JP2014501220A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014501220A5 JP2014501220A5 JP2013546814A JP2013546814A JP2014501220A5 JP 2014501220 A5 JP2014501220 A5 JP 2014501220A5 JP 2013546814 A JP2013546814 A JP 2013546814A JP 2013546814 A JP2013546814 A JP 2013546814A JP 2014501220 A5 JP2014501220 A5 JP 2014501220A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- error value
- mathematical model
- image
- model
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
Claims (10)
- 結晶の成長中に結晶を計測するためのシステムであって、上記システムは、
第1の画像平面上に、成長中の上記結晶の第1の画像を撮像するよう構成された第1のカメラと、
第2の画像平面上に、成長中の上記結晶の第2の画像を撮像するよう構成された第2のカメラと、
前記第1のカメラおよび前記第2のカメラに対して通信上結合された処理装置を含み、
前記処理装置は、
結晶の成長中に結晶の数学的モデルを生成し、上記数学的モデルは、第1のモデルのサンプル点を含んだ複数のモデルのサンプル点を包含し、
上記第1の画像および上記第2の画像の範囲内で、少なくとも一つの結晶の成長特性を検知し、
上記第1の画像にて上記結晶の成長特性と上記数学的モデルを比較することによって、第1のエラー値を決定し、且つ上記第2の画像にて上記結晶の成長特性と上記数学的モデルを比較することによって、第2のエラー値を決定し、
上記決定した第1のエラー値および上記決定した第2のエラー値に基づいて、上記数学的モデルから、上記少なくとも一つの結晶の成長特性に関連付いた見積もりの計量値を生成する、
ようにプログラムされた、システム。 - 上記第1のカメラおよび上記第2のカメラの少なくとも一つが、ディスクリートなデジタルカメラを含み、
上記ディスクリートなデジタルカメラは、シリアル式デジタルカメラとパラレル式デジタルカメラの内の少なくとも一つを含む、請求項1に記載のシステム。 - 上記第1のカメラのための第1の調整パラメータのデータセットと、上記第2のカメラのための第2の調整パラメータのデータセットとを生成するよう構成された調整システムを更に含み、
前記処理装置は、更に、
上記第1のエラー値および上記第2のエラー値が、所定のエラー基準よりも大きいことを決定し、
上記第1のエラー値および上記第2のエラー値にゲイン行列を適用することにより数学的モデルの調整値を生成し、上記ゲイン行列は、上記第1及び第2の調整パラメータのデータセットからのデータを包含する、ように構成された請求項1に記載のシステム。 - 前記処理装置は、更に、上記第1のエラー値および上記第2のエラー値が、所定のエラー基準よりも小さい又は等しいことを決定し、上記数学的モデルに基づいた、上記結晶の成長特性の見積もりの計量値を出力する、ように構成された請求項1に記載のシステム。
- 前記処理装置は、更に、上記第1のモデルのサンプル点における第1の複数の特性標準点を決定するよう構成され、上記特性標準点は、上記複数の特性標準点および上記第1のモデルのサンプル点を包含するサンプリング線を規定し、上記サンプリング線は、上記数学的モデルの表面の接線に、及び上記第1のモデルのサンプル点から上記第1のカメラの中心への経路に直交し、
前記処理装置は、更に、
上記第1の画像平面上に上記サンプリング線を射影し、
上記第1の画像内でブライトリングの位置を決定するため、上記サンプリング線に沿ってサンプリングし、
上記第1のモデルのサンプル点と上記ブライトリングの上記位置を比較することによって、第1のエラーを決定し、
上記第2の画像平面上に上記サンプリング線を射影し、
上記第2の画像内で上記ブライトリングの位置を決定するため、上記サンプリング線に沿ってサンプリングし、
上記第1のモデルのサンプル点と上記ブライトリングの上記位置を比較することによって、第2のエラーを決定する、
ように構成される、請求項1に記載のシステム。 - 第1のカメラが第1の画像平面上に、成長する結晶の第1の画像を撮像し、第2のカメラが第2の画像平面上に、上記成長する結晶の第2の画像を撮像することにより、るつぼから引き出される間の上記成長する結晶を三次元的に計測するための方法であって、
上記方法は、
結晶の成長中において結晶の数学的モデルを生成するステップであって、上記数学的モデルは複数のモデルのサンプル点を包含する、ステップと、
上記第1の画像および上記第2の画像の範囲内において、少なくとも一つの結晶の成長特性を検知するステップと、
上記第1の画像にて上記少なくとも一つの結晶の成長特性と上記数学的モデルを比較することにより、第1のエラー値を決定し、且つ上記第2の画像にて上記少なくとも一つの結晶の成長特性と上記数学的モデルを比較することにより、第2のエラー値を決定するステップと、
上記決定した第1のエラー値および上記決定した第2のエラー値に基づき、上記数学的モデルから上記少なくとも一つの結晶の成長特性に関連付いた見積もりの計量値を生成するステップと、
を含む、方法。 - 上記第1のエラー値および上記第2のエラー値が、所定のエラー基準よりも大きいことを決定するステップと、
上記第1のエラー値および上記第2のエラー値にゲイン行列を適用することにより、数学的モデルの調整値を生成するステップと、
上記数学的モデルの調整値に従って上記数学的モデルの調整することにより、調整された数学的モデルを生成するステップであって、上記調整された数学的モデルが複数の調整されたモデルのサンプル点を含む、ステップと、
