JP2014229782A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】組み付け性に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ４０は、ケース２０の内部に配置されたコンデンサ素子４１、および、冷却器３０から絶縁された配線材４５，４６を有し、半導体モジュール５０，５１，５２は、ケース２０の内部に配置された半導体素子、および、冷却器３０から絶縁された配線材５６，５７，５８を有する。ケース２０の内部に封止樹脂６０が充填され、冷却器３０、コンデンサ４０、半導体モジュール５０，５１，５２が封止されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。

特許文献１において、コンデンサの上に冷却器、半導体モジュール、板ばね、ばね押えブラケットを重ねて配置し、板ばねにより半導体モジュールと冷却器とをコンデンサ側に押圧する技術が開示されている。

特開２０１２−１９５５５９号公報

ところで、シール性や絶縁性等を考慮して組み付け作業性が優れた半導体装置が望まれている。
本発明の目的は、組み付け性に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。

請求項１に記載の発明では、ケースと、前記ケースの内部に配置された冷却器と、前記ケースの内部に配置されたコンデンサ素子、および、前記冷却器から絶縁された配線材を有するコンデンサと、前記ケースの内部に配置された半導体素子、および、前記冷却器から絶縁された配線材を有する半導体部と、前記ケースの内部に充填され、前記冷却器、前記コンデンサ、前記半導体部を封止する封止樹脂と、を備えたことを要旨とする。

請求項１に記載の発明によれば、コンデンサは、ケースの内部に配置されたコンデンサ素子、および、冷却器から絶縁された配線材を有し、半導体部は、ケースの内部に配置された半導体素子、および、冷却器から絶縁された配線材を有する。ケースの内部に封止樹脂が充填され、冷却器、コンデンサ、半導体部が封止される。これにより、組み付け性に優れたものとなる。

請求項２に記載のように、請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体部、前記冷却器、コンデンサの順に配置してなると、冷却器で半導体部およびコンデンサを冷却することが可能となる。

請求項３に記載のように、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記半導体部は、半導体モジュールであると、組み付け性がよりよい。
請求項４に記載のように、請求項１または２に記載の半導体装置において、前記半導体部は、半導体素子が前記冷却器に絶縁層を介して固定されているとよい。

請求項５に記載のように、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記封止樹脂より高熱伝導材を前記冷却器と前記コンデンサとの間に配置してなると、放熱性に優れたものとなる。

請求項６に記載の発明では、ケースの内部に冷却器、コンデンサ素子と前記冷却器から絶縁された配線材を有するコンデンサ、半導体素子と前記冷却器から絶縁された配線材を有する半導体部を配置する第１工程と、前記ケースの内部に封止樹脂を充填して、前記冷却器、前記コンデンサ、前記半導体部を封止する第２工程と、を有することを要旨とする。

請求項６に記載の発明によれば、第１工程において、ケースの内部に冷却器、コンデンサ素子と冷却器から絶縁された配線材を有するコンデンサ、半導体素子と冷却器から絶縁された配線材を有する半導体部が配置され、第２工程において、ケースの内部に封止樹脂が充填されて、冷却器、コンデンサ、半導体部が封止される。これにより、組み付け性に優れたものとなる。

請求項７に記載のように、請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２工程において、前記半導体部としての半導体モジュールを前記冷却器に押し付けながら前記封止樹脂で封止すると、半導体モジュールを冷却器に圧接することが可能となる。

本発明によれば、組み付け性に優れたものとすることができる。

第１の実施形態における制御基板が無い状態での半導体装置の平面図。 半導体装置の正面図。 図１のＡ−Ａ線での半導体装置の縦断面図。 半導体装置の電気的構成を示す回路構成図。 製造工程を説明するための半導体装置の縦断面図。 製造工程を説明するための半導体装置の縦断面図。 製造工程を説明するための半導体装置の縦断面図。 製造工程を説明するための半導体装置の縦断面図。 （ａ）は第２の実施形態を説明するための半導体装置の一部を示す平面図、（ｂ）は半導体装置の一部を示す正面図。 別例の半導体装置を説明するための一部省略断面図

（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
なお、図面において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。

