JP2014512108A - トランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
ソース及びドレイン(SD)電極の形状が、有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、駆動電流の広がりに及ぼす影響について調査するためにトップゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタを作成した。実験に際して、様々な異なる4インチ角の基板を用いた。具体的には、ガラス、平坦化したポリエチレンナフタレート(PEN)(例えば、デュポン帝人フィルム)、及び架橋SU8ネガ型フォトレジスト(マイクロケム)の層で被覆したガラスを用いた。金(Au)製のソース電極及びドレイン電極を、標準のフォトリソグラフィ法及び化学的なウェットエッチングを用いて基板上に画定した。PEN及びガラス基板に対しては、Auの下に薄い(5nmの)チタン(Ti)接着層を用いた。ガラス基板上のSU8に対しては、パターニングプロセスを通してAuがSU8の表面に十分良好に接着するため、Ti接着層は不要であった。ソース電極及びドレイン電極を画定するのに用いたパターンを図1に示す。各4インチ角のパネルを8列4行にわたってパネル上に分配される32個の単位セルに分割した。各セル内のOTFT(有機薄膜トランジスタ)は500個までとし、解像度が100ppi(ピクセル/インチ)のディスプレイバックプレーンに見られる密度と同様の密度でパックされるようにした。OSC溶液のスピンコーティングの前に、1分間にわたりペンタフルオロベンゼンチオールの10mM溶液を電極表面に付着し、その後2-プロパノールで洗浄した。有機半導体(OSC)の配合物は、6,13-ビス(トリイソプロピレンエチルニル)ペンタセン(TIPS)[1]、及び1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン溶媒(テトラリン)中のポリトリアリルアミン(PTAA)[2]を含むものとした。電極形状が電流を流した状態のトランジスタの均一性に及ぼす影響を判断するために、複数の配合物を調製した。使用した配合物の詳細を表1に示す。OTFTのスタックを完成するために、フルオロポリマー誘電体(FC43溶媒中のCytop(登録商標)、旭硝子株式会社製)も500ナノメートルの厚さにスピンコートした。最終的に、スパッタリング及びフォトリソグラフィ法によりAuのトップゲートをスタックの上に堆積し、パターン化して、ソース‐ドレイン電極及びOTFTのチャネルの上にゲートを正確に位置決めできるようにした。
上式で、Lはトランジスタ長を、Wはトランジスタ幅を、Ciは単位面積当りの誘電体容量を示す。オン電流は、ゲート-ソース間電圧Vgsを−40V、ドレイン-ソース間電圧Vdsを−5Vとして各トランジスタにて測定された電流として定義した。ゲートリークを有する少数のデバイスを排除するために、ゲート-ソース間電圧Vgsを−40V、ドレイン-ソース間電圧Vdsを−5Vとして、ゲート電流のソース-ドレイン間電流に対する比をとった。この比が10以下の場合(すなわちゲート電流がソース-ドレイン間電流の10%以上であった場合)には、そのデバイスは結果から除外した。表1は、PTAAとTIPSとの様々な混合比の配合物及び線状電極又は波状電極の形状を用いて、3種類の基板について得た主な実験結果の概要を示す。成形した電極はOSC層が結晶質である場合にのみ効果的であることを実証するために、テトラリン中に4wt%のPTAAの配合物を用いた(PTAAは非結晶質であり、チャネル配向の影響を受けない)。TIPSを用いた全ての場合において、オン電流の標準偏差は、波状のトランジスタ形状を用いた場合の方が遥かに小さくなる。多くの場合に、波状トランジスタの標準偏差は線状トランジスタの半分以下である。非結晶質のPTAA材料の場合、オン電流のばらつきは波状トランジスタ及び線状トランジスタの両方において同じ(実験誤差程度の範囲内)である。TIPS/PTAA配合物の実験結果のうち、IONのばらつきが最少のもの(8.9%)はPTAAの場合の値(5.2%)に近いものとなっている。
TIPSとPTAAとの割合を1対1とした配合物の場合の、PEN上の平均線形移動度は0.7cm2/VSであった。
TIPSとPTAAとの割合を1対1とした配合物の場合の、SU8上(及びガラス上の)の平均線形移動度は0.4cm2/VSであった。
TIPSとPTAAとの割合を2対1とした配合物の場合の、ポリエチレンナフタレート上の平均線形移動度は0.3cm2/VSであった。
PTAAの場合の、ガラス上の平均線形移動度は0.003cm2/VSであった。
*基板全体にわたって300個以上のOTFTについて、100個ずつ試験を行った。
Claims (10)
- 電界効果トランジスタであって、
ソース電極及びドレイン電極に対する様々な配列の半導体微結晶からなる半導体を含むチャネルにより分離されたソース電極及びドレイン電極を備え、
前記半導体の導電率は、前記半導体並びに前記ソース電極及び前記ドレイン電極から絶縁されたゲート電極によって制御され、
前記ゲート電極には、前記半導体の導電率を制御するために電位が印加され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各対向面の少なくとも一部は、前記チャネルを経て前記電極間に異なる方向の電流の流れを提供するように幾何学的に形成される、
電界効果トランジスタ。 - 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを分離する前記チャネルの長さは、ほぼ均一であり、その全幅にわたって湾曲している、請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記チャネルは、交互に連結された反転円が存在する割円形状である、請求項1又は2のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各対向面は、様々な接面を有するように輪郭付けされている、請求項1又は2のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記チャネル長は、最長で20μm、好適には最長で10μmである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 半導体微結晶の結合剤を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記結合剤は、半導体特性を有し、非結晶質である、請求項6に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記半導体は、溶液として堆積され乾燥される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記半導体は、好適にはトリアルキルシリルエチニル基で置換されるペンタセン等の、好適には置換ポリアセンの微結晶を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
- ポリトリアリールアミンの結合剤を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタ。
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