JP2014204121A - Substrate processing facility and method - Google Patents
Substrate processing facility and method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014204121A JP2014204121A JP2014040191A JP2014040191A JP2014204121A JP 2014204121 A JP2014204121 A JP 2014204121A JP 2014040191 A JP2014040191 A JP 2014040191A JP 2014040191 A JP2014040191 A JP 2014040191A JP 2014204121 A JP2014204121 A JP 2014204121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- cooling
- pusher
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 193
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 92
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は基板処理設備に関する。 The present invention relates to a substrate processing facility.
液晶ディスプレーパネルと半導体素子との製造のための基板処理設備は複数枚の基板を一括に処理できるクラスターシステムが一般的に採用されている。
特許文献1にはクラスターシステムの一例が開示されている。基板処理設備はロードステーション、移送ロボット、ロードロックチャンバー、搬送ロボット、及び工程チャンバーを含む。移送ロボットはロードステーションに安着されたPOUPとロードロックチャンバーとの間に基板を移送し、搬送ロボットはロードロックチャンバーと工程チャンバーとの間に、及び工程チャンバー相互間に基板を移送する。ロードロックチャンバーは2つの異なる環境、例えば大気圧環境と真空環境との間で緩衝空間の役割を果たし、基板が移送ロボットと搬送ロボットとによって移送される前に一時的に待機する。
上述した基板処理設備は環境条件の差異にロードロックチャンバーが必須的に提供され、ロードロックチャンバーの両側に移送ロボットが各々提供される。したがって、設備全体面積が増加し、移送ロボット、ロードロックチャンバー、及び搬送ロボットの間に基板伝達によって工程遅滞が発生する。工程遅滞は工程時間を増加させて設備全体の工程処理効率が減少される。
As a substrate processing facility for manufacturing a liquid crystal display panel and a semiconductor element, a cluster system capable of processing a plurality of substrates at a time is generally employed.
Patent Document 1 discloses an example of a cluster system. The substrate processing equipment includes a load station, a transfer robot, a load lock chamber, a transfer robot, and a process chamber. The transfer robot transfers the substrate between the POUP seated on the load station and the load lock chamber, and the transfer robot transfers the substrate between the load lock chamber and the process chamber and between the process chambers. The load lock chamber acts as a buffer space between two different environments, for example, an atmospheric pressure environment and a vacuum environment, and temporarily waits before the substrate is transferred by the transfer robot and the transfer robot.
The above-described substrate processing equipment is provided with a load lock chamber essential to the difference in environmental conditions, and a transfer robot is provided on each side of the load lock chamber. Therefore, the entire area of the equipment increases, and a process delay occurs due to substrate transfer between the transfer robot, the load lock chamber, and the transfer robot. Process delay increases process time and reduces the process efficiency of the entire facility.
本発明は設備面積を減少させることができる基板処理設備を提供する。
また、本発明は工程処理効率を向上させることができる基板処理設備を提供する。
The present invention provides a substrate processing facility that can reduce the facility area.
In addition, the present invention provides a substrate processing facility that can improve process processing efficiency.
本発明の実施形態による基板処理設備は、基板が収納されたカセットが置かれるロードポートと、基板に対する工程処理が遂行される工程チャンバーと、前記ロードポートと前記工程チャンバーとの間に提供され、内部に空間が形成されたフレームと、前記フレームの内部に位置し、前記カセットと前記工程チャンバーとの間に基板を移送する移送ロボットと、を含む。 A substrate processing facility according to an embodiment of the present invention is provided between a load port in which a cassette in which a substrate is stored is placed, a process chamber in which a process for a substrate is performed, and the load port and the process chamber. A frame in which a space is formed; and a transfer robot that is located inside the frame and transfers a substrate between the cassette and the process chamber.
また、前記フレームの内部に提供され、基板の位置が整列されるアライメントチャンバーと、前記フレームの内部に提供され、工程が完了された基板が冷却される冷却チャンバーと、をさらに包含することができる。 In addition, it may further include an alignment chamber provided in the frame and in which the position of the substrate is aligned, and a cooling chamber provided in the frame and in which the substrate that has been processed is cooled. .
また、前記移送ロボット、前記アライメントチャンバー、及び前記冷却チャンバーは、同一空間に位置することができる。 The transfer robot, the alignment chamber, and the cooling chamber may be located in the same space.
また、前記アライメントチャンバーと前記冷却チャンバーとは、上下方向に積層され得る。 The alignment chamber and the cooling chamber may be stacked in the vertical direction.
また、前記アライメントチャンバーと前記冷却チャンバーとは、側方向に並べに提供され得る。 The alignment chamber and the cooling chamber may be provided side by side in the lateral direction.