図１，２，３に示すように、半導体装置１０は、ケース２０と、冷却器３０と、コンデンサ４０と、半導体部としての半導体モジュール５０，５１，５２と、封止樹脂６０と、制御基板７０を備える。冷却器３０は、ケース２０の内部に配置されている。コンデンサ４０は、ケース２０の内部に配置されたコンデンサ素子４１、および、冷却器３０から絶縁された配線材（バスバー）４５，４６を有する。図１に示すように、半導体モジュール５０，５１，５２は、ケース２０の内部に配置された半導体素子５５、および、冷却器３０から絶縁された配線材（バスバー）５６，５７，５８を有する。封止樹脂６０は、ケース２０の内部に充填され、冷却器３０、コンデンサ４０、半導体モジュール５０，５１，５２を封止している。図３に示すように、ケース２０内において、上から下に向かって、半導体モジュール５０，５１，５２、冷却器３０、コンデンサ４０の順に配置されている。

ケース２０は、四角箱型をなし、上面が開口している。ケース２０は平面視において長方形状をなし、長手方向がＸ方向となるとともに短手方向がＹ方向となっている。ケース２０は例えば樹脂によりなる。

コンデンサ４０は８つの円柱状コンデンサ素子４１を用いて構成されている。ケース２０の底部に８つの円柱状コンデンサ素子４１が立設する状態で配置されている。立設するコンデンサ素子４１における下面には平板状のマイナス電極板４７が配置されている。また、立設するコンデンサ素子４１における上面には平板状のプラス電極板４８が配置されている。つまり、上下に水平状態で配置されたプラス電極板４８とマイナス電極板４７との間に８つの円柱状コンデンサ素子４１が電気的に接続された状態で配置されている。マイナス電極板４７から３つの帯状の配線材（負極端子）４５が上方に延び、その先端側が屈曲され水平に延びている。プラス電極板４８から３つの帯状の配線材（正極端子）４６が上方に延び、その先端側が屈曲され水平に延びている。

冷却器３０は上下方向において薄い扁平形状をなしている。冷却器３０は平面視において長方形状をなし、長手方向がＸ方向となるとともに短手方向がＹ方向となっている。冷却器３０におけるＸ方向での一端面には冷媒入口管３１が連結されているとともに冷却器３０におけるＸ方向での他端面には冷媒出口管３２が連結されている。そして、冷媒入口管３１から冷却器３０の内部に冷媒（冷却水）が供給されるとともに冷媒出口管３２から冷媒が排出されるようになっている。

ケース２０の内部に冷却器３０が水平状態で配置されるとともに冷媒入口管３１および冷媒出口管３２はＸ方向においてケース２０を貫通している。ケース２０の内部においてプラス電極板４８の上に僅かに離間して冷却器３０の下面が位置している。そして、コンデンサ４０のコンデンサ素子４１で発生した熱は電極板４８、封止樹脂６０を介して冷却器３０の下面に逃がされるようになっている。つまり、絶縁を保ちつつ冷却器３０でコンデンサ４０の冷却ができるように封止樹脂６０を介在させてコンデンサ４０に冷却器３０が近接して配置されている。

半導体モジュール５０，５１，５２により、図４のインバータ８０の上下アーム（３相分）が構成されている。
図４において、半導体装置はハイブリッド車の走行モータ駆動装置を構成している。ハイブリッド車は、バッテリＢ、走行用モータＭ、走行用モータＭを駆動するインバータ８０、バッテリＢとインバータ８０との間に設けられたコンデンサ４０を有する。

インバータ８０は、バッテリＢから供給される直流電力を交流電力に変換し、走行用モータＭへ供給する。これにより走行用モータＭが回転駆動される。詳しくは、インバータ８０は、電源ラインとアースラインとの間に互いに並列に配置されるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各アームから構成される。各アームは、半導体モジュール５０，５１，５２により構成されている。半導体モジュール５０，５１，５２は、２つのトランジスタ（ＩＧＢＴ）Ｑ１，Ｑ２、Ｑ３，Ｑ４、Ｑ５，Ｑ６の直列接続から構成される。また、各アームを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６にはダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６が逆並列接続されている。

図１，３に示すように、冷却器３０の上に放熱部材（図示略）を介して半導体モジュール５０，５１，５２が載置される。放熱部材はシリコーングリースまたは放熱シートである。

