JP2014216511A

JP2014216511A - リアクトル

Info

Publication number: JP2014216511A
Application number: JP2013093241A
Authority: JP
Inventors: 真央延坂; Mao Nobusaka; 貴司渥美; Takashi Atsumi
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2013-04-26
Filing date: 2013-04-26
Publication date: 2014-11-17
Anticipated expiration: 2033-04-26
Also published as: CN104124035A; JP5754463B2; US20140320249A1

Abstract

【課題】インダクタンスを高めつつ、小型で冷却し易いリアクトルを提供する。【解決手段】積層された冷却器８１の間に配置されるリアクトル２に関する。このリアクトル２は、扁平なケーシング１０と、ケーシング１０内に互いに逆方向に巻き回され、径方向に配置された一対のコイル１２と、ケーシング１０内に充填され、コイル１２を覆うコア材（高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４）と、を備えている。【選択図】図１

Description

本発明は、コイルを備えるリアクトルに関する。なお、リアクトルはコイルを利用した受動素子であり、インダクタと呼ばれることもある。

ハイブリッド車を含む電気自動車は、バッテリの出力電力を走行用モータの駆動に適した電力に変換する電力変換装置を搭載している。この電力変換装置は大電流を扱うため、インバータ回路や電圧コンバータ回路に用いられるデバイスにも許容電流の大きいものが採用されている。許容電流が大きいデバイスは発熱量が大きく、特に発熱量の大きいデバイスの一つに、電圧コンバータ回路に含まれるリアクトルがある。

リアクトルについては例えば特許文献１の技術が知られており、この特許文献１には、上下部フェライト磁性膜とその間に介装された平面コイルとから成り、上部フェライト磁性膜のコイルの端子部に開孔が形成され、その開孔を通ってコイル端子部に導通する外部電極が上部フェライト上に形成されている表面実装型のリアクトルが開示されている。

特開２００１−２４４１２３号公報

ところで、電力変換装置に用いるリアクトルでは、大電流を扱うために装置が大型化する傾向があるが、ハイブリッド車等の車両に搭載するためには、小型化を図ることが求められている。また、発熱量が大きいので冷却し易い構造が求められると共に、インダクタンスを高めることも求められている。そこで、本明細書が開示する技術は、インダクタンスを高めつつ、小型で冷却し易いリアクトルを提供する。

本明細書が開示する技術は、積層された冷却器の間に配置されるリアクトルに関する。このリアクトルは、扁平なケーシングと、ケーシング内に互いに逆方向に巻き回され、径方向に配置された一対のコイルと、ケーシング内に充填され、コイルを覆うコア材と、を備えている。

このような構成によれば、コイルに電流を流すと一対のコイルに互いに逆行する磁束が発生し、この逆行する磁束が合わさって大きな磁束が発生する。これにより、リアクトルのインダクタンスを高めることができる。また、扁平なケーシングにより、体格が小さくても冷却器との接触面積を確保することができる。よって、インダクタンスを高めつつ、小型で冷却し易いリアクトルを提供することができる。

また、上記のリアクトルは、ケーシング内に充填されて一対のコイルの隣接部分を覆う高透磁率コア材と、高透磁率コア材の周囲に充填され、高透磁率コア材から露出しているコイルを覆う低透磁率コア材と、を備えていてもよい。なお、「コア材」とは、一般にコイルのコアとして利用される物質であり、通常は「高透磁率」、「低透磁率」とは相対的なものであり、高透磁率コア材は、低透磁率コア材よりも透磁率が高い材料で作られている。

高透磁率コア材及び低透磁率コア材としては、樹脂と磁性材料とを混合したものを用いることができる。この樹脂としては例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、磁性材料としては例えばフェライト粉末、鉄粉、珪素合金鉄粉等を用いることができる。

このような構成によれば、一対のコイルで発生した大きな磁束が透磁率の高い高透磁率コア材を通るので、一対のコイルの隣接部分において磁束の漏れを抑制することができる。これにより、磁束の漏れによってリアクトルの周囲に渦電流が生じることを抑制でき、渦電流損を抑制できる。また、高透磁率コア材の周囲に低透磁率コア材が配置されることにより、仮に高透磁率コア材が磁気飽和したとしても、周囲の低透磁率コア材を磁束が通過ことによりケーシング内のコア材全体での磁気飽和を防ぐことができる。

