JP2014508337A - 容量性タッチ検知デバイスおよびそれの製造方法 - Google Patents

Abstract

本開示は、センサーアレイの近くに配設された導電性物体の（１つまたは複数の）位置を検知するためのシステム、方法、および装置を提供する。一態様では、センサーアレイは、（１つまたは複数の）不透明材料から形成された導電性行と導電性列とを含む。導電性行の少なくとも一部分は導電性列の少なくとも一部分と重なり、導電性行および列の各々は検知要素を含む。検知要素は、それを通る光の損失を制限するために、（１つまたは複数の）非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する。

Description

本開示は、検知デバイスに関し、より詳細には、容量性タッチセンサーに関する。

関連技術の説明
電気機械システムは、電気的および機械的要素と、アクチュエータと、トランスデューサと、センサーと、光学的構成要素（たとえば、ミラー）と、電子回路とを有するデバイスを含む。電気機械システムは、限定はしないが、マイクロスケールおよびナノスケールを含む、様々なスケールで製造され得る。たとえば、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ：microelectromechanical system）デバイスは、約１ミクロンから数百ミクロン以上に及ぶサイズを有する構造を含むことができる。ナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ：nanoelectromechanical system）デバイスは、たとえば、数百ナノメートルよりも小さいサイズを含む、１ミクロンよりも小さいサイズを有する構造を含むことができる。電気および電気機械デバイスを形成するために、堆積、エッチング、リソグラフィを使用して、ならびに／あるいは、基板および／または堆積された材料層の部分をエッチング除去するかまたは層を追加する、他の微細加工プロセスを使用して、電気機械要素が作成され得る。

１つのタイプの電気機械システムデバイスは干渉変調器（ＩＭＯＤ：interferometric modulator）と呼ばれる。本明細書で使用する干渉変調器または干渉光変調器という用語は、光学干渉の原理を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを指す。いくつかの実装形態では、干渉変調器は伝導性プレートのペアを含み得、そのペアの一方または両方は、全体的にまたは部分的に、透明でおよび／または反射性であり、適切な電気信号の印加時の相対運動が可能であり得る。一実装形態では、一方のプレートは、基板上に堆積された固定層を含み得、他方のプレートは、エアギャップによって固定層から分離された反射膜を含み得る。別のプレートに対するあるプレートの位置は、干渉変調器に入射する光の光学干渉を変化させることがある。干渉変調器デバイスは、広範囲の適用例を有しており、特にディスプレイ能力がある製品の場合、既存の製品を改善し、新しい製品を作成する際に使用されることが予期される。

タッチスクリーンのための多くの既存の容量性タッチ検知デバイスは、検知デバイス上で導電性物体、たとえば、指の位置を検出するために使用される導電性材料、たとえば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）から形成された電気的に絶縁された導電性行および列（conductive row and column）を含む。これらの検知デバイスは、下にあるディスプレイが検知デバイスを通して見えるようにディスプレイ上に配設され得る。しかしながら、透明導体は、入射光を吸収および反射することがあり、下にある反射ディスプレイの輝度を望ましくないレベルに減少させることがある。

本開示のシステム、方法、およびデバイスは、それぞれいくつかの発明的態様を有し、それらのうちの単一の態様が、単独で、本明細書で開示する望ましい属性を担当するとは限らない。

本開示で説明する主題の１つの発明的態様は、センサーアレイにおいて実装され得る。センサーアレイは、不透明材料を含む導電性行を含むことができ、導電性行は、第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を形成することができる。第１のボリュームは、非導電性の光学的に透明な材料を含むことができる。センサーアレイはまた、不透明材料を含む導電性列を含むことができ、導電性列は、第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を形成することができる。第２のボリュームは、非導電性の光学的に透明な材料を含むことができる。一態様では、導電性行の少なくとも一部分は、導電性列の少なくとも一部分と重なることができる。一態様では、センサーアレイはまた、導電性行および／または導電性列の少なくとも一部分上に配設された反射率制御層（reflectivity control layer）を含むことができる。反射率制御層は、ブラッククロム、ポリマー、および／または干渉スタック（interferometric stack）を含むことができる。

本開示で説明する１つの発明的態様は、センサーアレイにおいて実装され得る。センサーアレイは、不透明材料を含むことができる、電流を伝導するための第１の手段を含むことができ、第１の導電手段（conductive means）は、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知手段を形成することができる。センサーアレイはまた、不透明材料を含むことができる電流を伝導するための第２の手段を含むことができ、第２の導電手段は、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知手段を形成することができる。一態様では、第１の導電手段の少なくとも一部分は、第２の導電手段の少なくとも一部分と重なることができる。センサーアレイはまた、第１の導電手段および／または第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された反射率制御手段を含むことができる。

本開示で説明する主題の１つの発明的態様は、不透明材料を含む導電性行を形成することを含むセンサーアレイを製造する方法において実装され得る。導電性行は、非導電性の光学的に透明な材料を含む第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含むことができる。本方法はまた、不透明材料を含む導電性列を形成することを含むことができる。導電性列は、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含むことができる。一態様では、導電性行の少なくとも一部分は、導電性列の少なくとも一部分と重なることができる。一態様では、本方法は、反射ディスプレイ上に導電性行と導電性列とを配設することを含むことができる。一態様では、本方法は、導電性行または導電性列の少なくとも一部分上に反射率制御層を配設することを含むことができる。

本開示で説明する別の発明的態様は、不透明材料と第１のセグメントとを含む導電性行を含むセンサーアレイにおいて実装され得る。センサーアレイはまた、不透明材料と第２のセグメントとを含む導電性列を含むことができる。第１のセグメントは、第２のセグメントに対して実質的に平行に延在することができ、第１のセグメントと第２のセグメントとは、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定することができる。一態様では、センサーアレイは、導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をも含むことができ、および／または導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をも含むことができる。

本開示で説明する別の発明的態様は、センサーアレイにおいて実装され得る。センサーアレイは、電流を伝導するための第１の手段を含むことができる。第１の導電手段は、第１のセグメントを含む不透明材料を含むことができる。センサーアレイはまた、電流を伝導するための第２の手段を含むことができる。第２の導電手段は、第２のセグメントを含む不透明材料を含むことができる。第１のセグメントは、第２のセグメントに対して実質的に平行であり得、第１のセグメントと第２のセグメントとは、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定することができる。一態様では、センサーアレイはまた、第１の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段を含むことができ、および／または第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段を含むことができる。

本開示で説明する主題の１つの発明的態様は、センサーアレイを製造する方法において実装され得る。本方法は、不透明材料を含む導電性行を形成することを含むことができる。導電性行は、第１のセグメントを含むことができる。本方法はまた、不透明材料を含む導電性列を形成することを含むことができる。導電性列は、第１のセグメントと第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定するような、第１のセグメントに対して概して平行に延在する第２のセグメントを含むことができる。一態様では、本方法は、反射ディスプレイ上に導電性行と導電性列とを配設することを含むことができる。

本開示で説明する主題の別の発明的態様は、センサーアレイにおいて実装され得る。センサーアレイは、第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含む導電性行を含むことができる。第１のボリュームは、非導電性の光学的に透明な材料を含むことができる。センサーアレイはまた、第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含む導電性列を含むことができる。第２のボリュームは、非導電性の光学的に透明な材料を含むことができる。一態様では、導電性行の少なくとも一部分は、導電性列の少なくとも一部分と重なることができる。一態様では、センサーアレイはまた、導電性行および／または導電性列の少なくとも一部分上に配設された反射率制御層を含むことができる。反射率制御層は、ブラッククロム、ポリマー、および／または干渉スタックを含むことができる。

本開示で説明する１つの発明的態様は、センサーアレイにおいて実装され得る。センサーアレイは、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知手段を含むことができる、電流を伝導するための第１の手段を含むことができる。センサーアレイはまた、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知手段を含むことができる、電流を伝導するための第２の手段を含むことができる。一態様では、第１の導電手段の少なくとも一部分は、第２の導電手段の少なくとも一部分と重なることができる。センサーアレイはまた、第１の導電手段および／または第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された反射率制御手段を含むことができる。

本開示で説明する主題の１つの発明的態様は、非導電性の光学的に透明な材料を含む第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含む導電性行を形成することを含む、センサーアレイを製造する方法において実装され得る。本方法はまた、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含む導電性列を形成することを含むことができる。一態様では、導電性行の少なくとも一部分は、導電性列の少なくとも一部分と重なることができる。一態様では、本方法は、反射ディスプレイ上に導電性行と導電性列とを配設することを含むことができる。一態様では、本方法は、導電性行または導電性列の少なくとも一部分上に反射率制御層を配設することを含むことができる。

本明細書で説明する主題の１つまたは複数の実装形態の詳細は、添付の図面および以下の説明に示されている。他の特徴、態様、および利点は、説明、図面、および特許請求の範囲から明らかになるであろう。以下の図の相対寸法は一定の縮尺で描かれていないことがあることに留意されたい。

干渉変調器（ＩＭＯＤ）ディスプレイデバイスの一連のピクセル中の２つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示す図。 ３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示す図。 図１の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示す図。 様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示す図。 図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示す図。 図５Ａに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示す図。 図１の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示す図。 干渉変調器の異なる実装形態の断面図の一例を示す図。 干渉変調器の異なる実装形態の断面図の一例を示す図。 干渉変調器の異なる実装形態の断面図の一例を示す図。 干渉変調器の異なる実装形態の断面図の一例を示す図。 干渉変調器のための製造プロセスを示すフロー図の一例を示す図。 干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。 干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。 干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。 干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。 干渉変調器を製作する方法における様々な段階の断面概略図の一例を示す図。 センサーアレイ上で導電性物体の存在を検出するための複数の導電性行および列を有する例示的な検知デバイスの上面図。 検知デバイスを動作させる例示的な方法を示すフロー図。 検知デバイスの１つの例示的な実装形態の断面図。 検知デバイスの１つの例示的な実装形態の断面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図。 図１１Ｉの例示的な検知アレイの一部分のクローズアップ図。 導電性構造上に配設された反射率制御層をもつ導電性構造の例示的な実装形態の断面図。 センサーアレイを製造するためのプロセスの例を示す図。 センサーアレイを製造するためのプロセスの例を示す図。 センサーアレイを製造するためのプロセスの例を示す図。 複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイスを示すシステムブロック図の例を示す図。 複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイスを示すシステムブロック図の例を示す図。

詳細な説明

様々な図面中の同様の参照番号および名称は同様の要素を示す。

以下の詳細な説明は、発明的態様について説明する目的で、いくつかの実装形態を対象とする。しかしながら、本明細書の教示は、多数の異なる方法で適用され得る。説明する実装形態は、動いていようと（たとえば、ビデオ）、静止していようと（たとえば、静止画像）、およびテキストであろうと、グラフィックであろうと、絵であろうと、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実装され得る。より詳細には、実装形態は、限定はしないが、携帯電話、マルチメディアインターネット対応セルラー電話、モバイルテレビジョン受信機、ワイヤレスデバイス、スマートフォン、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ワイヤレス電子メール受信機、ハンドヘルドまたはポータブルコンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、プリンタ、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、クロック、計算器、テレビジョンモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子リーディングデバイス（たとえば、電子リーダー）、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（たとえば、オドメータディスプレイなど）、コックピットコントロールおよび／またはディスプレイ、カメラビューディスプレイ（たとえば、車両における後部ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子ビルボードまたは標示、プロジェクタ、アーキテクチャ構造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダーまたはプレーヤ、ＤＶＤプレーヤ、ＣＤプレーヤ、ＶＣＲ、ラジオ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機／乾燥機、パッケージング（たとえば、ＭＥＭＳおよび非ＭＥＭＳ）、審美構造物（たとえば、１つの宝飾品上の画像のディスプレイ）、ならびに様々な電気機械システムデバイスなど、様々な電子デバイス中に実装されるかまたはそれらに関連付けられ得ると考えられる。また、本明細書の教示は、限定はしないが、電子スイッチングデバイス、無線周波フィルタ、センサー、加速度計、ジャイロスコープ、動き感知デバイス、磁力計、コンシューマーエレクトロニクスのための慣性構成要素、コンシューマーエレクトロニクス製品の部品、バラクタ、液晶デバイス、電気泳動デバイス、駆動方式、製造プロセス、電子テスト機器など、非ディスプレイ適用例において使用され得る。したがって、本教示は、単に図に示す実装形態に限定されるものではなく、代わりに、当業者に直ちに明らかになるであろう広い適用性を有する。

いくつかの実装形態では、干渉ディスプレイは、少なくともディスプレイの一部分上に配設された１つまたは複数の検知デバイスを含むことができる。これらの検知デバイスは、導電性物体、たとえば、人間の指またはスタイラスのタッチあるいは近位の配置を検出するように構成され得る。検知デバイスは、検知デバイスに対する導電性物体のタッチまたは近位の配置の位置を検出するようにさらに構成され得、この検出された位置は、外部回路に、たとえば、下にあるディスプレイを制御するコンピュータに与えられ得る。そのような実装形態では、反射性干渉ディスプレイに入射した周辺光は、最初に検知デバイスを通過して干渉デバイスのほうへ進み、次いで、検知デバイスを通ってディスプレイから反射して戻る。したがって、干渉ディスプレイから、たとえば、閲覧者のほうへ反射された周辺光は、検知デバイスを少なくとも２回通過することがある。

多くの既存の容量性タッチ検知デバイスは、検知デバイス上で導電性物体の位置を検出するために使用される透明導体、たとえば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）要素から形成された、電気的に絶縁された導電性行および列を含む。これらのデバイスの行および列が光学的に透明であるので、これらの検知デバイスは、下にあるディスプレイが検知デバイスを通して見えるようにディスプレイ上に配設され得る。しかしながら、透明導体は、それを通過する光の約４％と約２０％との間を吸収することがある。その上、透明導体は、それに入射する光の約２％と約８％との間を反射することがある。さらに、所与の透明導体によって吸収および／または反射される光の総量は、光が透明導体を通過しなければならない回数とともに増加する。透明導体が反射ディスプレイ、たとえば、干渉ディスプレイ上に配設されたとき、透明導体による光の吸収および／または反射は、その光がディスプレイによって反射されず、その後、閲覧者によって観測されないので、「損失した光」と考えられ得る。損失した光は、反射ディスプレイの輝度を減少させ、補助照明、たとえば、前方照明の実装形態を必要とすることがある。

本願明細書で開示する様々な実装形態は、容量性タッチセンサーにおいて使用するセンサーアレイを組み込む検知デバイスを含む。センサーアレイは、導電性行および列によって形成され得る。各導電性行または導電性列は、透明材料、半透明材料、たとえば、ＩＴＯ、あるいは不透明材料、たとえば、アルミニウムまたはモリブデンから形成され得る。本明細書で使用する「半透明」は、それを通過するためにそれに入射する可視光の８０％よりも大きい光を可能にする材料を指し、たとえば、様々な透明導電性酸化物を含むことができる。いくつかの実装形態では、各導電性行および列は、光学的に透明な非導電材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する検知要素を含む。いくつかの他の実装形態では、導電性行および列は、光学的に透明な非導電材料を含む、互いの間の少なくとも１つのボリュームを画定する。このようにして、導電性行および列は、光が光学的に透明な非導電性ボリュームを通過することを可能にしながら、近位に位置する導電性物体の位置を検知するために使用され得る。