半導体モジュール５０，５１，５２は、配線材（アースライン用端子）５６と配線材（電源ライン用端子）５７と配線材（出力端子）５８と信号ピン５９を備えている。半導体モジュール５０，５１，５２は、図１に示す半導体素子５５が樹脂封止され、薄い箱型をなし、側面から各配線材（各端子）５６，５７，５８および信号ピン５９が突出している。信号ピン５９は上方に延設されている。配線材（アースライン用端子）５６と配線材（電源ライン用端子）５７と配線材（出力端子）５８は板状をなし、水平に並設した状態で延びている。

半導体モジュール５０，５１，５２の配線材（アースライン用端子）５６の下にコンデンサ４０の配線材（負極端子）４５が積層して配置され、図２に示すように、ケース２０の外部においてボルトＢｏ１とナットＮｕ１によりネジ締結されている。また、半導体モジュール５０，５１，５２の配線材（電源ライン用端子）５７の下にコンデンサ４０の配線材（正極端子）４６が積層して配置され、図２に示すように、ケース２０の外部においてボルトＢｏ２とナットＮｕ２によりネジ締結されている。さらに、半導体モジュール５０，５１，５２の配線材（出力端子）５８は、図２に示すように、ケース２０の外部に延設され、図１に示すように締結用貫通孔Ｈが形成されている。この締結用貫通孔Ｈにねじを通す等により外部の機器（走行用モータＭ）と接続できるようになっている。

また、冷却器３０により半導体モジュール５０，５１，５２とコンデンサ４０の両方が冷やされるようになっている。
図２に示すように、制御基板７０は、ケース２０の上面に配置され、半導体モジュール５０，５１，５２の信号ピン５９と接合されている。制御基板７０には、半導体モジュール５０，５１，５２のトランジスタＱ１〜Ｑ６等を駆動する制御装置（ＩＣ等）が実装されている。

なお、図１，２等においてコンデンサ４０へのプラス入力端子およびマイナス入力端子は省略しているが、例えばケース２０の配線材５６，５７，５８とは反対側長手側面や、ケース２０の短手側側面からケース２０外に出すと良い。また、ケース２０の上部には冷却器３０や半導体モジュール５０，５１，５２，コンデンサ４０を配置可能なように、冷媒入口管３１，冷媒出口管３２，配線材４５，４６，５６，５７，５８に対応する部分に切り欠きが形成されており、封止樹脂６０が切り欠きから漏れ出さないように、各部品を配置後に別部品やシール材を用いて切り欠きを塞いでいる。

次に、このように構成した半導体装置１０の作用について説明する。
組み立ての際には、まず、図５に示すように、ケース２０の内部に冷却器３０、コンデンサ４０（コンデンサ素子４１）、半導体モジュール５０，５１，５２（半導体素子５５）を配置する。コンデンサ４０は、冷却器３０から絶縁された配線材４５，４６を有する。半導体モジュール５０，５１，５２は、冷却器３０から絶縁された配線材５６，５７，５８を有する。また図２に示すように、半導体モジュール５０，５１，５２の配線材（アースライン用端子）５６とコンデンサ４０の配線材（負極端子）４５とを積層して配置してケース２０の外部においてボルトＢｏ１とナットＮｕ１によりネジ締結する。同様に、半導体モジュール５０，５１，５２の配線材（電源ライン用端子）５７とコンデンサ４０の配線材（正極端子）４６とを積層して配置してケース２０の外部においてボルトＢｏ２とナットＮｕ２によりネジ締結する。つまり、コンデンサ４０と半導体モジュール５０，５１，５２の電気的接続を樹脂封止前に行う。

また、冷却器３０の冷媒入口管３１および冷媒出口管３２は外部との接続ができるようにケース２０から突出される。
引き続き、図６に示すように、半導体モジュール５０，５１，５２の上から棒材１００を下方に向かって押し付けて半導体モジュール５０，５１，５２を冷却器３０の上面に押え付ける。

