JP2014220751A - 高調波処理回路 - Google Patents
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Abstract
Description
図において、FET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)1は、高周波信号を増幅する。
伝送線路2は、FET1のゲートに接続され、基本波信号の2倍波で1/4波長よりも長い線路長(λ/4+α@2fo)を有する。
伝送線路3は、伝送線路2の点Yに接続され、2倍波で1/4波長よりも短い線路長(<λ/4@2fo)を有する。
伝送線路4は、伝送線路2の点Xに接続され、2倍波で1/4波長の線路長(λ/4@2fo)を有する。
外部負荷11は、伝送線路2に接続される。
従来の回路構成は、FET1端から、伝送線路2〜4が接続され、さらに、その外側に外部負荷11となる回路が接続される。
この構成により、効率が最大となる理由を説明する。
スミスチャート上には、FET1の効率が最小となる領域と、最大となる領域を示している。
FET1端から見た2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)を、図中の効率が最大となる領域に合わせることで、FET1の効率は最大になる。
次に、2倍波でλ/4+αの線路長を有する伝送線路2により、点Yの2倍波インピーダンスは、スミスチャート上のオープン点付近まで移動する。
最後に、2倍波でλ/4より短い線路長を有する伝送線路3により、2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)を、スミスチャート上の効率が最大となる領域まで回す。
以上の回路構成により、FET1は、高効率な動作を実現することができる(例えば、下記特許文献1参照)。
例えば、ある2倍波反射係数ΓL(2fo)において、2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)は、効率が最大となるインピーダンス領域から外れる。
その結果、FET1の効率は、低下する。
よって、外部負荷の2倍波反射係数に対する2倍波負荷インピーダンスへの影響を小さく抑え、効率の低下を抑制し、ロバストかつ広帯域性を実現することができる効果がある。
図1は本発明の実施の形態1による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、FET(能動素子)1は、高周波信号を増幅する。
伝送線路(主線路)2は、FET1のゲートに接続され、基本波信号の2倍波で1/4波長よりも長い線路長(λ/4+α@2fo)を有する。
伝送線路(第1のオープンスタブ)3は、伝送線路2のFET1側に接続され、2倍波で1/4波長よりも短い線路長(<λ/4@2fo)を有する。
伝送線路(第2のオープンスタブ)4は、伝送線路2の反FET1側に接続され、2倍波で1/4波長の線路長(λ/4@2fo)を有する。
抵抗5は、伝送線路2と伝送線路4との間に接続される。
従来の回路構成と比べて、伝送線路2に接続される伝送線路4の根元に、抵抗5が接続されている。
この抵抗5を入れることによる効果を説明する。
2倍波反射係数ΓL(2fo)の負荷条件が変化したときの2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)は、スミスチャートの左下全体で大きく変化しており、図14で示した効率が最大となる領域から2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)は、移動しやすく、得られる効率にばらつきがでる。
よって、外部負荷の2倍波反射係数ΓL(2fo)に対する2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)への影響を小さく抑え、効率の低下を抑制し、ロバストかつ広帯域性を実現することができる。
また、伝送線路4の根元は、2倍波でショート点のため、伝送線路4の根元では、抵抗5が良く見えるため、上記効果を大きくすることができる。
図3は本発明の実施の形態2による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、抵抗5は、伝送線路2と伝送線路3との間に接続される。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
上記実施の形態1では、伝送線路4の根元に抵抗5を入れていたが、伝送線路4の根元は2倍波でショート点のため、伝送線路4の根元では抵抗5は2倍波で良く見えるため、効果が大きい。
しかし、抵抗5が良く見える場合は、抵抗5が損失となりやすい。
抵抗5が見えると、2倍波の反射係数は小さく(スミスチャートの中央に寄る)なり、効率が最大となるインピーダンスからずれ得る。
そこで、伝送線路2を介した後の2倍波インピーダンスがある程度(ショート点と比べて)高くなった伝送線路3の根元に抵抗5を入れることで、2倍波に対する損失の低減を実現し、2倍波反射係数ΓL(2fo)が小さくなりすぎることを防ぐ。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、2倍波反射係数ΓL(2fo)が小さくなりすぎることを防ぐことができる。
図4は本発明の実施の形態3による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、伝送線路(第1のオープンスタブ)3a,3bは、伝送線路2のFET1側に接続され、2倍波で1/4波長よりも短い線路長(<λ/4@2fo)を有する。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
