JP2014509044A - 高性能誘導プラズマトーチ - Google Patents
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Abstract
Description
ξ0=自由空間の透磁率=4πx10−7(H/m)または(V.s/A.m)
σ=容量性シールド材料の電気伝導率(mho/m)または(A/V.m)
f=発振器周波数(s−1)
12 管状トーチ本体
14 誘導コイル
26 プラズマ閉込管
32 ガス分配器ヘッド
42 粉末注入プローブ
50 容量性シールド部
51 軸方向ストリップ
510 軸方向溝
Claims (34)
- 誘導プラズマトーチに使用するためのプラズマ閉込管であって、幾何学的軸および外側表面を画成し、前記外側表面に施され軸方向ストリップに分割された導電材料の膜を含む容量性シールド部を含み、前記軸方向ストリップは、一方の端部において相互接続されており、前記膜は、前記誘導プラズマトーチの動作周波数、および前記膜の前記導電材料の電気伝導率に関して計算される表皮厚さよりも小さい厚さを有することを特徴とするプラズマ閉込管。
- 導電材料の前記膜は、前記外側表面上に堆積されることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ閉込管。
- 導電材料の前記膜は、金属材料から作られることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ閉込管。
- 高い熱伝導率、高い電気抵抗率、および高い熱衝撃抵抗性を有する、純粋または複合的なセラミック材料から作られることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ閉込管。
- 導電材料の前記膜は、100ミクロン以下の厚さを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ閉込管。
- 誘導プラズマトーチに使用するためのプラズマ閉込管であって、幾何学的軸および外側表面を画成し、
前記外側表面に施され一方の端部において相互接続された軸方向ストリップに分割された導電材料の膜を含む容量性シールド部と、
前記外側表面の軸方向溝であって、前記軸方向ストリップ間に配置される軸方向溝と、
を含むことを特徴とするプラズマ閉込管。 - 前記軸方向溝の1つは、側方に隣接する軸方向ストリップの各対の間に配置されることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ閉込管。
- 前記軸方向溝は、導電材料の前記膜を含まない表面を画定することを特徴とする請求項6または7に記載のプラズマ閉込管。
- 前記溝は、1mm〜10mmの幅および1mm〜2mmの深さを有することを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載のプラズマ閉込管。
- 内側表面を有する管状トーチ本体と、
前記管状トーチ本体内に前記管状トーチ本体と同軸上に配置され、外側表面を有するプラズマ閉込管と、
前記プラズマ閉込管の一方の端部に配置され、前記プラズマ閉込管内に少なくとも1つの気体状物質を供給するように構成されたガス分配器ヘッドと、
前記プラズマ閉込管内にプラズマを生成および維持するのに前記気体状物質にエネルギーを加えるために前記管状トーチ本体の前記内側表面の外側に配置された誘導結合部材と、
前記プラズマ閉込管の前記外側表面または前記管状トーチ本体の前記内側表面に施された導電材料の膜を含む容量性シールド部であって、導電材料の前記膜は軸方向ストリップに分割され、前記軸方向ストリップは一方の端部において相互接続され、前記膜は、前記誘導結合部材に供給される電流の周波数および前記膜の前記導電材料の電気伝導率に関して計算される表皮厚さよりも小さい厚さを有する容量性シールド部と、
を含むことを特徴とする誘導プラズマトーチ。 - 導電材料の前記膜は、前記プラズマ閉込管の前記外側表面または前記管状トーチ本体の前記内側表面上に堆積される、請求項10に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜は、金属材料から作られることを特徴とする請求項10または11に記載の誘導プラズマトーチ。
- 前記プラズマ閉込管は、高い熱伝導率、高い電気抵抗率、および高い熱衝撃抵抗性を有する、純粋または複合的なセラミック材料から作られることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜は、100ミクロン以下の厚さを有することを特徴とする請求項10〜13のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜および前記プラズマ閉込管の両方を冷却するための冷却流体の流れを導くのに、前記プラズマ閉込管の前記外側表面と前記管状トーチ本体の前記内側表面との間の環状チャンバを含むことを特徴とする請求項10〜14のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 前記環状チャンバは、約1mmの厚さを有し、冷却流体の前記流れは、冷却流体の高速の流れである、請求項15に記載の誘導プラズマトーチ。
- プラズマ点火中に前記容量性シールド部を浮動電位に維持するための手段と、前記プラズマが点火され、維持されるとき、導電材料の前記膜上に発現する任意の容量性電位を排出するために前記容量性シールド部をグランドに接続するための手段とを含むことを特徴とする請求項10〜16のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 内側表面を有する管状トーチ本体と、
前記管状トーチ本体内に前記管状トーチ本体と同軸上に配置され、外側表面を有するプラズマ閉込管と、
前記プラズマ閉込管の一方の端部に配置され、前記プラズマ閉込管内に少なくとも1つの気体状物質を供給するように構成されたガス分配器ヘッドと、
前記プラズマ閉込管内にプラズマを生成および維持するのに前記気体状物質にエネルギーを加えるために前記管状トーチ本体の前記内側表面の外側に配置された誘導結合部材と、
前記プラズマ閉込管の前記外側表面または前記管状トーチ本体の前記内側表面に施された導電材料の膜を含む容量性シールド部であって、導電材料の前記膜は軸方向ストリップに分割され、前記軸方向ストリップは一方の端部において相互接続される、容量性シールド部と、
前記プラズマ閉込管の前記外側表面または前記管状トーチ本体の前記内側表面の軸方向溝であって、前記軸方向ストリップ間に配置された軸方向溝と、
を含むことを特徴とする誘導プラズマトーチ。 - 前記軸方向溝の1つは、側方に隣接する軸方向ストリップの各対の間に配置されることを特徴とする請求項18に記載の誘導プラズマトーチ。