また、前記ロードポート、前記移送ロボット、及び前記工程チャンバーは、順次的に一列に配置され、前記アライメントチャンバーと前記冷却チャンバーとは、前記ロードポート、前記移送ロボット、及び前記工程チャンバーが一列に配置された線上から外れて配置され得る。 Further, the load port, the transfer robot, and the process chamber are sequentially arranged in a line, and the alignment chamber and the cooling chamber are arranged in a line with the load port, the transfer robot, and the process chamber. Can be placed off the marked line.
また、前記アライメントチャンバー内に位置する支持板と、前記支持板の上面に固定位置され、基板が置かれる第1の及び第2のパッドと、前記支持板の上面に位置し、前記支持板の中心方向に移動して基板を押すアライメントプッシャーと、をさらに包含することができる。 A support plate located in the alignment chamber; a first and second pad fixed on the upper surface of the support plate; and a substrate placed on the upper surface of the support plate; An alignment pusher that moves in the central direction and pushes the substrate can be further included.
また、前記第1のパッドは、基板が置かれる第1の本体と、前記第1の本体から上部に突出され、内側面が基板の曲率半径に相応する曲率半径を有する第1の上端部を有し、前記第2のパッドは、基板が置かれる第2の本体と、前記第2の本体から上部に突出され、内側面が基板の曲率半径より大きい曲率半径を有する第2の上端部とを有し、前記アライメントプッシャーは、基板の側部が前記第1の上端部の内側面に密着されるように基板を押すことができる。 The first pad includes a first body on which the substrate is placed, and a first upper end projecting upward from the first body and having an inner surface having a radius of curvature corresponding to the radius of curvature of the substrate. The second pad has a second body on which the substrate is placed, and a second upper end projecting upward from the second body and having an inner surface with a radius of curvature greater than the radius of curvature of the substrate; The alignment pusher can push the substrate so that the side portion of the substrate is in close contact with the inner surface of the first upper end portion.
また、前記冷却チャンバーの内側に位置すれば、内部に冷却流路が形成された冷却板と、前記冷却板に形成されたピンホールにしたがって上下方向に移動する複数のリフトピンと、前記冷却板に置かれる基板の側部を前記冷却板の中心方向に押して基板位置を整列するアライメントプッシャーと、をさらに包含することができる。 If the cooling plate is located inside the cooling chamber, a cooling plate having a cooling channel formed therein, a plurality of lift pins that move in the vertical direction according to pinholes formed in the cooling plate, and the cooling plate An alignment pusher that aligns the substrate position by pushing the side of the substrate to be placed toward the center of the cooling plate may be further included.
また、前記アライメントプッシャーは、前記冷却板の周辺にしたがって互いに離隔して配置される第1のプッシャー乃至第3のプッシャーと、前記第1のプッシャーと前記第2のプッシャーとが前記冷却板の中心方向に基板の一側部を1次に押し、前記第3のプッシャーが前記冷却板の中心方向に基板の他側部を2次に押すように前記第1のプッシャー乃至前記第3のプッシャーを駆動させる駆動部と、を包含することができる。 The alignment pusher includes a first pusher to a third pusher that are spaced apart from each other according to a periphery of the cooling plate, and the first pusher and the second pusher are located at the center of the cooling plate. The first to third pushers are pushed so that one side of the substrate is pushed first in the direction and the third pusher pushes the other side of the substrate second in the direction of the center of the cooling plate. And a driving unit to be driven.
本発明の実施形態による基板処理方法は、カセットに収納された基板を引き出す基板の引出し段階と、工程チャンバーの内部へ基板を提供する工程処理前段階と、工程処理が完了された基板を前記カセットに収納させる基板収納段階と、を含み、前記基板の引出し段階、前記工程準備段階、及び前記基板収納段階で基板は、同一の移送ロボットによって移送され得る。 According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing method including: a substrate drawing step for pulling out a substrate housed in a cassette; a pre-process step for providing a substrate to a process chamber; The substrate may be transferred by the same transfer robot in the substrate drawing step, the process preparation step, and the substrate storage step.
また、前記工程チャンバーの内部に基板が提供される前に、アライメントチャンバー内に基板を提供して基板位置を整列するアライメント段階をさらに含み、前記アライメントチャンバーと前記工程チャンバーとの間に基板移送は、前記移送ロボットによって行われ得る。 The method further includes an alignment step of providing a substrate in the alignment chamber and aligning a substrate position before the substrate is provided in the process chamber, and transferring the substrate between the alignment chamber and the process chamber. , Can be performed by the transfer robot.