上記複数の調整されたモデルのサンプル点の内の上記少なくとも一つにおいて複数の特性標準点を決定するステップであって、上記複数の特性標準点および上記複数の調整されたモデルのサンプル点の内の上記少なくとも一つが、調整されたサンプリング線を規定する、ステップと、
上記第1の画像平面上へ上記調整されたサンプリング線を射影するステップと、
上記第1の画像平面上でブライトリングの位置を決定するため、上記サンプリング線に沿ってサンプリングするステップと、
上記複数の調整されたモデルのサンプル点の内の少なくとも一つと、上記ブライトリングの上記位置を比較することにより、上記第1のエラー値を決定するステップと、
上記第2の画像平面上へ上記調整されたサンプリング線を射影するステップと、
上記第2の画像平面上で上記ブライトリングの位置を決定するため、上記調整されたサンプリング線に沿ってサンプリングするステップと、
上記複数の調整されたモデルのサンプル点の内の上記少なくとも一つと、上記ブライトリングの上記位置を比較することにより、上記第2のエラー値を決定するステップと、
上記第1のエラー値および上記第2のエラー値が、所定のエラー基準よりも小さい又は等しいことを決定するステップと、
上記複数の調整されたモデルのサンプル点に基づき、上記少なくとも一つ結晶の成長特性の調整された見積もりの計量値を生成するステップと、
を更に含む、請求項6に記載の方法。 - 上記数学的モデルが中心に置かれる仮定された数学的モデルのリファレンスを生成するステップを更に含む、請求項6に記載の方法。
- 上記数学的モデルの上記複数の点は、結晶の特性の少なくとも一つを表し、上記特性の少なくとも一つは、結晶の直径、融液の高度、およびリフレクタの高度の内少なくとも一つを包含する、請求項6に記載の方法。
- 少なくとも一つの結晶の特性の前記見積もりの計量値を生成するステップは、見積もりの結晶の直径、見積もりの融液の高度、及び見積もりの融液リフレクタ間のギャップ長さの内少なくとも一つを生成するステップを包含する、請求項6に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201061428339P | 2010-12-30 | 2010-12-30 | |
US61/428,339 | 2010-12-30 | ||
PCT/IB2011/055994 WO2012090172A1 (en) | 2010-12-30 | 2011-12-28 | Measuring a crystal growth feature using multiple cameras |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014501220A JP2014501220A (ja) | 2014-01-20 |
JP2014501220A5 true JP2014501220A5 (ja) | 2015-02-19 |
JP5859566B2 JP5859566B2 (ja) | 2016-02-10 |
Family
ID=45688190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013546814A Active JP5859566B2 (ja) | 2010-12-30 | 2011-12-28 | 多数のカメラを用いる結晶の成長特性計測方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2659031B1 (ja) |
JP (1) | JP5859566B2 (ja) |
KR (1) | KR101774625B1 (ja) |
CN (1) | CN103403233B (ja) |
WO (1) | WO2012090172A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103575734B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-06-08 | 晶格码(青岛)智能科技有限公司 | 晶体三维晶面生长动力学的立体成像测定系统及方法 |
CN107818559B (zh) * | 2017-09-22 | 2021-08-20 | 太原理工大学 | 晶体接种状态检测方法和晶体接种状态图像的采集装置 |
DE102019101991A1 (de) * | 2019-01-28 | 2020-07-30 | Pva Tepla Ag | Verfahren zum Ziehen eines zylindrischen Kristalls aus einer Schmelze |
CN110004492B (zh) * | 2019-04-25 | 2020-06-09 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 长晶炉内监测方法及长晶炉 |
CN110983432B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-04-06 | 南京晶升能源设备有限公司 | 一种半导体硅材料晶体生长的图像识别控制方法 |
CN113355741A (zh) * | 2020-03-06 | 2021-09-07 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种直拉单晶引晶工艺及用于该引晶工艺的单晶炉 |
AT524604A1 (de) | 2020-12-29 | 2022-07-15 | Fametec Gmbh | Verfahren zur Mitverfolgung des Kristallwachstums eines Einkristalls |
KR102681152B1 (ko) * | 2021-05-28 | 2024-07-03 | (주)셀릭 | 단결정 잉곳 제조용 멜트 갭 유지장치 및 그를 이용한 멜트 갭 유지방법 |