- 前記軸方向溝は、導電材料の前記膜を含まない表面を画定する、請求項18または19に記載の誘導プラズマトーチ。
- 前記溝は、1mm〜10mmの幅および1mm〜2mmの深さを有することを特徴とする請求項18〜20のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜は、前記プラズマ閉込管の前記外側表面または前記管状トーチ本体の前記内側表面上に堆積される、請求項18〜21のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜は、金属材料から作られることを特徴とする請求項18〜22のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 前記プラズマ閉込管は、高い熱伝導率、高い電気抵抗率、および高い熱衝撃抵抗性を有する、純粋または複合的なセラミック材料から作られることを特徴とする請求項18〜23のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜は、100ミクロン以下の厚さを有することを特徴とする請求項18〜24のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 導電材料の前記膜および前記プラズマ閉込管の両方を冷却するための冷却流体の流れを導くのに、前記プラズマ閉込管の前記外側表面と前記管状トーチ本体の前記内側表面との間の環状チャンバを含む、誘導プラズマトーチであって、前記冷却流体は前記軸方向溝内にも流れることを特徴とする請求項18〜25のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 前記環状チャンバは、約1mmの厚さを有し、冷却流体の前記流れは、冷却流体の高速の流れであることを特徴とする請求項26に記載の誘導プラズマトーチ。
- プラズマ点火中に前記容量性シールド部を浮動電位に維持するための手段と、前記プラズマが点火され、維持されるとき、導電材料の前記膜上に発現する任意の容量性電位を排出するために前記容量性シールド部をグランドに接続するための手段とを含むことを特徴とする請求項18〜27のいずれか一項に記載の誘導プラズマトーチ。
- 誘導プラズマトーチに使用するための管状トーチ本体であって、幾何学的軸および内側表面を画成し、前記管状トーチ本体の前記内側表面に施され軸方向ストリップに分割された導電材料の膜を含む容量性シールド部を含み、前記軸方向ストリップは、一方の端部において相互接続されており、前記導電膜は、前記誘導プラズマトーチの動作周波数、および前記膜の前記導電材料の電気伝導率に関して計算される表皮厚さよりも小さい厚さを有する、管状トーチ本体。
- 導電材料の前記膜は、100ミクロン以下の厚さを有することを特徴とする請求項29に記載の管状トーチ本体。
- 誘導プラズマトーチに使用するための管状トーチ本体であって、幾何学的軸および内側表面を画成し、
前記管状トーチ本体の前記内側表面に施され一方の端部において相互接続された軸方向ストリップに分割された導電材料の膜を含む容量性シールド部と、
前記管状トーチ本体の前記内側表面の軸方向溝であって、前記軸方向ストリップ間に配置される軸方向溝と、
を含むことを特徴とする管状トーチ本体。 - 前記軸方向溝の1つは、側方に隣接する軸方向ストリップの各対の間に配置されることを特徴とする請求項31に記載の管状トーチ本体。
- 前記軸方向溝は、導電材料の前記膜を含まない表面を画定することを特徴とする請求項31または32に記載の管状トーチ本体。
- 前記溝は、1mm〜10mmの幅および1mm〜2mmの深さを有することを特徴とする請求項31〜33のいずれか一項に記載の管状トーチ本体。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018519637A (ja) * | 2015-06-29 | 2018-07-19 | テクナ・プラズマ・システムズ・インコーポレーテッド | より高いプラズマエネルギー密度を有する誘導プラズマトーチ |
JP2020161319A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社ダイヘン | プラズマ発生装置 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103094038B (zh) | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
US20140263181A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Jaeyoung Park | Method and apparatus for generating highly repetitive pulsed plasmas |
JP5861045B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
EP2984908B1 (en) | 2013-04-08 | 2022-02-09 | PerkinElmer Health Sciences, Inc. | Capacitively coupled devices |
US9717139B1 (en) * | 2013-08-26 | 2017-07-25 | Elemental Scientific, Inc. | Torch cooling device |
US20150139853A1 (en) * | 2013-11-20 | 2015-05-21 | Aic, Llc | Method and apparatus for transforming a liquid stream into plasma and eliminating pathogens therein |
KR102279673B1 (ko) * | 2014-01-15 | 2021-07-21 | 갈리움 엔터프라이지즈 피티와이 엘티디 | 필름 내의 불순물의 감소를 위한 장치 및 방법 |
CA3039695C (en) * | 2014-03-11 | 2019-10-29 | Tekna Plasma Systems Inc. | Process and apparatus for producing powder particles by atomization of a feed material in the form of an elongated member |
CA2953492C (en) | 2014-06-25 | 2023-04-25 | The Regents Of The University Of California | System and methods for fabricating boron nitride nanostructures |