上記実施の形態1では、伝送線路2〜4および抵抗5で構成された回路を示したが、伝送線路3を、2つの伝送線路3a,3bが対称となるように配置した回路構成としても良い。
伝送線路3を、2つの伝送線路3a,3bとしたことにより、2つの伝送線路3a,3bにより1つの伝送線路3の容量を満たせば良く、伝送線路の線路長を低減することができる。
なお、2つの伝送線路3a,3bの線路長は、同じでなくとも良い。
また、伝送線路3a,3bは、3つ以上の複数であっても良い。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、伝送線路3a,3bの線路長を低減することができる。
図5は本発明の実施の形態4による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、抵抗5aは、伝送線路2と伝送線路3aとの間に接続され、抵抗5bは、伝送線路2と伝送線路3bとの間に接続される。
その他の構成については、上記実施の形態3と同様である。
本実施の形態4では、上記実施の形態3で示した回路構成において、抵抗5の接続箇所を、伝送線路4の根元から伝送線路3a,3bの根元に変更する。
抵抗5a,5bの抵抗値の最適化により、所望の2倍波負荷インピーダンスを実現することができる。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、抵抗5の接続箇所を増やすことにより、設計の自由度を増やすことができる。
図6は本発明の実施の形態5による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、抵抗5は、伝送線路2と伝送線路4との間に接続される。
その他の構成については、上記実施の形態4と同様である。
本実施の形態5では、上記実施の形態4で示した回路構成において、抵抗5を伝送線路4の根元に追加する。
抵抗5,5a,5bの各抵抗値の最適化により、所望の2倍波負荷インピーダンスを実現することができる。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、抵抗5の接続箇所を増やすことにより、設計の自由度を増やすことができる。
図7は本発明の実施の形態6による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、抵抗5は、伝送線路2の伝送線路4との接続箇所側に接続される。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
本実施の形態6では、上記実施の形態1で示した回路構成において、抵抗5を伝送線路2の伝送線路4の直近に配置する。
抵抗5の位置は、伝送線路4の根元にあることから、2倍波ではショート点のため2倍波インピーダンスに対する抵抗5の効果は大きい。
また、抵抗5は、FET1に対し直列抵抗となるため、2倍波インピーダンスに対し、ロバストな設計が可能になるだけではなく、FET1の安定性向上などの付随的な効果も期待できる。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、抵抗5の位置は、伝送線路4の根元にあることから、上記効果を大きくすることができる。
また、抵抗5は、FET1に対し直列抵抗となるため、2倍波インピーダンスに対し、ロバストな設計が可能になるだけではなく、FET1の安定性向上などの付随的な効果も期待することができる。
図8は本発明の実施の形態7による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、抵抗5は、伝送線路2の伝送線路3との接続箇所側に接続される。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
本実施の形態7では、上記実施の形態1で示した回路構成において、抵抗5を伝送線路2の伝送線路3の直近に配置する。
伝送線路3の根元の2倍波インピーダンスは、上記実施の形態6で配置した抵抗5の位置と比較して高くなっており、2倍波での損失を小さく抑えることで、2倍波反射係数ΓL(2fo)が小さくなりすぎることを防ぐ。
また、抵抗5は、FET1に対し直列抵抗となるため、2倍波インピーダンスに対し、ロバストな設計が可能になるだけではなく、FET1の安定性向上などの付随的な効果も期待できる。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、2倍波反射係数ΓL(2fo)が小さくなりすぎることを防ぐことができる。
また、抵抗5は、FET1に対し直列抵抗となるため、2倍波インピーダンスに対し、ロバストな設計が可能になるだけではなく、FET1の安定性向上などの付随的な効果も期待することができる。
図9は本発明の実施の形態8による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、抵抗5は、伝送線路2の間に接続される。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
本実施の形態8では、上記実施の形態1で示した回路構成において、抵抗5を伝送線路2の間に接続する。