本開示で説明する主題の特定の実装形態は、以下の潜在的な利点のうちの１つまたは複数を実現するように実装され得る。たとえば、本明細書で開示するセンサーアレイは、既存のセンサーアレイと比較して、センサーアレイによって吸収および／または反射される入射光の量を低減し得る。センサーアレイを通して損失する光の量を低減することは、反射ディスプレイのための電力消費を増加させ、その結果、製造コストの増加を生じる、補助照明要件を打ち消すことができる。また、導電性行および列の寸法は、ディスプレイ上で導電性行および列の可視性を制限するように選択され得る。導電性行および列からの反射は、導電性行および列の閲覧者側に様々な反射率制御層を含むことによってさらに低減され得る。

説明する実装形態が適用され得る好適なＭＥＭＳデバイスの一例は反射型ディスプレイデバイスである。反射型ディスプレイデバイスは、光学干渉の原理を使用してそれに入射する光を選択的に吸収および／または反射するために干渉変調器（ＩＭＯＤ）を組み込むことができる。ＩＭＯＤは、吸収体（absorber）、吸収体に対して可動である反射体（reflector）、ならびに吸収体と反射体との間に画定された光共振キャビティを含むことができる。反射体は、２つ以上の異なる位置に移動され得、これは、光共振キャビティのサイズを変化させ、それにより干渉変調器の反射率（reflectance）に影響を及ぼすことがある。ＩＭＯＤの反射スペクトルは、かなり広いスペクトルバンドをもたらすことができ、そのスペクトルバンドは、異なる色を生成するために可視波長にわたってシフトされ得る。スペクトルバンドの位置は、光共振キャビティの厚さを変更することによって、すなわち、反射体の位置を変更することによって調整され得る。

図１は、干渉変調器（ＩＭＯＤ）ディスプレイデバイスの一連のピクセル中の２つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示している。ＩＭＯＤディスプレイデバイスは、１つまたは複数の干渉ＭＥＭＳディスプレイ要素を含む。これらのデバイスでは、ＭＥＭＳディスプレイ要素のピクセルが、明状態または暗状態のいずれかにあることがある。明（「緩和」、「開」または「オン」）状態では、ディスプレイ要素は、たとえば、ユーザに、入射可視光の大部分を反射する。逆に、暗（「作動」、「閉」または「オフ」）状態では、ディスプレイ要素は入射可視光をほとんど反射しない。いくつかの実装形態では、オン状態の光反射特性とオフ状態の光反射特性は逆にされ得る。ＭＥＭＳピクセルは、黒および白に加えて、主に、カラーディスプレイを可能にする特定の波長において、反射するように構成され得る。

ＩＭＯＤディスプレイデバイスは、ＩＭＯＤの行／列アレイを含むことができる。各ＩＭＯＤは、（光ギャップまたはキャビティとも呼ばれる）エアギャップを形成するように互いから可変で制御可能な距離をおいて配置された反射層のペア、すなわち、可動反射層と固定部分反射層とを含むことができる。可動反射層は少なくとも２つの位置の間で移動され得る。第１の位置、すなわち、緩和位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きい距離をおいて配置され得る。第２の位置、すなわち、作動位置では、可動反射層は、部分反射層により近接して配置され得る。それら２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて、強め合うようにまたは弱め合うように干渉し、各ピクセルについて全反射状態または無反射状態のいずれかを引き起こすことがある。いくつかの実装形態では、ＩＭＯＤは、作動していないときに反射状態にあり、可視スペクトル内の光を反射し得、また、作動していないときに暗状態にあり、可視範囲外の光（たとえば、赤外光）を反射し得る。ただし、いくつかの他の実装形態では、ＩＭＯＤは、作動していないときに暗状態にあり、作動しているときに反射状態にあり得る。いくつかの実装形態では、印加電圧の導入が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。いくつかの他の実装形態では、印加電荷が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。

図１中のピクセルアレイの図示の部分は、２つの隣接する干渉変調器１２を含む。（図示のような）左側のＩＭＯＤ１２では、可動反射層１４が、部分反射層を含む光学スタック１６からの所定の距離における緩和位置に示されている。左側のＩＭＯＤ１２の両端間に印加された電圧Ｖ₀、可動反射層１４の作動を引き起こすには不十分である。右側のＩＭＯＤ１２では、可動反射層１４は、光学スタック１６の近くの、またはそれに隣接する作動位置に示されている。右側のＩＭＯＤ１２の両端間に印加された電圧Ｖ_biasは、可動反射層１４を作動位置に維持するのに十分である。

図１では、ピクセル１２の反射特性が、概して、ピクセル１２に入射する光を示す矢印１３と、左側のピクセル１２から反射する光１５とを用いて示されている。詳細に示していないが、ピクセル１２に入射する光１３の大部分は透明基板２０を透過され、光学スタック１６に向かうことになることを、当業者なら理解されよう。光学スタック１６に入射する光の一部分は光学スタック１６の部分反射層を透過されることになり、一部分は反射され、透明基板２０を通って戻ることになる。光学スタック１６を透過された光１３の部分は、可動反射層１４において反射され、透明基板２０に向かって（およびそれを通って）戻ることになる。光学スタック１６の部分反射層から反射された光と可動反射層１４から反射された光との間の（強め合うまたは弱め合う）干渉が、ピクセル１２から反射される光１５の（１つまたは複数の）波長を決定することになる。

光学スタック１６は、単一の層またはいくつかの層を含むことができる。その（１つまたは複数の）層は、電極層と、部分反射および部分透過層と、透明な誘電体層とのうちの１つまたは複数を含むことができる。いくつかの実装形態では、光学スタック１６は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であり、たとえば、透明基板２０上に上記の層のうちの１つまたは複数を堆積させることによって、作製され得る。電極層は、様々な金属、たとえば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）など、様々な材料から形成され得る。部分反射層は、様々な金属、たとえば、クロム（Ｃｒ）、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料から形成され得る。部分反射層は、材料の１つまたは複数の層から形成され得、それらの層の各々は、単一の材料または材料の組合せから形成され得る。いくつかの実装形態では、光学スタック１６は、光吸収体と導体の両方として働く、金属または半導体の単一の半透明の膜（thickness）を含むことができるが、（たとえば、光学スタック１６の、またはＩＭＯＤの他の構造の）異なる、より伝導性の高い層または部分が、ＩＭＯＤピクセル間で信号をバスで運ぶ（bus）ように働くことができる。光学スタック１６は、１つまたは複数の導電性層または導電性／吸収層をカバーする、１つまたは複数の絶縁層または誘電体層をも含むことができる。

いくつかの実装形態では、光学スタック１６の（１つまたは複数の）層は、以下でさらに説明するように、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。当業者によって理解されるように、「パターニング」という用語は、本明細書では、マスキングプロセスならびにエッチングプロセスを指すために使用される。いくつかの実装形態では、アルミニウム（Ａｌ）などの高伝導性および反射性材料が可動反射層１４のために使用され得、これらのストリップはディスプレイデバイスにおける列電極を形成し得る。可動反射層１４は、（光学スタック１６の行電極に直交する）１つまたは複数の堆積された金属層の一連の平行ストリップとして形成されて、ポスト１８の上に堆積された列とポスト１８間に堆積された介在する犠牲材料とを形成し得る。犠牲材料がエッチング除去されると、画定されたギャップ１９または光キャビティが可動反射層１４と光学スタック１６との間に形成され得る。いくつかの実装形態では、ポスト１８間の間隔は１〜１０００μｍ程度であり得、ギャップ１９は＜１０，０００オングストローム（Å）程度であり得る。

いくつかの実装形態では、ＩＭＯＤの各ピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタである。電圧が印加されないとき、可動反射層１４ａは、図１中の左側のピクセル１２によって示されるように、機械的に緩和した状態にとどまり、可動反射層１４と光学スタック１６との間のギャップ１９がある。しかしながら、電位差、たとえば、電圧が、選択された行および列のうちの少なくとも１つに印加されたとき、対応するピクセルにおける行電極と列電極との交差部に形成されたキャパシタは帯電し、静電力がそれらの電極を引き合わせる。印加された電圧がしきい値を超える場合、可動反射層１４は、変形し、光学スタック１６の近くにまたはそれに対して移動することができる。光学スタック１６内の誘電体層（図示せず）が、図１中の右側の作動ピクセル１２によって示されるように、短絡を防ぎ、層１４と層１６との間の分離距離を制御し得る。その挙動は、印加電位差の極性にかかわらず同じである。いくつかの事例ではアレイ中の一連のピクセルが「行」または「列」と呼ばれることがあるが、ある方向を「行」と呼び、別の方向を「列」と呼ぶことは恣意的であることを、当業者は容易に理解されよう。言い換えれば、いくつかの配向では、行は列と見なされ得、列は行であると見なされ得る。さらに、ディスプレイ要素は、直交する行および列に一様に配置されるか（「アレイ」）、または、たとえば、互いに対して一定の位置オフセットを有する、非線形構成で配置され得る（「モザイク」）。「アレイ」および「モザイク」という用語は、いずれかの構成を指し得る。したがって、ディスプレイは、「アレイ」または「モザイク」を含むものとして言及されるが、その要素自体は、いかなる事例においても、互いに直交して配置される必要がなく、または一様な分布で配設される必要がなく、非対称形状および不均等に分布された要素を有する配置を含み得る。

図２は、３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示している。電子デバイスは、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得るプロセッサ２１を含む。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサ２１は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含む、１つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。

プロセッサ２１は、アレイドライバ２２と通信するように構成され得る。アレイドライバ２２は、たとえば、ディスプレイアレイまたはパネル３０に、信号を与える行ドライバ回路２４と列ドライバ回路２６とを含むことができる。図２には、図１に示したＩＭＯＤディスプレイデバイスの断面が線１−１によって示されている。図２は明快のためにＩＭＯＤの３×３アレイを示しているが、ディスプレイアレイ３０は、極めて多数のＩＭＯＤを含んでいることがあり、列におけるＩＭＯＤの数とは異なる数のＩＭＯＤを行において有し得、その逆も同様である。

図３は、図１の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示している。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、行／列（すなわち、コモン／セグメント）書込みプロシージャが、図３に示すこれらのデバイスのヒステリシス特性（hysteresis property）を利用し得る。干渉変調器は、可動反射層またはミラーに緩和状態から作動状態に変更させるために、たとえば、約１０ボルトの電位差を必要とし得る。電圧がその値から低減されると、電圧が低下して、たとえば、１０ボルトより下に戻ったとき、可動反射層はそれの状態を維持するが、電圧が２ボルトより下に低下するまで、可動反射層は完全には緩和しない。したがって、図３に示すように、印加電圧のウィンドウがある電圧の範囲、約３〜７ボルトが存在し、そのウィンドウ内でデバイスは緩和状態または作動状態のいずれかで安定している。これは、本明細書では「ヒステリシスウィンドウ」または「安定性ウィンドウ」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性（hysteresis characteristics）を有するディスプレイアレイ３０の場合、行／列書込みプロシージャは、一度に１つまたは複数の行をアドレス指定するように設計され得、その結果、所与の行のアドレス指定中に、作動されるべきアドレス指定された行におけるピクセルは、約１０ボルトの電圧差にさらされ、緩和されるべきピクセルは、ほぼ０ボルトの電圧差にさらされる。アドレス指定後に、それらのピクセルは、それらが前のストローブ状態にとどまるような、約５ボルトの定常状態またはバイアス電圧差にさらされる。この例では、アドレス指定された後に、各ピクセルは、約３〜７ボルトの「安定性ウィンドウ」内の電位差を経験する。このヒステリシス特性の特徴は、たとえば、図１に示した、ピクセル設計が、同じ印加電圧条件下で作動または緩和のいずれかの既存の状態で安定したままであることを可能にする。各ＩＭＯＤピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、電力を実質的に消費するかまたは失うことなしに、ヒステリシスウィンドウ内の定常電圧において保持され得る。その上、印加電圧電位が実質的に固定のままである場合、電流は本質的にほとんどまたはまったくＩＭＯＤピクセルに流れ込まない。

いくつかの実装形態では、所与の行におけるピクセルの状態の所望の変化（もしあれば）に従って、列電極のセットに沿って「セグメント」電圧の形態のデータ信号を印加することによって、画像のフレームが作成され得る。次に、フレームが一度に１行書き込まれるように、アレイの各行がアドレス指定され得る。第１の行におけるピクセルに所望のデータを書き込むために、第１の行におけるピクセルの所望の状態に対応するセグメント電圧が列電極上に印加され得、特定の「コモン」電圧または信号の形態の第１の行パルスが第１の行電極に印加され得る。次いで、セグメント電圧のセットは、第２の行におけるピクセルの状態の所望の変化（もしあれば）に対応するように変更され得、第２のコモン電圧が第２の行電極に印加され得る。いくつかの実装形態では、第１の行におけるピクセルは、列電極に沿って印加されたセグメント電圧の変化による影響を受けず、第１のコモン電圧行パルス中にそれらのピクセルが設定された状態にとどまる。このプロセスは、画像フレームを生成するために、一連の行全体、または代替的に、一連の列全体について、連続方式で繰り返され得る。フレームは、何らかの所望の数のフレーム毎秒でこのプロセスを断続的に反復することによって、新しい画像データでリフレッシュおよび／または更新され得る。

各ピクセルの両端間に印加されるセグメント信号とコモン信号の組合せ（すなわち、各ピクセルの両端間の電位差）は、各ピクセルの得られる状態を決定する。図４は、様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示している。当業者によって容易に理解されるように、「セグメント」電圧は、列電極または行電極のいずれかに印加され得、「コモン」電圧は、列電極または行電極のうちの他方に印加され得る。

図４に（ならびに図５Ｂに示すタイミング図に）示すように、開放電圧（release voltage）ＶＣ_RELがコモンラインに沿って印加されたとき、コモンラインに沿ったすべての干渉変調器要素は、セグメントラインに沿って印加された電圧、すなわち、高いセグメント電圧ＶＳ_Ｈおよび低いセグメント電圧ＶＳ_Ｌにかかわらず、代替的に開放または非作動状態と呼ばれる、緩和状態に入れられることになる。特に、開放電圧ＶＣ_ＲＥＬがコモンラインに沿って印加されると、そのピクセルのための対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧ＶＳ_Ｈが印加されたときも、低いセグメント電圧ＶＳ_Ｌが印加されたときも、変調器の両端間の潜在的な電圧（代替的にピクセル電圧と呼ばれる）は緩和ウィンドウ（図３参照。開放ウィンドウとも呼ばれる）内にある。

高い保持電圧ＶＣ_{ＨＯＬＤ Ｈ}または低い保持電圧ＶＣ_{ＨＯＬＤ Ｌ}などの保持電圧がコモンライン上に印加されたとき、干渉変調器の状態は一定のままであることになる。たとえば、緩和ＩＭＯＤは緩和位置にとどまることになり、作動ＩＭＯＤは作動位置にとどまることになる。保持電圧は、対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧ＶＳ_Ｈが印加されたときも、低いセグメント電圧ＶＳ_Ｌが印加されたときも、ピクセル電圧が安定性ウィンドウ内にとどまることになるように、選択され得る。したがって、セグメント電圧スイング（voltage swing）、すなわち、高いＶＳ_Ｈと低いセグメント電圧ＶＳ_Ｌとの間の差は、正または負のいずれかの安定性ウィンドウの幅よりも小さい。

