JP2014232696A - 酸化物超電導線材 - Google Patents
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Abstract
【課題】酸化物超電導層と中間層との間の剥離が伝搬することを抑制できる酸化物超電導線材の提供を目的とする。【解決手段】基材と、基材の主面上に形成される中間層、及び酸化物超電導層と、を有し、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが10nm以上50nm以下であることを特徴とする酸化物超電導線材。また、前記酸化物超電導層の膜厚が、0.5μm以上3μm以下であることが好ましい。また、前記酸化物超電導線材は、前記酸化物超電導層が、REaBabCu3O(7−x)(式中、REは希土類元素のうちの1種又は2種以上を表し、前記xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、0.90≰a≰1.05、1.90≰b≰2.00であることが好ましい【選択図】図1
Description
本発明は、酸化物超電導線材に関する。
近年のエネルギー、環境、資源問題を解決できる高効率、低損失の電気機器の一つに低電流損失の材料として超電導体を用いたケーブル、コイル、モーター、マグネットなどの超電導機器が挙げられる。これらの超電導機器に用いられる超電導体には、例えば、RE−123系(REBa2Cu3O(7−x):REは希土類元素)等の酸化物超電導体が知られている。この酸化物超電導体は、液体窒素温度付近で超電導特性を示し、強磁界内でも比較的高い臨界電流密度を維持することができるため、他の超電導体と比べると広範囲に応用できると考えられており、実用上有望な材料として期待されている。
RE−123系酸化物超電導線材の一構造例として、テープ状の金属基材上に中間層と酸化物超電導層とを積層形成した構造が知られている。
この酸化物超電導線材は、線材の製造工程や超電導コイルへの加工工程などにおいて、線材に対して応力や衝撃が負荷された場合に、酸化物超電導層がその下の中間層から剥離する場合がある。また、この剥離は酸化物超電導線材の長手方向に伝搬しやすい傾向がある。
この酸化物超電導線材は、線材の製造工程や超電導コイルへの加工工程などにおいて、線材に対して応力や衝撃が負荷された場合に、酸化物超電導層がその下の中間層から剥離する場合がある。また、この剥離は酸化物超電導線材の長手方向に伝搬しやすい傾向がある。
特許文献1には、酸化物超電導線材をポリイミド電着液に浸漬し通電することによって、酸化物超電導線材の周りにポリイミド層を形成する構造が開示されている。このような構造では、ポリイミド層によって、酸化物超電導線材を拘束し酸化物超電導層の剥離を防止することができる。
酸化物超電導層と中間層との間で剥離が発生し、この剥離が進展すると、酸化物超電導層に負荷がかかりやすくなり、臨界電流値Icが低下する虞がある。
特許文献1に開示されているように、ポリイミド層を形成し、当該ポリイミド層で拘束することによって、酸化物超電導層と中間層との間の剥離を抑制する場合においては、酸化物超電導層の成膜後の熱収縮応力による剥離を防ぐことができない。また、ポリイミド層形成のための製造工程が増加するばかりか大掛かりな生産設備が必要となり生産コストが上昇するなどの問題があった。
特許文献1に開示されているように、ポリイミド層を形成し、当該ポリイミド層で拘束することによって、酸化物超電導層と中間層との間の剥離を抑制する場合においては、酸化物超電導層の成膜後の熱収縮応力による剥離を防ぐことができない。また、ポリイミド層形成のための製造工程が増加するばかりか大掛かりな生産設備が必要となり生産コストが上昇するなどの問題があった。
本発明は、以上のような従来の実情に鑑みなされたものであり、酸化物超電導層と中間層との間の剥離が伝搬することを抑制できる酸化物超電導線材の提供を目的とする。
前記課題を解決するため本発明の酸化物超電導線材は、基材と、前記基材の主面上に形成される中間層、及び酸化物超電導層と、を有し、前記酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが10nm以上50nm以下であることを特徴とする。
本発明によれば、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaを10nm以上50nm以下することによって、酸化物超電導層を構成する酸化物超電導体の結晶粒径が適度な大きさとなり粒界や転位により、酸化物超電導層と中間層との間の剥離の伝搬を抑制できる。
本発明によれば、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaを10nm以上50nm以下することによって、酸化物超電導層を構成する酸化物超電導体の結晶粒径が適度な大きさとなり粒界や転位により、酸化物超電導層と中間層との間の剥離の伝搬を抑制できる。
また、本発明の酸化物超電導線材は、前記酸化物超電導層の膜厚が、0.5μm以上3μm以下であることが好ましい。
酸化物超電導層の膜厚が3μmを超える場合は、酸化物超電導層の剛性が高まり、線材を曲げた場合、基材側の中間層に追随しにくくなるため剥離が生じやすく、また、剥離が進展しやすくなる。加えて、上述したような算術平均粗さRaを有する酸化物超電導層の膜厚を0.5μm未満として均一に形成することは困難であり、製造コストが上昇する。したがって、本発明によれば、酸化物超電導層と中間層との間の剥離の発生及び進展を抑制した酸化物超電導線材を安価に提供することができる。
酸化物超電導層の膜厚が3μmを超える場合は、酸化物超電導層の剛性が高まり、線材を曲げた場合、基材側の中間層に追随しにくくなるため剥離が生じやすく、また、剥離が進展しやすくなる。加えて、上述したような算術平均粗さRaを有する酸化物超電導層の膜厚を0.5μm未満として均一に形成することは困難であり、製造コストが上昇する。したがって、本発明によれば、酸化物超電導層と中間層との間の剥離の発生及び進展を抑制した酸化物超電導線材を安価に提供することができる。
また、本発明の酸化物超電導線材は、前記酸化物超電導層が、REaBabCu3O(7−x)(式中、REは希土類元素のうちの1種又は2種以上を表し、前記xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、
0.90≦a≦1.05
1.90≦b≦2.00
であることが好ましい。
酸化物超電導層の成分は、中間層側に拡散して中間層を構成する成分と反応物を形成する場合がある。この反応物は、酸化物超電導層と中間層の界面に析出し剥離の起点となるのみならず、剥離の進展を助長する。本発明によれば、RE−123系酸化物超電導積層体の組成を上記したモル比とすることによって、中間層に酸化物超電導層の成分が拡散せず、界面に反応物が生成しないため、剥離の発生及び進展を抑制することができる。
