱动放大网络的第二输入端；顶层晶体管M₃的栅极和顶层晶体管M₅的栅极之间串联有电阻R₆、电阻R₇、电阻R₈和电阻R₁₀，电阻R₆和电阻R₇的连接节点还与接地电容C₆连接，电阻R₇和电阻R₈的连接节点还分别与接地电阻R₉以及电阻R₁₁的一端连接，电阻R₈和电阻R₁₀的连接节点还与接地电容C₇连接；顶层晶体管M₃的漏极通过电感L₅分别与电感L₇的一端以及电感L₉的一端连接，电感L₉的另一端作为差分驱动放大网络的第一输出端，顶层晶体管M₅的漏极通过电感L₆分别与电感L₈的一端以及电感L₁₁的一端连接，电感L₁₁的另一端作为差分驱动放大网络的第二输出端；电感L₇的另一端分别与电感L₈的另一端、电阻R₁₁的另一端、接地电容C₈以及电感L₁₀的一端连接，电感L₁₀的另一端分别与接地电容C₉、二极管D₇的阴极、二极管D₈的阳极以及高压偏置电源V_d1连接，二极管D₇的阳极和二极管D₈的阴极均接地。

上述进一步方案的有益效果是：差分驱动放大网络利用晶体管堆叠放大结构，实现了低噪声系数与高增益指标，同时避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。

进一步地，差分功率放大网络包括晶体管M₆，晶体管M₆的栅极分别与其漏极、电阻R₁₂的一端以及电阻R₁₄的一端连接，其源极与接地电阻R₁₃连接，电阻R₁₂的另一端分别与接地电容C₁₀、二极管D₉的阴极、二极管D₁₀的阳极以及低压偏置电源V_g2连接，二极管D₉的阳极和二极管D₁₀的阴极均接地；电阻R₁₄的另一端分别与电阻R₁₅的一端以及电阻R₁₆的一端连接，电阻R₁₅的另一端分别与电容C₁₂的一端以及晶体管M₈的栅极连接，电容C₁₂的另一端作为差分功率放大网络的第一输入端，晶体管M₈的源极分别与电容C₁₁的一端以及接地电感L₁₂连接，其漏极分别与晶体管M₇的漏极以及晶体管M₁₁的源极连接，晶体管M₇的栅极与电容C₁₁的另一端连接，其源极接地，晶体管M₁₁的栅极分别与电阻R₁₇的一端以及接地电容C₁₅连接，其漏极与电感L₁₅的一端连接，电感L₁₅的另一端作为差分功率放大网络的第一输出端；电阻R₁₆的另一端分别与电容C₁₃的一端以及晶体管M₉的栅极连接，电容C₁₃的另一端作为差分功率放大网络的第二输入端，晶体管M₉的源极分别与电容C₁₄的一端以及接地电感L₁₃连接，其漏极分别与晶体管M₁₀的漏极以及晶体管M₁₂的源极连接，晶体管M₁₀的栅极与电容C₁₄的另一端连接，其源极接地，晶体管M₁₂的栅极分别与电阻R₁₉的一端以及接地电容C₁₆连接，其漏极与电感L₁₆的一端连接，电感L₁₆的另一端作为差分功率放大网络的第三输出端；电阻R₁₇的另一端分别与接地电阻R₁₈、电阻R₁₉的另一端以及电阻R₂₀的一端连接，电阻R₂₀的另一端与电感L₁₄的一端连接，并作为差分功率放大网络的第二输出端，电感L₁₄的另一端分别与接地电容C₁₇、二极管D₁₁的阴极、二极管D₁₂的阳极以及高压偏置电源V_d2连接，二极管D₁₁的阳极和二极管D₁₂的阴极均接地。

上述进一步方案的有益效果是：差分功率放大网络利用晶体管堆叠放大结构，实现了高线性度与高增益指标，同时避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。