また、前記第1のパッドの上端部の内側面は、前記基板の曲率半径に相応する曲率半径を有することができる。 The inner surface of the upper end of the first pad may have a radius of curvature corresponding to the radius of curvature of the substrate.
また、前記工程チャンバーから引き出された基板を冷却チャンバーの内部へ提供して、工程処理が完了された基板を冷却する冷却段階をさらに含み、前記工程チャンバーと前記冷却チャンバーとの間に基板移送は、前記移送ロボットによって行われ得る。 In addition, the method may further include a cooling step of providing the substrate drawn out from the process chamber to the inside of the cooling chamber and cooling the substrate after the process processing is completed, and transferring the substrate between the process chamber and the cooling chamber. , Can be performed by the transfer robot.
また、前記冷却段階は、冷却板の上面に基板が置かれ、前記冷却板の周辺にしたがって離隔して配置された第1のプッシャーと第2のプッシャーとが前記冷却板の中心方向に移動して基板の一側部を1次に押し、第3のプッシャーが前記冷却板の中心方向に移動して基板の他側部を2次に押して基板の位置を整列することができる。 In the cooling step, a substrate is placed on the upper surface of the cooling plate, and a first pusher and a second pusher, which are spaced apart according to the periphery of the cooling plate, move toward the center of the cooling plate. Then, one side of the substrate is pushed first, and the third pusher moves toward the center of the cooling plate to push the other side of the substrate second, thereby aligning the position of the substrate.
本発明によると、設備が小型化されるので、設備面積が減少される。
また、本発明によると、基板移送経路が減少するので、設備全体の工程処理効率を向上される。
According to the present invention, since the facility is downsized, the facility area is reduced.
Further, according to the present invention, since the substrate transfer path is reduced, the process efficiency of the entire equipment can be improved.
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形され得り、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.
図1は本発明の実施形態による基板処理設備を簡略に示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
図1を参照すれば、基板処理設備10はロードポート100、設備前方端部モジュール(equipment front end module、EFEM)200、及び工程チャンバー300を含む。ロードポート100、設備前方端部モジュール200、及び工程チャンバー300は一方向に配置される。以下、ロードポート100、設備前方端部モジュール200、及び工程チャンバー300が配列された方向を第1の方向Xであると定義し、上部から見る時、第1の方向Xと垂直である方向を第2の方向Yであると定義する。
Referring to FIG. 1, the
ロードポート100は設備前方端部モジュール200の前方に位置する。ロードポート100は複数個提供され、第2の方向Yにしたがって一列に配置される。ロードポート100にはカセットCが置かれる。カセットCには複数枚の基板が積層されて収納される。カセットCには工程に提供される基板及び工程処理が完了された基板が収納される。
The
前方設備端部モジュール200はカセットCと工程チャンバー300との間に基板を移送する。前方設備端部モジュール200はフレーム210、移送ロボット220、アライメントチャンバー230、及び冷却チャンバー250を含む。
フレーム210はロードポート100と工程チャンバー300との間に配置される。フレーム210の内部には空間が形成される。フレーム210の内部空間211は移送ロボット220の移動及び移送ロボット220のハンド221移動が妨害されないように充分な広さに提供される。
The front
The
移送ロボット220はフレーム110内へ提供される。移送ロボット220は単一ロボットで提供され、基板が積載されるハンド221を有する。移送ロボット220はカセットC、アライメントチャンバー230、冷却チャンバー250、及び工程チャンバー300の相互間に基板を移送することができる。
A
アライメントチャンバー230と冷却チャンバー250とはフレーム210の内部に位置する。アライメントチャンバー230は工程チャンバー300又はカセットCに基板が提供される前に、基板位置が整列される空間を提供する。冷却チャンバー250は工程チャンバー300で工程処理が完了された基板が冷却される空間を提供する。
The
アライメントチャンバー230と冷却チャンバー250とはロードポート100、移送ロボット220、及び工程チャンバー300が一列に配置されて形成する線上から外れて位置することができる。実施形態によれば、アライメントチャンバー230と冷却チャンバー250とは第2の方向Yに移送ロボット220と一列に配置され得る。
The
アライメントチャンバー230と冷却チャンバー250とは図2のように上下方向に積層されて提供され得る。これと異なりに、アライメントチャンバーと冷却チャンバーとは図3のように同一の高さで側方向に並べに配置され得る。
The
図4は本発明の実施形態にしたがってアライメントチャンバー内に提供される構成を示す平面図であり、図5は図4のA−A’線に沿う断面図である。 FIG. 4 is a plan view showing a configuration provided in the alignment chamber according to the embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG. 4.