この状態で、図７に示すように、ケース２０の内部に封止樹脂６０を充填する。これにより、冷却器３０、コンデンサ４０、半導体モジュール５０，５１，５２を封止する。この際、半導体モジュール５０，５１，５２を冷却器３０に所定の荷重で押し付けながら封止樹脂６０で封止される。つまり、封止する際に半導体モジュール５０，５１，５２は冷却器３０に所定の荷重で押付けながら樹脂封止が行われる。

そして、図８に示すように、樹脂６０の上面から突出する棒材１００を樹脂６０の上面で切って削除する。
このようにして、コンデンサ４０を封止する際に冷却器３０および半導体モジュール５０，５１，５２も同時に封止する。

引き続き、図３に示すように、半導体モジュール５０，５１，５２の信号ピン５９が制御基板７０を貫通するようにして制御基板７０をケース２０の上面に搭載する。また、半導体モジュール５０，５１，５２の配線材（出力端子）５８については封止後に接続される。

このようにコンデンサ４０の封止は既存の必須工程であるため、追加工程にはならず、コストアップにならない。また、コンデンサ４０を封止する際に，冷却器３０および半導体モジュール５０，５１，５２も同時に封止することができる。

製造後において、制御基板７０における駆動回路からのゲート信号によりインバータ８０のトランジスタ（半導体スイッチング素子）Ｑ１〜Ｑ６がスイッチング動作する。このトランジスタ（半導体スイッチング素子）Ｑ１〜Ｑ６のスイッチング動作により、直流が適宜の周波数の３相交流に変換されてモータＭの各相の巻線に供給される。トランジスタ（半導体スイッチング素子）Ｑ１〜Ｑ６のスイッチング動作に伴い半導体モジュール５０〜５２が発熱する。この熱は冷却器３０において冷却水と熱交換される。

以上のごとく、コンデンサ４０と半導体モジュール５０，５１，５２が近接しており，その間の配線インダクタンス低減が可能である。また、半導体モジュール５０，５１，５２と冷却器３０とコンデンサ４０を積層して支持することにより、配線が短くなり、インダクタンスの低減が図られる。さらに、半導体モジュール５０〜５２を冷却器３０に封止樹脂６０で押付けることにより、半導体モジュール５０，５１，５２を冷却器３０に押付ける部材（例えば、板ばね）が不要となる。つまり、封止樹脂６０で半導体モジュール５０〜５２を冷却器３０に押付けることにより、ばね材等の半導体モジュール５０〜５２を冷却器３０に押付ける部材が不要となる。さらに、冷却器３０の固定も不要となる。さらには、配線材（バスバー）間を封止樹脂６０で封止することにより配線材（バスバー）間の絶縁距離を短くでき、小型化が図られる。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）コンデンサ４０は、ケース２０の内部に配置されたコンデンサ素子４１、および、冷却器３０から絶縁された配線材４５，４６を有し、半導体モジュール５０，５１，５２は、ケース２０の内部に配置された半導体素子５５、および、冷却器３０から絶縁された配線材５６，５７，５８を有する。ケース２０の内部に封止樹脂６０が充填され、冷却器３０、コンデンサ４０、半導体モジュール５０，５１，５２が封止される。これにより、組み付け性に優れたものとなる。また、シール性を確保しつつ絶縁性に優れている。

（２）半導体モジュール５０，５１，５２、冷却器３０、コンデンサ４０の順に配置したので、冷却器３０で半導体モジュール５０，５１，５２およびコンデンサ４０を冷却することが可能となる。

（３）半導体部は半導体モジュール５０〜５２であるので、組み付け性がよりよい。
（４）半導体装置の製造方法として、第１工程と第２工程を有する。第１工程では、ケース２０の内部に冷却器３０、コンデンサ素子４１と冷却器３０から絶縁された配線材４５，４６を有するコンデンサ４０、半導体素子５５と冷却器３０から絶縁された配線材５６，５７，５８を有する半導体モジュール５０，５１，５２を配置する。第２工程では、ケース２０の内部に封止樹脂６０を充填して、冷却器３０、コンデンサ４０、半導体モジュール５０，５１，５２を封止する。よって、組み付け性に優れたものとなる。

（５）第２工程において、半導体部としての半導体モジュール５０〜５２を冷却器３０に押し付けながら封止樹脂６０で封止することにより、半導体モジュール５０〜５２を冷却器３０に圧接することが可能となる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。