JP6875285B2 (ja) | 2015-03-13 | 2021-05-19 | コーニング インコーポレイテッド | エッジ強度試験方法および装置 |
CN104867801B (zh) * | 2015-05-20 | 2017-01-18 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 电感耦合等离子体喷枪及等离子体设备 |
JP6295439B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2018-03-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
EP3756799A1 (en) | 2015-07-17 | 2020-12-30 | AP&C Advanced Powders And Coatings Inc. | Plasma atomization metal powder manufacturing processes and systems therefore |
US10307852B2 (en) | 2016-02-11 | 2019-06-04 | James G. Acquaye | Mobile hardbanding unit |
EP3442726B1 (en) | 2016-04-11 | 2023-01-04 | AP&C Advanced Powders And Coatings Inc. | Reactive metal powders in-flight heat treatment processes |
US10212798B2 (en) * | 2017-01-30 | 2019-02-19 | Sina Alavi | Torch for inductively coupled plasma |
US11749798B2 (en) | 2017-03-03 | 2023-09-05 | Hydro-Quebec | Nanoparticles comprising a core covered with a passivation layer, process for manufacture and uses thereof |
CN109304474B (zh) * | 2018-11-29 | 2023-10-27 | 中天智能装备有限公司 | Icp等离子制粉设备 |
CN109304473A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-02-05 | 中天智能装备有限公司 | Icp等离子直线加热装置 |
US20230363076A1 (en) | 2020-09-15 | 2023-11-09 | Shimadzu Corporation | Radical generation device and ion spectrometer |
CN112996211B (zh) * | 2021-02-09 | 2023-12-26 | 重庆新离子环境科技有限公司 | 一种应用于危废处理的直流电弧等离子体炬 |
KR102356083B1 (ko) * | 2021-08-19 | 2022-02-08 | (주)제이피오토메이션 | 고온 공정 처리 장치 |
AT526238B1 (de) * | 2022-08-09 | 2024-01-15 | Thermal Proc Solutions Gmbh | Vorrichtung zur Bereitstellung eines Plasmas |
AT526353B1 (de) | 2022-08-09 | 2024-02-15 | Thermal Proc Solutions Gmbh | Einrichtung zur thermischen Behandlung eines Stoffes |
AT526239B1 (de) | 2022-08-09 | 2024-01-15 | Thermal Proc Solutions Gmbh | Vorrichtung zur Bereitstellung eines Plasmas |
WO2024092282A2 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Foret Plasma Labs, Llc | Wave energy systems |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233155A (en) * | 1988-11-07 | 1993-08-03 | General Electric Company | Elimination of strike-over in rf plasma guns |
JPH05508053A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-11-11 | ユニベルシテ ドゥ シエルブルーク | 水冷セラミック幽閉管を有する高性能誘導プラズマトーチ |
JPH06342640A (ja) * | 1993-06-01 | 1994-12-13 | Yokogawa Analytical Syst Kk | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 |
JPH10284299A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Applied Materials Inc | 高周波導入部材及びプラズマ装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4897579A (en) | 1987-04-13 | 1990-01-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of processing materials using an inductively coupled plasma |
JPH01140600A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Jeol Ltd | 誘導プラズマ発生装置 |
WO1991010341A1 (en) * | 1990-01-04 | 1991-07-11 | Savas Stephen E | A low frequency inductive rf plasma reactor |
US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
US5360941A (en) * | 1991-10-28 | 1994-11-01 | Cubic Automatic Revenue Collection Group | Magnetically permeable electrostatic shield |