図4及び図5を参照すれば、アライメントチャンバー230の内部には支持板231、第1のパッド235、第2のパッド241、及びアライメントプッシャー245が提供される。
Referring to FIGS. 4 and 5, a
支持板231は所定の厚さを有する板とし、基板Wより大きい面積を有する。支持板231の上面には第1のパッド235、第2のパッド241、及びアライメントプッシャー245が提供される。
The
第1のパッド235は支持板231の上面に固定位置し、基板Wの一側部を支持する。図6の(a)のように、第1のパッド235は第1の本体236と第1の上端部237とを有する。第1の本体236は所定の厚さを有する板として提供される。第1の本体236の上面には基板Wが置かれる。第1の上端部237は第1の本体236の上面一部から上部に突出される。第1の上端部237は内側面238が基板Wの半径曲率に相応する曲率半径を有する。実施形態によれば、第1のパッド235は一対が提供され、互いに離隔して配置される。
The
第2のパッド241は支持板231の上面に固定位置し、基板Wの他側部を支持する。第2のパッド241は基板Wの中心を基準に第1のパッド235と対向する位置に提供され得る。実施形態によれば、第2のパッド241は一対が提供され、基板Wの中心を基準に第1のパッド235と対抗して位置する。図6の(b)のように、第2のパッド241は第2の本体242と第2の上端部243とを有する。第2の本体242は所定の厚さを有する板として提供される。第2の本体242の上面には基板Wが置かれる。第2の上端部243は第2の本体242の上面一部から上部に突出される。第2の上端部243は内側面244が基板Wの半径曲率より大きい曲率半径を有する。そして、第2の上端部243の内側面244と第1の上端部237の内側面238との間の距離は基板W直径より大きくなり得る。基板Wは第2のパッド241側に偏向されて第1のパッド235と第2のパッド241とに安着され得る。第2の上端部243の内側面244の大きい曲率半径は基板Wが安全に第2の本体242に置かれるようにする。
The
アライメントプッシャー245は第2のパッド241の間に位置する。アライメントプッシャー245は基板Wの外側から直線移動して第1のパッド235側に基板Wを押す。アライメントプッシャー245によって押さえられた基板Wは側部が第1の上端部237の内側面238に密着される。第1の上端部237の内側面238は基板Wの位置を整列する基準位置に提供される。位置が整列された基板Wは移送ロボット220によってピックアップされる。
The
図7は本発明の実施形態にしたがって冷却チャンバー内に提供される構成を示す平面図である。 FIG. 7 is a plan view illustrating a configuration provided in a cooling chamber according to an embodiment of the present invention.
図7を参照すれば、冷却チャンバー250の内部には冷却板251、リフトピン255、及びアライメントプッシャー260を含む。
Referring to FIG. 7, the cooling
冷却板251は所定の厚さを有する円板とし、基板Wに相応するか、或いはそれより大きい半径を有する。冷却板251の上面には基板Wが置かれる。冷却板251の内部には冷却流路(図示せず)が形成される。冷却流路は冷却板251の各領域に提供され、冷却流体が循環通路として提供される。冷却流体は冷却流体供給ライン253を通じて冷却流路へ流入され、冷却流路を循環した後、冷却流体供給ライン253を通じて回収される。冷却流体が循環する間に、冷却板251と基板Wとが冷却される。
The
冷却板251にはピンホール252が形成される。ピンホール252は冷却板251の上面から底面に提供される貫通ホールとして複数個形成される。実施形態によれば、ピンホール252は3つ形成され、三角形状に配置される。
A
ピンホール252にはリフトピン255が位置する。リフトピン255は駆動部(図示せず)の駆動でピンホール252にしたがって上下方向に移動することができる。リフトピン255は基板Wのローディング/アンローディングの時に、上下方向に移動し、基板Wの冷却工程の時にピンホール252内に位置する。
A
アライメントプッシャー260は基板W冷却工程が完了された後、基板Wを押して位置を整列する。アライメントプッシャー260は第1のプッシャー乃至第3のプッシャー261、262、263及び駆動部(図示せず)を含む。
After the substrate W cooling process is completed, the
第1のプッシャー乃至第3のプッシャー261、262、263は冷却板251の上面で三角形状に配置され得る。第1のプッシャー乃至第3のプッシャー261、262、263は各基板Wの外側に位置する。
The first to
駆動部は第1のプッシャー乃至第3のプッシャー261、263、263を移動させる。駆動部は図8のように第1のプッシャー261と第2のプッシャー262とを冷却板251の中心方向に1次に移動させ、図9のように第3のプッシャー263を冷却板251の中心方向に2次に移動させる。基板Wは一側部が第1のプッシャー261と第2のプッシャー262とによって押されられ、第3のプッシャー263側に1次に移動し、他側部が第3のプッシャー263に押さえられて2次に移動して整列地点に位置する。基板W位置が整列された後、リフトピン255が昇降し、基板Wが冷却板251からアンローディングされる。
The driving unit moves the first to