0.90≦a≦1.05
1.90≦b≦2.00
であることが好ましい。
酸化物超電導層の成分は、中間層側に拡散して中間層を構成する成分と反応物を形成する場合がある。この反応物は、酸化物超電導層と中間層の界面に析出し剥離の起点となるのみならず、剥離の進展を助長する。本発明によれば、RE−123系酸化物超電導積層体の組成を上記したモル比とすることによって、中間層に酸化物超電導層の成分が拡散せず、界面に反応物が生成しないため、剥離の発生及び進展を抑制することができる。
本発明によれば、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaを10nm以上50nm以下とすることによって、酸化物超電導層を構成する酸化物超電導体の結晶粒径が適度な大きさとなり粒界や転位により、酸化物超電導層と中間層との間の剥離の伝搬を抑制できる。
以下、本発明に係る酸化物超電導線材並びに酸化物超電導線材の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
(酸化物超電導線材)
図1に本発明の一実施形態に係る酸化物超電導線材1を示す。酸化物超電導線材1は、テープ状の基材10の主面(表面)上に中間層11、酸化物超電導層12、保護層13が積層された線材の外周を安定化層14により取り囲み構成されている。以下、酸化物超電導線材1の各構成要素について詳しく説明する。
図1に本発明の一実施形態に係る酸化物超電導線材1を示す。酸化物超電導線材1は、テープ状の基材10の主面(表面)上に中間層11、酸化物超電導層12、保護層13が積層された線材の外周を安定化層14により取り囲み構成されている。以下、酸化物超電導線材1の各構成要素について詳しく説明する。
基材10は、通常の酸化物超電導線材の基材として使用し得るものであれば良く、可撓性を有する長尺のテープ状であることが好ましい。また、基材10に用いられる材料は、機械的強度が高く、耐熱性があり、線材に加工することが容易な金属を有しているものが好ましい。市販品であればハステロイ(商品名、ヘインズ社製)が好適であり、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、コバルト(Co)等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等のいずれの種類も使用できる。また、基材10としてニッケル合金などに集合組織を導入した配向Ni−W合金テープ基材を用い、その上に中間層11、及び酸化物超電導層12を形成してもよい。
基材10の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10〜500μmであることが好ましく、20〜200μmであることがより好ましい。
基材10の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は、10〜500μmであることが好ましく、20〜200μmであることがより好ましい。
中間層11は、酸化物超電導層12の結晶配向性を制御し、基材10中の金属元素の酸化物超電導層12側への拡散を防止するものである。さらに、基材10と酸化物超電導層12との物理的特性(熱膨張率や格子定数等)の差を緩和するバッファー層として機能し、その材質は、物理的特性が基材10と酸化物超電導層12との中間的な値を示す金属酸化物が好ましい。
本実施形態の中間層11は、拡散防止層、又はベッド層からなる下地層11aと、配向層11b、及びキャップ層11cがこの順に積層された構造を有するが、拡散防止層とベッド層の一方あるいは両方を略して構成しても良い。
本実施形態の中間層11は、拡散防止層、又はベッド層からなる下地層11aと、配向層11b、及びキャップ層11cがこの順に積層された構造を有するが、拡散防止層とベッド層の一方あるいは両方を略して構成しても良い。
下地層11aを構成する拡散防止層は、基材10の構成元素拡散を防止する目的で形成されたもので、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化アルミニウム(Al2O3)、GZO(Gd2Zr2O7)等から構成され、スパッタ法などの成膜法により例えば厚さ10〜400nmに形成される。
下地層11aを構成するベッド層は、耐熱性が高く、界面反応性を低減するためのものであり、その上に形成される膜の配向性を得るために用いる。ベッド層は、Y2O3、Er2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、La2O3等からなる。ベッド層は、スパッタリング法等の成膜法により形成され、その厚さは例えば10〜100nmである。
下地層11aを構成するベッド層は、耐熱性が高く、界面反応性を低減するためのものであり、その上に形成される膜の配向性を得るために用いる。ベッド層は、Y2O3、Er2O3、CeO2、Dy2O3、Er2O3、Eu2O3、Ho2O3、La2O3等からなる。ベッド層は、スパッタリング法等の成膜法により形成され、その厚さは例えば10〜100nmである。
配向層11bは、その上のキャップ層11cの結晶配向性を制御するために2軸配向する物質から形成される。配向層11bの材質として具体的には、Gd2Zr2O7、MgO、ZrO2−Y2O3(YSZ)、SrTiO3、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、Zr2O3、Ho2O3、Nd2O3等の金属酸化物を例示することができる。
この配向層11bをIBAD(Ion−Beam−Assisted Deposition)法により良好な2軸配向性で成膜するならば、キャップ層11cの結晶配向性を良好にすることができ、その上に成膜する酸化物超電導層12の結晶配向性を良好にして優れた超電導特性を発揮できる。
キャップ層11cは、上述の配向層11bの表面に成膜されて結晶粒が面内方向に自己配向し得る材料からなり、具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、ZrO2、YSZ、Ho2O3、Nd2O3、LaMnO3等からなる。
中でもCeO2層は、PLD法(パルスレーザー蒸着法)、スパッタリング等により大きな成膜速度で形成でき、良好な結晶配向性を得ることができる。キャップ層11cの膜厚は50〜5000nmの範囲に形成できる。
本実施形態のキャップ層11cは、CeO2層を適用しており、以下、特に指定がなければ、キャップ層11cに用いる材料をCeO2とする。
この配向層11bをIBAD(Ion−Beam−Assisted Deposition)法により良好な2軸配向性で成膜するならば、キャップ層11cの結晶配向性を良好にすることができ、その上に成膜する酸化物超電導層12の結晶配向性を良好にして優れた超電導特性を発揮できる。