高いアドレス指定電圧ＶＣ_{ＡＤＤ Ｈ}または低いアドレス指定電圧ＶＣ_{ＡＤＤ Ｌ}などのアドレス指定または作動電圧がコモンライン上に印加されたとき、それぞれのセグメントラインに沿ったセグメント電圧の印加によって、データがそのコモンラインに沿った変調器に選択的に書き込まれ得る。セグメント電圧は、作動が印加されたセグメント電圧に依存するように選択され得る。アドレス指定電圧がコモンラインに沿って印加されたとき、一方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウ内のピクセル電圧をもたらし、ピクセルが非作動のままであることを引き起こすことになる。対照的に、他方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウを超えるピクセル電圧をもたらし、ピクセルの作動をもたらすことになる。作動を引き起こす特定のセグメント電圧は、どのアドレス指定電圧が使用されるかに応じて変動することができる。いくつかの実装形態では、高いアドレス指定電圧ＶＣ_{ＡＤＤ Ｈ}がコモンラインに沿って印加されたとき、高いセグメント電圧ＶＳ_Ｈの印加は、変調器がそれの現在位置にとどまることを引き起こすことがあり、低いセグメント電圧ＶＳ_Ｌの印加は、変調器の作動を引き起こすことがある。当然の結果として、低いアドレス指定電圧ＶＣ_{ＡＤＤ Ｌ}が印加されたとき、セグメント電圧の影響は反対であり、高いセグメント電圧ＶＳ_Ｈは変調器の作動を引き起こし、低いセグメント電圧ＶＳ_Ｌは変調器の状態に影響しない（すなわち、安定したままである）ことがある。

いくつかの実装形態では、常に変調器の両端間で同じ極性電位差を引き起こす保持電圧、アドレス電圧、およびセグメント電圧が使用され得る。いくつかの他の実装形態では、変調器の電位差の極性を交番する信号が使用され得る。変調器の両端間の極性の交番（すなわち、書込みプロシージャの極性の交番）は、単一の極性の反復書込み動作後に起こることがある電荷蓄積を低減または抑止し得る。

図５Ａは、図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示している。図５Ｂは、図５Ａに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示している。それらの信号は、たとえば、図２の３×３アレイに印加され得、これは、図５Ａに示すライン時間６０ｅディスプレイ配置を最終的にもたらすことになる。図５Ａ中の作動変調器は暗状態にあり、すなわち、その状態では、反射光の実質的部分が、たとえば、閲覧者に、暗いアピアランスをもたらすように可視スペクトルの外にある。図５Ａに示すフレームを書き込むより前に、ピクセルは任意の状態にあることがあるが、図５Ｂのタイミング図に示す書込みプロシージャは、各変調器が、第１のライン時間６０ａの前に、開放されており、非作動状態に属すると仮定する。

第１のライン時間６０ａ中に、開放電圧７０がコモンライン１上に印加され、コモンライン２上に印加される電圧が、高い保持電圧７２において始まり、開放電圧７０に移動し、低い保持電圧７６がコモンライン３に沿って印加される。したがって、コモンライン１に沿った変調器（コモン１，セグメント１）、（１，２）および（１，３）は、第１のライン時間６０ａの持続時間の間、緩和または非作動状態にとどまり、コモンライン２に沿った変調器（２，１）、（２，２）および（２，３）は、緩和状態に移動することになり、コモンライン３に沿った変調器（３，１）、（３，２）および（３，３）は、それらの前の状態にとどまることになる。図４を参照すると、コモンライン１、２または３のいずれも、ライン時間６０ａ中に作動を引き起こす電圧レベルにさらされていないので（すなわち、ＶＣ_ＲＥＬ−緩和、およびＶＣ_{ＨＯＬＤ Ｌ}−安定）、セグメントライン１、２および３に沿って印加されたセグメント電圧は、干渉変調器の状態に影響しないことになる。

第２のライン時間６０ｂ中に、コモンライン１上の電圧は高い保持電圧７２に移動し、コモンライン１に沿ったすべての変調器は、アドレス指定または作動電圧がコモンライン１上に印加されなかったので、印加されたセグメント電圧にかかわらず、緩和状態にとどまる。コモンライン２に沿った変調器は、開放電圧７０の印加により、緩和状態にとどまり、コモンライン３に沿った変調器（３，１）、（３，２）および（３，３）は、コモンライン３に沿った電圧が開放電圧７０に移動するとき、緩和することになる。

第３のライン時間６０ｃ中に、コモンライン１は、コモンライン１上に高いアドレス電圧７４を印加することによってアドレス指定される。このアドレス電圧の印加中に低いセグメント電圧６４がセグメントライン１および２に沿って印加されるので、変調器（１，１）および（１，２）の両端間のピクセル電圧は変調器の正の安定性ウィンドウの上端よりも大きく（すなわち、電圧差は、あらかじめ定義されたしきい値を超えた）、変調器（１，１）および（１，２）は作動される。逆に、高いセグメント電圧６２がセグメントライン３に沿って印加されるので、変調器（１，３）の両端間のピクセル電圧は、変調器（１，１）および（１，２）のピクセル電圧よりも小さく、変調器の正の安定性ウィンドウ内にとどまり、したがって変調器（１，３）は緩和したままである。また、ライン時間６０ｃ中に、コモンライン２に沿った電圧は低い保持電圧７６に減少し、コモンライン３に沿った電圧は開放電圧７０にとどまり、コモンライン２および３に沿った変調器を緩和位置のままにする。

第４のライン時間６０ｄ中に、コモンライン１上の電圧は、高い保持電圧７２に戻り、コモンライン１に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン２上の電圧は低いアドレス電圧７８に減少される。高いセグメント電圧６２がセグメントライン２に沿って印加されるので、変調器（２，２）の両端間のピクセル電圧は、変調器の負の安定性ウィンドウの下側端部（lower end）を下回り、変調器（２，２）が作動することを引き起こす。逆に、低いセグメント電圧６４がセグメントライン１および３に沿って印加されるので、変調器（２，１）および（２，３）は緩和位置にとどまる。コモンライン３上の電圧は、高い保持電圧７２に増加し、コモンライン３に沿った変調器を緩和状態のままにする。

最後に、第５のライン時間６０ｅ中に、コモンライン１上の電圧は高い保持電圧７２にとどまり、コモンライン２上の電圧は低い保持電圧７６にとどまり、コモンライン１および２に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン３上の電圧は、コモンライン３に沿った変調器をアドレス指定するために、高いアドレス電圧７４に増加する。低いセグメント電圧６４がセグメントライン２および３上に印加されるので、変調器（３，２）および（３，３）は作動するが、セグメントライン１に沿って印加された高いセグメント電圧６２は、変調器（３，１）が緩和位置にとどまることを引き起こす。したがって、第５のライン時間６０ｅの終わりに、３×３ピクセルアレイは、図５Ａに示す状態にあり、他のコモンライン（図示せず）に沿った変調器がアドレス指定されているときに起こり得るセグメント電圧の変動にかかわらず、保持電圧がコモンラインに沿って印加される限り、その状態にとどまることになる。

図５Ｂのタイミング図では、所与の書込みプロシージャ（すなわち、ライン時間６０ａ〜６０ｅ）は、高い保持およびアドレス電圧、または低い保持およびアドレス電圧のいずれかの使用を含むことができる。書込みプロシージャが所与のコモンラインについて完了されると（また、コモン電圧が、作動電圧と同じ極性を有する保持電圧に設定されると）、ピクセル電圧は、所与の安定性ウィンドウ内にとどまり、開放電圧がそのコモンライン上に印加されるまで、緩和ウィンドウを通過しない。さらに、各変調器が、変調器をアドレス指定するより前に書込みプロシージャの一部として開放されるので、開放時間ではなく変調器の作動時間が、必要なライン時間を決定し得る。詳細には、変調器の開放時間が作動時間よりも大きい実装形態では、開放電圧は、図５Ｂに示すように、単一のライン時間よりも長く印加され得る。いくつかの他の実装形態では、コモンラインまたはセグメントラインに沿って印加される電圧が、異なる色の変調器など、異なる変調器の作動電圧および開放電圧の変動を相殺するように変動し得る。

上記に記載した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は大きく異なり得る。たとえば、図６Ａ〜図６Ｅは、可動反射層１４とそれの支持構造とを含む、干渉変調器の異なる実装形態の断面図の例を示している。図６Ａは、金属材料のストリップ、すなわち、可動反射層１４が、基板２０から直角に延在する支持体１８上に堆積される、図１の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示している。図６Ｂでは、各ＩＭＯＤの可動反射層１４は、概して形状が正方形または長方形であり、コーナーにおいてまたはその近くでテザー３２に接して支持体に取り付けられる。図６Ｃでは、可動反射層１４は、概して形状が正方形または長方形であり、フレキシブルな金属を含み得る変形可能層３４から吊るされる。変形可能層３４は、可動反射層１４の外周の周りで基板２０に直接または間接的に接続することがある。これらの接続は、本明細書では支持ポストと呼ばれる。図６Ｃに示す実装形態は、変形可能層３４によって行われる可動反射層１４の機械的機能からのそれの光学的機能の分離（decoupling）から派生する追加の利益を有する。この分離は、反射層１４のために使用される構造設計および材料と、変形可能層３４のために使用される構造設計および材料とが、互いとは無関係に最適化されることを可能にする。

図６Ｄは、可動反射層１４が反射副層（reflective sub-layer）１４ａを含む、ＩＭＯＤの別の例を示している。可動反射層１４は、支持ポスト１８などの支持構造上に載る。支持ポスト１８は、たとえば、可動反射層１４が緩和位置にあるとき、可動反射層１４と光学スタック１６との間にギャップ１９が形成されるように、下側静止電極（すなわち、図示のＩＭＯＤにおける光学スタック１６の一部）からの可動反射層１４の分離を可能にする。可動反射層１４は、電極として働くように構成され得る導電性層１４ｃと、支持層１４ｂとをも含むことができる。この例では、導電性層１４ｃは、基板２０から遠位にある支持層１４ｂの一方の面に配設され、反射副層１４ａは、基板２０の近位にある支持層１４ｂの他方の面に配設される。いくつかの実装形態では、反射副層１４ａは、伝導性であることがあり、支持層１４ｂと光学スタック１６との間に配設され得る。支持層１４ｂは、誘電材料、たとえば、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の、１つまたは複数の層を含むことができる。いくつかの実装形態では、支持層１４ｂは、たとえば、ＳｉＯ_２／ＳｉＯＮ／ＳｉＯ_２３層スタックなど、複数の層のスタックであり得る。反射副層１４ａと導電性層１４ｃのいずれかまたは両方は、たとえば、約０．５％のＣｕまたは別の反射金属材料を用いた、Ａｌ合金を含むことができる。誘電支持層１４ｂの上および下で導電性層１４ａ、１４ｃを採用することは、応力のバランスをとり、伝導の向上を与えることができる。いくつかの実装形態では、反射副層１４ａおよび導電性層１４ｃは、可動反射層１４内の特定の応力プロファイルを達成することなど、様々な設計目的で、異なる材料から形成され得る。

図６Ｄに示すように、いくつかの実装形態はブラックマスク（black mask）構造２３をも含むことができる。ブラックマスク構造２３は、周辺光または迷光を吸収するために、光学不活性領域において（たとえば、ピクセル間にまたはポスト１８の下に）形成され得る。ブラックマスク構造２３はまた、光がディスプレイの不活性部分から反射されることまたはそれを透過されることを抑止し、それによりコントラスト比を増加させることによって、ディスプレイデバイスの光学的特性（optical property）を改善することができる。さらに、ブラックマスク構造２３は、伝導性であり、電気的バス層として機能するように構成され得る。いくつかの実装形態では、行電極は、接続された行電極の抵抗を低減するために、ブラックマスク構造２３に接続され得る。ブラックマスク構造２３は、堆積およびパターニング技法を含む様々な方法を使用して形成され得る。ブラックマスク構造２３は１つまたは複数の層を含むことができる。たとえば、いくつかの実装形態では、ブラックマスク構造２３は、光吸収器として働くモリブデンクロム（ＭｏＣｒ）層と、ＳｉＯ_２層と、反射体およびバス層として働く、アルミニウム合金とを含み、それぞれ、約３０〜８０Å、５００〜１０００Å、および５００〜６０００Åの範囲内の厚さである。１つまたは複数の層は、たとえば、ＭｏＣｒ層およびＳｉＯ_２層の場合は、ＣＦ_４および／またはＯ₂、ならびにアルミニウム合金層の場合は、Ｃｌ_２および／またはＢＣｌ_３を含む、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを含む、様々な技法を使用してパターニングされ得る。いくつかの実装形態では、ブラックマスク２３はエタロン（etalon）または干渉スタック構造であり得る。そのような干渉スタックブラックマスク構造２３では、伝導性吸収体は、各行または列の光学スタック１６における下側静止電極間で信号を送信するかまたは信号をバスで運ぶために使用され得る。いくつかの実装形態では、スペーサ層３５が、ブラックマスク２３中の導電性層から吸収層１６ａを概して電気的に絶縁するのに、役立つことができる。

図６Ｅは、可動反射層１４が自立している、ＩＭＯＤの別の例を示している。図６Ｄとは対照的に、図６Ｅの実装形態は支持ポスト１８を含まない。代わりに、可動反射層１４は、複数の位置において、下にある光学スタック１６に接触し、可動反射層１４の湾曲は、干渉変調器の両端間の電圧が作動を引き起こすには不十分であるとき、可動反射層１４が図６Ｅの非作動位置に戻るという、十分な支持を与える。複数のいくつかの異なる層を含んでいることがある光学スタック１６は、ここでは明快のために、光吸収体１６ａと誘電体１６ｂとを含む状態で示されている。いくつかの実装形態では、光吸収体１６ａは、固定電極としても、部分反射層としても働き得る。

図６Ａ〜図６Ｅに示す実装形態などの実装形態では、ＩＭＯＤは直視型デバイスとして機能し、直視型デバイスでは、画像が、透明基板２０の正面、すなわち、変調器が配置された面の反対の面から、閲覧される。これらの実装形態では、デバイスの背面部分（すなわち、たとえば、図６Ｃに示す変形可能層３４を含む、可動反射層１４の背後のディスプレイデバイスの任意の部分）は、反射層１４がデバイスのそれらの部分を光学的に遮蔽するので、ディスプレイデバイスの画質に影響を及ぼすことまたは悪影響を及ぼすことなしに、構成され、作用され得る。たとえば、いくつかの実装形態では、バス構造（図示せず）が可動反射層１４の背後に含まれ得、これは、電圧アドレス指定およびそのようなアドレス指定に起因する移動など、変調器の電気機械的特性から変調器の光学的特性を分離する能力を与える。さらに、図６Ａ〜図６Ｅの実装形態は、たとえば、パターニングなどの処理を簡略化することができる。

図７は、干渉変調器のための製造プロセス８０を示すフロー図の一例を示しており、図８Ａ〜図８Ｅは、そのような製造プロセス８０の対応する段階の断面概略図の例を示している。いくつかの実装形態では、製造プロセス８０は、図７に示されていない他のブロックに加えて、たとえば、図１および図６に示す一般的なタイプの干渉変調器を製造するために実装され得る。図１、図６および図７を参照すると、プロセス８０はブロック８２において開始し、基板２０上への光学スタック１６の形成を伴う。図８Ａは、基板２０上で形成されたそのような光学スタック１６を示している。基板２０は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板であり得、それは、フレキシブルであるかまたは比較的固く曲がらないことがあり、光学スタック１６の効率的な形成を可能にするために、事前準備プロセス、たとえば、洗浄にかけられていることがある。上記で説明したように、光学スタック１６は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であることがあり、たとえば、透明基板２０上に、所望の特性を有する１つまたは複数の層を堆積させることによって、作製され得る。図８Ａでは、光学スタック１６は、副層１６ａおよび１６ｂを有する多層構造を含むが、いくつかの他の実装形態では、より多いまたはより少ない副層が含まれ得る。いくつかの実装形態では、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つは、組み合わせられた導体／吸収体副層１６ａなど、光吸収特性と伝導特性の両方で構成され得る。さらに、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つまたは複数は、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。そのようなパターニングは、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチングプロセスまたは別の好適なプロセスによって実行され得る。いくつかの実装形態では、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つは、１つまたは複数の金属層（たとえば、１つまたは複数の反射層および／または導電性層）上に堆積された副層１６ｂなど、絶縁層または誘電体層であり得る。さらに、光学スタック１６は、ディスプレイの行を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。