进一步地，差分转单端及供电网络包括巴伦T₁，巴伦T₁初级线圈的同名端作为差分转单端及供电网络的第一输入端，巴伦T₁初级线圈的中间抽头与接地电容C₁₈连接，并作为差分转单端及供电网络的第二输入端，巴伦T₁初级线圈的非同名端作为差分转单端及供电网络的第三输入端；巴伦T₁次级线圈的非同名端接地，巴伦T₁次级线圈的同名端与电容C₁₉的一端连接，电容C₁₉的一端分别与二极管D₁₃的阴极以及二极管D₁₄的阳极连接，并作为差分转单端及供电网络的输出端，二极管D₁₃的阳极和二极管D₁₄的阴极均接地。

上述进一步方案的有益效果是：本发明利用差分信号的特性，抑制对于高频寄生参数的敏感特性，同时提高了电路对于输出负载的抗失配特性。

附图说明

图1所示为本发明实施例提供的一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器原理框图。

图2所示为本发明实施例提供的一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器电路图。

具体实施方式

现在将参考附图来详细描述本发明的示例性实施方式。应当理解，附图中示出和描述的实施方式仅仅是示例性的，意在阐释本发明的原理和精神，而并非限制本发明的范围。

本发明实施例提供了一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器，如图1所示，包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络。

差分输入匹配供电网络的第一输入端和第二输入端共同作为宽带高线性度驱动放大器的射频输入端，其第一输出端与差分驱动放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分驱动放大网络的第二输入端连接，其第三输出端与差分驱动放大网络的第三输入端连接。

差分驱动放大网络的第一输出端与差分功率放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分功率放大网络的第二输入端连接。

差分功率放大网络的第一输出端与差分转单端及供电网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分转单端及供电网络的第二输入端连接，其第三输出端与差分转单端及供电网络的第三输入端连接。

差分转单端及供电网络的输出端为宽带高线性度驱动放大器的射频输出端。

如图2所示，差分输入匹配供电网络包括晶体管M₁，晶体管M₁的栅极分别与其漏极以及电阻R₁的一端连接，并作为差分输入匹配供电网络的第二输出端，其源极与接地电阻R₂连接，电阻R₁的另一端分别与接地电容C₄、二极管D₅的阴极、二极管D₆的阳极以及低压偏置电源V_g1连接，二极管D₅的阳极和二极管D₆的阴极均接地。

差分输入匹配供电网络还包括电容C₁，电容C₁的一端分别与二极管D₁的阴极以及二极管D₂的阳极连接，并作为差分输入匹配供电网络的第一输入端，二极管D₁的阳极和二极管D₂的阴极均接地，电容C₁的另一端通过电感L₁分别与电感L₃的一端以及接地电容C₃连接，电感L₃的另一端作为差分输入匹配供电网络的第一输出端。

差分输入匹配供电网络还包括电容C₂，电容C₂的一端分别与二极管D₃的阴极以及二极管D₄的阳极连接，并作为差分输入匹配供电网络的第二输入端，二极管D₃的阳极和二极管D₄的阴极均接地，电容C₂的另一端通过电感L₂分别与电感L₄的一端以及接地电容C₅连接，电感L₄的另一端作为差分输入匹配供电网络的第三输出端。

如图2所示，差分驱动放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M₃和底层晶体管M₂，以及按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M₅和底层晶体管M₄。

底层晶体管M₂的源极接地，其栅极与电阻R₄的一端连接，并作为差分驱动放大网络的第一输入端，底层晶体管M₄的源极接地，其栅极与电阻R₅的一端连接，并作为差分驱动放大网络的第三输入端，电阻R₄的另一端分别与电阻R₅的另一端以及电阻R₃的一端连接，电阻R₃的另一端作为差分驱动放大网络的第二输入端。

顶层晶体管M₃的栅极和顶层晶体管M₅的栅极之间串联有电阻R₆、电阻R₇、电阻R₈和电阻R₁₀，电阻R₆和电阻R₇的连接节点还与接地电容C₆连接，电阻R₇和电阻R₈的连接节点还分别与接地电阻R₉以及电阻R₁₁的一端连接，电阻R₈和电阻R₁₀的连接节点还与接地电容C₇连接。