また、一対のコイルの径方向の外周が互いに接触していてもよい。このような構成によれば、一対のコイルの隣接部分が互いに接触することにより、ケーシング内でコイルを密に配置することができるので、ケーシングを小さくすることができる。これにより、リアクトルの体格を小型化することができる。

実施形態に係るリアクトルの斜視図である。図１のII−II断面図である。図２のIII−III断面図である。高透磁率コア材及び低透磁率コア材の材料について説明する図である。リアクトルを含む電力変換装置の斜視図である。他の実施形態に係るリアクトルの断面図である。更に他の実施形態に係るリアクトルの斜視図である。図７のVIII−VIII断面図である。更に他の実施形態に係るリアクトルの断面図である。

以下、実施形態について添付図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係るリアクトルの斜視図である。また、図２は、図１のII−II断面図であり、図３は、図２のIII−III断面図である。なお、図１では、リアクトル２の構成を見易くするためにケーシング１０の一部を開放した図を示している。このリアクトル２は、後述の積層冷却器８１の間に配置されるものであり、図１〜図３に示すように、扁平なケーシング１０と、ケーシング１０内に配置された一対のコイル１２（第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂ）とを備えている。また、このリアクトル２は、ケーシング１０内に充填されたコア材（高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４）を備えている。なお、図１では、高透磁率コア材３は低透磁率コア材４により覆われているので見えていない。また、図１〜図３においてコイル１２は、本来は低透磁率コア材４に覆われていて見えないのであるが、理解を助けるために実線で示している。また、図２では、積層冷却器８１の一部を仮想線で描いてある。

ケーシング１０は、上下の冷却面１０１と、冷却面１０１の周囲に固定された側面１０２とを備えており、冷却面１０１が冷却器８１に対向するように配置されている。冷却面１０１と側面１０２は互いに直交しており、冷却面１０１は冷却器８１の積層方向を向いており、側面１０２は積層方向に沿って延びている。このケーシング１０内には一対のコイル１２が間隔をあけて並べて配置されている。また、このケーシング１０は、積層高さを低くする一方冷却面積を大きくする観点から、冷却面１０１の面積に対して側面１０２の面積（高さ）が小さく、扁平になっている。ケーシング１０の全体の形状は略直方体であり、そのサイズは縦Ｈ、横Ｗ、厚みＤであり、それらの寸法の関係は横Ｗ＞縦Ｈ＞厚みＤである。また、座標軸のＸ方向がリアクトル２と冷却器８１の積層方向に相当する。従って、ケーシング１０は、積層方向の厚みＤ（側面１０２の高さ）が積層方向を向いている冷却面１０１の縦Ｈと横Ｗの長さよりも小さい扁平体である。ケーシング１０が扁平体であることによって、冷却器８１との広い接触面積を確保する。それゆえ、積層方向の両側に配置した冷却器８１への伝熱効率が良い。また、ケーシング１０の端部には、スリット１０３が形成されている。

各コイル１２（第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂ）は、例えば銅等の金属の平角線１３をフラットワイズ巻きにして形成されており、巻き回される平角線１３は、隙間なく巻き回されており、径方向に重なって密着している。フラットワイズ巻きとは、平角線１３の平面がコイル１２の径方向に重なるように巻き回す構成である。また、平角線１３の端部は、ケーシング１０のスリット１０３を通過して外部へ伸びており、図示しない電源に接続される。

また、一対のコイル１２は、径方向に隣接して配置されており、軸方向ＣＬが互いに平行に延びるように配置されている。すなわち、一対のコイル１２は、軸方向ＣＬに交差する方向に並んで配置されており、径方向の外周が互いに向き合うように配置されている。また、一対のコイル１２は、間隔をあけて配置されており、最外周の平角線１３の平面が互いに対面している。隣接する第１コイル１２ａと第２コイル１２ｂとの間隔は近接していることが好ましい。また、各コイル１２は、その上下の端面がケーシング１０の冷却面１０１と対向するように配置され、その軸方向ＣＬがケーシング１０の厚み方向を向くように配置されている。すなわち、各コイル１２は、その軸方向ＣＬがリアクトル２と冷却器８１の積層方向（図中のＸ方向）を向くように配置されている。