キャップ層11cは、上述の配向層11bの表面に成膜されて結晶粒が面内方向に自己配向し得る材料からなり、具体的には、CeO2、Y2O3、Al2O3、Gd2O3、ZrO2、YSZ、Ho2O3、Nd2O3、LaMnO3等からなる。
中でもCeO2層は、PLD法(パルスレーザー蒸着法)、スパッタリング等により大きな成膜速度で形成でき、良好な結晶配向性を得ることができる。キャップ層11cの膜厚は50〜5000nmの範囲に形成できる。
本実施形態のキャップ層11cは、CeO2層を適用しており、以下、特に指定がなければ、キャップ層11cに用いる材料をCeO2とする。
酸化物超電導層12に用いられる材料には、通常知られている組成の酸化物超電導体からなるものを広く適用することができ、特に、RE−123系超電導体を用いることが好ましい。
RE−123系超電導体の組成は、REaBabCu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00であるものを用いることが望ましい。
なお、REは希土類元素(Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)のうちの1種又は2種以上を表す。
RE−123系超電導体の組成は、REaBabCu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00であるものを用いることが望ましい。
なお、REは希土類元素(Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)のうちの1種又は2種以上を表す。
酸化物超電導層12の成分は、中間層11側(キャップ層11c)に拡散する場合がある。この酸化物超電導層12の成分は、キャップ層11cの構成成分(例えばCeO2)と反応し、反応物(例えばBaCeO3)として酸化物超電導層12と中間層11の界面に析出する。一般的に酸化物超電導層12とこれに対向する中間層11は、格子定数や熱膨張率が近いものが選択されているが、この反応物が介在することで、酸化物超電導層12と中間層11の界面における格子定数や熱膨張率が大きく変化し、剥離が発生しやすくなり、また剥離が進展しやすくなる。
しかしながら、RE−123系の酸化物超電導層12の組成を上記したモル比とすることによって、中間層11に酸化物超電導層12の成分が拡散しにくくなり、反応物の生成が抑えられるため、剥離の発生及び進展を抑制することができる。
しかしながら、RE−123系の酸化物超電導層12の組成を上記したモル比とすることによって、中間層11に酸化物超電導層12の成分が拡散しにくくなり、反応物の生成が抑えられるため、剥離の発生及び進展を抑制することができる。
本発明において、酸化物超電導層12の表面の算術平均粗さRa(JIS B0601:2001)は、10nm以上50nm以下とされる。表面の算術平均粗さRaが10nm以上50nm以下となるように酸化物超電導層12を形成することによって、適度に粒界や転位が分散し、酸化物超電導層12と中間層11との間の剥離の伝搬を抑制できる。
表面の算術平均粗さRaが10nm未満の酸化物超電導層12を形成すると、剥離の発生及び伝搬を十分に抑制できない。算術平均粗さRaが10nm未満の酸化物超電導層12を走査型電子顕微鏡(SEM)又は原子間力顕微鏡(AFM)により観察すると、結晶が沿面成長(二次元成長)しており、これによって転移や粒界が少なくなるため剥離しやすくなっていると考えられる。
また、表面の算術平均粗さRaが50nmを超える酸化物超電導層12を形成すると、酸化物超電導体の結晶粒径が大きくなりすぎて、粒界や転位の減少により、剥離の発生及び伝搬を十分に抑制できない。加えて、表面の算術平均粗さRaが50nmを超えると、この酸化物超電導層12上に形成される保護層13にピンホールが形成されて酸化物超電導層12を被覆することができなくなる虞があり、信頼性低下につながる。
表面の算術平均粗さRaが10nm未満の酸化物超電導層12を形成すると、剥離の発生及び伝搬を十分に抑制できない。算術平均粗さRaが10nm未満の酸化物超電導層12を走査型電子顕微鏡(SEM)又は原子間力顕微鏡(AFM)により観察すると、結晶が沿面成長(二次元成長)しており、これによって転移や粒界が少なくなるため剥離しやすくなっていると考えられる。
また、表面の算術平均粗さRaが50nmを超える酸化物超電導層12を形成すると、酸化物超電導体の結晶粒径が大きくなりすぎて、粒界や転位の減少により、剥離の発生及び伝搬を十分に抑制できない。加えて、表面の算術平均粗さRaが50nmを超えると、この酸化物超電導層12上に形成される保護層13にピンホールが形成されて酸化物超電導層12を被覆することができなくなる虞があり、信頼性低下につながる。
また、酸化物超電導層12の膜厚tは、0.5μm以上3μm以下であって、均一な厚みであることが好ましい。酸化物超電導層12の膜厚tが3μmを超える場合は、酸化物超電導層12の剛性が高まり、線材自体を曲げた場合、基材10側の中間層11に追随しにくくなるため剥離が生じやすくなるとともに、剥離が進展しやすくなる。また、上述したような算術平均粗さRaを有する酸化物超電導層12の膜厚tを0.5μm未満として均一に形成することは困難であり、製造コストが上昇する。
上記の表面状態を有する酸化物超電導層12は、後段のレーザー蒸着装置Aを用いたPLD法による成膜手順において具体的に説明する。
上記の表面状態を有する酸化物超電導層12は、後段のレーザー蒸着装置Aを用いたPLD法による成膜手順において具体的に説明する。
本実施形態の酸化物超電導線材1において、前記酸化物超電導層12の上には、保護層13が積層されている。保護層13は、事故時に発生する過電流をバイパスしたり、酸化物超電導層12とこの層よりも上面に設ける層との間で起こる化学反応を抑制する等の機能を有する。保護層13は、AgあるいはAg合金から形成されることが好ましい。保護層13の成膜には、スパッタ法などが採用可能で、その厚さを1〜30μm程度に形成できる。
なお、図1の保護層13は、酸化物超電導層12の上面のみに設けられているが、スパッタ法などの成膜法により保護層13を形成した場合、基材10、中間層11、酸化物超電導層12の側面側にもAg粒子が回り込んでAgの薄い層が形成され、基材10の裏面側にもAgの薄い層が形成される。
なお、図1の保護層13は、酸化物超電導層12の上面のみに設けられているが、スパッタ法などの成膜法により保護層13を形成した場合、基材10、中間層11、酸化物超電導層12の側面側にもAg粒子が回り込んでAgの薄い層が形成され、基材10の裏面側にもAgの薄い層が形成される。
本実施形態の酸化物超電導線材1は、基材10の主面上に、中間層11、酸化物超電導層12、保護層13が積層された線材の外周を安定化層14により被覆して形成されている。
安定化層14は、良導電性の金属材料からなり、酸化物超電導層12が何らかの原因で超電導状態から常電導状態に遷移しようとした時に、保護層13とともに、酸化物超電導層12の電流が転流するバイパスとして機能する。