プロセス８０はブロック８４において続き、光学スタック１６上への犠牲層２５の形成を伴う。犠牲層２５は、キャビティ１９を形成するために後で（たとえば、ブロック９０において）除去され、したがって、犠牲層２５は、図１に示した得られた干渉変調器１２には示されていない。図８Ｂは、光学スタック１６上で形成された犠牲層２５を含む、部分的に作製されたデバイスを示している。光学スタック１６上での犠牲層２５の形成は、後続の除去後に、所望の設計サイズを有するギャップまたはキャビティ１９（図１および図８Ｅも参照）を与えるように選択された厚さの、モリブデン（Ｍｏ）またはアモルファスシリコン（Ｓｉ）など、フッ化キセノン（ＸｅＦ_２）エッチング可能材料の堆積を含み得る。犠牲材料の堆積は、物理蒸着（ＰＶＤ、たとえば、スパッタリング）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、熱化学蒸着（熱ＣＶＤ）、またはスピンコーティングなど、堆積技法を使用して行われ得る。

プロセス８０はブロック８６において続き、支持構造、たとえば、図１、図６および図８Ｃに示すポスト１８の形成を伴う。ポスト１８の形成は、支持構造開口を形成するために犠牲層２５をパターニングすることと、次いで、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ、熱ＣＶＤ、またはスピンコーティングなど、堆積方法を使用して、ポスト１８を形成するために開口中に材料（たとえば、ポリマーまたは無機材料、たとえば、酸化ケイ素）を堆積させることとを含み得る。いくつかの実装形態では、犠牲層中に形成された支持構造開口は、ポスト１８の下側端部が図６Ａに示すように基板２０に接触するように、犠牲層２５と光学スタック１６の両方を通って、下にある基板２０まで延在することがある。代替的に、図８Ｃに示すように、犠牲層２５中に形成された開口は、犠牲層２５は通るが、光学スタック１６は通らないで、延在することがある。たとえば、図８Ｅは、光学スタック１６の上側表面（upper surface）と接触している支持ポスト１８の下側端部を示している。ポスト１８、または他の支持構造は、犠牲層２５上に支持構造材料の層を堆積させることと、犠牲層２５中の開口から離れて配置された支持構造材料の部分をパターニングすることとによって形成され得る。支持構造は、図８Ｃに示すように開口内に配置され得るが、少なくとも部分的に、犠牲層２５の一部分の上で延在することもある。上述のように、犠牲層２５および／または支持ポスト１８のパターニングは、パターニングおよびエッチングプロセスによって実行され得るが、代替エッチング方法によっても実行され得る。

プロセス８０はブロック８８において続き、図１、図６および図８Ｄに示す可動反射層１４などの可動反射層または膜の形成を伴う。可動反射層１４は、１つまたは複数のパターニング、マスキング、および／またはエッチングステップとともに、１つまたは複数の堆積ステップ、たとえば、反射層（たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金）堆積を採用することによって、形成され得る。可動反射層１４は、電気伝導性であり、電気伝導性層（electrically conductive layer）と呼ばれることがある。いくつかの実装形態では、可動反射層１４は、図８Ｄに示すように複数の副層１４ａ、１４ｂ、１４ｃを含み得る。いくつかの実装形態では、副層１４ａ、１４ｃなど、副層のうちの１つまたは複数は、それらの光学的特性のために選択された高反射性副層を含み得、別の副層１４ｂは、それの機械的特性のために選択された機械的副層を含み得る。犠牲層２５は、ブロック８８において形成された部分的に作製された干渉変調器中に依然として存在するので、可動反射層１４は、一般にこの段階では可動でない。犠牲層２５を含んでいる部分的に作製されたＩＭＯＤは、本明細書では「非開放（unreleased）」ＩＭＯＤと呼ばれることもある。図１に関して上記で説明したように、可動反射層１４は、ディスプレイの列を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。

プロセス８０はブロック９０において続き、キャビティ、たとえば、図１、図６および図８Ｅに示すキャビティ１９の形成を伴う。キャビティ１９は、（ブロック８４において堆積された）犠牲材料２５をエッチャントにさらすことによって形成され得る。たとえば、ＭｏまたはアモルファスＳｉなどのエッチング可能犠牲材料が、ドライ化学エッチングによって、たとえば、一般に、キャビティ１９を囲む構造に対して選択的に除去される、所望の量の材料を除去するのに有効である時間期間の間、固体ＸｅＦ_２から派生した蒸気などの気体または蒸気エッチャントに犠牲層２５をさらすことによって、除去され得る。他のエッチング方法、たとえば、ウェットエッチングおよび／またはプラズマエッチングも使用され得る。犠牲層２５がブロック９０中に除去されるので、可動反射層１４は、一般に、この段階後に可動となる。犠牲材料２５の除去後に、得られた完全にまたは部分的に作製されたＩＭＯＤは、本明細書では「開放」ＩＭＯＤと呼ばれることがある。

上記で説明したように、検知デバイスは、１つまたは複数のディスプレイ、たとえば、図１〜図８Ｅに関して説明した干渉変調器上に配設され得る。いくつかの実装形態では、容量性タッチ検知デバイスは、１つまたは複数のＭＥＭＳデバイス、干渉変調器デバイス、反射ディスプレイデバイス、および／または他のディスプレイデバイスの少なくとも一部分上に配設され得る。検知デバイスに入射した周辺光が反射されて、たとえば、閲覧者に戻される前に少なくとも２回、たとえば、これらの検知デバイスのセンサー領域を通過するので、反射ディスプレイの上にある検知デバイスによって吸収および／または反射される光の量を制限することが望ましい。本明細書で開示する検知アレイは、非導電性の光学的に透明なボリュームを少なくとも部分的に画定する、透明、半透明、または不透明導電性行および列を含むことができる。これらの光学的に透明なボリュームは、光が最小の吸収および／または反射でそれを通過することを可能にすることができ、導電性行および列は、センサー領域の近傍にある導電性物体、たとえば、指の位置を判断するための検知回路によって利用され得る。

図９Ａに、センサーアレイ上で導電性物体の存在を検出するための複数の導電性行および列を有する例示的な検知デバイスの上面図を示す。本明細書で開示する導電性構造の一部が「行」または「列」と呼ばれることがあるが、ある方向を「行」と呼び、別の方向を「列」と呼ぶことは恣意的であることを、当業者は容易に理解されよう。言い換えれば、いくつかの配向では、行は列と見なされ得、列は行であると見なされ得る。さらに、導電性構造は、直交する行および列に一様に配置されるか（「アレイ」）、または、たとえば、互いに対して一定の位置オフセットを有する、非線形構成で配置され得る（「モザイク」）。したがって、行および列と呼ばれる導電性構造は、いかなる事例においても、互いに直交して配置される必要がなく、または一様な分布で配設される必要がなく、非対称形状および不均等に分布された要素を有する配置を含み得る。

検知デバイス９００は、検知デバイス９００に対する導電性物体、たとえば、ユーザの指またはスタイラスの位置を判断し、外部回路、たとえば、コンピュータまたは他の電子デバイスにこの位置を与えるように構成され得る。一実装形態では、検知デバイス９００は、下にある反射ディスプレイ（図示せず）、たとえば、干渉ディスプレイ上に配設され得る。そのような実装形態では、閲覧者は、検知デバイス９００のセンサー領域９０８を通して下にある反射ディスプレイの少なくとも一部分を観測することができる。

検知デバイス９００は、実質的に透明なカバー基板９０２を含むことができ、カバー基板９０２は、カバー基板９０２の下に配設された導電性行９０６のセットと導電性列９０４のセットとを有する。導電性行９０６のセットと導電性列９０４のセットとの詳細は、明快のために図９Ａに示していない。カバー基板９０２は、絶縁材料、たとえば、ガラスを含むことができる。導電性行９０６および導電性列９０４は、センサー領域９０８内にセンサーアレイ９２０を画定する。導電性行９０６および導電性列９０４は、導電性リード線９１２、９１４によって検知回路９１０に電気的に結合される。検知回路９１０は、個々の導電性行９０６と導電性列９０４とに周期的にパルス信号を印加し、別個の導電性行９０６と導電性列９０４との間、および／あるいは導電性行または列と任意の接地との間のキャパシタンスを検出する。導電性行と導電性列との間のキャパシタンスは「相互キャパシタンス」と呼ばれることがあり、導電性行または列と任意の接地との間のキャパシタンスは「自己キャパシタンス」と呼ばれることがある。導電性行９０６と導電性列９０４との間の重複の近くに導電性物体を配置することにより、局所的な静電界が変化し、それにより、導電性行９０６と導電性列９０４との間の相互キャパシタンスが減少する。検知回路９１０は、導電性行９０６と導電性列９０４との相互キャパシタンスおよび／または自己キャパシタンスを周期的に検出し、デフォルト条件からキャパシタンスの変化を比較することによって、センサー領域９０８のエリアの近位に位置する（たとえば、タッチしているか、または近くに配設された）導電性物体の存在を検出することができる。導電性行９０６と導電性列９０４とのジオメトリのパターニングに基づいて、検知デバイス９００に対する導電性物体の位置が判断され得る。この検知された位置は、検知回路９１０によって外部回路に、たとえば、下にある反射ディスプレイを制御する回路に与えられ得る。

図１１Ａ〜図１１Ｉに関して以下でさらに詳細に説明するように、いくつかの実装形態では、導電性行９０６および導電性列９０４は、非導電性の透明材料の１つまたは複数のボリュームを少なくとも部分的に画定するために、部分的にくり抜かれたワイヤーフレームジオメトリを含むことができる。これらの実装形態は、くり抜いてないワイヤーフレームと比較して低減された自己キャパシタンスを有し、また、周辺領域が増加したためにより高い相互キャパシタンスを有する。検知デバイスにおける導電性行または列の自己キャパシタンスを低減し、相互キャパシタンスを増加させることは、物体、たとえば、指、またはスタイラスの存在を検出するための検知デバイスの能力を改善することができる。

図９Ｂに、検知デバイスを動作させる例示的な方法を示すフロー図を示す。方法９３０は、様々な検知デバイス、たとえば、図９Ａの検知デバイス９００を動作させるために使用され得る。ブロック９３２に示すように、センサー領域内のセンサーアレイを形成するために互いから離間した導電性行および列を与える。上記で説明したように、センサー領域は、下にあるディスプレイ、たとえば、反射ディスプレイ上に配設され得る。ブロック９３４に示すように、外部検知回路が各導電性行および列に信号を与え、ブロック９３６に示すように、各行および列のキャパシタンス変動を経時的に測定する。ブロック９３８に示すように、検知回路は、隣接する行と隣接する列との間の周期的なキャパシタンス変動を比較する。ブロック９４０に示すように、センサー領域上で導電性物体の２次元入力位置（たとえば、水平垂直座標位置）を判断するために、比較されたキャパシタンス変動が使用されるように、各行は、センサー領域上の座標位置（たとえば、垂直位置）に関連することができ、各列は、センサー領域上の別の座標位置（たとえば、水平位置）に関連することができる。

図１０Ａおよび図１０Ｂに、検知デバイスの２つの例示的な実装形態の断面図を示す。図１０Ａに、下にある干渉ディスプレイ１０７０ａ上に配設された検知デバイス１００１ａを含むディスプレイデバイス１０００ａの断面図を示す。上記で説明したように、本明細書で開示する検知デバイスは、他のタイプのディスプレイ、および／またはディスプレイでない物体上に配設され得る。検知デバイス１００１ａは、第１の側に配設されたカバー層１００２ａと、反対側に配設された絶縁層１０８２ａとを含む。いくつかの実装形態では、カバー層１００２ａは、カバー層１００２ａの下に配設された構成要素を保護するように構成され得、約０．０２ｍｍと１．５ｍｍとの間の厚さを有することができる。他の実装形態では、カバー層１００２ａは、２０μｍよりも小さく、約０．５μｍ程度の薄さの厚みを有することができる。いくつかの実装形態では、絶縁層１０８２ａは、非導電材料を含むことができ、下にある干渉ディスプレイ１０７０ａから検知デバイス１００１ａを電気的に絶縁するように構成され得る。検知デバイス１００１ａは、（図の左から右に示す）ｘ軸に対して概して平行に延在する導電性行１００６ａと、導電性行１００６ａに対して概して直角に、（図の平面の内外に示す）ｙ軸に対して概して平行に延在する導電性列１００４ａのセットとをさらに含む。本明細書で使用する「平行」という用語は、同じ平面にあるが、交差しない２つ以上の線を指すことができる。いくつかの例では、平行線は、互いに対してまっすぐに延在することができ、他の例では、平行線は、他の（１つまたは複数の）平行線上の曲線セグメントを追跡する１つまたは複数の曲線セグメントを含むことができる。導電性列１００４ａおよび導電性行１００６ａは、上記で説明した検知デバイスを形成するために１つまたは複数の検知回路（図示せず）と電気的に結合され得るセンサーアレイ１００５ａを形成することができる。絶縁層とクロスオーバまたはクロスアンダーセグメント（図示せず）とを通る電気ビアは、隣接するかまたは重なる導電性行１００６ａと導電性列１００４ａとの間の電気的短絡を回避しながら、導電性列１００４ａまたは導電性行１００６ａの部分がそれぞれ、導電性列１００４ａまたは導電性行１００６ａの他の部分に電気的に接続されることを可能にする。

さらに図１０Ａを参照すると、干渉ディスプレイ１０７０ａは、ディスプレイデバイス１０００ａに入射する光が、センサーアレイ１００５ａを通過して干渉ディスプレイ１０７０ａのほうへ進むようにセンサーアレイ１００５ａの下に配設される。干渉ディスプレイ１０７０ａは、吸収層１０１６ａ（たとえば、部分反射性の部分透過層）と、１つまたは複数のポスト１０１８ａによって吸収層１０１６ａからオフセットされた可動反射体層１０１４ａとを含む。光共振キャビティ１０１９ａは、吸収層１０１６ａと可動反射体層１０１４ａとの間に配設される。上記で説明したように、図１〜図８Ｅのいくつかを参照しながら説明した可動反射層に関して、可動反射体層１０１４ａは、ディスプレイデバイス１０００ａから反射された光の波長を変化させるために、少なくとも２つの状態間で駆動され得る。ディスプレイデバイス１０００ａの輝度は、ディスプレイデバイス１０００ａに入射した光の量と、センサーアレイ１００５ａを通過する際に損失した光の量とに相関することができる。導電性行１００６ａおよび導電性列１００４ａは、図１１Ａ〜図１１Ｊに関して以下で説明するように、（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電材料のボリュームを少なくとも部分的に画定することができる。したがって、検知デバイス１００１ａは、光学的に透明な非導電性ボリュームを通過する光の損失を制限するように構成され得る。

