JP2014211478A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014211478A5
JP2014211478A5 JP2013086611A JP2013086611A JP2014211478A5 JP 2014211478 A5 JP2014211478 A5 JP 2014211478A5 JP 2013086611 A JP2013086611 A JP 2013086611A JP 2013086611 A JP2013086611 A JP 2013086611A JP 2014211478 A5 JP2014211478 A5 JP 2014211478A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
negative
photosensitive resist
development
resist film
rinsing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013086611A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2014211478A (ja
JP6154653B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2013086611A priority Critical patent/JP6154653B2/ja
Priority claimed from JP2013086611A external-priority patent/JP6154653B2/ja
Publication of JP2014211478A publication Critical patent/JP2014211478A/ja
Publication of JP2014211478A5 publication Critical patent/JP2014211478A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6154653B2 publication Critical patent/JP6154653B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2013086611A 2013-04-17 2013-04-17 リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 Expired - Fee Related JP6154653B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013086611A JP6154653B2 (ja) 2013-04-17 2013-04-17 リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013086611A JP6154653B2 (ja) 2013-04-17 2013-04-17 リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014211478A JP2014211478A (ja) 2014-11-13
JP2014211478A5 true JP2014211478A5 (enExample) 2016-04-21
JP6154653B2 JP6154653B2 (ja) 2017-06-28

Family

ID=51931299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013086611A Expired - Fee Related JP6154653B2 (ja) 2013-04-17 2013-04-17 リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6154653B2 (enExample)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6415374B2 (ja) * 2015-03-31 2018-10-31 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用現像液及びレジストパターン形成方法
JP6607940B2 (ja) * 2015-06-30 2019-11-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
KR102689234B1 (ko) 2016-09-30 2024-07-30 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 키트
US12197129B2 (en) * 2018-08-23 2025-01-14 Tokyo Electron Limited Substrate treatment method and substrate treatment system
JP7609879B2 (ja) 2020-09-08 2025-01-07 富士フイルム株式会社 パターン形成方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586990B2 (ja) * 1996-02-20 2004-11-10 旭化成ケミカルズ株式会社 感光性樹脂印刷版用現像液及び感光性樹脂印刷版の製造方法
JP2000019743A (ja) * 1998-07-01 2000-01-21 Kao Corp レジスト用現像液
US7326521B1 (en) * 2006-08-31 2008-02-05 Eastman Kodak Company Method of imaging and developing negative-working elements
JP2011033842A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Fujifilm Corp 化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法
US8703401B2 (en) * 2011-06-01 2014-04-22 Jsr Corporation Method for forming pattern and developer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI483079B (zh) Pattern formation method
JP6816083B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI590304B (zh) 光敏化化學放大光阻中之臨界尺寸控制
US8124319B2 (en) Semiconductor lithography process
JP7064080B2 (ja) 光増感化学増幅レジスト(ps-car)モデル較正
TWI657347B (zh) 光敏化化學放大光阻之模擬
JP6524388B2 (ja) 光増感化学増幅レジストで酸ショットノイズとして複製されるeuvショットノイズの軽減
CN110012672B (zh) 用于负型可显影光致抗蚀剂的计算机建模及模拟的改进方法
JP2014211478A5 (enExample)
TWI566047B (zh) 製作半導體裝置的方法與光敏材料
KR20160135636A (ko) 화학 증폭형 공중합체 레지스트의 방법 및 조성
JP2016136200A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR20130041627A (ko) 듀얼 현상 공정을 포함한 포토리소그래피 방법
JPH0463535B2 (enExample)
TWI597763B (zh) 半導體裝置之製造設備及半導體裝置之製造設備之管理方法
KR19990003857A (ko) 감광막 형성 방법
JP2006173508A (ja) 光インプリント方法
TW201729013A (zh) 微影方法
JPH0290170A (ja) パターン形成方法
JP2015528644A (ja) Euvレジスト感度の減少
CN112305860A (zh) 一种用于半导体的曝光显影方法
JPS61173245A (ja) ホトレジストパタ−ンの形成方法
JPS63215040A (ja) レジストのハ−ドニング方法
JPS6310156A (ja) パタ−ン形成方法
JPS612326A (ja) レジストパタ−ンの形成方法