また、一対のコイル１２は、平角線１３の巻線方向が互いに逆行するように配置されており、図３に示す例では、一方のコイル１２（第１コイル１２ａ）の巻線方向が時計回りになっており、他方のコイル１２（第２コイル１２ｂ）の巻線方向が反時計回りになっており、互いに逆方向に巻き回されている。これにより、一対のコイル１２に電流を流すと、その磁束方向が互いに逆行するように構成されており、図２に示す例では、第１コイル１２ａの内部に発生する磁束方向が矢印Ｐ方向になり、第２コイル１２ｂの内部に発生する磁束方向は矢印Ｐと逆の矢印Ｑ方向になっている。別言すれば、一対のコイル１２は、各々の内部に発生する磁束の方向が互いに逆行する。また、一対のコイル１２は直列に連結されており、第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂの平角線１３が両者の隣接部分で連結されている。

また、コイル１２の周囲にはコア材（高透磁率コア材３又は低透磁率コア材４）が充填されており、コア材の周囲はケーシング１０によって囲まれている。このコア材は、一対のコイル１２とケーシング１０との隙間や、第１コイル１２ａと第２コイル１２ｂとの隙間に充填されている。

高透磁率コア材３はケーシング１０内の中央部に均一に充填されており、第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂの隣接部分を覆っている。より詳細には、高透磁率コア材３は、一対のコイル１２における向かい合っている側の部分を覆っている。したがって、一対のコイル１２において向かい合っていない側の部分は高透磁率コア材３から露出している。ケーシング１０内に充填された高透磁率コア材３の横幅Ａは特に限定されないが、少なくとも一対のコイル１２において向かい合っている側の内周面（内周の平角線１３）が覆わる幅が好ましい。本実施形態では、高透磁率コア材３が各コイル１２の半分にわたる部分を覆っており、隣接する各コイル１２において向かい合っている側の半分が高透磁率コア材３によって封止されている。また、高透磁率コア材３の高さＢは特に限定されないが、少なくともコイル１２の厚み方向の上端及び下端が覆われる高さが好ましい。本実施形態では、高透磁率コア材３がコイル１２の厚み方向の上端及び下端よりも上方及び下方まで充填されて各コイル１２を覆っている。また、高透磁率コア材３の縦幅（奥行）Ｃは特に限定されないが、少なくともコイル１２の径方向の外周（最外周の平角線１３）が覆われる幅が好ましい。この高透磁率コア材３の透磁率は、低透磁率コア材４の透磁率よりも高く、例えば１００Ｈ／ｍ以上にすることができる。また、高透磁率コア材３とケーシング１０との間には低透磁率コア材４が充填されている。

低透磁率コア材４は、ケーシング１０内の中央部から端部まで全体にわたって充填されており、高透磁率コア材３の全体を覆うと共に、一対のコイル１２における向かい合っていない側の部分を覆っている。すなわち、低透磁率コア材４は、高透磁率コア材３の周囲に均一に充填されており、高透磁率コア材３及び高透磁率コア材３から露出しているコイル１２を覆っている。この低透磁率コア材４の透磁率は、高透磁率コア材３の透磁率よりも低く、例えば１０Ｈ／ｍ〜２０Ｈ／ｍにすることができる。なお、高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４の透磁率は公知の透磁率測定装置を用いて測定できる。

高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４は、樹脂と磁性材料とを混合したものを用いることができる。この樹脂としては例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、磁性材料としては例えばフェライト粉末、鉄粉、珪素合金鉄粉等を用いることができ、好ましくは、Ｆｅ−６．５Ｓｉを用いることができる。また、高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４の材料としては、比透磁率が１０〜５０の材料を用いることができる。なお、比透磁率は真空の透磁率との比である。より詳細には、高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４の材料としては、図４に示すように、磁場Ｈ（Ａ／ｍ）と磁束密度Ｂ（Ｔ）とのグラフを描いたときに、樹脂にＦｅ−６．５Ｓｉを混合した材料のＨ−Ｂ曲線Ｌ１と、Ｆｅ−３Ｓｉの圧粉材料のＨ−Ｂ曲線Ｌ２との間の斜線で示す領域に位置する材料を用いることができる。なお、図４のグラフの傾きが透磁率に相当する。

