JP2014239196A - 表面実装型半導体パッケージ、および、その実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】部品点数の増加と体格の増大の抑制された表面実装型半導体パッケージ、および、その実装構造を提供する。
【解決手段】回路基板（１０）と、回路基板と電気的に接続されたリード（２０）と、リードにおける回路基板との接続部位および回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂（３０）と、を備え、リードにおけるモールド樹脂から外部に露出された部位が、配線基板（１１０）の表面に形成された配線パターン（１１１）とはんだ（１２０）を介して電気的および機械的に接続される表面実装型半導体パッケージであって、リードは、モールド樹脂における配線基板との対向面（３１）から外部に露出しており、モールド樹脂の対向面に、はんだの厚さを確保するための突起部（４０）が一体的に複数形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板と、回路基板と電気的に接続されたリードと、リードと回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂と、を備え、はんだを介して配線基板に実装される表面実装型半導体パッケージ、および、その実装構造に関するものである。

従来、例えば特許文献１に示されるように、プリント基板上に導電性バンプにより表面実装される表面実装型半導体パッケージが提案されている。表面実装型半導体パッケージの内部に半導体装置が設けられ、プリント基板への実装面に、半導体装置と電気的に接続される信号用電極、および、半導体装置とは電気的に接続されない補助電極が設けられている。そして、補助電極は信号用電極よりも膜厚が厚くなっている。

以上の構成により、補助電極がプリント基板に接触するように表面実装型半導体パッケージをプリント基板上に載置すると、信号用電極とプリント基板のランドとの間に、補助電極の膜厚から信号用電極の膜厚を減算した間隙が形成される。このため、リフロー法によるはんだ結合を施した場合、信号用電極とランドとの間に、上記した間隙に対応する厚みを有するはんだが形成される。以上により、表面実装型半導体パッケージの自重が大きい場合であったとしても、はんだの薄肉化が抑制される。この結果、高い信頼性のもとに表面実装型半導体パッケージをプリント基板に表面実装することができる。

特開Ｈ１０−２４２３８６号公報

上記したように、特許文献１に示される表面実装型半導体パッケージでは、半導体装置と電気的に接続される信号用電極とは別に、半導体装置と電気的に接続されない補助電極が実装面に具えられ、この補助電極によってはんだの厚さが確保される。しかしながらこの構成の場合、信号用電極と補助電極の２つの電極（リード）を用意しなくてはならず、部品点数の増加が懸念される。また、補助電極のために表面実装型半導体パッケージの体格が増大する虞がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、部品点数の増加と体格の増大の抑制された表面実装型半導体パッケージ、および、その実装構造を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明は、回路基板（１０）と、回路基板と電気的に接続されたリード（２０）と、リードにおける回路基板との接続部位および回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂（３０）と、を備え、リードにおけるモールド樹脂から外部に露出された部位が、配線基板（１１０）の表面に形成された配線パターン（１１１）とはんだ（１２０）を介して電気的および機械的に接続される表面実装型半導体パッケージであって、リードは、モールド樹脂における配線基板との対向面（３１）から外部に露出しており、モールド樹脂の対向面に、はんだの厚さを確保するための突起部（４０）が一体的に複数形成されていることを特徴とする。

このように本発明によれば、はんだ（１２０）の厚さを確保するための突起部（４０）がモールド樹脂（３０）に一体的に形成されている。これによれば、モールド樹脂とは別体で突起部を有する構成とは異なり、部品点数の増加が抑制され、製造工程が簡素化される。さらに言えば、例えばリードの一部を突起部として活用する構成とは異なり、形状の異なる別種のリード（電気的接続に活用されるリードと突起部として活用されるリード）を用意しなくとも良くなり、部品点数の増加が抑制される。また、別種のリードのために、表面実装型半導体パッケージ（１００）の体格が増大することが抑制される。

なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。

第１実施形態に係る表面実装型半導体パッケージの概略構成を示す断面図である。 表面実装型半導体パッケージの下面を示す下面図である。 表面実装型半導体パッケージの下面の変形例を示す下面図である。 表面実装型半導体パッケージの下面の変形例を示す下面図である。 表面実装型半導体パッケージの下面の変形例を示す下面図である。 表面実装型半導体パッケージの下面の変形例を示す下面図である。 表面実装型半導体パッケージの変形例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１および図２に基づいて、本実施形態に係る表面実装型半導体パッケージを説明する。図１では、表面実装型半導体パッケージ１００の他にはんだ１２０と配線基板１１０を図示し、表面実装型半導体パッケージの実装構造を示している。図２では、構成要素を明りょうとするためにモールド樹脂３０から外部に露出したリード２０にハッチングを入れ、配線基板１１０との電気的な接続に有効で無いリード２０を破線で示している。以下においては互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。そしてｘ方向とｙ方向とによって規定される平面を規定平面と示す。

図１に示すように、表面実装型半導体パッケージ１００は、回路基板１０、リード２０、および、モールド樹脂３０を備える。回路基板１０とリード２０とが互いに電気的に接続され、モールド樹脂３０によって回路基板１０とリード２０とが被覆されている。リード２０における回路基板１０との接続部位がモールド樹脂３０によって被覆され、その一部がモールド樹脂３０から外部に露出されている。このリード２０におけるモールド樹脂３０から外部に露出した部位が、配線基板１１０の実装面１１０ａに形成された配線パターン１１１とはんだ１２０を介して電気的および機械的に接続される。これにより、表面実装型半導体パッケージ１００が実装面１１０ａに実装される。

図１に示すように、配線基板１１０は、絶縁性の材料から成る基板１１２の表面および内部に配線パターン１１１が形成されて成る。配線基板１１０の実装面１１０ａに形成された配線パターン１１１の端部に第１ランド１１３が形成されており、この第１ランド１１３とはんだ１２０を介して、配線パターン１１１と表面実装型半導体パッケージ１００とが電気的および機械的に接続されている。

回路基板１０は、詳しくは図示しないが、半導体基板に電子素子が集積されたものである。回路基板１０は、リード２０と同一材料から成るランド２１に搭載され、リード２０とランド２１それぞれとワイヤ１１を介して電気的に接続されている。

リード２０は、モールド樹脂３０の内部に設けられた回路基板１０と外部装置とを電気的に接続するものである。図１に示すように、リード２０における回路基板１０との接続部位（ワイヤ１１およびワイヤ１１との接続部位）は、モールド樹脂３０によって被覆保護されており、その一部が外部に露出されている。

モールド樹脂３０は、回路基板１０とともにリード２０を被覆保護するものである。図１および図２に示すように、表面実装型半導体パッケージ１００が配線基板１１０に実装された際、モールド樹脂３０の一面が配線基板１１０と対向する。このモールド樹脂３０における配線基板１１０との対向面３１は多角形状を成し、対向面３１を縁取る３つ以上の辺それぞれからリード２０の一部が露出されている。本実施形態において対向面３１は四角形状を成し、四角形状を形作る４辺それぞれから複数のリード２０が露出されている。対向面３１は、自身の幾何学的中心ＧＣを含む中央領域３２（図２において一点差線で囲まれた領域）、および、中央領域３２を囲む環状の囲み領域３３から成る。複数のリード２０は囲み領域３３から外部に露出されており、対向面３１の縁に沿う周方向に沿って並んで配置されている。なお、中央領域３２には後述する突起部４０が形成されており、この中央領域３２は、突起部４０の形成された突起部形成領域と、突起部４０の形成されていない非突起部形成領域とに分けられている。

図１および図２に示すようにモールド樹脂３０には、はんだ１２０の厚さを確保するための突起部４０が一体的に複数形成されている。突起部４０は溶融した樹脂を所定の金型に注入し、それを冷却固化することでモールド樹脂３０とともに形成される。突起部４０は柱状を成し、その先端部は半球を成している。突起部４０の径はおよそ２００〜５００μｍ、高さはおよそ５０μｍとなっており、高さの精度はおよそ±１μｍである。

本実施形態では３つの突起部４１〜４３が対向面３１の中央領域３２に形成されている。図２に破線で示すように、これら３つの突起部４１〜４３の先端を一筆書きに結ぶことで三角形が形作られている。また図１に示すようにモールド樹脂３０と配線基板１１０とはｚ方向に並んでおり、この両者が並ぶｚ方向において表面実装型半導体パッケージ１００の重心を貫く中心線ＣＬが、３つの突起部４１〜４３によって形成される三角形を貫いている。本実施形態では３つの突起部４１〜４３の先端を結んで成る三角形は正三角形であり、この正三角形の幾何学的中心ＧＣを中心線ＣＬが貫いている。なお、突起部４１〜４３から成る正三角形の幾何学的中心ＧＣと対向面３１の幾何学的中心ＧＣとは規定平面における位置が一致している。そのため、本実施形態では両者を特に区別せず、同一の符号によって示している。

