JP2014239260A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上には、多層配線層400、第1インダクタ310、及び第2インダクタ320が形成されている。多層配線層400は、絶縁層及び配線層をこの順にそれぞれt回(t≧3)以上交互に積層したものである。第1インダクタ310は、多層配線層400の第n配線層に設けられている。第2インダクタ320は、多層配線層400の第m配線層(t≧m≧n+2)に設けられ、第1インダクタ310の上方に位置している。第n配線層と第m配線層の間に位置するいずれの配線層にも、第1インダクタ310の上方に位置するインダクタが設けられていない。第1インダクタ310及び第2インダクタ320は、電気信号を相互に伝達する信号伝達素子300を構成している。
【選択図】図1
Description
前記基板上に形成され、絶縁層及び配線層をこの順にそれぞれt回(t≧3)以上交互に積層した多層配線層と、
前記多層配線層の第n配線層に設けられた第1インダクタと、
前記多層配線層の第m配線層(t≧m≧n+2)に設けられ、前記第1インダクタの上方に位置している第2インダクタと、
を備え、前記第n配線層と前記第m配線層の間に位置するいずれの前記配線層にも、前記第1インダクタの上方に位置するインダクタが設けられていない半導体装置が提供される。
12 ベース基板
14 絶縁層
16 シリコン層
18 埋込絶縁層
19 埋込絶縁層
20 基板
100 第1回路
120 ウェル
121 第1導電型の第1トランジスタ
122 不純物領域
124 不純物領域
126 ゲート電極
140 ウェル
141 第2導電型の第1トランジスタ
142 不純物領域
144 不純物領域
146 ゲート電極
200 第2回路
220 ウェル
221 第1導電型の第2トランジスタ
222 不純物領域
224 不純物領域
226 ゲート電極
240 ウェル
241 第2導電型の第2トランジスタ
242 不純物領域
244 不純物領域
246 ゲート電極
300 信号伝達素子
310 第1インダクタ
320 第2インダクタ
400 多層配線層
410 絶縁層
412 配線層
420 絶縁層
422 配線層
430 絶縁層
432 配線層
440 絶縁層
442 配線層
510 配線
520 配線
530 配線
540 配線
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成され、第1回路に接続され、絶縁層及び配線層をこの順にそれぞれt回(t≧4)以上交互に積層した多層配線層と、
前記多層配線層の第n配線層に設けられ、前記第1回路に接続する第1インダクタと、
前記多層配線層の第m配線層(t≧m≧n+2)に設けられ、前記第1インダクタの上方に位置している第2インダクタと、
を備え、
前記第1インダクタと前記第2インダクタ間の領域において、平面視で配線が形成されていない配線層が、少なくとも1層以上存在する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第m配線層は最上層の前記配線層であり、前記第2インダクタに接続するボンディングワイヤを備える半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第2インダクタに接続する第2回路を備える半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記基板はSOI(Silicon On Insulator)基板であり、
前記第1回路は、前記基板の第1領域に形成された第1トランジスタを有しており、
前記第2回路は、前記基板の第2領域に形成された第2トランジスタを有しており、
前記SOI基板の半導体層は、前記第1領域と前記第2領域を絶縁する埋込絶縁層を有する半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記第1トランジスタと前記第2トランジスタは、基準電位が互いに異なる半導体装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体装置において、
前記第1インダクタ及び前記第2インダクタは、前記SOI基板のうち前記第1領域と前記第2領域の間に位置する第3領域の上方に形成され、
前記埋込絶縁層は、前記第2領域を、前記第1領域及び第3領域から絶縁している半導
体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第n配線層は最下層の前記配線層である半導体装置。
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- 2014-09-19 JP JP2014191302A patent/JP5968968B2/ja active Active
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