また、安定化層14により、線材を外部から完全に遮断することが可能となり、より確実に水分の浸入を防ぐことができる。
安定化層14の形成方法として、金属テープを略C字型に形成し、半田を介して線材を被覆する方法、金属テープを螺旋巻きにして半田を介して被覆する方法等が挙げられる。また、めっき法により、安定化層14を形成しても良い。
安定化層14に使用する金属としては、銅、ニッケル、金、銀、クロム、錫などを挙げることができ、これ等の金属のうち一種又は二種以上を組み合わせて用いる事ができる。
また、酸化物超電導線材1を超電導限流器に使用する場合、安定化層14は、クエンチが起こり常電導状態に転移した時に発生する過電流を瞬時に抑制するために用いられる。この用途の場合、安定化層14に用いられる材料は、例えば、Ni−Cr等のNi系合金等の高抵抗金属が挙げられる。
安定化層14は、良導電性の金属材料からなり、酸化物超電導層12が何らかの原因で超電導状態から常電導状態に遷移しようとした時に、保護層13とともに、酸化物超電導層12の電流が転流するバイパスとして機能する。
また、安定化層14により、線材を外部から完全に遮断することが可能となり、より確実に水分の浸入を防ぐことができる。
安定化層14の形成方法として、金属テープを略C字型に形成し、半田を介して線材を被覆する方法、金属テープを螺旋巻きにして半田を介して被覆する方法等が挙げられる。また、めっき法により、安定化層14を形成しても良い。
安定化層14に使用する金属としては、銅、ニッケル、金、銀、クロム、錫などを挙げることができ、これ等の金属のうち一種又は二種以上を組み合わせて用いる事ができる。
また、酸化物超電導線材1を超電導限流器に使用する場合、安定化層14は、クエンチが起こり常電導状態に転移した時に発生する過電流を瞬時に抑制するために用いられる。この用途の場合、安定化層14に用いられる材料は、例えば、Ni−Cr等のNi系合金等の高抵抗金属が挙げられる。
本実施形態において、酸化物超電導層12を以下に図2を基に説明するレーザー蒸着装置Aを用いて製造することができる。
本実施形態のレーザー蒸着装置Aは、レーザー光によってターゲット51から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子の噴流(プルーム)29を基材10の主面上の中間層11に向け、構成粒子の堆積による酸化物超電導層12を中間層11に形成するレーザー蒸着法(PLD法)を実施する装置である。
本実施形態のレーザー蒸着装置Aは、レーザー光によってターゲット51から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子の噴流(プルーム)29を基材10の主面上の中間層11に向け、構成粒子の堆積による酸化物超電導層12を中間層11に形成するレーザー蒸着法(PLD法)を実施する装置である。
レーザー蒸着装置Aは、ターゲット51及びテープ状の基材10を格納し、成膜処理を行う処理容器(真空チャンバ)58と、その外部に設けられたレーザー光源52を備えている。
レーザー光源52は、処理容器58の内部のターゲット51にレーザー光を照射することにより、噴流29による成膜領域55を形成する。
処理容器58は気密性を有するとともに、内部を減圧状態とするため耐圧性を有する構成とされる。この処理容器58には、処理容器58内の雰囲気ガスを排気する排気手段59が接続され、更に、処理容器58内に酸素などの反応ガスを導入するガス供給手段60が接続されている。
レーザー光源52は、処理容器58の内部のターゲット51にレーザー光を照射することにより、噴流29による成膜領域55を形成する。
処理容器58は気密性を有するとともに、内部を減圧状態とするため耐圧性を有する構成とされる。この処理容器58には、処理容器58内の雰囲気ガスを排気する排気手段59が接続され、更に、処理容器58内に酸素などの反応ガスを導入するガス供給手段60が接続されている。
処理容器58内でテープ状の基材10を送出リール20から繰り出し、順次成膜領域55を通過させることで、基材10上に中間層11を介して酸化物超電導層12が形成され、巻取リール21に巻き取られる。成膜領域の前後にローラーを配置して基材を複数回ターンさせて、成膜領域55を複数回通過させることにより、通過回数に応じた膜厚tの酸化物超電導層12を形成することができる。
送出リール20から繰り出された基材10の下方には、当該基材10と距離Hを設けて円板状のターゲット51が配置されている。このターゲット51は、支持ロッド26に取り付けられた円板状のターゲットホルダ25に装着され、回転およびY1、Y2方向の往復移動が可能であり、ターゲット51の表面全体が均一に削られる。
成膜領域55を通過する基材10の上方には、ヒーター61(例えば通電式の電熱ヒーター)が配置されており、基材10を高温(900℃以上、好ましくは900℃以上950℃以下)とすることで、ドロップレットの再溶融、再蒸発が起こり膜中に取り込まれにくくなる。
送出リール20から繰り出された基材10の下方には、当該基材10と距離Hを設けて円板状のターゲット51が配置されている。このターゲット51は、支持ロッド26に取り付けられた円板状のターゲットホルダ25に装着され、回転およびY1、Y2方向の往復移動が可能であり、ターゲット51の表面全体が均一に削られる。
成膜領域55を通過する基材10の上方には、ヒーター61(例えば通電式の電熱ヒーター)が配置されており、基材10を高温(900℃以上、好ましくは900℃以上950℃以下)とすることで、ドロップレットの再溶融、再蒸発が起こり膜中に取り込まれにくくなる。
ターゲット51は、酸化物超電導層12を成膜するために、形成しようとする酸化物超電導層12と同等、又は近似した組成、あるいは、成膜中に逃避しやすい成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体あるいは酸化物超電導体などの板材を用いることができる。
本実施形態の酸化物超電導層12の組成は、REaBabCu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00であることが望ましい。したがって、ターゲット51の組成もこれと同じ組成からなるものを用いる事が望ましい。この中でも特に、REとして、Y、Gd等を用いることが好ましい。
本実施形態の酸化物超電導層12の組成は、REaBabCu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00であることが望ましい。したがって、ターゲット51の組成もこれと同じ組成からなるものを用いる事が望ましい。この中でも特に、REとして、Y、Gd等を用いることが好ましい。
図2に示すように処理容器58には、ターゲット51に対向するように照射窓(図示略)が形成されている。照射窓の外方には集光レンズ32と反射ミラー33を介しアブレーション用のレーザー光源52が配置されている。