CN114481303A (zh) * | 2022-01-12 | 2022-05-13 | 苏州天准科技股份有限公司 | 一种拉晶状态监测装置及拉晶设备 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
DE19738438B4 (de) * | 1997-09-03 | 2010-04-08 | Crystal Growing Systems Gmbh | Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung des Durchmessers eines Kristalls |
US5882402A (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
US5961716A (en) * | 1997-12-15 | 1999-10-05 | Seh America, Inc. | Diameter and melt measurement method used in automatically controlled crystal growth |
US6175652B1 (en) * | 1997-12-31 | 2001-01-16 | Cognex Corporation | Machine vision system for analyzing features based on multiple object images |
JP2004035352A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶の引上げ装置 |
US8012255B2 (en) | 2008-07-31 | 2011-09-06 | Sumco Phoenix Corporation | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal ingot in a growth process |
JP5109928B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2012-12-26 | 信越半導体株式会社 | 単結晶直径の検出方法、及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに単結晶製造装置 |
-
2011
- 2011-12-28 WO PCT/IB2011/055994 patent/WO2012090172A1/en active Application Filing
- 2011-12-28 CN CN201180068734.8A patent/CN103403233B/zh active Active
- 2011-12-28 EP EP11819012.3A patent/EP2659031B1/en active Active
- 2011-12-28 JP JP2013546814A patent/JP5859566B2/ja active Active
- 2011-12-28 KR KR1020137020072A patent/KR101774625B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014501220A5 (ja) | ||
JP2013529792A5 (ja) | ||
JP2012255777A (ja) | 物体までの距離を測定するためのシステムおよび方法 | |
CN105631939B (zh) | 一种基于曲率滤波的三维点云畸变校正方法及其系统 | |
SG10201403061PA (en) | Control Surface Calibration System | |
EP2574034A3 (en) | Image processing apparatus and method | |
MX2016013608A (es) | Modo de transmision/reflexion optica en el control de la velocidad de deposicion in-situ para la fabricacion de elemento informatico integrado (ice). | |
JP2009141834A5 (ja) | ||
JP2013088597A5 (ja) | ||
JP2015088917A5 (ja) | 撮像装置、撮像装置の制御方法、プログラム、及び記録媒体 | |
JP2012160785A5 (ja) | ||
JP2013158599A5 (ja) | ||
JP2013130674A5 (ja) | ||
EP2191935A3 (en) | Eyeglass lens processing apparatus for processing periphery of eyeglass lens and eyeglass lens processing method | |
JP2016022010A5 (ja) | ||
CN104964652B (zh) | 一种基于机器视觉的电池卷绕生产检测方法及设备 | |
CN106331666A (zh) | 一种投影终端梯形校正方法、装置及投影终端 | |
JP2013219675A5 (ja) | ||
WO2014201813A1 (zh) | 投影机的亮度检测校正方法和系统 | |
JP2014171127A5 (ja) | ||
JP2013258283A5 (ja) | ||
JP2014165800A5 (ja) | ||
RU2018100009A (ru) | Устройство обработки информации, способ обработки информации и программа | |
JP2012173709A5 (ja) | ||
JP2009294977A5 (ja) |