再び図1を参照すれば、工程チャンバー300は第1の方向Xにフレーム210の後方に位置する。工程チャンバー300は複数個提供され得り、第2の方向Yに一列に配置され得る。工程チャンバー300は基板に対する工程処理を遂行する空間を提供する。工程チャンバー300の一側壁には開口(図示せず)が形成される。開口はフレーム210の内部と工程チャンバー300の内部との間に基板が出入する通路として提供される。開口はドア(図示せず)によって開閉される。工程チャンバー300内では半導体又は平板表示パネルの製造のための多様な工程が遂行される。実施形態によれば、工程チャンバー300内ではアッシング(Ashing)工程、又はエッチング(etching)工程が遂行されることができる。この工程は工程チャンバー300の内部が真空状態又は常圧より低い圧力に減圧されて遂行される。工程チャンバー300の内部圧力調節は工程チャンバー300に形成された排気ホールと連結された真空ポンプ(図示せず)の駆動によって行われる。最近真空ポンプの性能向上によって、工程チャンバー300の内部を真空に維持するのに時間があまりも長く所要されない。そのために、フレーム210の内部との連通によって工程チャンバー300の内部が常圧状態を維持しても真空状態に迅速に減圧され得る。
Referring back to FIG. 1, the
上述した基板処理設備10は特許文献1に開示された基板処理設備と異なりにロードロックチャンバーとトランスファーチャンバーとを具備しない。したがって、設備10が小型化され、設備10の全体面積が減少され得る。
Unlike the substrate processing facility disclosed in Patent Document 1, the
以下、上述した基板処理設備を利用して基板を処理する方法に対して説明する。 Hereinafter, a method for processing a substrate using the above-described substrate processing equipment will be described.
基板処理方法は基板の引出し段階、アライメント段階、工程処理の前段階、工程処理段階、冷却段階、及び基板収納段階を含む。 The substrate processing method includes a substrate drawing stage, an alignment stage, a pre-process process stage, a process process stage, a cooling stage, and a substrate storage stage.
基板の引出し段階は移送ロボット220のハンド221が駆動されてカセットCに収納された基板Wを引き出す。
In the substrate drawing stage, the
アライメント段階は移送ロボット220が基板Wをアライメントチャンバー230の内部へ移送し、アライメントチャンバー230内で基板Wの位置を整列する。移送ロボット220は基板Wを第1の及び第2のパッド235、241に基板Wを安着する。アライメントプッシャー245が支持板231の中心方向に移動して基板Wを押す。基板Wは第1のパッド235の第1の上端部237の内側面238に密着されて位置が整列される。
In the alignment step, the
工程処理の前段階はアライメント段階が完了された基板Wを移送ロボット220がピックアップして工程チャンバー300の内部へ移送する。
In the pre-process process, the
工程段階は工程チャンバー300の内部を真空状態に減圧し、工程チャンバー300の内部へ工程ガスを提供して基板Wを処理する。工程段階で基板Wは高温に加熱される。工程段階の完了の後、工程チャンバー300の内部は圧力が上昇して常圧状態に維持され、ドアが開放される。移送ロボット220は基板Wを引き出して冷却チャンバー250の内部へ移送する。
In the process step, the inside of the
冷却段階は工程処理が完了された基板Wを冷却する。基板Wは移送ロボット220からリフトピン255に伝達され、リフトピン255の下降によって冷却板251に置かれる。冷却流体供給ライン253を通じて冷却流路に冷却流体が供給され、冷却流体が冷却流路を循環し、基板Wを冷却する。基板W冷却が完了された後、第1のプッシャー261と第2のプッシャー262とが冷却板251の中心方向に1次に移動して基板Wの一側部を押す。そして、第3のプッシャー263が冷却板251の中心方向に2次に移動して基板Wの他側部を押す。この過程によって、基板W位置が整列される。そして、リフトピン255が上昇して基板Wを冷却板251からピックアップする。移送ロボット220はリフトピン255から基板Wを伝えってもらう。
In the cooling step, the substrate W that has been processed is cooled. The substrate W is transmitted from the
基板収納段階は移送ロボット220が基板Wを移送してカセットC内に基板Wを積載する。
In the substrate storage stage, the
上述した基板処理方法による場合、単一の移送ロボット220がカセットCと工程チャンバー300との間に基板Wを移送するので、移送経路が短くなり、複数のユニットの間に基板W伝達が最少化されて工程時間が短縮される。工程時間短縮は設備全体の工程処理効率を向上させる。
In the case of the substrate processing method described above, since the
図10は本発明のその他の実施形態による基板処理設備を示す断面図である。 FIG. 10 is a cross-sectional view showing a substrate processing facility according to another embodiment of the present invention.