以下においては、３つの突起部４１〜４３と配線パターン１１１との対応関係を説明するが、その説明を簡明とするために、配線基板１１０の実装面１１０ａにおける中央領域３２との対向領域に形成された配線パターン１１１を第１配線パターン１１１ａ、囲み領域３３との対向領域に形成された配線パターン１１１を第２配線パターン１１１ｂと示す。第２配線パターン１１１ｂは囲み領域３３から外部に露出されたリード２０と同一の形状を成すが、第１配線パターン１１１ａの形状は、突起部４０の配置に応じて決定される。なお、図には上記した符号１１１ａ，１１１ｂを図示していない。

図２に示すように、３つの突起部４１〜４３が中央領域３２に形成されており、紙面上方に位置する第１突起部４１の形成された領域（突起部形成領域）と囲み領域３３とが隣接し、両者の間に非突起部形成領域が存在していない。したがって、この第１突起部４１とｙ方向において隣接するリード２０（図２において破線で示すリード２０）に対応する第２配線パターン１１１ｂと第１配線パターン１１１ａとを電気的に接続するには、配線基板１１０における突起部形成領域とｚ方向で対向する領域に第１配線パターン１１１ａを形成しなくてはならない。しかしながら突起部形成領域に対向する領域に第１配線パターン１１１ａを形成した場合、冷熱サイクルによる熱膨張収縮によって生じる熱応力が第１配線パターン１１１ａに印加される虞がある。そのため、第１突起部４１と隣接するリード２０は第１配線パターン１１１ａと直接接続されていない。上記したリード２０（第２配線パターン１１１ｂ）は、配線基板１１０の内部に形成された配線パターン１１１を介して第１配線パターン１１１ａと電気的に接続される。なお図２に示すように、第１突起部４１は他の突起部４２，４３とは異なり、対向面３１を構成する四辺のうちのひとつの辺の中央部と対向面３１の幾何学的中心ＧＣとを結ぶ線上に位置している。

上記した第１突起部４１の配置に対して、紙面左方に位置する第２突起部４２および紙面右方に位置する第３突起部４３の形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域３３とは規定平面において所定距離離れており、両者の間に非突起部形成領域が存在している。図１に示すように、配線基板１１０における両者の間に位置する非突起部形成領域との対向領域に、第１配線パターン１１１ａを形成するための領域が形成されている。詳しくは図示しないが、この領域に形成された第１配線パターン１１１ａは、リード２０と電気的に接続された第２配線パターン１１１ｂと、突起部４０との接触領域よりも中央に位置する第１配線パターン１１１ａとを接続するべく、突起部４０との接触領域を迂回するように設計されている。以上示したように、本実施形態では実装面１１１ａにおける突起部形成領域と対向する領域（突起部４０の先端が接触する領域）に第１配線パターン１１１ａは形成されていない。なお突起部４２，４３それぞれが形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域３３とは所定距離離れていると示したが、両者の間の間隔は、およそ１〜２ｍｍである。

次に、本実施形態に係る表面実装型半導体パッケージ１００の作用効果を説明する。上記したように、はんだ１２０の厚さを確保するための突起部４０がモールド樹脂３０に一体的に形成されている。これによれば、モールド樹脂とは別体で突起部を有する構成とは異なり、部品点数の増加が抑制され、製造工程が簡素化される。さらに言えば、例えばリードの一部を突起部として活用する構成とは異なり、形状の異なる別種のリード（電気的接続に活用されるリードと突起部として活用されるリード）を用意しなくとも良くなり、部品点数の増加が抑制される。また、別種のリードのために、表面実装型半導体パッケージ１００の体格が増大することが抑制される。

中心線ＣＬが、３つの突起部４０によって形成される三角形を貫いている。これによれば、中心線ＣＬが三角形を貫かない構成と比べて、表面実装型半導体パッケージ１００を配線基板１１０に安定して搭載することができる。