図１０Ｂに、下にある干渉ディスプレイ１０７０ｂ上に配設された検知デバイス１００１ｂを組み込んだディスプレイデバイス１０００ｂの別の実装形態を概略的に示す。この実装形態では、センサーアレイ１００５ｂは、導電性行１００６ｂのセットと導電性列１００４ｂのセットとの間に配設された第２の絶縁層１０８４ｂを含むことができる。第１の絶縁層１０８２ｂおよび第２の絶縁層１０８４ｂは、導電性行１００６ｂと導電性列１００４ｂとを互いから隔離し、吸収層１０１６ｂから隔離するように構成された任意の絶縁材料または誘電材料を含むことができる。第１の絶縁層１０８２ｂおよび第２の絶縁層１０８４ｂは、光が著しく吸収されることなくそれを通過することを可能にするように光学的に透明であり得る。さらに、第１の絶縁層１０８２ｂと第２の絶縁層１０８４ｂとの屈折率は、それを通過する光の反射を抑止するように選択され得る。

次に、図１１Ａ〜図１１Ｉを参照すると、検知デバイスにおいて使用する例示的な検知アレイの異なる実装形態の上面図が示されている。各実装形態では、検知アレイ１１００は、センサー領域１１０８内に配設され、（実線によって示される）導電性行１１０６のセットと（破線によって示される）導電性列１１０４のセットとを含む。導電性行１１０６のセットの各々は、概して第１の方向に、たとえば、水平方向に（たとえば、ｘ軸に対して平行に）延在する導電材料を含み、導電性列１１０４のセットの各々は、概して第２の方向に、たとえば、垂直方向に（たとえば、ｙ軸に対して平行に）延在する導電材料を含む。一実装形態では、導電性行１１０６のセットの部分が導電性列１１０４のセットの部分と重なるように、導電性行１１０６のセットの各々は、導電性列１１０４のセットの各々に対して概して直角に延在する。導電性行１１０６および導電性列１１０４の各々は、図９Ａに示すようにリード線（すなわち、導電性リード線９１２、９１４）によって、１つまたは複数の検知回路（図示せず）に電気的に結合され得る。１つまたは複数の検知回路は、センサー領域１１０８の近傍に配設された導電性物体の存在および位置の位置を特定するために、導電性行１１０６と導電性列１１０４とに信号を周期的に印加し、相互キャパシタンスおよび／または自己キャパシタンスの変動を経時的に測定することができる。

図１１Ａに、導電性行１１０６ａのセットを含む検知アレイ１１００ａの第１の実装形態を概略的に示す。導電性行１１０６ａのセットの各々は、検知アレイ１１００ａのｘ軸に対して概して平行に延在する。検知アレイ１１００ａはまた、導電性列１１０４ａのセットを含み、導電性列１１０４ａのセットの各々は、導電性列１１０４ａのセットの部分が導電性行１１０６ａのセットの部分と重なるように、センサーアレイのｙ軸に対して概して平行に（たとえば、導電性行１１０６ａのセットに対して概して直角に）延在する。

導電性行１１０６ａのセットおよび導電性列１１０４ａのセットは、１つまたは複数の検知回路によって印加された電気信号を伝導することが可能な様々な導電材料、たとえば、アルミニウムまたはモリブデンを含むことができる。いくつかの実装形態では、導電性行１１０６ａのセットの各々は、単数の導電性行１１０６ａを形成するために互いに接続された複数の導電性セグメント１１４４ａまたは部材を含む。導電性セグメント１１４４ａのいくつかは、検知要素１１４０ａを画定することができ、検知要素１１４０ａは、導電性の接続セグメント１１４５ａによって互いに接続され得る。検知要素１１４０ａは、ｘ−ｙ平面に対して平行な平面において、たとえば、正方形、ひし形、多角形および曲線形状を含む様々な形状を形成するか、または少なくとも部分的に形成することができる。各導電性セグメント１１４４ａ、１１４５ａは、その幅が、適切な距離から検知アレイ１１００ａを閲覧する人間の観測者によって観測することが困難であるような、約３μｍと約２０μｍとの間の幅を有することができる。さらに、各導電性セグメント１１４４ａ、１１４５ａは、約５００Åと約３５００Åとの間の高さ（たとえば、ｚ軸に対して実質的に平行な次元）を有することができる。各導電性セグメント１１４４ａ、１１４５ａの高さは、セグメントの（１つまたは複数の）材料の導電率に応じて変動することができる。たとえば、一実装形態では、導電性セグメント１１４４ａ、１１４５ａはアルミニウムを含み、約１０００Åの高さを有するが、別の実装形態では、導電性セグメント１１４４ａおよび／または接続セグメント１１４５ａはモリブデンを含み、約２２００Åの高さを有することができる。したがって、導電性セグメント１１４４ａは、各検知要素１１４０ａ内のボリューム１１４２ａを少なくとも部分的に画定することができる。ボリューム１１４２ａは、少なくとも部分的に、導電性セグメント１１４４ａ間のエリアと、導電性セグメントの高さの距離を延長することとによって画定される空間を含むことができる。光が明らかに吸収および／または反射されることなくボリューム１１４２ａを通過し得るように、ならびにボリューム１１４２ａが、導電性セグメント１１４４ａと接続セグメント１１４５ａとを互いに電気的に接続しないように、検知要素１１４０ａは、ボリューム１１４２ａを構成する透明な非導電材料、たとえば、ガラス、空気、および／または透明誘電材料を含むことができる。

同様に、導電性列１１０４ａのセットの各々は、単数の導電性列１１０４ａを形成するために互いに接続された複数の導電性セグメント１１５４ａを含む。導電性セグメント１１５４ａのいくつかは検知要素１１５０ａを画定することができ、検知要素１１５０ａは、接続セグメント１１５５ａによって互いに電気的に接続され得る。検知要素１１５０ａは、たとえば、正方形、ひし形、多角形、および曲線形状を含む様々な形状を含むことができる。各導電性セグメント１１５４ａおよび接続１１５５ａは、その幅が、人間の観測者によって観測することが困難であるような、約３μｍと約２０μｍとの間の幅（たとえば、ｙ軸に対して実質的に平行な次元）を有することができる。さらに、各導電電性セグメント１１５４ａおよび接続セグメント１１５５ａは、約５００Åと約３５００Åとの間の高さ（たとえば、ｚ軸に対して実質的に平行な次元）を有することができる。各導電性セグメント１１５４ａと接続セグメント１１５５ａとの高さは、セグメントの（１つまたは複数の）材料の導電率に応じて変動することができる。たとえば、一実装形態では、導電性セグメント１１５４ａおよび接続セグメント１１５５ａはアルミニウムを含み、約１０００Åの高さを有するが、別の実装形態では、導電性セグメント１１５４ａおよび接続セグメント１１５５ａはモリブデンを含み、約２２００Åの高さを有する。したがって、導電性セグメント１１５４ａは、各検知要素１１５０ａ内のボリューム１１５２ａを少なくとも部分的に画定することができる。光が明らかに吸収および／または反射されることなくボリューム１１５２ａを通過し得るように、ならびにボリューム１１５２ａが、導電性セグメント１１４４ａと接続セグメント１１４５ａとを互いに電気的に接続せず、および／または導電性列１１０４ａのセットを導電性行１１０６ａのセットに電気的に接続しないように、検知要素１１５０ａは、ボリューム１１５２ａを構成する透明な非導電材料、たとえば、ガラス、空気、および／または誘電材料を含むことができる。したがって、導電性行１１０６ａおよび導電性列１１０４ａは、センサー回路から信号を受信するように構成された不透明導電性素子（たとえば、導電性行１１０６ａおよび導電性列１１０４ａ）と、光が最小吸収および／または反射で（たとえば、光の損失が最小で）通過することを可能にするように構成された透明非導電性素子（たとえば、ボリューム１１４２ａ、１１５２ａ）とを含むセンサーアレイ１１００ａを形成するために使用され得る。隣接する導電性行１１０６ａ間のピッチまたは距離は、０．０５ｍｍ未満から５．０ｍｍよりも大きい長さにわたり得る。同様に、隣接する導電性列１１０４ａ間のピッチまたは距離は、０．０５ｍｍ未満から５．０ｍｍよりも大きい長さにわたり得る。

図１１Ａに概略的に示されている実装形態では、各導電性行１１０６ａと各導電性列１１０４ａとに信号が印加され得、検知アレイ１１００ａの位置の近くの導電性物体の存在を判断するために、隣接する導電性行１１０６ａと導電性列１１０４ａとの間の相互キャパシタンスが、自己キャパシタンスとともに測定され得る。導電性物体を検知するために相互キャパシタンスが測定されるとき、検知要素１１４０ａ、１１５０ａは、互いに対して実質的に平行に延在する相補型セグメント１１４４ａ’、１１５４ａ’を含むことができる。相補型導電性セグメント１１４４ａ’、１１５４ａ’は、検知要素１１４０ａ、１１５０ａの相補型形状から生じることができ、および／または以下でより詳細に説明するように、別様に成形された検知要素１１４０ａ、１１５０ａとともに生じることができる。

次に、図１１Ｂを参照すると、検知アレイ１１００ｂの第２の実装形態が概略的に示されている。検知アレイ１１００ｂは、導電性セグメント１１４４ｂおよび接続セグメント１１４５ｂから形成された導電性行１１０６ｂのセットと、導電性セグメント１１５４ｂおよび接続セグメント１１５５ｂから形成された導電性列１１０４ｂのセットとを含む。導電性行１１０６ｂのセットの各々は、導電性セグメント１１４４ｂから形成された複数の検知要素１１４０ｂを含む。同様に、導電性列１１０４ｂのセットの各々は、導電性セグメント１１５４ｂから形成された複数の検知要素１１５０ｂを含む。検知要素１１４０ｂの導電性セグメント１１４４ｂ’が、別の検知要素１１５０ｂの導電性セグメント１１５４ｂ’に対して対角的に、概して平行に延在するように、検知要素１１５０ｂは、検知要素１１４０ｂに対して相補型である。

図１１Ａに関して説明した検知要素１１４０ａ、１１５０ａとは対照的に、検知要素１１４０ｂ、１１５０ｂは、中心導電性セグメント１１４４ｂ、１１５４ｂの両側に配設された２つのボリューム１１４２ｂ、１１５２ｂを含む。検知要素１１４０ｂ、１１５０ｂが追加の導電性セグメントを含むので、各検知要素１１４０ｂ、１１５０ｂにおける導電性セグメント１１４４ｂ、１１５４ｂの合計総断面面積は増大することがあり、それにより、図１１Ａに示した検知要素１１４０ａ、１１５０ａの電気抵抗と比較して、各検知要素１１４０ｂ、１１５０ｂの電気抵抗が低下する。検知要素１１４０ｂ、１１５０ｂの抵抗、したがって、検知アレイ１１００ｂの抵抗を減少させることは、接続された検知回路（図示せず）のためのＲＣ時間遅延を低減し、キャパシタンスタッチ検知のサンプリングレートを増加させることができる。

図１１Ｃに、導電性行１１０６ｃのセットと導電性列１１０４ｃのセットとを含む検知アレイ１１００ｃの別の実装形態を概略的に示す。導電性行１１０６ｃのセットの各々は、導電性セグメント１１４４ｃから形成された複数の検知要素１１４０ｃを含む。同様に、導電性列１１０４ｃのセットの各々は、導電性セグメント１１５４ｃから形成された複数の検知要素１１５０ｃを含む。検知要素１１４０ｃの導電性セグメント１１４４ｃ’が、別の検知要素１１５０ｃの導電性セグメント１１５４ｃ’に対して対角的に、概して平行に延在するように、検知要素１１５０ｃは、検知要素１１４０ｃに対して相補型である。

各検知要素１１４０ｃ、１１５０ｃは、それぞれ、導電性セグメント１１４４ｃ、１１５４ｃによって少なくとも部分的に画定される３つのボリューム１１４２ｃ、１１５２ｃを含む。検知要素１１４０ｃ、１１５０ｃは、光が明らかに吸収および／または反射されることなくボリューム１１４２ｃ、１１５２ｃを通過し得るように、ボリューム１１４２ｃ、１１５２ｃを構成する透明な非導電材料、たとえば、ガラス、空気、および／または誘電材料を含むことができる。したがって、検知アレイ１１００ｃは、検知アレイ１１００ｃに入射する周辺光が、ボリューム１１４２ｃ、１１５２ｃを通過するときに損失しないように、反射ディスプレイ上で少なくとも部分的に配設され得る。図１１Ｂを参照しながら上記で説明したように、追加の導電性セグメント１１４４ｃ、１１５４ｃの合計総断面面積が増加するにつれて、各検知要素１１４０ｃ、１１５０ｃの抵抗は、各追加の導電性セグメント１１４４ｃ、１１５４ｃとともに減少し得る。本明細書で開示する様々な検知要素の抵抗は、センサー要素中に追加の導電性セグメントを含むことによって調整され得ることを、当業者は容易に理解されよう。また、所与のセンサー要素の中心の上に配置された導電性物体が導電性セグメントにより近づくにつれて、追加の導電性セグメントは、自己キャパシタンス検知の感度を増大させることができる。

図１１Ｄに、導電性行１１０６ｄのセットと、導電性行１１０６ｄのセットの各々に対して概して直角に延在する導電性列１１０４ｄのセットとを含む検知アレイ１１００ｄの別の実装形態を概略的に示す。導電性行１１０６ｄおよび導電性列１１０４ｄは、それぞれ、互いに重なる検知要素１１４０ｄ、１１５０ｄを含む。図示した実装形態では、検知要素１１４０ｄ、１１５０ｄは、導電性セグメント１１４４ｄ、１１５４ｄから形成された円形形状または曲線形状を含む。検知回路（図示せず）が、それぞれ、導電性行１１０６ｄおよび導電性列１１０４ｄの各々に電気的に結合され得るように、検知要素１１４０ｄ、１１５０ｄは、導電性の接続セグメント１１４５ｄ、１１５５ｄによって互いにリンクされ得る。各検知要素１１４０ｄ、１１５０ｄは、検知要素１１４０ｄ、１１５０ｄの導電性セグメント１１４４ｄ、１１５４ｄ内のボリューム１１４２ｄ、１１５２ｄを少なくとも部分的に画定する。いくつかの実装形態では、導電性行１１０６ｄのセットの検知要素１１４０ｄは、導電性列１１０４ｄのセットの検知要素１１５０ｄによって画定されるボリューム１１５２ｄよりも大きいボリューム１１４２ｄを画定することができる。検知要素１１４０ｄ、１１５０ｄは、光の有意な吸収および／または反射なしに光がボリューム１１４２ｄ、１１５２ｄを通過することを可能にするために、ボリューム１１４２ｄ、１１５２ｄを構成する（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電性材料を含むことができる。

図１１Ｅに、導電性行１１０６ｅのセットと、導電性行１１０６ｅのセットの各々に対して概して直角に延在する導電性列１１０４ｅのセットとを含む検知アレイ１１００ｅの別の実装形態を概略的に示す。導電性行１１０６ｅのセットおよび導電性列１１０４ｅのセットは、それぞれ、容量性タッチ検知デバイスに組み込まれ得る検知領域１１０８ｅ内に配設される。図示のように、導電性列１１０４ｅのセットの各々は、ｙ軸（たとえば、垂直）に対して概して平行に延在し、導電性行１１０６ｅのセットの各々は、ｘ軸（たとえば、水平）に対して概して平行に延在する。導電性行１１０６ｅのセットと導電性列１１０４ｅのセットの両方は、ｚ軸に沿って測定される高さ寸法を有する。