前記アブレーション用のレーザー光源52はエキシマレーザーあるいはYAGレーザー等のようにパルスレーザーとして良好なエネルギー出力を示すものを用いることができる。レーザー光源52の出力として、例えば、エネルギー密度1〜15J/cm2、パルス周波数20〜600Hzのものを用いることができる。
なお、処理容器58の内部であって、ターゲット51の斜め上方側にターゲット表面のレーザー光照射領域の温度を計測するための赤外放射温度計(図示略)が設置されている。
前記アブレーション用のレーザー光源52はエキシマレーザーあるいはYAGレーザー等のようにパルスレーザーとして良好なエネルギー出力を示すものを用いることができる。レーザー光源52の出力として、例えば、エネルギー密度1〜15J/cm2、パルス周波数20〜600Hzのものを用いることができる。
なお、処理容器58の内部であって、ターゲット51の斜め上方側にターゲット表面のレーザー光照射領域の温度を計測するための赤外放射温度計(図示略)が設置されている。
以下に、図2に示すレーザー蒸着装置Aを用いて酸化物超電導層12を製造する方法について更に詳しく説明する。
酸化物超電導層12を成膜するには、基材10上に中間層11を先に説明した種々の成膜法で形成したテープ状の基材10を用いる。
このテープ状の基材10を送出リール20から巻取リール21に図2に示すように巻き掛け、ターゲットホルダ25にターゲット51を装着した後、処理容器58の内部を減圧するとともに、処理容器内にガス供給手段60から酸素などの反応ガスを導入し所望の雰囲気を得る。その後、レーザー光源52からパルス状のレーザー光をターゲット51の表面に集光照射する。
酸化物超電導層12を成膜するには、基材10上に中間層11を先に説明した種々の成膜法で形成したテープ状の基材10を用いる。
このテープ状の基材10を送出リール20から巻取リール21に図2に示すように巻き掛け、ターゲットホルダ25にターゲット51を装着した後、処理容器58の内部を減圧するとともに、処理容器内にガス供給手段60から酸素などの反応ガスを導入し所望の雰囲気を得る。その後、レーザー光源52からパルス状のレーザー光をターゲット51の表面に集光照射する。
ターゲット51の表面にレーザー光源52からのパルス状のレーザー光を集光照射すると、ターゲット51の表面部分の構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させて前記ターゲット51から構成粒子の噴流29を発生させることができ、ターゲット51上を走行しているテープ状の基材10の中間層11の上に目的の粒子堆積を行って、酸化物超電導層12を成膜できる。
酸化物超電導層12の膜厚tは、0.5μm以上3μm以下であることが好ましい。また、酸化物超電導層12の表面は、算術平均粗さRaが10nm以上50nm以下ことが好ましい。
ここで、酸化物超電導層12の膜厚tは、成膜領域55を通過する際の基材10の線速、レーザー光のエネルギー密度及び周波数、処理容器58内部の酸素分圧、基材10とターゲット51との距離H等により調整できる。当然のことではあるが、膜厚tの調整には、積層回数を増減させても良い。
また、酸化物超電導層12の表面粗さは、レーザー光のエネルギー密度及び周波数、処理容器58内部の酸素分圧、基材10とターゲット51との距離H等により調整できる。
酸化物超電導層12の成膜工程において、これらのパラメータを適宜調整することによって、膜厚tを0.5〜3μm、表面の算術平均粗さRaを10〜50nmとすることができる。
ここで、酸化物超電導層12の膜厚tは、成膜領域55を通過する際の基材10の線速、レーザー光のエネルギー密度及び周波数、処理容器58内部の酸素分圧、基材10とターゲット51との距離H等により調整できる。当然のことではあるが、膜厚tの調整には、積層回数を増減させても良い。
また、酸化物超電導層12の表面粗さは、レーザー光のエネルギー密度及び周波数、処理容器58内部の酸素分圧、基材10とターゲット51との距離H等により調整できる。
酸化物超電導層12の成膜工程において、これらのパラメータを適宜調整することによって、膜厚tを0.5〜3μm、表面の算術平均粗さRaを10〜50nmとすることができる。
成膜領域55を通過する際の基材10の線速を上げると、基材10の成膜領域55の滞留時間が短くなり酸化物超電導層12の膜厚tが薄くなる。逆に遅くすると滞留時間が長くなり膜厚tが厚くなる。
レーザー光のエネルギー密度及び周波数を上げると蒸発する構成粒子の噴流29が激しくなり、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなり、結果的に酸化物超電導層12の膜厚tが厚くなる。また、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなることで、酸化物超電導層12を構成する酸化物超電導体の結晶粒径が大きくなり、これによって、酸化物超電導層12の表面が粗くなる。逆にレーザー光のエネルギー密度及び周波数を下げると酸化物超電導層12の膜厚tは薄くなり、表面は平滑となる。
レーザー光のエネルギー密度及び周波数を上げると蒸発する構成粒子の噴流29が激しくなり、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなり、結果的に酸化物超電導層12の膜厚tが厚くなる。また、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなることで、酸化物超電導層12を構成する酸化物超電導体の結晶粒径が大きくなり、これによって、酸化物超電導層12の表面が粗くなる。逆にレーザー光のエネルギー密度及び周波数を下げると酸化物超電導層12の膜厚tは薄くなり、表面は平滑となる。
処理容器58内部の酸素分圧を上げると、蒸発した構成粒子の噴流29が狭い領域になって形成されることとなる。即ち、噴流29における構成粒子の密度は下がるため、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなり、これによって酸化物超電導層12の膜厚tは厚くなり、酸化物超電導層12の表面が粗くなる。逆に酸素分圧を下げると、蒸発した噴流29が広がって形成されるため、酸化物超電導層12の膜厚tは薄くなり、表面は平滑となる。
基材10とターゲット51との距離Hを近づけると、噴流29の発生点に対して基材10が近づくことになる。噴流29の発生点に近い領域は、成膜領域55の中でも構成粒子の密度が高いため、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなり、酸化物超電導層12の膜厚tは厚くなり、酸化物超電導層12の表面が粗くなる。逆に基材10とターゲット51の距離Hを離すと、酸化物超電導層12の膜厚tは薄くなり、表面は平滑となる。