顶层晶体管M₃的漏极通过电感L₅分别与电感L₇的一端以及电感L₉的一端连接，电感L₉的另一端作为差分驱动放大网络的第一输出端，顶层晶体管M₅的漏极通过电感L₆分别与电感L₈的一端以及电感L₁₁的一端连接，电感L₁₁的另一端作为差分驱动放大网络的第二输出端。

电感L₇的另一端分别与电感L₈的另一端、电阻R₁₁的另一端、接地电容C₈以及电感L₁₀的一端连接，电感L₁₀的另一端分别与接地电容C₉、二极管D₇的阴极、二极管D₈的阳极以及高压偏置电源V_d1连接，二极管D₇的阳极和二极管D₈的阴极均接地。

如图2所示，差分功率放大网络包括晶体管M₆，晶体管M₆的栅极分别与其漏极、电阻R₁₂的一端以及电阻R₁₄的一端连接，其源极与接地电阻R₁₃连接，电阻R₁₂的另一端分别与接地电容C₁₀、二极管D₉的阴极、二极管D₁₀的阳极以及低压偏置电源V_g2连接，二极管D₉的阳极和二极管D₁₀的阴极均接地。

电阻R₁₄的另一端分别与电阻R₁₅的一端以及电阻R₁₆的一端连接，电阻R₁₅的另一端分别与电容C₁₂的一端以及晶体管M₈的栅极连接，电容C₁₂的另一端作为差分功率放大网络的第一输入端，晶体管M₈的源极分别与电容C₁₁的一端以及接地电感L₁₂连接，其漏极分别与晶体管M₇的漏极以及晶体管M₁₁的源极连接，晶体管M₇的栅极与电容C₁₁的另一端连接，其源极接地，晶体管M₁₁的栅极分别与电阻R₁₇的一端以及接地电容C₁₅连接，其漏极与电感L₁₅的一端连接，电感L₁₅的另一端作为差分功率放大网络的第一输出端。

电阻R₁₆的另一端分别与电容C₁₃的一端以及晶体管M₉的栅极连接，电容C₁₃的另一端作为差分功率放大网络的第二输入端，晶体管M₉的源极分别与电容C₁₄的一端以及接地电感L₁₃连接，其漏极分别与晶体管M₁₀的漏极以及晶体管M₁₂的源极连接，晶体管M₁₀的栅极与电容C₁₄的另一端连接，其源极接地，晶体管M₁₂的栅极分别与电阻R₁₉的一端以及接地电容C₁₆连接，其漏极与电感L₁₆的一端连接，电感L₁₆的另一端作为差分功率放大网络的第三输出端。

电阻R₁₇的另一端分别与接地电阻R₁₈、电阻R₁₉的另一端以及电阻R₂₀的一端连接，电阻R₂₀的另一端与电感L₁₄的一端连接，并作为差分功率放大网络的第二输出端，电感L₁₄的另一端分别与接地电容C₁₇、二极管D₁₁的阴极、二极管D₁₂的阳极以及高压偏置电源V_d2连接，二极管D₁₁的阳极和二极管D₁₂的阴极均接地。

如图2所示，差分转单端及供电网络包括巴伦T₁，巴伦T₁初级线圈的同名端作为差分转单端及供电网络的第一输入端，巴伦T₁初级线圈的中间抽头与接地电容C₁₈连接，并作为差分转单端及供电网络的第二输入端，巴伦T₁初级线圈的非同名端作为差分转单端及供电网络的第三输入端。

巴伦T₁次级线圈的非同名端接地，巴伦T₁次级线圈的同名端与电容C₁₉的一端连接，电容C₁₉的一端分别与二极管D₁₃的阴极以及二极管D₁₄的阳极连接，并作为差分转单端及供电网络的输出端，二极管D₁₃的阳极和二极管D₁₄的阴极均接地。