また、高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４は、二色成形することができ、まず、一対のコイル１２の隣接部分に高透磁率コア材３を射出成形し、その後、高透磁率コア材３の周囲に低透磁率コア材４を射出成形する。

図２、図３に示すように、高透磁率コア材３の第１コイル１２ａを覆っている部位と、第２コイル１２ｂを覆っている部位は、一対のコイル１２ａと１２ｂの間で繋がっている。より具体的には、高透磁率コア材３の第１コイル１２ａを覆っている部位と、第２コイル１２ｂを覆っている部位は、一対のコイル１２ａ、１２ｂの一方端側で連続しているとともに、他方端側でも連続している。なお、本実施例では、高透磁率コア材３は、一つのブロックを形成しており、その一つのブロック内に、一対のコイル１２ａ、１２ｂの隣接部分が埋没している。磁路の観点で表現すると、高透磁率コア材３は、軸線を平行にして巻き線径方向に並んで配置されている一対のコイル１２に対して、夫々のコイル内部を通過する環状の磁路が形成されるように、一対のコイル１２の隣接部分を覆っている。低透磁率コア材４は、高透磁率コア材３を覆っており、さらに、夫々のコイル１２も覆っているとともに夫々のコイル１２の内部（コイル１２内部のうち高透磁率コア材３が満たされていない範囲）にも充填されている。上記のような構成によれば、一対のコイル１２に電流を流すと、図２に示すように、第１コイル１２ａに矢印Ｐ方向の磁束が生じ、これとは逆に、第２コイル１２ｂに矢印Ｑ方向の磁束が生じる。これにより、第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂの磁束が合わさって一対のコイル１２が隣接する部分に大きな磁束Ｘが生じ、この大きな磁束Ｘは透磁率が高い高透磁率コア材３を通る。また、高透磁率コア材３から露出している部分における磁束は低透磁率コア材４を通る。

次に、上記のリアクトルが適用された電力変換装置の一例について説明する。図５に、リアクトルを含む電力変換装置の斜視図を示す。電力変換装置９０は、ハイブリッド車や電気自動車に搭載され、バッテリの直流電力を昇圧するとともに、誘導モータやＰＭモータの駆動に適した周波数の交流に変換する。即ち、電力変換装置９０は、昇圧コンバータ回路とインバータ回路を含む。よく知られているように、いずれの回路も、いわゆるパワー半導体素子を多数用いる。複数のパワー半導体素子は、平板型の複数の半導体モジュール８２に収められている。半導体モジュール８２は、１個、あるいは、数個のパワー半導体素子を、樹脂でモールドしたものである。なお、図５では、半導体モジュール８２から伸びる端子は図示を省略している。パワー半導体素子は発熱量が大きい。そこで、電力変換装置９０では、平板型の複数の半導体モジュール８２を平板型の複数の冷却器８１で交互に積層する。複数の半導体モジュール８２と複数の冷却器８１の積層体を積層ユニット８０と称する。積層ユニット８０には、半導体モジュール８２の他にリアクトル２も積層される。即ち、リアクトル２は、その両側を冷却器８１で挟持されている。リアクトル２は、昇圧コンバータの一つの部品である。昇圧コンバータの回路は良く知られているので説明は省略する。

積層ユニット８０では、隣接する冷却器８１が連結パイプ８３で連結される。また、積層ユニット８０の端の冷却器８１には、冷媒供給管８４ａと冷媒排出管８４ｂが接続されている。冷却器８１は、冷媒を通す流路であり、冷媒供給管８４ａから供給された冷媒は、連結パイプ８３を通じて全ての冷却器８１に拡がる。冷媒は、冷却器８１の流路を流れる間に隣接する半導体モジュール８２あるいはリアクトル２を冷却する。半導体モジュール８２あるいはリアクトル２の熱を吸収した後の冷媒は、別の連結パイプ８３と冷媒排出管８４ｂを通じて外部に排出される。