基材10とターゲット51との距離Hを近づけると、噴流29の発生点に対して基材10が近づくことになる。噴流29の発生点に近い領域は、成膜領域55の中でも構成粒子の密度が高いため、単位時間あたりに積層される膜厚が大きくなり、酸化物超電導層12の膜厚tは厚くなり、酸化物超電導層12の表面が粗くなる。逆に基材10とターゲット51の距離Hを離すと、酸化物超電導層12の膜厚tは薄くなり、表面は平滑となる。
酸化物超電導層12の成膜方法として、化学気相成長法(CVD法)、塗布熱分解法(MOD法)等の成膜方法を採用した場合であっても、酸化物超電導層12の膜厚tを0.5〜3μm、算術平均粗さRaを10〜50nmとすることによって、剥離が起こりにくい酸化物超電導層12を成膜することができる。
「試験例1」
酸化物超電導層の膜厚及び表面粗さと当該酸化物超電導層の剥離のしやすさの関係を確認する試験例1について説明する。
まず、ハステロイC−276(米国ヘインズ社商品名)からなる幅10mm、厚さ0.1mm、長さ100mのテープ状の基材本体上に、アモルファスAl2O3の拡散防止層(厚さ80nm)と、Y2O3のベッド層(厚さ30nm)と、イオンビームアシスト蒸着法によるMgOの配向層(厚さ10nm)と、PLD法によるCeO2のキャップ層(厚さ300nm)を成膜したテープ状の基材を用意した。
酸化物超電導層の膜厚及び表面粗さと当該酸化物超電導層の剥離のしやすさの関係を確認する試験例1について説明する。
まず、ハステロイC−276(米国ヘインズ社商品名)からなる幅10mm、厚さ0.1mm、長さ100mのテープ状の基材本体上に、アモルファスAl2O3の拡散防止層(厚さ80nm)と、Y2O3のベッド層(厚さ30nm)と、イオンビームアシスト蒸着法によるMgOの配向層(厚さ10nm)と、PLD法によるCeO2のキャップ層(厚さ300nm)を成膜したテープ状の基材を用意した。
次に、図2に示す構成のレーザー蒸着装置Aを用い、アブレーション用のレーザー光源として、エキシマレーザー(KrF:248nm)を用いて、キャップ層上に酸化物超電導層(GdBa2Cu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)層)を成膜した。なお、Cuのモル比を3とした場合のGdのモル比は1、Baのモル比は2である。
この時、エキシマレーザーのエネルギー密度を3.0J/cm2(150mJ)、テープ基材の移動時の線速を20m/h、ヒーターによるテープ状基材の加熱温度を920℃、ターゲットと基材の距離を7cmとした。
また、酸化物超電導層成膜時のパルスレーザーの周波数、並びに処理容器の酸素分圧PO2を様々に変更し、様々な膜厚及び表面の算術平均粗さRaを有する酸化物超電導層を備えたサンプルNo.1〜14の実施例及び比較例の酸化物超電導線材を作製した。
この時、エキシマレーザーのエネルギー密度を3.0J/cm2(150mJ)、テープ基材の移動時の線速を20m/h、ヒーターによるテープ状基材の加熱温度を920℃、ターゲットと基材の距離を7cmとした。
また、酸化物超電導層成膜時のパルスレーザーの周波数、並びに処理容器の酸素分圧PO2を様々に変更し、様々な膜厚及び表面の算術平均粗さRaを有する酸化物超電導層を備えたサンプルNo.1〜14の実施例及び比較例の酸化物超電導線材を作製した。
これらの酸化物超電導線材に対して、曲げRが5mmとなるように治具に沿わせて曲げて引張応力を印加し、試験前後の臨界電流値Icを測定した。また、目視によって、酸化物超電導層の剥離の有無を観察した。
表1にサンプルNo.1〜13の酸化物超電導線材の酸化物超電導層成膜時の積層回数、成膜条件(周波数、酸素分圧)、並びに膜厚、算術平均粗さRa、Ic/Ic0、目視による剥離の有無の観察結果を示す。
なお、膜厚と算術平均粗さRaの測定には、接触式の段差計を用いた。膜厚は、線材の幅方向に対して3点の平均値をとった。算術平均粗さRaは、線材上の酸化物超電導層の中心部近傍を幅方向に500μmスキャンして測定した。
また、Ic/Ic0とは、引張応力印加前の臨界電流値(Ic0)に対する印加後の臨界電流値(Ic)の比をIc/Ic0である。
目視による酸化物超電導層の有無は、酸化物超電導層が完全に剥離している場合を×、酸化物超電導層がわずかに浮いた状態である場合を△、剥離が確認できなかったものを○とした。
なお、膜厚と算術平均粗さRaの測定には、接触式の段差計を用いた。膜厚は、線材の幅方向に対して3点の平均値をとった。算術平均粗さRaは、線材上の酸化物超電導層の中心部近傍を幅方向に500μmスキャンして測定した。
また、Ic/Ic0とは、引張応力印加前の臨界電流値(Ic0)に対する印加後の臨界電流値(Ic)の比をIc/Ic0である。
目視による酸化物超電導層の有無は、酸化物超電導層が完全に剥離している場合を×、酸化物超電導層がわずかに浮いた状態である場合を△、剥離が確認できなかったものを○とした。
表1において、Ic/Ic0が1.0を超えるものは、測定の誤差に起因するものであると考えらえる。
サンプルNo.1〜4、9〜12の実施例において、酸化物超電導層の膜厚は0.5〜2.6μmであり、0.5〜3μmの範囲内である。また、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが13.6〜40.5nmであり、10〜50nmの範囲内である。これらの酸化物超電導線材は、酸化物超電導層の剥離がなく、臨界電流値Icの低下がないことが確認された。
サンプルNo.1〜4、9〜12の実施例において、酸化物超電導層の膜厚は0.5〜2.6μmであり、0.5〜3μmの範囲内である。また、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが13.6〜40.5nmであり、10〜50nmの範囲内である。これらの酸化物超電導線材は、酸化物超電導層の剥離がなく、臨界電流値Icの低下がないことが確認された。
サンプルNo.5、6の比較例においては、膜厚が3μmを超えており、臨界電流値Icが低下している。これは、酸化物超電導層の剥離が発生したためと考えられる。なお、サンプルNo.5の酸化物超電導線材は、目視では剥離が確認されていないが、臨界電流値Icの低下が確認されていることから、実際には剥離が発生していたと考えられる。
サンプルNo.7、8の比較例においては、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが10nm未満であるため、酸化物超電導層の表面は平滑で、剥離を抑制することができず、曲げて応力を印加することにより剥離が発生したと考えられる。
サンプルNo.13の比較例においては、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが50nmを超えているため、酸化物超電導層を構成する酸化物超電導導体の結晶粒径が大きくなりすぎて粒界や転位の減少により剥離の発生及び伝搬を十分に抑制できなかったため剥離が発生したと考えられる。