下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍：

射频输入信号通过差分信号输入端RF_in1和RF_in2进入电路，其中正向差分信号输入端RF_in1通过隔直电容C₁进入由电感L₁、电容C₃和电感L₃构成的T型输入匹配网络进行阻抗变换，同时通过电阻R₁至R₄及晶体管M₁和电容C₄构成的温补栅极加电网络进行直流馈电后，进入晶体管M₂-M₃构成的堆叠放大器进行信号放大，经过放大的正向差分射频信号进入由电感L₅、L₇和L₉构成的T型输入匹配网络进行阻抗变换，同时利用馈电电感L₁₀和旁路电容C₈进行直流馈电，正向差分射频信号通过隔直电容C₁₂进入差分功率放大网络的差分正向放大链路，接着进入晶体管M₇、M₈、M₁₁等构成的达林顿堆叠放大器进行信号放大，其中晶体管M₇、M₈及电感L₁₂及电容C₁₁构成达林顿放大管，同时此达林顿放大管与晶体管M₁₁构成堆叠放大结构。射频负向差分输入信号通过输入端RF_in2进入电路的放大原理与正向信号类似。放大后的正向和负向差分射频信号分别通过匹配电感L₁₅和L₁₆后进入差分输出转单端供电网络进行差分信号到单端信号的转换，最后从单端输出端RF_out输出；二极管D₁至D₁₄用于实现电路的ESD保护功能，可以根据电路实际应用需求适当增加正偏二极管的串联个数适当提高ESD保护能力。

本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器，其特征在于，包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络；

所述差分输入匹配供电网络的第一输入端和第二输入端共同作为宽带高线性度驱动放大器的射频输入端，其第一输出端与差分驱动放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分驱动放大网络的第二输入端连接，其第三输出端与差分驱动放大网络的第三输入端连接；

所述差分驱动放大网络的第一输出端与差分功率放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分功率放大网络的第二输入端连接；

所述差分功率放大网络的第一输出端与差分转单端及供电网络的第一输入端连接，其第二输出端与差分转单端及供电网络的第二输入端连接，其第三输出端与差分转单端及供电网络的第三输入端连接；

所述差分转单端及供电网络的输出端为宽带高线性度驱动放大器的射频输出端。

2.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器，其特征在于，所述差分输入匹配供电网络包括晶体管M₁，所述晶体管M₁的栅极分别与其漏极以及电阻R₁的一端连接，并作为差分输入匹配供电网络的第二输出端，其源极与接地电阻R₂连接，所述电阻R₁的另一端分别与接地电容C₄、二极管D₅的阴极、二极管D₆的阳极以及低压偏置电源V_g1连接，所述二极管D₅的阳极和二极管D₆的阴极均接地；

所述差分输入匹配供电网络还包括电容C₁，所述电容C₁的一端分别与二极管D₁的阴极以及二极管D₂的阳极连接，并作为差分输入匹配供电网络的第一输入端，所述二极管D₁的阳极和二极管D₂的阴极均接地，所述电容C₁的另一端通过电感L₁分别与电感L₃的一端以及接地电容C₃连接，所述电感L₃的另一端作为差分输入匹配供电网络的第一输出端；

所述差分输入匹配供电网络还包括电容C₂，所述电容C₂的一端分别与二极管D₃的阴极以及二极管D₄的阳极连接，并作为差分输入匹配供电网络的第二输入端，所述二极管D₃的阳极和二极管D₄的阴极均接地，所述电容C₂的另一端通过电感L₂分别与电感L₄的一端以及接地电容C₅连接，所述电感L₄的另一端作为差分输入匹配供电网络的第三输出端。

3.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器，其特征在于，所述差分驱动放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M₃和底层晶体管M₂，以及按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M₅和底层晶体管M₄；

所述底层晶体管M₂的源极接地，其栅极与电阻R₄的一端连接，并作为差分驱动放大网络的第一输入端，所述底层晶体管M₄的源极接地，其栅极与电阻R₅的一端连接，并作为差分驱动放大网络的第三输入端，所述电阻R₄的另一端分别与电阻R₅的另一端以及电阻R₃的一端连接，所述电阻R₃的另一端作为差分驱动放大网络的第二输入端；

所述顶层晶体管M₃的栅极和顶层晶体管M₅的栅极之间串联有电阻R₆、电阻R₇、电阻R₈和电阻R₁₀，所述电阻R₆和电阻R₇的连接节点还与接地电容C₆连接，所述电阻R₇和电阻R₈的连接节点还分别与接地电阻R₉以及电阻R₁₁的一端连接，所述电阻R₈和电阻R₁₀的连接节点还与接地电容C₇连接；