導電性列１１０４ｅのセットの各々は垂直方向に概してまっすぐに延在し、導電性行１１０６ｅのセットの各々は、右から左に水平方向に概して延在する導電性行１１０６ｅを形成するために、水平方向に延在する複数の導電性セグメント１１４７ｅと垂直方向に延在する複数の導電性セグメント１１４８ｅとを含む。導電性列１１０４ｅのセットの各々は、導電性行１１０６ｅのセットの各々上の少なくとも２つの垂直方向に延在する導電性セグメント１１４８ｅ間に配設され得る。垂直に延在する導電性セグメント１１４８ｅおよび垂直方向に延在する導電性列１１０４ｅは、それらの間にボリューム１１６２ｅを画定することができる。（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電性材料、たとえば、透明誘電体は、光の有意な吸収および／または反射なしに光がボリューム１１６２ｅを通過することを可能にするようにボリューム１１６２ｅを構成することができる。

次に、図１１Ｆを参照すると、検知アレイ１１００ｆの別の実装形態が概略的に示されている。検知アレイは、導電性行１１０６ｆのセットと、導電性行１１０６ｆのセットの各々に対して概して直角に延在する導電性列１１０４ｆのセットとを含む。導電性行１１０６ｆのセットおよび導電性列１１０４ｆのセットは、それぞれ、容量性タッチ検知デバイスに組み込まれ得る検知領域１１０８ｆ内に配設される。図示のように、導電性列１１０４ｆのセットの各々は、ｙ軸（たとえば、垂直）に対して概して平行に延在し、導電性行１１０６ｆのセットの各々は、ｘ軸（たとえば、水平）に対して概して平行に延在する。導電性行１１０６ｆのセットと導電性列１１０４ｆのセットの両方は、ｚ軸に沿って測定される高さ寸法を有する。

導電性列１１０４ｆのセットの各々は、垂直方向に概してまっすぐに（たとえば、ｙ軸に対して概して平行に）延在する垂直セグメント１１５９ｆを含む。導電性列１１０４ｆのセットはまた、それぞれ、各導電性列１１０４ｆから水平方向に延在する複数のセグメント１１５８ｆと、水平セグメント１１５８ｆの各々から垂直方向に延在する複数のセグメント１１５７ｆとを含む。したがって、セグメント１１５９ｆ、１１５８ｆおよび１１５７ｆは、導電性列１１０４ｆのセットの各々の長さに沿って複数のｕ形状を形成する。導電性行１１０６ｆのセットの各々は、右から左に水平方向に概して延在する導電性行１１０６ｆを形成するために、水平方向に延在する複数の導電性セグメント１１４７ｆと垂直方向に延在する複数の導電性セグメント１１４８ｆとを含む。導電性列１１０４ｆのセットの各セグメント１１５９ｆは、少なくとも２つの垂直方向に延在する導電性セグメント１１４８ｆ間に配設され得る。導電性行１１０６ｆのセットおよび導電性列１１０４ｆのセットは、それらの間に様々なボリューム１１６２ｆ、１１６４ｆを少なくとも部分的に画定する。（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電性材料、たとえば、透明誘電体は、光の有意な吸収および／または反射なしに光がボリューム１１６２ｆ、１１６４ｆを通過することを可能にするようにボリューム１１６２ｆ、１１６４ｆを構成することができる。

図１１Ｇに、第１の方向に対して概して平行に（たとえば、概して水平に、またはｘ軸に対して平行に）延在する導電性行１１０６ｇのセットと、第１の方向に対して概して直角に（たとえば、概して垂直に、またはｙ軸に対して平行に）延在する導電性列１１０４ｇのセットとを含むセンサーアレイ１１００ｇの別の実装形態を概略的に示す。導電性行１１０６ｇのセットの各々は、ｘ軸とｙ軸とに対する角度で導電性行１１０６ｇから延在する複数のセグメント１１４９ｇを含む。同様に、導電性列１１０４ｇのセットの各々は、ｘ軸とｙ軸とに対する角度で導電性列１１０４ｇから延在する複数のセグメント１１５９ｇを含む。いくつかの実装形態では、複数のセグメント１１４９ｇ、１１５９ｇは、セグメント１１４９ｇがセグメント１１５９ｇに対して概して平行に延在するように、ｘ軸とｙ軸とに対して同じ角度で延在することができる。したがって、セグメント１１４９ｇ、１１５９ｇは、それらの間にボリューム１１６２ｇを部分的に画定することができる。ボリューム１１６２ｇは、セグメント１１４９ｇ、１１５９ｇの長さ（たとえば、ｘ−ｙ平面に対して平行な平面において測定されるセグメントの長さ）と、セグメント１１４９ｇ、１１５９ｇの高さ（たとえば、ｚ軸に沿って測定されるセグメントの高さ）とによって少なくとも部分的に画定され得る。（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電性材料、たとえば、透明誘電体は、光の有意な吸収および／または反射なしに光がボリューム１１６２ｇを通過することを可能にするようにボリューム１１６２ｇを構成することができる。

図１１Ｈに、第１の方向に対して概して平行に（たとえば、概して水平に、またはｘ軸に対して平行に）延在する導電性行１１０６ｈのセットと、第１の方向に対して概して直角に（たとえば、概して垂直に、またはｙ軸に対して平行に）延在する導電性列１１０４ｈのセットとを含むセンサーアレイ１１００ｈの別の実装形態を概略的に示す。導電性行１１０６ｈのセットの各々は、概して、交互方向で鋭い曲がり角をもつ角形状を形成するジグザグ経路において延在する。導電性行１１０６ｈのセットの各々は、対角的に、第１の方向に対して概して平行に延在する第１の複数のセグメント１１４１ｈと、セグメント１１４１ｈを相互接続し、対角的に、第２の方向に対して概して平行に延在する第２の複数のセグメント１１４３ｈとを含む。このようにして、第１の複数のセグメント１１４１ｈは、ジグザグ形状のジグ（zig）を形成し、第２の複数のセグメント１１４３ｈは、ジグザグ形状のザグ（zag）を形成する。

同様に、導電性列１１０４ｈのセットの各々は、概して、交互方向で鋭い曲がり角をもつ角形状を形成するジグザグ経路において延在する。導電性列１１０４ｈのセットの各々は、第１の方向に対して対角的に、概して平行に延在する第１の複数のセグメント１１５１ｈと、セグメント１１５１ｈを相互接続し、第２の方向に対して対角的に、概して平行に延在する第２の複数のセグメント１１５３ｈとを含む。このようにして、第１の複数のセグメント１１５１ｈは、ジグザグ形状のジグを形成し、第２の複数のセグメント１１５３ｈは、ジグザグ形状のザグを形成する。

図１１Ｈにおいて概略的に示されるように、導電性行１１０６ｈのセットは、センサー領域１１０８ｈを形成するために導電性列１１０４ｈのセットと重なることができる。導電性行１１０６ｈのセットの第２の複数のセグメント１１４３ｈが、導電性列１１０４ｈのセットの第２の複数のセグメント１１５３ｈに対して概して平行に延在するように、導電性行１１０６ｈのセットの形状は、導電性列１１０４ｈのセットの形状に対して相補型であり得る。このようにして、セグメント１１４３ｈおよびセグメント１１５３ｈは、それらの間にボリューム１１６２ｈを部分的に画定することができる。ボリューム１１６２ｈは、セグメント１１４３ｈ、１１５３ｈの長さ（たとえば、ｘ−ｙ平面に対して平行な平面において測定されるセグメントの長さ）と、セグメント１１４３ｈ、１１５３ｈの高さ（たとえば、ｚ軸に沿って測定されるセグメントの高さ）とによって少なくとも部分的に画定され得る。（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電性材料、たとえば、透明誘電体は、光の有意な吸収および／または反射なしに光がボリューム１１６２ｈを通過することを可能にするようにボリューム１１６２ｈを構成することができる。

図１１Ｉに、検知アレイ１１００ｉの別の実装形態を概略的に示す。検知アレイ１１００ｉは、導電性行１１０６ｉのセットと、導電性行１１０６ｉのセットの各々に対して概して直角に延在する導電性列１１０４ｉのセットとを含む。導電性行１１０６ｉのセットおよび導電性列１１０４ｉのセットは、それぞれ、容量性タッチ検知デバイスに組み込まれ得る検知領域１１０８ｉ内に配設され得る。図示のように、導電性列１１０４ｉのセットの各々は、ｙ軸（たとえば、垂直）に対して概して平行に延在し、導電性行１１０６ｉのセットの各々は、ｘ軸（たとえば、水平）に対して概して平行に延在する。導電性行１１０６ｉのセットと導電性列１１０４ｉのセットの両方は、ｚ軸に沿って測定される高さ寸法を有する。

図１１Ｊに、図１１Ｉの例示的な検知アレイの一部分のクローズアップ図を示す。いくつかの実装形態では、導電性行１１０６ｉの各々は複数の検知要素１１４０ｉを含み、導電性列１１０４ｉの各々は複数の検知要素１１５０ｉを含む。検知要素１１４０ｉ、１１５０ｉは、ｘ−ｙ平面に対して平行な平面において、たとえば、正方形、ひし形、多角形、および曲線形状を含む様々な形状を形成するか、または少なくとも部分的に形成することができる。このようにして、ボリューム１１４２ｉは、検知要素１１４０ｉ内に少なくとも部分的に画定され得、ボリューム１１５２ｉは、検知要素１１５０ｉ内に少なくとも部分的に画定され得る。光が明らかに吸収および／または反射されることなくボリューム１１４２ｉ、１１５２ｉを通過し得るように、ならびにボリューム１１４２ｉ、１１５２ｉが導電性行１１０６ｉと導電性列１１０４ｉとを互いに電気的に接続しないように、各ボリューム１１４２ｉ、１１５２ｉは、透明な非導電材料、たとえば、ガラス、空気、および／または透明誘電材料を含むことができる。

いくつかの実装形態では、検知要素１１４０ｉは、それぞれ、検知要素１１４０ｉから延在する少なくとも１つの導電性セグメント１１４７ｉを含む。同様に、各検知要素１１５０ｉは、場合によっては、検知要素１１５０ｉから延在する少なくとも１つの導電性素子１１５７ｉを含むことができる。検知要素１１４０ｉから延在する導電性セグメント１１４７ｉは、１つまたは複数の検知要素１１５０ｉの一部分と重なり得、検知要素１１５０ｉから延在する導電性セグメント１１５７ｉは、１つまたは複数の検知要素１１４０ｉの一部分と重なり得る。導電性セグメント１１４７ｉ、１１５７ｉは、１つまたは複数の検知要素１１５０ｉ、１１４０ｉと導電性セグメント１１４７ｉ、１１５７ｉとの間に様々なボリューム１１６２ｉを少なくとも部分的に画定することができる。（１つまたは複数の）光学的に透明な非導電性材料、たとえば、透明誘電体は、光の有意な吸収および／または反射なしに光がボリューム１１６２ｉを通過することを可能にするようにこれらのボリューム１１６２ｉを構成することができる。

上記で説明したように、導電性行１１０６および導電性列１１０４が検知回路に電気的に結合され得る一方で、アレイ１１０８に入射した周辺光が、有意な吸収および／または反射なしに（たとえば、光の有意な損失なしに）ボリュームを通過することができるように、図１１Ａ〜図１１Ｊを参照しながら説明したセンサーアレイ１１０８は、不透明および透明非導電性ボリューム１１４２、１１５２、１１６２、および１１６４である導電性行１１０６および導電性列１１０４を含む。下にあるディスプレイがセンサーアレイ１１０８を通して実質的に閲覧可能であるように、導電性行１１０６および導電性列１１０４は、人間の観測者によってそれらを検出することを困難にする寸法で構成され得る。しかしながら、不透明導電性行１１０６および導電性列１１０４が不透明導電材料を含むので、導電性行１１０６と導電性列１１０４とに入射した周辺光は、下にあるディスプレイのコントラストに影響を及ぼす閲覧者のほうへ反射され得る。したがって、いくつかの実装形態では、１つまたは複数の反射率制御層は、これらの不透明構造からの反射を制限するために、センサーアレイにおいて導電性行および／または列の１つまたは複数の部分上に配設され得る。

いくつかの実装形態では、反射率制御層は、下にある導電性行または列からの反射を制限するために、導電性行または列の１つまたは複数の部分上に被覆されたポリマーを含むことができる。たとえば、そこからの反射を制限し、下にある反射ディスプレイの全体的なコントラストを改善するために、ダークポリマー層が導電性行または列上に配設され得る。いくつかの他の実装形態では、そこからの反射を制限するために、ブラッククロム、たとえば、二酸化クロムが導電性行または列上に配設され得る。

図１２に、導電性構造上に配設された反射率制御層をもつ導電性構造の例示的な実装形態の断面図を示す。図１２に示すように、いくつかの実装形態では、反射率制御層は、導電性構造１２９５上に配設された干渉スタック１２９７を含むことができる。いくつかの実装形態では、導電性構造１２９５は、導電性行または列、たとえば、図１１Ａ〜図１１Ｊを参照しながら上記で説明した行１１０６または列１１０４のうちの１つを含むことができる。干渉スタック１２９７では、干渉反射体（たとえば、図８Ｅの反射体１４）の機能は、マスキングされている導電性構造１２９５によってサービスされ得る。干渉スタック１２９７は、吸収層１２９１、および吸収層１２９１と導電性構造１２９５との間に配設された光共振キャビティ層１２９３を含むことができる。干渉スタック１２９７に入射した光は、上記で説明した光学干渉の原理により、下にある導電性構造１２９５からほとんどまたはまったく見えない反射を生じる。干渉効果は、吸収層１２９１と光共振キャビティ層１２９３との厚さおよび（１つまたは複数の）材料によって支配され得る。したがって、マスキング効果は、一般的な染料またはペイントと比較して、経時的な退色を受けにくい。

吸収層１２９１と光共振キャビティ層１２９３との材料および寸法は、下にある反射性導電性構造１２９５からの可視光の反射を低減するように選択され得る。いくつかの実装形態では、反射率制御層は、下にある導電性構造１２９５も３０％未満の反射率特性を有するように、３０％未満の反射率特性を有することができる。本明細書で使用する反射率は、反射率制御層の上側表面に対して垂直な方向で反射率制御層の上面に入射する可視光の強度に対する、反射率制御層から反射された可視光の強度の比として定義される。しかしながら、本明細書の開示に鑑みて、反射率は、１〜３％程度の小ささまで低減され得、それにより、実質的に「黒く」見える反射率制御層によってカバーされた導電性構造を生じることを、当業者は容易に諒解されよう。

図１３Ａ〜図１３Ｃに、センサーアレイを製造するためのプロセスの例を示す。図１３Ａに、センサーアレイを製造する第１の例示的なプロセス１３００ａを示す。ブロック１３０１ａに示すように、例示的なプロセス１３００ａは、不透明材料を含む導電性行を形成することであって、導電性行が、第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含み、第１のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性行を形成することを含む。ブロック１３０３ａに示すように、例示的なプロセス１３００ａはまた、不透明材料を含む導電性列を形成することであって、導電性列が、第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含み、第２のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性列を形成することを含む。いくつかの実装形態では、プロセス１３００ａはまた、反射ディスプレイ上に導電性行と導電性列とを配設することを含むことができる。