サンプルNo.7、8の比較例においては、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが10nm未満であるため、酸化物超電導層の表面は平滑で、剥離を抑制することができず、曲げて応力を印加することにより剥離が発生したと考えられる。
サンプルNo.13の比較例においては、酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが50nmを超えているため、酸化物超電導層を構成する酸化物超電導導体の結晶粒径が大きくなりすぎて粒界や転位の減少により剥離の発生及び伝搬を十分に抑制できなかったため剥離が発生したと考えられる。
なお、今回の実施例において、膜厚が0.5μm以下であり、算術平均粗さRaが10μm以上の酸化物超電導層を備えたサンプルを用意していない。このような酸化物超電導線材を作製しようとすると、酸化物超電導層を均一とすることが困難となる。
表1に示す結果から、酸化物超電導層の膜厚を0.5〜3μm、算術平均粗さRaを10〜50nmとすることによって、剥離を抑制できることが確認された。
表1に示す結果から、酸化物超電導層の膜厚を0.5〜3μm、算術平均粗さRaを10〜50nmとすることによって、剥離を抑制できることが確認された。
「試験例2」
次に、酸化物超電導層の組成と当該酸化物超電導層の剥離のしやすさの関係を確認する試験例2について説明する。
まず、試験例1と同様の手順によって、テープ状の基材本体状に、拡散防止層、ベッド層、配向層、キャップ層、酸化物超電導層(GdaBabCu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)層)を成膜した。ただし、酸化物超電導層の成膜工程においては、ターゲットの組成を様々に変えて成膜をおこなった。これによって、Cuのモル比を3とした場合のGd、Baのモル比a、bを様々に変動させたサンプルNo.14〜26の酸化物超電導線材を作製した。
なお、酸化物超電導層の成膜条件は、エキシマレーザーのエネルギー密度を3.0J/cm2(150mJ)、周波数を50Hz、テープ基材の移動時の線速を20m/h、処理容器の酸素分圧PO2を30Pa、ヒーターによるテープ状基材の加熱温度を920℃、ターゲットと基材の距離を7cm、積層回数を1回とした。
試験例2においては、ターゲットの組成を変えることで、酸化物超電導層の組成を変動させたサンプルを作製したが、レーザーのエネルギー密度や、酸素分圧、ターゲットと基材の距離等の成膜条件を変えて組成を制御することもできる。
次に、酸化物超電導層の組成と当該酸化物超電導層の剥離のしやすさの関係を確認する試験例2について説明する。
まず、試験例1と同様の手順によって、テープ状の基材本体状に、拡散防止層、ベッド層、配向層、キャップ層、酸化物超電導層(GdaBabCu3O(7−x)(xは酸素欠損を表す。)層)を成膜した。ただし、酸化物超電導層の成膜工程においては、ターゲットの組成を様々に変えて成膜をおこなった。これによって、Cuのモル比を3とした場合のGd、Baのモル比a、bを様々に変動させたサンプルNo.14〜26の酸化物超電導線材を作製した。
なお、酸化物超電導層の成膜条件は、エキシマレーザーのエネルギー密度を3.0J/cm2(150mJ)、周波数を50Hz、テープ基材の移動時の線速を20m/h、処理容器の酸素分圧PO2を30Pa、ヒーターによるテープ状基材の加熱温度を920℃、ターゲットと基材の距離を7cm、積層回数を1回とした。
試験例2においては、ターゲットの組成を変えることで、酸化物超電導層の組成を変動させたサンプルを作製したが、レーザーのエネルギー密度や、酸素分圧、ターゲットと基材の距離等の成膜条件を変えて組成を制御することもできる。
また、様々な組成を有する酸化物超電導層を備えた、サンプルNo.14〜26の実施例及び比較例の酸化物超電導線材を作製した。
これらの酸化物超電導線材の膜厚及び算術平均粗さRaを測定したところ、全てのサンプルにおいて、膜厚は0.5〜3μm、算術平均粗さRaは10〜50nmの範囲に入っていた(後段の表2参照)。なお、膜厚と算術平均粗さRaの測定方法は試験例1と同じである。
これらの酸化物超電導線材の膜厚及び算術平均粗さRaを測定したところ、全てのサンプルにおいて、膜厚は0.5〜3μm、算術平均粗さRaは10〜50nmの範囲に入っていた(後段の表2参照)。なお、膜厚と算術平均粗さRaの測定方法は試験例1と同じである。
サンプルNo.14〜26の酸化物超電導線材について、臨界電流密度(Jc)の測定を行った。
また、各サンプルに対して、スタッドプル剥離試験により酸化物超電導層とキャップ層との間の剥離強度を測定した。剥離強度の測定は、各酸化物超電導線材の酸化物超電導層表面に直径2.7mmのスタッドピンの先端部をエポキシ樹脂で接着固定(ピン先端部の接着面積5.72mm2)し、このスタッドピンを線材の成膜面に対して垂直方向に引張り、応力が低下した瞬間の引張荷重を剥離応力(剥離強度)として行った。
スタッドプル剥離試験は、各サンプルについて30カ所の測定を行った。測定値の最大値と最小値、並びに各測定値より累積ハザード法によるワイブル解析を行い割り出した1%故障率を、臨界電流密度(Jc)の測定値とともに表2に示す。
また、各サンプルに対して、スタッドプル剥離試験により酸化物超電導層とキャップ層との間の剥離強度を測定した。剥離強度の測定は、各酸化物超電導線材の酸化物超電導層表面に直径2.7mmのスタッドピンの先端部をエポキシ樹脂で接着固定(ピン先端部の接着面積5.72mm2)し、このスタッドピンを線材の成膜面に対して垂直方向に引張り、応力が低下した瞬間の引張荷重を剥離応力(剥離強度)として行った。
スタッドプル剥離試験は、各サンプルについて30カ所の測定を行った。測定値の最大値と最小値、並びに各測定値より累積ハザード法によるワイブル解析を行い割り出した1%故障率を、臨界電流密度(Jc)の測定値とともに表2に示す。
さらに、サンプルNo.14〜26の酸化物超電導線材を1cm角に切り出し、ICP発光分光分析による組成分析を行い、酸化物超電導層におけるGd、Ba、Cuの組成比の分析を行った。
ICP発光分光分析は、各サンプルの酸化物超電導線材を、室温のHNO3(20mass%)溶液を用いて超音波中で溶解して分析を行うことで、酸化物超電導層のみを溶解させて組成比を特定することができる。また、200℃のホットプレートに載置してHNO3(20mass%)溶液を用いて超音波で溶解して分析を行うことで、酸化物超電導層に加えてCeO2のキャップ層を溶解させて、構成成分の組成比を特定することができる。
酸化物超電導層のみを溶解させた場合の組成比と、酸化物超電導層に加えてキャップ層まで溶解させた場合の組成比を比較することで、酸化物超電導層の構成成分がキャップ層に拡散しているかどうかを確認することができる。