US5560844A (en) | 1994-05-26 | 1996-10-01 | Universite De Sherbrooke | Liquid film stabilized induction plasma torch |
US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
TW283250B (en) * | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
JPH09129397A (ja) | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Applied Materials Inc | 表面処理装置 |
CA2244749A1 (en) | 1996-02-06 | 1997-08-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Treatment of deagglomerated particles with plasma-activated species |
TW327236B (en) | 1996-03-12 | 1998-02-21 | Varian Associates | Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield |
US6056848A (en) * | 1996-09-11 | 2000-05-02 | Ctp, Inc. | Thin film electrostatic shield for inductive plasma processing |
US5877471A (en) * | 1997-06-11 | 1999-03-02 | The Regents Of The University Of California | Plasma torch having a cooled shield assembly |
KR100634654B1 (ko) | 1998-08-03 | 2006-10-16 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Esrf 챔버 냉각시스템 및 처리 |
JP2000182799A (ja) | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Fuji Electric Co Ltd | 誘導結合プラズマ装置ならびにこれを用いる処理炉 |
US6248251B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for electrostatically shielding an inductively coupled RF plasma source and facilitating ignition of a plasma |
JP2002237486A (ja) | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US6693253B2 (en) | 2001-10-05 | 2004-02-17 | Universite De Sherbrooke | Multi-coil induction plasma torch for solid state power supply |
JP2004160338A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Pearl Kogyo Kk | 半導体プロセス用排ガス処理装置 |
US20050194099A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Jewett Russell F.Jr. | Inductively coupled plasma source using induced eddy currents |
KR100793154B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2008-01-10 | 주식회사 포스코 | 고주파 플라즈마를 이용한 은나노 분말 제조방법 |
JP2009021492A (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Samco Inc | プラズマ反応容器 |
KR101006382B1 (ko) | 2008-04-24 | 2011-01-10 | 익스팬테크주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
EP2341525B1 (en) | 2009-12-30 | 2013-10-23 | FEI Company | Plasma source for charged particle beam system |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233155A (en) * | 1988-11-07 | 1993-08-03 | General Electric Company | Elimination of strike-over in rf plasma guns |
JPH05508053A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-11-11 | ユニベルシテ ドゥ シエルブルーク | 水冷セラミック幽閉管を有する高性能誘導プラズマトーチ |
JPH06342640A (ja) * | 1993-06-01 | 1994-12-13 | Yokogawa Analytical Syst Kk | 高周波誘導結合プラズマ質量分析装置 |
JPH10284299A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Applied Materials Inc | 高周波導入部材及びプラズマ装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018519637A (ja) * | 2015-06-29 | 2018-07-19 | テクナ・プラズマ・システムズ・インコーポレーテッド | より高いプラズマエネルギー密度を有する誘導プラズマトーチ |
JP2020161319A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社ダイヘン | プラズマ発生装置 |
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