第１の実施形態では半導体部は半導体モジュールであった。本実施形態では、図９に示すように、半導体部２００は、半導体素子としての半導体スイッチング素子（チップ）２０１，２０２が冷却器３０に絶縁層としてのセラミック基板２２０，２２１，２２２を介して固定（接合）されている構成となっている。

詳しくは、図９において、冷却器３０の上面にセラミック基板２２０，２２１，２２２が配置されている。セラミック基板２２０，２２１，２２２においては、下面には金属層２２３が形成されているとともに上面には配線層２２４，２２５が形成されている。具体的には、例えば、セラミック基板２２０，２２１，２２２はＡｌＮ基板よりなり、金属層２２３はアルミ層よりなり、配線層２２４，２２５はアルミ層とその表面のＮｉめっき層よりなる。冷却器３０の上面に金属層２２３がロウ付け等により接合されている。

配線層２２４の上面には、各相の上アーム用の半導体スイッチング素子（チップ）２０１および帰還ダイオード（チップ）２０３が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。同様に、配線層２２５の上面には、各相の下アーム用の半導体スイッチング素子（チップ）２０２および帰還ダイオード（チップ）２０４が接近する位置に、はんだ付け等により接合されている。

これにより、冷却器３０の外面（上面）にセラミック基板２２０，２２１，２２２を介して半導体スイッチング素子２０１，２０２および帰還ダイオード２０３，２０４が固定され、半導体スイッチング素子２０１，２０２および帰還ダイオード２０３，２０４は冷却器３０に熱的に結合している。

各相の上アーム用の半導体スイッチング素子（チップ）２０１の上面と帰還ダイオード（チップ）２０３の上面とがバスバー２３０に、はんだ付け等により接合されている。配線材としてのバスバー２３０の延設部が配線層２２５に、はんだ付け等により接合されている。バスバー２３０は、半導体スイッチング素子２０１のエミッタ端子から延びる各相出力端子として水平方向に延設されている。

各相の下アーム用の半導体スイッチング素子（チップ）２０２の上面と帰還ダイオード（チップ）２０４の上面とがバスバー２３１に、はんだ付け等により接合されている。配線材としてのバスバー２３１は、半導体スイッチング素子（チップ）２０２のエミッタ端子から延びる負極入力端子（Ｎ端子）として水平方向に延設されている。

配線層２２４の上面にはバスバー２３２が、はんだ付け等により接合されている。配線材としてのバスバー２３２は、半導体スイッチング素子２０１のコレクタ端子から延びる正極入力端子（Ｐ端子）として水平方向に延設されている。

そして、第１の実施形態と同じく、コンデンサ４０と図９に示す状態の半導体部２００および冷却器３０をケース２０内に配置して、封止樹脂６０により各素子およびその配線材も含めて封止する。

上記実施形態によれば、上記（１），（２），（４）の効果に加えて以下のような効果を得ることができる。
（６）半導体スイッチング素子２０１，２０２周辺の接合部を樹脂で封止することにより接合部の信頼性を確保することができる。

（７）コンデンサ素子を樹脂封止する際に冷却器および半導体素子、配線等も同時に封止でき、半導体スイッチング素子２０１，２０２およびその配線の個別樹脂モールド工程も不要となり、コスト低減が可能となる（個別の樹脂封止を行うことなく接合部の信頼性を確保することができる）。

（８）半導体スイッチング素子２０１，２０２は冷却器に予め設けたセラミック基板２２０〜２２２に、はんだ等の接合部材で接合することにより固定できる。
（９）半導体スイッチング素子２０１，２０２とバスバー（配線材）との接続は、はんだ等の接合材で行うことができる。

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・図３では冷却器３０とコンデンサ４０とは封止樹脂６０を介して配置されることにより両者は熱的に結合されていた。これに代わり、図１０に示すように、封止樹脂６０より高熱伝導材３００を、冷却器３０とコンデンサ４０との間に配置してもよい。この場合、放熱性に優れたものとなる。高熱伝導材としては例えば高放熱樹脂シートなどが用いられる。

・第２の実施形態においてセラミック基板（絶縁基板）はロウ付け以外の方法で冷却器に固定してもよい。さらに、半導体素子（チップ）の基板への実装および配線の半導体素子との接合は、はんだ付け以外でもよい。