表2に、酸化物超電導層のみを分析した場合と、酸化物超電導層とキャップ層を分析した場合との、Gd、Ba、Cuの組成比の分析結果を示す。
ICP発光分光分析は、各サンプルの酸化物超電導線材を、室温のHNO3(20mass%)溶液を用いて超音波中で溶解して分析を行うことで、酸化物超電導層のみを溶解させて組成比を特定することができる。また、200℃のホットプレートに載置してHNO3(20mass%)溶液を用いて超音波で溶解して分析を行うことで、酸化物超電導層に加えてCeO2のキャップ層を溶解させて、構成成分の組成比を特定することができる。
酸化物超電導層のみを溶解させた場合の組成比と、酸化物超電導層に加えてキャップ層まで溶解させた場合の組成比を比較することで、酸化物超電導層の構成成分がキャップ層に拡散しているかどうかを確認することができる。
表2に、酸化物超電導層のみを分析した場合と、酸化物超電導層とキャップ層を分析した場合との、Gd、Ba、Cuの組成比の分析結果を示す。
表2に示す剥離強度の結果から、サンプルNo.14〜16、20〜22の実施例と、サンプルNo.17〜19、23〜26の比較例とを比較する。実施例の酸化物超電導線材は、ワイブル解析による1%故障率の剥離強度が、45.5MPa以上となっている。これは、45.5MPaの応力を付加しても、その故障率が1%以下であることを意味する。これに対して、比較例の酸化物超電導線材は、1%故障率の剥離強度が、12.2MPa以下となっており、実施例に対して、強度が大幅に低下していることが確認できる。
サンプルNo.14〜16、20〜22の実施例の酸化物超電導線材は、酸化物超電導層の構成材料をGdaBabCu3O(7−x)の組成式で表しCuのモル比を3とした場合の、Gd、Baのモル比a、bが、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00の範囲であるために、酸化物超電導層がキャップ層に拡散することがなく、界面に反応物が生成しないため、剥離の発生を抑制することができたと考えられる。
このことは、サンプルNo.14〜16、20〜22において、酸化物超電導層のみのGd、Ba、Cuの組成比の分析結果と、酸化物超電導層とキャップ層を合わせたGd、Ba、Cuの組成比の分析結果を比較すると、実施例においては、これらの大きな差がないことからも確認することができる。
このことは、サンプルNo.14〜16、20〜22において、酸化物超電導層のみのGd、Ba、Cuの組成比の分析結果と、酸化物超電導層とキャップ層を合わせたGd、Ba、Cuの組成比の分析結果を比較すると、実施例においては、これらの大きな差がないことからも確認することができる。
これに対して、サンプルNo.17〜19、23〜26の比較例の酸化物超電導線材において、酸化物超電導層のみのGd、Ba、Cuの組成比の分析結果と、酸化物超電導層とキャップ層を合わせたGd、Ba、Cuの組成比の分析結果を比較すると、酸化物超電導層の構成成分がキャップ層に拡散していることがわかる。即ち、酸化物超電導層の成分が、キャップ層と反応して酸化物超電導層と中間層の界面に反応物が析出していると予想される。これによって、格子定数や熱膨張率が厚み方向に沿って変化し、剥離が起こりやすくなっていると考えられる。
比較例のうち、サンプルNo.26の酸化物超電導線材を用いたスタッドプル剥離試験(30カ所)の測定結果と故障率の関係を図3に示す。
図3を参照すると、サンプルNo.26の酸化物超電導線材には、直線Pと直線Qで表される2つの剥離モードがあることがわかる。
直線Qで表される剥離モードは、酸化物超電導層の組成がキャップ層に拡散し、酸化物超伝導層やキャップ層の格子定数や熱膨張率等が厚み方向に沿って変化し、酸化物超電導層とキャップ層との間において格子のミスマッチが発生していることが原因と考えられる。
一方、直線Pで表される剥離モードは、故障率をより低下させるものであり、酸化物超電導層の構成成分がキャップ層に拡散し、キャップ層の構成成分との反応物が析出したことにより、剥離が起こりやすくなったために出現したと考えられる。
以上のように、GdaBabCu3O(7−x)の組成式で表される酸化物超電導層は、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bを、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00とすることで、キャップ層との剥離が起こりにくくできることを確認した。
図3を参照すると、サンプルNo.26の酸化物超電導線材には、直線Pと直線Qで表される2つの剥離モードがあることがわかる。
直線Qで表される剥離モードは、酸化物超電導層の組成がキャップ層に拡散し、酸化物超伝導層やキャップ層の格子定数や熱膨張率等が厚み方向に沿って変化し、酸化物超電導層とキャップ層との間において格子のミスマッチが発生していることが原因と考えられる。
一方、直線Pで表される剥離モードは、故障率をより低下させるものであり、酸化物超電導層の構成成分がキャップ層に拡散し、キャップ層の構成成分との反応物が析出したことにより、剥離が起こりやすくなったために出現したと考えられる。
以上のように、GdaBabCu3O(7−x)の組成式で表される酸化物超電導層は、Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bを、0.90≦a≦1.05、1.90≦b≦2.00とすることで、キャップ層との剥離が起こりにくくできることを確認した。
1…酸化物超電導線材、10…基材、11…中間層、11a…下地層、11b…配向層、11c…キャップ層、12…酸化物超電導層、13…保護層、14…安定化層、16…金属テープ、17…半田層、20…送出リール、21…巻取リール、25…ターゲットホルダ、29…噴流、51…ターゲット、52…レーザー光源、55…成膜領域、58…処理容器、59…排気手段、60…ガス供給手段、61…ヒーター、A…レーザー蒸着装置、D…膜厚
Claims (3)
- 基材と、前記基材の主面上に形成される中間層、及び酸化物超電導層と、を有し、
前記酸化物超電導層の表面の算術平均粗さRaが10nm以上50nm以下であることを特徴とする酸化物超電導線材。 - 前記酸化物超電導層の膜厚が、0.5μm以上3μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導線材。
- 前記酸化物超電導層が、REaBabCu3O(7−x)(式中、REは希土類元素のうちの1種又は2種以上を表し、前記xは酸素欠損を表す。)の組成式で表され、
Cuのモル比を3とした場合のRE、Baのモル比a、bが、
0.90≦a≦1.05
1.90≦b≦2.00
であることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物超電導線材。
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