図１３Ｂに、センサーアレイを製造する第２の例示的なプロセス１３００ｂを示す。ブロック１３０１ｂに示すように、例示的なプロセス１３００ｂは、不透明材料を含む導電性行を形成することであって、導電性行が第１のセグメントを含む、導電性行を形成することを含む。ブロック１３０３ｂに示すように、本方法はまた、不透明材料を含む導電性列を形成することであって、導電性列は、第１のセグメントと第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定するような、第１のセグメントに対して概して平行に延在する第２のセグメントを含む、導電性列を形成することを含むことができる。いくつかの実装形態では、プロセス１３００ｂはまた、反射ディスプレイ上に導電性行と導電性列とを配設することを含むことができる。

図１３Ｃに、センサーアレイを製造する第１の例示的なプロセス１３００ｃを示す。ブロック１３０１ｃに示すように、例示的なプロセス１３００ｃは、第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含む導電性行を形成することであって、第１のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性行を形成することを含む。ブロック１３０３ｃに示すように、例示的なプロセス１３００ｃはまた、第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含む導電性列を形成することであって、第２のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性列を形成することを含む。導電性行および列は、たとえば、アルミニウムまたはモリブデンなどの不透明材料から形成されるか、あるいはＩＴＯなどの半透明材料または透明導電性酸化物から形成され得る。いくつかの実装形態では、プロセス１３００ｃはまた、反射ディスプレイ上に導電性行と導電性列とを配設することを含むことができる。

図１４Ａおよび図１４Ｂは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス４０を示すシステムブロック図の例を示している。ディスプレイデバイス４０は、たとえば、セルラー電話または携帯電話であり得る。ただし、ディスプレイデバイス４０の同じ構成要素またはディスプレイデバイス４０の軽微な変形が、テレビジョン、電子リーダーおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプのディスプレイデバイスを示す。

ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカー４５と、入力デバイス４８と、マイクロフォン４６とを含む。ハウジング４１は、射出成形および真空成形を含む様々な製造プロセスのうちのいずれかから形成され得る。さらに、ハウジング４１は、限定はしないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組合せを含む、様々な材料のうちのいずれかから製作され得る。ハウジング４１は、異なる色の、または異なるロゴ、ピクチャ、またはシンボルを含んでいる、他の取外し可能な部分と交換され得る、取外し可能な部分（図示せず）を含むことができる。

ディスプレイ３０は、本明細書で説明する、双安定またはアナログディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかであり得る。ディスプレイ３０はまた、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ ＬＣＤ、またはＴＦＴ ＬＣＤなど、フラットパネルディスプレイ、あるいはＣＲＴまたは他の管デバイスなど、非フラットパネルディスプレイを含むように構成され得る。さらに、ディスプレイ３０は、本明細書で説明する干渉変調器ディスプレイを含むことができる。

ディスプレイデバイス４０の構成要素は図１４Ｂに概略的に示されている。ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、それの中に少なくとも部分的に密閉された追加の構成要素を含むことができる。たとえば、ディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。トランシーバ４７はプロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（たとえば、信号をフィルタ処理する）ように構成され得る。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９にも接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８に、およびアレイドライバ２２に結合され、アレイドライバ２２は次にディスプレイアレイ３０に結合される。電源５０が、特定のディスプレイデバイス４０設計によって必要とされるすべての構成要素に電力を与えることができる。

ネットワークインターフェース２７は、ディスプレイデバイス４０がネットワークを介して１つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ４３とトランシーバ４７とを含む。ネットワークインターフェース２７はまた、たとえば、プロセッサ２１のデータ処理要件を軽減するための、何らかの処理能力を有し得る。アンテナ４３は信号を送信および受信することができる。いくつかの実装形態では、アンテナ４３は、ＩＥＥＥ１６．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ１６．１１規格、あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ａ、ｂ、ｇまたはｎを含むＩＥＥＥ８０２．１１規格に従って、ＲＦ信号を送信および受信する。いくつかの他の実装形態では、アンテナ４３は、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に従ってＲＦ信号を送信および受信する。セルラー電話の場合、アンテナ４３は、３Ｇまたは４Ｇ技術を利用するシステムなどのワイヤレスネットワーク内で通信するために使用される、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、周波数分割多元接続（ＦＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、モバイル通信のためのグローバルシステム（ＧＳＭ（登録商標）：Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、ＧＳＭ／ジェネラル・パケット・ラジオ・サービス（ＧＰＲＳ：ＧＳＭ／Ｇｅｎｅｒａｌ Ｐａｃｋｅｔ Ｒａｄｉｏ Ｓｅｒｖｉｃｅ）、強化されたデータＧＳＭ環境（ＥＤＧＥ：Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄａｔａ ＧＳＭ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ）、テレスティアル・トランクド・ラジオ（ＴＥＴＲＡ：Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ Ｔｒｕｎｋｅｄ Ｒａｄｉｏ）、広帯域ＣＤＭＡ（Ｗ−ＣＤＭＡ）、エボリューション・データ・オプティマイズド（ＥＶ−ＤＯ：Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ Ｄａｔａ Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ）、１ｘＥＶ−ＤＯ、ＥＶ−ＤＯ Ｒｅｖ Ａ、ＥＶ−ＤＯ Ｒｅｖ Ｂ、高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ）、高速ダウンリンクパケットアクセス（ＨＳＤＰＡ）、高速アップリンクパケットアクセス（ＨＳＵＰＡ）、発展型高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ＋）、ロング・ターム・エボリューション（ＬＴＥ：Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＡＭＰＳ、または他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受信された信号がプロセッサ２１によって受信され、プロセッサ２１によってさらに操作され得るように、その信号を前処理することができる。トランシーバ４７はまた、プロセッサ２１から受信された信号がアンテナ４３を介してディスプレイデバイス４０から送信され得るように、その信号を処理することができる。

いくつかの実装形態では、トランシーバ４７は受信機によって置き換えられ得る。さらに、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１に送られるべき画像データを記憶または生成することができる画像ソースによって置き換えられ得る。プロセッサ２１は、ディスプレイデバイス４０の全体的な動作を制御することができる。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７または画像ソースから圧縮された画像データなどのデータを受信し、そのデータを生画像データに、または生画像データに容易に処理されるフォーマットに、処理する。プロセッサ２１は、処理されたデータをドライバコントローラ２９に、または記憶のためにフレームバッファ２８に送ることができる。生データは、一般に、画像内の各位置における画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色、飽和、およびグレースケールレベルを含むことができる。

プロセッサ２１は、ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含むことができる。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５に信号を送信するための、およびマイクロフォン４６から信号を受信するための、増幅器およびフィルタを含み得る。調整ハードウェア５２は、ディスプレイデバイス４０内の個別構成要素であり得、あるいはプロセッサ２１または他の構成要素内に組み込まれ得る。

ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生画像データをプロセッサ２１から直接、またはフレームバッファ２８から取ることができ、アレイドライバ２２への高速送信のために適宜に生画像データを再フォーマットすることができる。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ２９は、生画像データを、ラスタ様フォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることができ、その結果、そのデータフローは、ディスプレイアレイ３０にわたって走査するのに好適な時間順序を有する。次いで、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送る。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、しばしば、スタンドアロン集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１に関連付けられるが、そのようなコントローラは多くの方法で実装され得る。たとえば、コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２１中に埋め込まれるか、ソフトウェアとしてプロセッサ２１中に埋め込まれるか、またはハードウェアにおいてアレイドライバ２２と完全に一体化され得る。

アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９からフォーマットされた情報を受信することができ、ビデオデータを波形の並列セットに再フォーマットすることができ、波形の並列セットは、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から来る、数百の、および時には数千の（またはより多くの）リード線に毎秒何回も適用される。

いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、およびディスプレイアレイ３０は、本明細書で説明するディスプレイのタイプのうちのいずれにも適している。たとえば、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（たとえば、ＩＭＯＤコントローラ）であり得る。さらに、アレイドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（たとえば、ＩＭＯＤディスプレイドライバ）であり得る。その上、ディスプレイアレイ３０は、従来のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（たとえば、ＩＭＯＤのアレイを含むディスプレイ）であり得る。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ２９はアレイドライバ２２と一体化され得る。そのような実装形態は、セルラーフォン、ウォッチおよび他の小面積ディスプレイなどの高集積システムでは一般的である。

いくつかの実装形態では、入力デバイス４８は、たとえば、ユーザがディスプレイデバイス４０の動作を制御することを可能にするように、構成され得る。入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチセンシティブスクリーン、あるいは感圧膜または感熱膜を含むことができる。マイクロフォン４６は、ディスプレイデバイス４０のための入力デバイスとして構成され得る。いくつかの実装形態では、ディスプレイデバイス４０の動作を制御するために、マイクロフォン４６を介したボイスコマンドが使用され得る。

電源５０は、当技術分野でよく知られている様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。たとえば、電源５０は、ニッケルカドミウムバッテリーまたはリチウムイオンバッテリーなどの充電式バッテリーであり得る。電源５０はまた、再生可能エネルギー源、キャパシタ、あるいはプラスチック太陽電池または太陽電池塗料を含む太陽電池であり得る。電源５０はまた、壁コンセントから電力を受け取るように構成され得る。

いくつかの実装形態では、制御プログラマビリティがドライバコントローラ２９中に存在し、これは電子ディスプレイシステム中のいくつかの場所に配置され得る。いくつかの他の実装形態では、制御プログラマビリティがアレイドライバ２２中に存在する。上記で説明した最適化は、任意の数のハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素において、ならびに様々な構成において実装され得る。

本明細書で開示する実装形態に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得る。ハードウェアとソフトウェアの互換性が、概して機能に関して説明され、上記で説明した様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路およびステップにおいて示された。そのような機能がハードウェアで実装されるか、ソフトウェアで実装されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課された設計制約に依存する。

本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、および回路を実装するために使用される、ハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用シングルチップまたはマルチチッププロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、あるいは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のそのような構成として実装され得る。いくつかの実装形態では、特定のステップおよび方法が、所与の機能に固有である回路によって実行され得る。

１つまたは複数の態様では、説明した機能は、本明細書で開示する構造を含むハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、およびそれらの上記構造の構造的等価物において、またはそれらの任意の組合せにおいて実装され得る。また、本明細書で説明した主題の実装形態は、１つまたは複数のコンピュータプログラムとして、すなわち、データ処理装置が実行するためにコンピュータ記憶媒体上に符号化された、またはデータ処理装置の動作を制御するための、コンピュータプログラム命令の１つまたは複数のモジュールとして、実装され得る。

本開示で説明した実装形態への様々な修正は当業者には容易に明らかであり得、本明細書で定義した一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の実装形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で示した実装形態に限定されるものではなく、本明細書で開示する特許請求の範囲、原理および新規の特徴に一致する、最も広い範囲を与られるべきである。「例示的」という単語は、本明細書ではもっぱら「例、事例、または例示の働きをすること」を意味するために使用される。本明細書に「例示的」と記載されたいかなる実施形態も、必ずしも他の実装形態よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。さらに、「上側」および「下側」という用語は、図の説明を簡単にするために時々使用され、適切に配向されたページ上の図の配向に対応する相対位置を示すが、実装されたＩＭＯＤの適切な配向を反映しないことがあることを、当業者は容易に諒解されよう。

また、別個の実装形態に関して本明細書で説明されたいくつかの特徴は、単一の実装形態において組合せで実装され得る。また、逆に、単一の実装形態に関して説明した様々な特徴は、複数の実装形態において別個に、あるいは任意の好適な部分組合せで実装され得る。その上、特徴は、いくつかの組合せで働くものとして上記で説明され、初めにそのように請求されることさえあるが、請求される組合せからの１つまたは複数の特徴は、場合によってはその組合せから削除され得、請求される組合せは、部分組合せ、または部分組合せの変形形態を対象とし得る。

同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。さらに、図面は、フロー図の形態で１つまたは複数の例示的なプロセスを概略的に示し得る。ただし、図示されていない他の動作が、概略的に示される例示的なプロセスに組み込まれ得る。たとえば、１つまたは複数の追加の動作が、図示の動作のうちのいずれかの前に、後に、同時に、またはそれの間で、実行され得る。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実装形態における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実装形態においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実装形態が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。