冷却効率を高めるため、積層ユニット８０は、その積層方向に加圧される。積層ユニット８０は、筐体９１に収められ、その一端は筐体９１の内壁に押し当てられ、他端側に板バネ９３が挿入される。板バネ９３は、筐体９１の支柱９２に支えられている。積層ユニット８０は、電力変換装置９０の筐体内部で板バネ９３によって積層方向に圧力を受ける。積層ユニット８０は、積層方向に加圧されることで、半導体モジュール８２と冷却器８１、及び、リアクトル２と冷却器８１の密着度を高め、冷却器８１への熱伝達効率を向上させている。

以上のような構成を備えるリアクトル２の利点を説明する。本実施形態のリアクトル２によれば、一対のコイル１２の磁束方向が互いに逆行することにより、各コイル１２の磁束が合わさってより大きな磁束Ｘを発生させることができる。これにより、リアクトル２のインダクタンスを高めることができる。また、扁平なケーシング１０により、体格が小さくても冷却器８１との接触面積を確保することができる。よって、インダクタンスを高めつつ、小型で冷却し易いリアクトル２を提供することができる。

また、扁平なケーシング１０であると、冷却面１０１の面積に対して側面１０２の面積（高さ）が小さいので、厚みＤが薄くなり、磁束がケーシング１０の外部に漏れやすくなる。特に、一対のコイル１２の隣接部分では大きな磁束Ｘが発生するので、磁束が外部に漏れやすくなる。そこで、上記の構成によれば、一対のコイル１２の隣接部分を覆う高透磁率コア材３と、高透磁率コア材３の周囲の低透磁率コア材４とを備えることにより、一対のコイル１２で発生した大きな磁束Ｘが透磁率の高い高透磁率コア材３を通るので、一対のコイル１２の隣接部分において磁束の漏れを抑制することができる。これにより、磁束の漏れによってリアクトル２の周囲に渦電流が生じることを抑制でき、渦電流損を抑制できる。すなわち、仮に高い透磁率を有する高透磁率コア材３が無いとすると、発生した大きな磁束Ｘがリアクトル２の周囲に漏れてしまい、例えばリアクトル２の周囲の冷却器８１等に渦電流が生じてしまうことがあるが、本明細書に開示の技術によれば、磁束の漏れを抑制でき、渦電流損を抑制できる。また、高透磁率コア材３の周囲に低透磁率コア材４が配置されることにより、仮に高透磁率コア材３が磁気飽和したとしても、周囲の低透磁率コア材４を磁束が通過ことにより低透磁率コア材４がバックアップとなり、ケーシング１０内のコア材全体での磁気飽和を防ぐことができる。

以上、一実施形態について説明したが、具体的な態様は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態ではコイル１２が平角線１３のフラットワイズ巻きにより形成されていたが、図６に示すように、エッジワイズ巻きにより形成されていてもよい。エッジワイズ巻きとは、平角線１３の平面がコイル１２の軸方向に重なるように巻き回す構成であり、平角線１３の積層方向がコイル１２の軸方向に沿っている。

また、図７は更に他の実施形態に係るリアクトルの斜視図であり、図８は図７のVIII−VIII断面図である。図７及び図８において、図１及び図２と同様の構成部分については同一の符号を付して説明を省略している。上述した実施形態では第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂが離間して配置されていたが、図７及び図８に示すように、一対のコイル１２が近接して互いに接触していてもよい。また、上記実施形態では高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４を備えていたが、必ずしも２種類のコア材を充填する必要はなく、１種類のコア材を充填する構成であってもよい。図７及び図８に示す例では、隣接する一対のコイル１２（第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂ）の径方向の外周が互いに接触しており、ケーシング１０内の全体に低透磁率コア材４が充填されている。第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂは、互いの隣接部分において最外周の平角線１３の平面が隙間無く密着している。この構成では第１コイル１２ａと第２コイル１２ｂとの絶縁は、各コイル１２ａ、ｂを被覆するエナメルにより確保される。また、上記実施形態のように高透磁率コア材が一対のコイル１２の隣接部分を覆う構成ではなく、低透磁率コア材４が一対のコイル１２の全体を覆っている。したがって、第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂの隣接部分も低透磁率コア材４により覆われている。