本実施形態では、３つの突起部４０の先端を結んで成る三角形の幾何学的中心ＧＣを中心線ＣＬが貫いている。これによれば、三角形の幾何学的中心ＧＣと表面実装型半導体パッケージ１００の重心とがｚ方向に並ぶので、３つの突起部４０による表面実装型半導体パッケージ１００の配線基板１１０への搭載が安定化される。

突起部４２，４３の形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域３３とは所定距離離れており、両者の間に非突起部形成領域が存在している。そして配線基板１１０におけるこの非突起部形成領域との対向領域に、第１配線パターン１１１ａを形成するための領域が形成されている。

これによれば、突起部形成領域と囲み領域の間に非突起部形成領域が存在しない構成とは異なり、配線基板１１０における突起部４０との接触領域に第１配線パターン１１１ａを形成しなくとも、第２配線パターン１１１ｂと第１配線パターン１１１ａとを電気的に接続することができる。これにより、冷熱サイクルによる突起部４０の膨張収縮に起因する熱応力の第１配線パターン１１１ａへの印加が抑制され、第１配線パターン１１１ａの断線が抑制される。

第１突起部４１の形成された突起部形成領域と囲み領域３３とが隣接し、両者の間に非突起部形成領域が存在していない。このように、第１突起部４１は突起部４２，４３それぞれよりもモールド樹脂３０の対向面３１の中心から離れている。換言すれば、第１突起部４１は対向面３１の隅部に近くなっている。冷熱サイクルによる熱膨張によって最も大きく変化するのは対向面３１の隅部である。したがって、表面実装型半導体パッケージ１００を配線基板１１０に支持する突起部４１が隅部から離れると、その距離に応じて、熱膨張収縮による隅部と配線基板１１０との離間距離および近接距離が大きくなる。そこで、上記したように第１突起部４１を対向面３１の中心から遠ざける。換言すれば第１突起部４１を隅部に近づける。こうすることで、隅部が熱膨張収縮して変化したとしても、それを第１突起部４１によって吸収することができる。これにより隅部の膨張収縮に起因する応力のはんだ１２０への印加が抑制され、表面実装型半導体パッケージ１００と配線基板１１０との電気的な接続信頼性の低下が抑制される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態では対向面３１が四角形状を成す例を示した。しかしながら対向面３１の形状としては多角形状であれば良く、上記例に限定されない。

本実施形態では紙面上方に位置する第１突起部４１が囲み領域３３と隣接し、紙面左方に位置する第２突起部４２および紙面右方に位置する第３突起部４３の形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域３３とは規定平面において所定距離離れている例を示した。しかしながら図３〜図６に示すように、突起部４０の数は上記例に限定されず、その形成位置も上記例に限定されない。表面実装型半導体パッケージ１００を配線基板１１０に安定して支持するのであれば、突起部４０の数としては２つでもよく、複数であれば良い。例えば図５および図６に示すように、４つの突起部４０がモールド樹脂３０に形成された構成を採用することができる。

本実施形態では３つの突起部４１〜４３の先端を一筆書きに結ぶことで正三角形が形作られている例を示した。しかしながら図３および図４に示すように、３つの突起部４１〜４３の先端を一筆書きに結ぶことで成る三角形としては正三角形だけではなく、例えば二等辺三角形を採用することもできる。また図５および図６に示すように、４つの突起部４１〜４４の先端を一筆書きに結ぶことで正方形および長方形を採用することもできる。

図３に示す構成では、突起部４２，４３それぞれが、対向面３１を縁取る４つの辺が成す２つの隅部と幾何学的中心ＧＣとを結ぶ線上に位置する。図４に示す構成では、突起部４１〜４４それぞれが、対向面３１を縁取る４つの辺の中央部と幾何学的中心ＧＣとを結ぶ線上に位置する。そして図５に示す構成では、突起部４１〜４４それぞれが、対向面３１を縁取る４つの辺が成す４つの隅部それぞれと幾何学的中心ＧＣとを結ぶ線上に位置する。