図10を参照すれば、アライメントチャンバー230a、230bと冷却チャンバー250a、250bとは第2の方向Yに移送ロボット220の両側に各々位置する。実施形態によれば、フレーム210内にはアライメントチャンバー230a、230bと冷却チャンバー250a、250bとが各々一対提供される。アライメントチャンバー230a、230bと冷却チャンバー250a、250bとは側方向に並べに配置される。
Referring to FIG. 10, the
以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示し、説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び/又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとすることでない。また、添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことであって解釈されなければならない。 The foregoing detailed description is merely illustrative of the invention. Also, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiment of the present invention, which can be used in a variety of other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in the present specification, the scope equivalent to the above-described disclosure, and / or the skill or knowledge of the industry. The above-described embodiments are for explaining the best state for embodying the technical idea of the present invention, and various modifications required in specific application fields and applications of the present invention are possible. Accordingly, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other implementations.
10・・・基板処理設備
100・・・ロードポート
200・・・設備前方端部モジュール
210・・・フレーム
220・・・移送ロボット
230・・・アライメントチャンバー
231・・・支持板
235・・・第1のパッド
241・・・第2のパッド
245・・・アライメントプッシャー
250・・・冷却チャンバー
260・・・アライメントプッシャー
261、262、263・・・プッシャー
300・・・工程チャンバー
10 ...
Claims (16)
基板に対する工程処理が遂行される工程チャンバーと、
前記ロードポートと前記工程チャンバーとの間に提供され、内部に空間が形成されたフレームと、
前記フレームの内部に位置し、前記カセットと前記工程チャンバーとの間に基板を移送する移送ロボットと、を含む基板処理設備。 A load port in which a cassette containing substrates is placed;
A process chamber in which a process for the substrate is performed;
A frame provided between the load port and the process chamber and having a space formed therein;
A substrate processing facility, comprising: a transfer robot positioned inside the frame and configured to transfer a substrate between the cassette and the process chamber.
前記フレームの内部に提供され、工程が完了された基板が冷却される冷却チャンバーと、をさらに含む請求項1に記載の基板処理設備。 An alignment chamber provided within the frame and in which the position of the substrate is aligned;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a cooling chamber that is provided inside the frame and that cools a substrate that has been processed.
前記アライメントチャンバーと前記冷却チャンバーとは、前記ロードポート、前記移送ロボット、及び前記工程チャンバーが一列に配置された線上から外れて配置される請求項2に記載の基板処理設備。 The load port, the transfer robot, and the process chamber are sequentially arranged in a row,
The substrate processing facility according to claim 2, wherein the alignment chamber and the cooling chamber are arranged off the line where the load port, the transfer robot, and the process chamber are arranged in a line.
前記支持板の上面に固定位置され、基板が置かれる第1の及び第2のパッドと、
前記支持板の上面に位置し、前記支持板の中心方向に移動して基板を押すアライメントプッシャーと、をさらに含む請求項2に記載の基板処理設備。 A support plate located in the alignment chamber;
First and second pads fixedly positioned on the upper surface of the support plate and on which the substrate is placed;
The substrate processing facility according to claim 2, further comprising an alignment pusher that is positioned on an upper surface of the support plate and moves in a center direction of the support plate to push the substrate.
前記第2のパッドは、基板が置かれる第2の本体と、前記第2の本体から上部に突出され、内側面が基板の曲率半径より大きい曲率半径を有する第2の上端部とを有し、
前記アライメントプッシャーは、基板の側部が前記第1の上端部の内側面に密着されるように基板を押す請求項7に記載の基板処理設備。 The first pad has a first body on which the substrate is placed, and a first upper end protruding upward from the first body and having an inner surface with a radius of curvature corresponding to the radius of curvature of the substrate. ,
The second pad has a second body on which the substrate is placed, and a second upper end projecting upward from the second body and having an inner surface with a radius of curvature larger than the radius of curvature of the substrate. ,
The substrate processing facility according to claim 7, wherein the alignment pusher pushes the substrate such that a side portion of the substrate is in close contact with an inner surface of the first upper end portion.