伝送線路2において、伝送線路4側は2倍波でショート、伝送線路3側は2倍波でインピーダンスが高くなっており、抵抗5を伝送線路2の間に接続することで、最適な位置に抵抗5を入れることができる。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、外部負荷の2倍波反射係数ΓL(2fo)に対する2倍波負荷インピーダンスΓfet(2fo)への影響を小さく抑える上で、最適な位置に抵抗5を入れることができる。
図10は本発明の実施の形態9による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、ディスクリートキャパシタ6は、伝送線路4に置き換えられたものである。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
本実施の形態9では、上記実施の形態1で示した回路構成において、伝送線路4の代わりに、ディスクリートキャパシタ6を置き換える。
オープンスタブにより構成された伝送線路4は、周波数帯域に対してインピーダンスの変化量が大きいが、ディスクリートキャパシタ6を使用することで、周波数に対するインピーダンスの依存性を小さくし、広帯域な特性を実現する。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、周波数に対するインピーダンスの依存性を小さくし、広帯域な特性を実現することができる。
図11は本発明の実施の形態10による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、ディスクリートキャパシタ6は、伝送線路3に置き換えられたものである。
その他の構成については、上記実施の形態1と同様である。
本実施の形態10では、上記実施の形態1で示した回路構成において、伝送線路3の代わりに、ディスクリートキャパシタ6を置き換える。
オープンスタブにより構成された伝送線路3は、周波数帯域に対してインピーダンスの変化量が大きいが、ディスクリートキャパシタ6を使用することで、周波数に対するインピーダンスの依存性を小さくし、広帯域な特性を実現する。
よって、上記実施の形態1の効果に加え、周波数に対するインピーダンスの依存性を小さくし、広帯域な特性を実現することができる。
図12は本発明の実施の形態11による高調波処理回路を示す構成図である。
図において、ディスクリートキャパシタ6は、伝送線路3に置き換えられたものである。
その他の構成については、上記実施の形態2と同様である。
本実施の形態11では、上記実施の形態2で示した回路構成において、伝送線路3の代わりに、ディスクリートキャパシタ6を置き換える。
上記実施の形態2で示したように、抵抗5により、2倍波反射係数ΓL(2fo)が小さくなりすぎることを防ぐ。
また、ディスクリートキャパシタ6により、周波数に対するインピーダンスの依存性を小さくし、広帯域な特性を実現する。
よって、上記実施の形態2の効果に加え、周波数に対するインピーダンスの依存性を小さくし、広帯域な特性を実現することができる。
Claims (12)
- 能動素子に接続され、基本波信号の2倍波で1/4波長よりも長い線路長を有する主線路と、
上記主線路に接続され、2倍波で1/4波長よりも短い線路長を有する第1のオープンスタブと、
上記主線路に接続され、2倍波で1/4波長の線路長を有する第2のオープンスタブと、
上記主線路、上記第1のオープンスタブ、上記第2のオープンスタブの各接続箇所、および上記主線路中のうちの少なくとも一つ以上に接続された抵抗とを備えた高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路と上記第2のオープンスタブとの間に接続されたことを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路と上記第1のオープンスタブとの間に接続されたことを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。 - 上記第1のオープンスタブは、
複数のオープンスタブからなることを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路と上記第1のオープンスタブを構成する各オープンスタブとの間に各々接続されたことを特徴とする請求項4記載の高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路と上記第1のオープンスタブを構成する各オープンスタブとの間に各々接続されると共に、
上記主線路と上記第2のオープンスタブとの間に接続されたことを特徴とする請求項4記載の高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路の上記第2のオープンスタブとの接続箇所側に接続されたことを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路の上記第1のオープンスタブとの接続箇所側に接続されたことを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。 - 上記抵抗は、
上記主線路中の任意の位置に接続されたことを特徴とする請求項1記載の高調波処理回路。 - 上記第2のオープンスタブを、
ディスクリートキャパシタに置き換えたことを特徴とする請求項2記載の高調波処理回路。 - 上記第1のオープンスタブを、
ディスクリートキャパシタに置き換えたことを特徴とする請求項2記載の高調波処理回路。 - 上記第1のオープンスタブを、
ディスクリートキャパシタに置き換えたことを特徴とする請求項3記載の高調波処理回路。
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