上記したように、冷熱サイクルによる熱膨張によって最も大きく変化するのは対向面３１の隅部である。したがって、表面実装型半導体パッケージ１００を配線基板１１０に支持する突起部４１〜４３が隅部から離れると、その距離に応じて、熱膨張収縮による隅部と配線基板１１０との離間距離および近接距離が大きくなる。そこで、図３および図４に示すように、突起部４２，４３を対向面３１の中心から最も遠くに遠ざける。また、図６に示すように、突起部４１〜４４それぞれを対向面３１の中心から最も遠くに遠ざける。換言すれば、図３および図４に示す構成では突起部４２，４３を隅部に最も近くに近づけ、図６に示す構成では突起部４１〜４４を隅部に最も近くに近づける。こうすることで、隅部が熱膨張収縮して変化したとしても、それを突起部４２，４３、若しくは、突起部４１〜４４によって吸収することができる。これにより隅部の膨張収縮に起因する応力のはんだ１２０への印加が抑制され、表面実装型半導体パッケージ１００と配線基板１１０との電気的な接続信頼性の低下が抑制される。なお、図３、図４、および、図６に破線で示すように、隅部の最も近くに突起部４０を形成した場合、隅部に位置する第２配線パターン１１１ｂを第１配線パターン１１１ａに直接接続することがかなわなくなる。しかしながら図５に示す構成の場合、中央部に位置する第２配線パターン１１１ｂを第１配線パターン１１１ａに直接接続することはかなわなくなるものの、図３、図４、および、図６に示す構成と比べて、その数が少なくなる。したがって、配線パターン１１１の設計の制約が小さくなる。

本実施形態では３つの突起部４１〜４３の先端を一筆書きに結ぶことで成る正三角形の幾何学的中心ＧＣを中心線ＣＬが貫いている例を示した。しかしながら、図３に示すように、幾何学的中心ＧＣ、突起部４１〜４３の先端を一筆書きに結んで成る三角形と中心線ＣＬとが交差する交差点ＣＰ、および、第１突起部４１の先端が、規定平面に沿う一方向において並んでいる構成を採用することもできる。これによれば、幾何学的中心ＧＣ、交差点ＣＰ、および、第１突起部４１の先端が一方向において並んでいない構成と比べて、複数の突起部４１〜４３による表面実装型半導体パッケージ１００の配線基板１１０への搭載が安定化される。さらに一般的に言えば、３つ以上の突起部４０がモールド樹脂３０に形成される場合、３つ以上の突起部４０の先端を一筆書きに結んで成る多角形を中心線ＣＬがただ貫いている構成を採用することもできる。この一般的な構成において、幾何学的中心ＧＣを中心線ＣＬが貫いていてもよいし、幾何学的中心ＧＣ、交差点ＣＰ、および、３つ以上の突起部４０の先端の少なくとも１つが、規定平面に沿う一方向において並ぶ構成を採用することができる。

なお、回路基板１０の発熱量が多い場合、図４および図５に示すように、モールド樹脂３０にヒートシンク５０が設けられた構成を採用することができる。ヒートシンク５０の設置場所としては特に限定されないが、例えば図４および図５に示すように、対向面３１に設けられ、その一部が露出された構成を採用することができる。この構成の場合、モールド樹脂３０から露出されたヒートシンク５０のｚ方向の厚さは、突起部４０のｚ方向の長さよりも短くなっている。このため、ヒートシンク５０と配線基板１１０との間に隙間が形成されている。

本実施形態では配線基板１１０の実装面１１０ａに第１ランド１１３が形成された例を示した。しかしながら図７に示すように、第１ランド１１３の他に、電気的な接続に寄与しない第２ランド１１４が実装面１１０ａに形成された構成を採用することもできる。第１ランド１１３は、はんだ１２０を介してリード２０と電気的および機械的に接続されるが、第２ランド１１４は、突起部４０の先端が接触される。第１ランド１１３と第２ランド１１４とは同一の材料から成り、同一の厚さを有する。これによれば、第１ランド１１３の製造誤差によって、モールド樹脂３０の対向面３１と配線基板１１０の実装面１１０ａとの間の距離が変動することが抑制される。換言すれば、はんだ１２０の厚さがばらつくことが抑制される。これにより、はんだ１２０に局所的に薄い箇所が形成されることが抑制され、表面実装型半導体パッケージ１００と配線基板１１０との電気的な接続信頼性が低下することが抑制される。