・第２の実施形態においてセラミック基板（絶縁基板）を用いたが、これに代わり、絶縁層としての絶縁シートを用いて絶縁してもよい。より具体的には、冷却器の上面に絶縁シートを介して銅板を貼り合わせ、この銅板上に半導体素子を、はんだ付けしてもよい。

・第１の実施形態における半導体モジュール（５０〜５２）の数、形状及び機能は，適宜製品の仕様に応じて変更するものとする。
・第１の実施形態では，半導体モジュール（５０〜５２）と冷却器３０の間に放熱部材（シリコーングリース、放熱シート等）を設けたが、必須ではない。また、放熱部材の代わりに、はんだ等で接続されていてもよい。

・前述の実施形態における冷却器３０の形状は、適宜製品の仕様に応じて変更するものとする。
・前述の実施形態における冷却器の冷媒入口管３１および冷媒出口管３２の位置、数および形状は、適宜製品の仕様に応じて決定するものとする．
・第１の実施形態では，半導体モジュールは冷却器３０の片面にしか搭載していないが、両面搭載でもよい。つまり、冷却器の片面に半導体モジュールを配したが、冷却器の両面に半導体モジュールをそれぞれ配してもよい。同様に、第２の実施形態でのセラミック基板（絶縁基板）、半導体素子（チップ）、配線は冷却器の片側のみとしたが、これに代わり冷却器における両面にそれぞれセラミック基板（絶縁基板）、半導体素子（チップ）、配線を配してもよい。

・第１の実施形態では，コンデンサ４０と半導体モジュールの電気的接続は，封止前に行ったが、封止後に行ってもよい。この場合、接続を確認する上で好ましい。同様に、第２の実施形態においてコンデンサと半導体素子（チップ）の配線の電気的接続は樹脂封止前ではなく封止後に行ってもよい。

・配線と半導体素子（チップ）との接合はアルミ等によるワイヤーボンディングでもよい。
・配線接合部も樹脂で封止してもよい。

・配線の接合部はケース２０の内部にあってもよい。この場合、配線接合部が封止樹脂６０の上面から露出するように配置すればよい。冷媒入口管３１，冷媒出口管３２についても、ケース２０の側面からケース２０外に出しているが、封止樹脂６０の上面からケース２０外に出すようにしても良い。

・図２に示したように配線材（配線材５６と配線材４５、配線材５７と配線材４６）の電気接続にネジ締結を用いたが、これに代わり、溶接等であってもよい。

１０…半導体装置、２０…ケース、３０…冷却器、４０…コンデンサ、４１…コンデンサ素子、４５，４６…配線材、５０…半導体モジュール、５１…半導体モジュール、５２…半導体モジュール、５５…半導体素子、５６，５７，５８…配線材、６０…封止樹脂、２０１〜２０４…半導体スイッチング素子、２２０，２２１，２２２…セラミック基板、３００…高熱伝導材。

Claims (7)

1. ケースと、
   前記ケースの内部に配置された冷却器と、
   前記ケースの内部に配置されたコンデンサ素子、および、前記冷却器から絶縁された配線材を有するコンデンサと、
   前記ケースの内部に配置された半導体素子、および、前記冷却器から絶縁された配線材を有する半導体部と、
   前記ケースの内部に充填され、前記冷却器、前記コンデンサ、前記半導体部を封止する封止樹脂と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体部、前記冷却器、コンデンサの順に配置してなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記半導体部は、半導体モジュールであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記半導体部は、半導体素子が前記冷却器に絶縁層を介して固定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
5. 前記封止樹脂より高熱伝導材を前記冷却器と前記コンデンサとの間に配置してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. ケースの内部に冷却器、コンデンサ素子と前記冷却器から絶縁された配線材を有するコンデンサ、半導体素子と前記冷却器から絶縁された配線材を有する半導体部を配置する第１工程と、
   前記ケースの内部に封止樹脂を充填して、前記冷却器、前記コンデンサ、前記半導体部を封止する第２工程と、
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記第２工程において、前記半導体部としての半導体モジュールを前記冷却器に押し付けながら前記封止樹脂で封止することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。