このような構成によれば、一対のコイル１２の隣接部分が互いに接触することにより、ケーシング１０内でコイル１２を密に配置することができるので、ケーシング１０を小さくすることができる。これにより、リアクトル２の体格を小型化することができる。すなわち、仮に一対のコイル１２（第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂ）の磁束方向が同方向であると、各コイル１２ａ、ｂで発生する磁束が通るスペースをそれぞれ確保する必要があり、一対のコイル１２ａ、ｂを接触しないように離間させる必要があるが、本明細書に開示の技術によれば、一対のコイル１２ａ、ｂの磁束方向が逆方向なので、各コイル１２ａ、ｂで発生する磁束が合わさることにより、磁束が通るスペースをそれぞれ確保する必要がない。これにより、一対のコイル１２ａ、ｂを接触させてリアクトル２の体格を小型化することができる。

また、図７及び図８に示す例ではケーシング１０内に低透磁率コア材４が充填されていたが、この構成に限定されるものではなく、低透磁率コア材４に替えて高透磁率コア材３をケーシング１０内に充填してもよい。また、ケーシング１０内に充填されるコア材の透磁率の大きさは特に限定されるものではない。また、上述した図１〜図３の例と同様に、高透磁率コア材３及び低透磁率コア材４の両者がケーシング１０内に充填されていてもよい。すなわち、上述したように、高透磁率コア材３が一対のコイル１２の隣接部分を覆い、低透磁率コア材４が高透磁率コア材４から露出している部分のコイル１２を覆う構成であってもよい。

また、上記実施形態はコイル１２を２個用いる形態であったが、図９に示すように、コイル１２を４個用いてもよい。この形態においても、隣接するコイル１２の巻線方向が互いに逆行している。また、コイル１２の数は特に限定されず更に増やすこともできる。

リアクトル２では、コイル１２から冷却器８１への熱伝達効率を高めるため、ケーシング１０の厚みＤをできるだけ小さくし、扁平率を高めることが好ましい。それゆえ、積層方向に見たときのコイル１２端部と冷却器８１との間の距離は小さい方が好ましい。コイル１２端部と冷却器８１との間の距離を小さくすると、高透磁率コア材３において、軸線方向に沿ったコイル１２端部から外側の厚みが小さくなる。高透磁率コア材３のこの厚みの部位は、一対のコイル１２の間で環状に形成される磁路の一部を構成するが、厚みを小さくすることは、その磁路を薄くすることを意味する。磁路が薄くなると、磁力線が通る面積が小さくなり、磁気飽和し易くなる。さらに、一般に、透磁率が高いほど磁気飽和し易くなる。それゆえ、ケーシング１０を扁平に構成するととともに、高透磁率コア材３を採用すると、磁気飽和し易くなる。磁気飽和が生じると、コア材の外を通る磁束（いわゆる漏れ磁束）が増加する。他方、リアクトル２のケーシング１０の両側には冷却器８１が位置しており、冷却器８１は金属製であることが多い。扁平なケーシング１０内で高透磁率コア材３から漏れる磁束が金属製の冷却器８１を通過すると渦電流が生じる。そこで、高透磁率コア材３を低透磁率コア材４で囲む。図４に例示されているように、一般に、透磁率が低いほど、磁気飽和し難い。高透磁率コア材３を低透磁率コア材４で囲むことで、高透磁率コア材３から漏れた磁束を低透磁率コア材４で吸収し、冷却器８１を通過する磁束を低減する。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

２；リアクトル
３；高透磁率コア材
４；低透磁率コア材
１０；ケーシング
１２；コイル
１２ａ；第１コイル
１２ｂ；第２コイル
８１；冷却器
８２；半導体モジュール
８３；連結パイプ
８４ａ；冷媒供給管
８４ｂ；冷媒排出管
９０；電力変換装置
９１；筐体
９２；支柱
９３；板バネ
１０１；冷却面
１０２；側面

Claims

積層された冷却器の間に配置されるリアクトルであって、
扁平なケーシングと、
前記ケーシング内に互いに逆方向に巻き回され、径方向に配置された一対のコイルと、
前記ケーシング内に充填され、前記コイルを覆うコア材と、を備えるリアクトル。
前記ケーシング内に充填され、前記一対のコイルを覆う高透磁率コア材と、
前記高透磁率コア材の周囲に充填され、前記高透磁率コア材から露出している前記コイルを覆う低透磁率コア材と、を備える請求項１に記載のリアクトル。
前記一対のコイルの径方向の外周が互いに接触している、請求項１又は２に記載のリアクトル。