同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。さらに、図面は、フロー図の形態で１つまたは複数の例示的なプロセスを概略的に示し得る。ただし、図示されていない他の動作が、概略的に示される例示的なプロセスに組み込まれ得る。たとえば、１つまたは複数の追加の動作が、図示の動作のうちのいずれかの前に、後に、同時に、またはそれの間で、実行され得る。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実装形態における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実装形態においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実装形態が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。
以下に本件出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］不透明材料を含む導電性行であって、前記導電性行が第１の検知要素を形成し、前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性行と、
不透明材料を含む導電性列であって、前記導電性列が第２の検知要素を形成し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性列と
を備えるセンサーアレイ。
［２］前記導電性行と前記導電性列との間に配設された絶縁層をさらに備える、［１］に記載のセンサーアレイ。
［３］前記導電性行がアルミニウムまたはモリブデンを含む、［１］に記載のセンサーアレイ。
［４］前記導電性列がアルミニウムまたはモリブデンを含む、［１］に記載のセンサーアレイ。
［５］前記導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をさらに備える、［１］に記載のセンサーアレイ。
［６］前記第１の反射率制御層が、ブラッククロムと、ポリマーと、干渉スタックとのうちの少なくとも１つを含む、［５］に記載のセンサーアレイ。
［７］前記干渉スタックが吸収層と光学的に透明な層とを含み、前記光学的に透明な層が前記吸収層と前記導電性行との間に少なくとも部分的に配設された、［６］に記載のセンサーアレイ。
［８］前記導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をさらに備える、［５］に記載のセンサーアレイ。
［９］前記第１の反射率制御層を特徴づける反射率が３０％未満である、［５］に記載のセンサーアレイ。
［１０］前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を受光するように構成された反射ディスプレイ要素をさらに備える、［１］に記載のセンサーアレイ。
［１１］前記反射ディスプレイ要素が、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を反射するように構成された、［１０］に記載のセンサーアレイ。
［１２］前記反射ディスプレイ要素が干渉変調器を含む、［１０］に記載のセンサーアレイ。
［１３］前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第３のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第４のボリュームを少なくとも部分的に画定する、［１］に記載のセンサーアレイ。
［１４］前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第５のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第６のボリュームを少なくとも部分的に画定する、［１３］に記載のセンサーアレイ。
［１５］前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、［１］に記載のセンサーアレイ。
［１６］前記導電性行が第１のセグメントを備え、前記導電性列が第２のセグメントを備え、前記第１のセグメントが、前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在する、［１］に記載のセンサーアレイ。
［１７］前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとの間に少なくとも部分的に画定されたボリュームが、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも一部分を含む、［１６］に記載のセンサーアレイ。
［１８］電流を伝導するための第１の手段であって、前記第１の導電手段が不透明材料を含み、前記第１の導電手段が第１の検知手段を形成し、前記第１の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第１の手段と、
電流を伝導するための第２の手段であって、前記第２の導電手段が不透明材料を含み、前記第２の導電手段が第２の検知手段を形成し、前記第２の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第２の手段と
を備えるセンサーアレイ。
［１９］前記第１の導電性手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段をさらに備える、［１８］に記載のセンサーアレイ。
［２０］前記第２の導電性手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段をさらに備える、［１９］に記載のセンサーアレイ。
［２１］前記第１の導電手段の少なくとも一部分が、前記第２の導電手段の少なくとも一部分と重なる、［１８］に記載のセンサーアレイ。
［２２］センサーアレイを製造する方法であって、前記方法は、
不透明材料を含む導電性行を形成することであって、前記導電性行が、第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含み、前記第１のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性行を形成することと、
不透明材料を含む導電性列を形成することであって、前記導電性列が、第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含み、前記第２のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性列を形成することと
を備える方法。
［２３］反射ディスプレイ上に前記導電性行と前記導電性列とを配設することをさらに備える、［２２］に記載の方法。
［２４］前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、［２２］に記載の方法。
［２５］前記導電性行または導電性列の少なくとも一部分上に反射率制御層を配設することをさらに備える、［２２］に記載の方法。
［２６］不透明材料を含む導電性行であって、前記導電性行が第１のセグメントを含む、導電性行と、
不透明材料を含む導電性列であって、前記導電性列が第２のセグメントを含む、導電性列と
を備え、
前記第１のセグメントが前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在し、前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定する、センサーアレイ。
［２７］前記導電性行がアルミニウムまたはモリブデンを含む、［２６］に記載のセンサーアレイ。
［２８］前記導電性列がアルミニウムまたはモリブデンを含む、［２６］に記載のセンサーアレイ。
［２９］前記導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をさらに備える、［２６］に記載のセンサーアレイ。
［３０］前記導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をさらに備える、［２９］に記載のセンサーアレイ。
［３１］前記ボリュームを通して光を受光するように構成された反射ディスプレイ要素をさらに備える、［２６］に記載のセンサーアレイ。
［３２］前記反射ディスプレイ要素が、前記ボリュームを通して光を反射するように構成された、［３１］に記載のセンサーアレイ。
［３３］前記反射ディスプレイ要素が干渉変調器を含む、［３１］に記載のセンサーアレイ。
［３４］電流を伝導するための第１の手段であって、前記第１の導電手段が不透明材料を含み、前記第１の導電手段が第１のセグメントを含む、電流を伝導するための第１の手段と、
電流を伝導するための第２の手段であって、前記第２の導電手段が不透明材料を含み、前記第２の導電手段が第２のセグメントを含む、電流を伝導するための第２の手段と
を備え、
前記第１のセグメントが前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在し、前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定する、センサーアレイ。
［３５］前記第１の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段をさらに備える、［３４］に記載のセンサーアレイ。
［３６］前記第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段をさらに備える、［３５］に記載のセンサーアレイ。
［３７］センサーアレイを製造する方法であって、前記方法は、
不透明材料を含む導電性行を形成することであって、前記導電性行が第１のセグメントを含む、導電性行を形成することと、
不透明材料を含む導電性列を形成することであって、前記導電性列は、前記第１のセグメントと第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定するような、前記第１のセグメントに対して実質的に平行に延在する前記第２のセグメントを含む、導電性列を形成することと
を備える方法。
［３８］反射ディスプレイ上に前記導電性行と前記導電性列とを配設することをさらに備える、［３７］に記載の方法。
［３９］第１の検知要素を含む導電性行であって、前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性行と、
第２の検知要素を含む導電性列であって、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性列と
を備えるセンサーアレイ。
［４０］前記導電性行と前記導電性列との間に配設された絶縁層をさらに備える、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［４１］前記導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をさらに備える、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［４２］前記第１の反射率制御層が、ブラッククロムと、ポリマーと、干渉スタックとのうちの少なくとも１つを含む、［４１］に記載のセンサーアレイ。
［４３］前記干渉スタックが吸収層と光学的に透明な層とを含み、前記光学的に透明な層が前記吸収層と前記導電性行との間に少なくとも部分的に配設された、［４２］に記載のセンサーアレイ。
［４４］前記導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をさらに備える、［４１］に記載のセンサーアレイ。
［４５］前記第１の反射率制御層を特徴づける反射率が３０％未満である、［４１］に記載のセンサーアレイ。
［４６］前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を受光するように構成された反射ディスプレイ要素をさらに備える、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［４７］前記反射ディスプレイ要素が、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を反射するように構成された、［４６］に記載のセンサーアレイ。
［４８］前記反射ディスプレイ要素が干渉変調器を含む、［４６］に記載のセンサーアレイ。
［４９］前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第３のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第４のボリュームを少なくとも部分的に画定する、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［５０］前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第５のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第６のボリュームを少なくとも部分的に画定する、［４９］に記載のセンサーアレイ。
［５１］前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［５２］前記導電性行が第１のセグメントを備え、前記導電性列が第２のセグメントを備え、前記第１のセグメントが、前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在する、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［５３］前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとの間に少なくとも部分的に画定されたボリュームが、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも一部分を含む、［５２］に記載のセンサーアレイ。
［５４］前記導電性行が半透明材料を含む、［３９］に記載のセンサーアレイ。
［５５］前記半透明材料が透明導電性酸化物を含む、［５４］に記載のセンサーアレイ。
［５６］前記透明導電性酸化物が酸化インジウムスズを含む、［５５］に記載のセンサーアレイ。
［５７］電流を伝導するための第１の手段であって、前記第１の導電手段が第１の検知手段を含み、前記第１の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第１の手段と、
電流を伝導するための第２の手段であって、前記第２の導電手段が第２の検知手段を含み、前記第２の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第２の手段と
を備えるセンサーアレイ。
［５８］前記第１の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段をさらに備える、［５７］に記載のセンサーアレイ。
［５９］前記第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段をさらに備える、［５８］に記載のセンサーアレイ。
［６０］前記第１の導電手段の少なくとも一部分が、前記第２の導電手段の少なくとも一部分と重なる、［５７］に記載のセンサーアレイ。
［６１］センサーアレイを製造する方法であって、前記方法は、
第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含む導電性行を形成することであって、前記第１のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性行を形成することと、
第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含む導電性列を形成することであって、前記第２のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性列を形成することと
を備える方法。
［６２］反射ディスプレイ上に前記導電性行と前記導電性列とを配設することをさらに備える、［６１］に記載の方法。
［６３］前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、［６１］に記載の方法。
［６４］前記導電性行または導電性列の少なくとも一部分上に反射率制御層を配設することをさらに備える、［６１］に記載の方法。

Claims (64)

1. 不透明材料を含む導電性行であって、前記導電性行が第１の検知要素を形成し、前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性行と、
   不透明材料を含む導電性列であって、前記導電性列が第２の検知要素を形成し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性列と
   を備えるセンサーアレイ。
2. 前記導電性行と前記導電性列との間に配設された絶縁層をさらに備える、請求項１に記載のセンサーアレイ。
3. 前記導電性行がアルミニウムまたはモリブデンを含む、請求項１に記載のセンサーアレイ。
4. 前記導電性列がアルミニウムまたはモリブデンを含む、請求項１に記載のセンサーアレイ。
5. 前記導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をさらに備える、請求項１に記載のセンサーアレイ。
6. 前記第１の反射率制御層が、ブラッククロムと、ポリマーと、干渉スタックとのうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載のセンサーアレイ。
7. 前記干渉スタックが吸収層と光学的に透明な層とを含み、前記光学的に透明な層が前記吸収層と前記導電性行との間に少なくとも部分的に配設された、請求項６に記載のセンサーアレイ。
8. 前記導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をさらに備える、請求項５に記載のセンサーアレイ。
9. 前記第１の反射率制御層を特徴づける反射率が３０％未満である、請求項５に記載のセンサーアレイ。
10. 前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を受光するように構成された反射ディスプレイ要素をさらに備える、請求項１に記載のセンサーアレイ。
11. 前記反射ディスプレイ要素が、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を反射するように構成された、請求項１０に記載のセンサーアレイ。
12. 前記反射ディスプレイ要素が干渉変調器を含む、請求項１０に記載のセンサーアレイ。
13. 前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第３のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第４のボリュームを少なくとも部分的に画定する、請求項１に記載のセンサーアレイ。
14. 前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第５のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第６のボリュームを少なくとも部分的に画定する、請求項１３に記載のセンサーアレイ。
15. 前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、請求項１に記載のセンサーアレイ。
16. 前記導電性行が第１のセグメントを備え、前記導電性列が第２のセグメントを備え、前記第１のセグメントが、前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在する、請求項１に記載のセンサーアレイ。
17. 前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとの間に少なくとも部分的に画定されたボリュームが、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも一部分を含む、請求項１６に記載のセンサーアレイ。
18. 電流を伝導するための第１の手段であって、前記第１の導電手段が不透明材料を含み、前記第１の導電手段が第１の検知手段を形成し、前記第１の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第１の手段と、
    電流を伝導するための第２の手段であって、前記第２の導電手段が不透明材料を含み、前記第２の導電手段が第２の検知手段を形成し、前記第２の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第２の手段と
    を備えるセンサーアレイ。
19. 前記第１の導電性手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段をさらに備える、請求項１８に記載のセンサーアレイ。
20. 前記第２の導電性手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段をさらに備える、請求項１９に記載のセンサーアレイ。
21. 前記第１の導電手段の少なくとも一部分が、前記第２の導電手段の少なくとも一部分と重なる、請求項１８に記載のセンサーアレイ。
22. センサーアレイを製造する方法であって、前記方法は、
    不透明材料を含む導電性行を形成することであって、前記導電性行が、第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含み、前記第１のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性行を形成することと、
    不透明材料を含む導電性列を形成することであって、前記導電性列が、第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含み、前記第２のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性列を形成することと
    を備える方法。
23. 反射ディスプレイ上に前記導電性行と前記導電性列とを配設することをさらに備える、請求項２２に記載の方法。
24. 前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、請求項２２に記載の方法。
25. 前記導電性行または導電性列の少なくとも一部分上に反射率制御層を配設することをさらに備える、請求項２２に記載の方法。
26. 不透明材料を含む導電性行であって、前記導電性行が第１のセグメントを含む、導電性行と、
    不透明材料を含む導電性列であって、前記導電性列が第２のセグメントを含む、導電性列と
    を備え、
    前記第１のセグメントが前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在し、前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定する、センサーアレイ。
27. 前記導電性行がアルミニウムまたはモリブデンを含む、請求項２６に記載のセンサーアレイ。
28. 前記導電性列がアルミニウムまたはモリブデンを含む、請求項２６に記載のセンサーアレイ。
29. 前記導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をさらに備える、請求項２６に記載のセンサーアレイ。
30. 前記導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をさらに備える、請求項２９に記載のセンサーアレイ。
31. 前記ボリュームを通して光を受光するように構成された反射ディスプレイ要素をさらに備える、請求項２６に記載のセンサーアレイ。
32. 前記反射ディスプレイ要素が、前記ボリュームを通して光を反射するように構成された、請求項３１に記載のセンサーアレイ。
33. 前記反射ディスプレイ要素が干渉変調器を含む、請求項３１に記載のセンサーアレイ。
34. 電流を伝導するための第１の手段であって、前記第１の導電手段が不透明材料を含み、前記第１の導電手段が第１のセグメントを含む、電流を伝導するための第１の手段と、
    電流を伝導するための第２の手段であって、前記第２の導電手段が不透明材料を含み、前記第２の導電手段が第２のセグメントを含む、電流を伝導するための第２の手段と
    を備え、
    前記第１のセグメントが前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在し、前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定する、センサーアレイ。
35. 前記第１の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段をさらに備える、請求項３４に記載のセンサーアレイ。
36. 前記第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段をさらに備える、請求項３５に記載のセンサーアレイ。
37. センサーアレイを製造する方法であって、前記方法は、
    不透明材料を含む導電性行を形成することであって、前記導電性行が第１のセグメントを含む、導電性行を形成することと、
    不透明材料を含む導電性列を形成することであって、前記導電性列は、前記第１のセグメントと第２のセグメントとが、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームをそれらの間に少なくとも部分的に画定するような、前記第１のセグメントに対して実質的に平行に延在する前記第２のセグメントを含む、導電性列を形成することと
    を備える方法。
38. 反射ディスプレイ上に前記導電性行と前記導電性列とを配設することをさらに備える、請求項３７に記載の方法。
39. 第１の検知要素を含む導電性行であって、前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性行と、
    第２の検知要素を含む導電性列であって、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、導電性列と
    を備えるセンサーアレイ。
40. 前記導電性行と前記導電性列との間に配設された絶縁層をさらに備える、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
41. 前記導電性行の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御層をさらに備える、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
42. 前記第１の反射率制御層が、ブラッククロムと、ポリマーと、干渉スタックとのうちの少なくとも１つを含む、請求項４１に記載のセンサーアレイ。
43. 前記干渉スタックが吸収層と光学的に透明な層とを含み、前記光学的に透明な層が前記吸収層と前記導電性行との間に少なくとも部分的に配設された、請求項４２に記載のセンサーアレイ。
44. 前記導電性列の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御層をさらに備える、請求項４１に記載のセンサーアレイ。
45. 前記第１の反射率制御層を特徴づける反射率が３０％未満である、請求項４１に記載のセンサーアレイ。
46. 前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を受光するように構成された反射ディスプレイ要素をさらに備える、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
47. 前記反射ディスプレイ要素が、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも１つを通して光を反射するように構成された、請求項４６に記載のセンサーアレイ。
48. 前記反射ディスプレイ要素が干渉変調器を含む、請求項４６に記載のセンサーアレイ。
49. 前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第３のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第４のボリュームを少なくとも部分的に画定する、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
50. 前記第１の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第５のボリュームを少なくとも部分的に画定し、前記第２の検知要素が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第６のボリュームを少なくとも部分的に画定する、請求項４９に記載のセンサーアレイ。
51. 前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
52. 前記導電性行が第１のセグメントを備え、前記導電性列が第２のセグメントを備え、前記第１のセグメントが、前記第２のセグメントに対して実質的に平行に延在する、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
53. 前記第１のセグメントと前記第２のセグメントとの間に少なくとも部分的に画定されたボリュームが、前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとのうちの少なくとも一部分を含む、請求項５２に記載のセンサーアレイ。
54. 前記導電性行が半透明材料を含む、請求項３９に記載のセンサーアレイ。
55. 前記半透明材料が透明導電性酸化物を含む、請求項５４に記載のセンサーアレイ。
56. 前記透明導電性酸化物が酸化インジウムスズを含む、請求項５５に記載のセンサーアレイ。
57. 電流を伝導するための第１の手段であって、前記第１の導電手段が第１の検知手段を含み、前記第１の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含むボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第１の手段と、
    電流を伝導するための第２の手段であって、前記第２の導電手段が第２の検知手段を含み、前記第２の検知手段が、非導電性の光学的に透明な材料を含む第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する、電流を伝導するための第２の手段と
    を備えるセンサーアレイ。
58. 前記第１の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第１の反射率制御手段をさらに備える、請求項５７に記載のセンサーアレイ。
59. 前記第２の導電手段の少なくとも一部分上に配設された第２の反射率制御手段をさらに備える、請求項５８に記載のセンサーアレイ。
60. 前記第１の導電手段の少なくとも一部分が、前記第２の導電手段の少なくとも一部分と重なる、請求項５７に記載のセンサーアレイ。
61. センサーアレイを製造する方法であって、前記方法は、
    第１のボリュームを少なくとも部分的に画定する第１の検知要素を含む導電性行を形成することであって、前記第１のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性行を形成することと、
    第２のボリュームを少なくとも部分的に画定する第２の検知要素を含む導電性列を形成することであって、前記第２のボリュームが非導電性の光学的に透明な材料を含む、導電性列を形成することと
    を備える方法。
62. 反射ディスプレイ上に前記導電性行と前記導電性列とを配設することをさらに備える、請求項６１に記載の方法。
63. 前記導電性行の少なくとも一部分が、前記導電性列の少なくとも一部分と重なる、請求項６１に記載の方法。
64. 前記導電性行または導電性列の少なくとも一部分上に反射率制御層を配設することをさらに備える、請求項６１に記載の方法。

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