所述顶层晶体管M₃的漏极通过电感L₅分别与电感L₇的一端以及电感L₉的一端连接，所述电感L₉的另一端作为差分驱动放大网络的第一输出端，所述顶层晶体管M₅的漏极通过电感L₆分别与电感L₈的一端以及电感L₁₁的一端连接，所述电感L₁₁的另一端作为差分驱动放大网络的第二输出端；

所述电感L₇的另一端分别与电感L₈的另一端、电阻R₁₁的另一端、接地电容C₈以及电感L₁₀的一端连接，所述电感L₁₀的另一端分别与接地电容C₉、二极管D₇的阴极、二极管D₈的阳极以及高压偏置电源V_d1连接，所述二极管D₇的阳极和二极管D₈的阴极均接地。

4.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器，其特征在于，所述差分功率放大网络包括晶体管M₆，所述晶体管M₆的栅极分别与其漏极、电阻R₁₂的一端以及电阻R₁₄的一端连接，其源极与接地电阻R₁₃连接，所述电阻R₁₂的另一端分别与接地电容C₁₀、二极管D₉的阴极、二极管D₁₀的阳极以及低压偏置电源V_g2连接，所述二极管D₉的阳极和二极管D₁₀的阴极均接地；

所述电阻R₁₄的另一端分别与电阻R₁₅的一端以及电阻R₁₆的一端连接，所述电阻R₁₅的另一端分别与电容C₁₂的一端以及晶体管M₈的栅极连接，所述电容C₁₂的另一端作为差分功率放大网络的第一输入端，所述晶体管M₈的源极分别与电容C₁₁的一端以及接地电感L₁₂连接，其漏极分别与晶体管M₇的漏极以及晶体管M₁₁的源极连接，所述晶体管M₇的栅极与电容C₁₁的另一端连接，其源极接地，所述晶体管M₁₁的栅极分别与电阻R₁₇的一端以及接地电容C₁₅连接，其漏极与电感L₁₅的一端连接，所述电感L₁₅的另一端作为差分功率放大网络的第一输出端；

所述电阻R₁₆的另一端分别与电容C₁₃的一端以及晶体管M₉的栅极连接，所述电容C₁₃的另一端作为差分功率放大网络的第二输入端，所述晶体管M₉的源极分别与电容C₁₄的一端以及接地电感L₁₃连接，其漏极分别与晶体管M₁₀的漏极以及晶体管M₁₂的源极连接，所述晶体管M₁₀的栅极与电容C₁₄的另一端连接，其源极接地，所述晶体管M₁₂的栅极分别与电阻R₁₉的一端以及接地电容C₁₆连接，其漏极与电感L₁₆的一端连接，所述电感L₁₆的另一端作为差分功率放大网络的第三输出端；

所述电阻R₁₇的另一端分别与接地电阻R₁₈、电阻R₁₉的另一端以及电阻R₂₀的一端连接，所述电阻R₂₀的另一端与电感L₁₄的一端连接，并作为差分功率放大网络的第二输出端，所述电感L₁₄的另一端分别与接地电容C₁₇、二极管D₁₁的阴极、二极管D₁₂的阳极以及高压偏置电源V_d2连接，所述二极管D₁₁的阳极和二极管D₁₂的阴极均接地。

5.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器，其特征在于，所述差分转单端及供电网络包括巴伦T₁，所述巴伦T₁初级线圈的同名端作为差分转单端及供电网络的第一输入端，所述巴伦T₁初级线圈的中间抽头与接地电容C₁₈连接，并作为差分转单端及供电网络的第二输入端，所述巴伦T₁初级线圈的非同名端作为差分转单端及供电网络的第三输入端；

所述巴伦T₁次级线圈的非同名端接地，所述巴伦T₁次级线圈的同名端与电容C₁₉的一端连接，所述电容C₁₉的一端分别与二极管D₁₃的阴极以及二极管D₁₄的阳极连接，并作为差分转单端及供电网络的输出端，所述二极管D₁₃的阳极和二极管D₁₄的阴极均接地。

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