１０・・・回路基板
２０・・・リード
３０・・・モールド樹脂
３１・・・対向面
４０・・・突起部
１００・・・表面実装型半導体パッケージ
１１０・・・配線基板
１１１・・・配線パターン
１２０・・・はんだ

Claims (9)

1. 回路基板（１０）と、
   前記回路基板と電気的に接続されたリード（２０）と、
   前記リードにおける前記回路基板との接続部位および前記回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂（３０）と、を備え、
   前記リードにおける前記モールド樹脂から外部に露出された部位が、配線基板（１１０）の表面に形成された配線パターン（１１１）とはんだ（１２０）を介して電気的および機械的に接続される表面実装型半導体パッケージであって、
   前記リードは、前記モールド樹脂における前記配線基板との対向面（３１）から外部に露出しており、
   前記モールド樹脂の対向面に、前記はんだの厚さを確保するための突起部（４０）が一体的に複数形成されていることを特徴とする表面実装型半導体パッケージ。
2. ３つ以上の前記突起部が前記モールド樹脂に形成され、前記モールド樹脂と前記配線基板とが並ぶ方向において前記表面実装型半導体パッケージ（１００）の重心を貫く中心線（ＣＬ）が、３つ以上の前記突起部の先端を一筆書きに結んで成る多角形を貫いていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型半導体パッケージ。
3. ３つ以上の前記突起部の先端を一筆書きに結んで成る多角形の幾何学的中心（ＧＣ）を前記中心線が貫いていることを特徴とする請求項２に記載の表面実装型半導体パッケージ。
4. ３つ以上の前記突起部の先端を一筆書きに結んで成る多角形の幾何学的中心（ＧＣ）、３つ以上の前記突起部の先端を一筆書きに結んで成る多角形と前記中心線とが交差する交差点（ＣＰ）、および、３つ以上の前記突起部の先端の少なくとも１つが、前記モールド樹脂の対向面に沿う一方向において並んでいることを特徴とする請求項２に記載の表面実装型半導体パッケージ。
5. 前記対向面は、自身の幾何学的中心を含む中央領域（３２）、および、前記中央領域を囲む環状の囲み領域（３３）から成り、
   複数の前記リードが前記囲み領域に露出され、前記対向面の縁に沿う周方向に沿って並んでおり、
   複数の前記突起部は前記中央領域に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表面実装型半導体パッケージ。
6. 前記中央領域は、前記突起部の形成された突起部形成領域と、前記突起部の形成されていない非突起部形成領域とに分けられ、
   複数の前記突起部形成領域の少なくとも１つと前記囲み領域との間に前記非突起部形成領域の一部が位置し、
   前記配線基板における前記突起部形成領域と前記囲み領域との間に位置する非突起部形成領域との対向領域に、前記配線パターンを形成するための領域が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表面実装型半導体パッケージ。
7. 前記モールド樹脂の対向面は多角形状を成し、
   前記対向面を縁取る３つ以上の辺それぞれから前記リードが露出されており、
   複数の前記突起部の少なくとも１つは、前記対向面を縁取る辺の中央と前記対向面の幾何学的中心とを結ぶ線上に位置することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の表面実装型半導体パッケージ。
8. 前記モールド樹脂の対向面は多角形状を成し、
   前記対向面を縁取る３つ以上の辺それぞれから前記リードが露出されており、
   複数の前記突起部の少なくとも１つは、前記対向面を縁取る３つ以上の辺が成す隅と前記対向面の幾何学的中心とを結ぶ線上に位置することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の表面実装型半導体パッケージ。
9. 配線基板（１１０）と、
   はんだ（１２０）と、
   請求項１〜８のいずれか１項に記載の前記表面実装型半導体パッケージと、を有し、前記表面実装型半導体パッケージが前記はんだを介して前記配線基板に電気的および機械的に接続された表面実装型半導体パッケージの実装構造であって、
   前記配線基板における前記表面実装型半導体パッケージが実装される実装面（１１０ａ）には、前記はんだを介して前記リードと電気的および機械的に接続される第１ランド（１１３）と、前記突起部の先端が接触される第２ランド（１１４）と、が形成されており、
   前記第１ランドと前記第２ランドとは同一の材料から成り、同一の厚さを有することを特徴とする表面実装型半導体パッケージの実装構造。

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