前記冷却板に形成されたピンホールにしたがって上下方向に移動する複数のリフトピンと、
前記冷却板に置かれる基板の側部を前記冷却板の中心方向に押して基板位置を整列するアライメントプッシャーと、をさらに含む請求項2に記載の基板処理設備。 If it is located inside the cooling chamber, a cooling plate having a cooling channel formed therein,
A plurality of lift pins that move in the vertical direction according to pinholes formed in the cooling plate;
The substrate processing facility according to claim 2, further comprising an alignment pusher that aligns a substrate position by pushing a side portion of the substrate placed on the cooling plate toward a center of the cooling plate.
前記冷却板の周辺にしたがって互いに離隔して配置される第1のプッシャー乃至第3のプッシャーと、
前記第1のプッシャーと前記第2のプッシャーとが前記冷却板の中心方向に基板の一側部を1次に押し、前記第3のプッシャーが前記冷却板の中心方向に基板の他側部を2次に押すように前記第1のプッシャー乃至前記第3のプッシャーを駆動させる駆動部と、を含む請求項9に記載の基板処理設備。 The alignment pusher is
A first pusher to a third pusher which are spaced apart from each other according to the periphery of the cooling plate;
The first pusher and the second pusher first push one side of the substrate in the central direction of the cooling plate, and the third pusher pushes the other side of the substrate in the central direction of the cooling plate. The substrate processing facility according to claim 9, further comprising: a driving unit that drives the first to third pushers to push the second pusher.
工程チャンバーの内部へ基板を提供する工程処理前段階と、
工程処理が完了された基板を前記カセットに収納させる基板収納段階と、を含み、
前記基板の引出し段階、前記工程準備段階、及び前記基板収納段階で基板は、同一の移送ロボットによって移送される基板処理方法。 A step of drawing out the substrate to pull out the substrate stored in the cassette;
A pre-process stage of providing a substrate to the interior of the process chamber;
A substrate storing step of storing the substrate in which the process processing is completed in the cassette,
The substrate processing method, wherein the substrate is transferred by the same transfer robot in the substrate drawing step, the process preparation step, and the substrate storage step.
前記アライメントチャンバーと前記工程チャンバーとの間に基板移送は、前記移送ロボットによって行われる請求項11に記載の基板処理方法。 An alignment step of providing a substrate in the alignment chamber to align the substrate position before the substrate is provided inside the process chamber;
The substrate processing method according to claim 11, wherein substrate transfer is performed between the alignment chamber and the process chamber by the transfer robot.
支持板の上面に提供された第1の及び第2のパッドに基板が置かれ、プッシャーが前記支持板の中心方向に移動して第1のパッドの上端部の内側面と前記基板の側部が当たるように前記基板を押す請求項12に記載の基板処理方法。 The alignment step includes
The substrate is placed on the first and second pads provided on the upper surface of the support plate, and the pusher moves toward the center of the support plate to move the inner surface of the upper end of the first pad and the side portion of the substrate The substrate processing method according to claim 12, wherein the substrate is pushed so as to hit.
前記工程チャンバーと前記冷却チャンバーとの間に基板移送は、前記移送ロボットによって行われる請求項12に記載の基板処理方法。 A cooling step of providing a substrate drawn from the process chamber to the inside of the cooling chamber to cool the substrate after the process processing;
The substrate processing method according to claim 12, wherein the substrate is transferred between the process chamber and the cooling chamber by the transfer robot.
冷却板の上面に基板が置かれ、
前記冷却板の周辺にしたがって離隔して配置された第1のプッシャーと第2のプッシャーとが前記冷却板の中心方向に移動して基板の一側部を1次に押し、第3のプッシャーが前記冷却板の中心方向に移動して基板の他側部を2次に押して基板の位置を整列する請求項15に記載の基板処理方法。 The cooling step includes
A substrate is placed on top of the cooling plate,
The first pusher and the second pusher, which are arranged apart from each other according to the periphery of the cooling plate, move toward the center of the cooling plate to push one side of the substrate first, and the third pusher The substrate processing method according to claim 15, wherein the substrate position is aligned by moving toward the center of the cooling plate and secondarily pressing the other side of the substrate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0038100 | 2013-04-08 | ||
KR1020130038100A KR101433810B1 (en) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | System and method for treating substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014204121A true JP2014204121A (en) | 2014-10-27 |
JP5903118B2 JP5903118B2 (en) | 2016-04-13 |
Family
ID=51671586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014040191A Active JP5903118B2 (en) | 2013-04-08 | 2014-03-03 | Substrate processing equipment and method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5903118B2 (en) |
KR (1) | KR101433810B1 (en) |
CN (1) | CN104103557B (en) |
TW (1) | TWI532115B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022531103A (en) * | 2019-04-23 | 2022-07-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Equipment front-end modules, assemblies, and methods that include multiple aligners |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101754589B1 (en) * | 2016-11-21 | 2017-07-10 | 피에스케이 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0857296A (en) * | 1994-08-17 | 1996-03-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Plasma treatment apparatus |
JPH09219437A (en) * | 1996-02-13 | 1997-08-19 | Nikon Corp | Positioning apparatus |
JP2000223547A (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processor |
JP2000286325A (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Jeol Ltd | Wafer aligning device |
JP2002050668A (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Tokyo Electron Ltd | Substrate-processing apparatus and method |
JP2007150280A (en) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Substrate supporting apparatus, substrate supporting method, substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of manufacturing display apparatus constitutional member |
JP2009071008A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | Substrate processing apparatus |
JP2011249726A (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Daihen Corp | Work transfer system |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG94851A1 (en) * | 2000-07-12 | 2003-03-18 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR20070014277A (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | 삼성전자주식회사 | Equipment for manufacturing semiconductor device |
KR100839911B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-06-19 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
JP5388279B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-01-15 | インテバック・インコーポレイテッド | Substrate transfer processing apparatus and method |
-
2013
- 2013-04-08 KR KR1020130038100A patent/KR101433810B1/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-03-03 JP JP2014040191A patent/JP5903118B2/en active Active
- 2014-03-12 TW TW103108667A patent/TWI532115B/en active
- 2014-04-08 CN CN201410138171.0A patent/CN104103557B/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0857296A (en) * | 1994-08-17 | 1996-03-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Plasma treatment apparatus |
JPH09219437A (en) * | 1996-02-13 | 1997-08-19 | Nikon Corp | Positioning apparatus |
JP2000223547A (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processor |
JP2000286325A (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Jeol Ltd | Wafer aligning device |
JP2002050668A (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Tokyo Electron Ltd | Substrate-processing apparatus and method |
JP2007150280A (en) * | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Substrate supporting apparatus, substrate supporting method, substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of manufacturing display apparatus constitutional member |
JP2009071008A (en) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | Substrate processing apparatus |
JP2011249726A (en) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Daihen Corp | Work transfer system |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022531103A (en) * | 2019-04-23 | 2022-07-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Equipment front-end modules, assemblies, and methods that include multiple aligners |
JP7326472B2 (en) | 2019-04-23 | 2023-08-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Apparatus front-end module, assembly and method including multiple aligners |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104103557A (en) | 2014-10-15 |
JP5903118B2 (en) | 2016-04-13 |
TW201440168A (en) | 2014-10-16 |
KR101433810B1 (en) | 2014-08-26 |
CN104103557B (en) | 2017-04-12 |
TWI532115B (en) | 2016-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10431481B2 (en) | Load lock apparatus and substrate processing system | |
US20190341283A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20080236755A1 (en) | Single-wafer type substrate processing apparatus having a carry-in port provided with first and second placement tables arranged in a line | |
TW201339075A (en) | Cluster apparatus for treating substrate | |
US20150096685A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
TWI668791B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same | |
TWI534935B (en) | Substrate processing module, substrate processing apparatus including the same, and substrate transferring method | |
JP5926694B2 (en) | Substrate relay device, substrate relay method, substrate processing apparatus | |
JP5903118B2 (en) | Substrate processing equipment and method | |
JP2019520701A (en) | 12-sided transfer chamber, and processing system having such a transfer chamber | |
KR102444876B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
US9966286B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI545671B (en) | A substrate cooling unit and the substrate treating facility | |
KR20160017391A (en) | Cooling unit, apparatus and method for treating substrate including the same | |
US20160086835A1 (en) | Cover opening/closing apparatus and cover opening/closing method | |
KR20100135626A (en) | Substrate transfering apparatus and substrate processing system having the same | |
JP2011222633A (en) | Substrate laminating device, laminated semiconductor manufacturing method, and laminated semiconductor | |
JP2004080053A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
KR100749755B1 (en) | Apparatus for processing semiconductor wafer | |
KR100781082B1 (en) | Substrate transfer equipment and substrate processing system using the same | |
JP2021072424A (en) | Substrate housing unit and maintenance method for vacuum transfer unit in substrate transfer apparatus | |
KR20110131835A (en) | Wafer processing system having linear wafer transfering apparatus | |
KR20090070666A (en) | Support unit and method for treating substrate of the support unit, and bake apparatus with the support unit | |
KR20070038854A (en) | Wafer cooling equipment for preventing damage of wafer | |
KR20050015316A (en) | Multi-chamber system for fabricating semiconductor devices and method of fabricating semiconductor devices using thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150317 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5903118 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |