KR20090070666A - Support unit and method for treating substrate of the support unit, and bake apparatus with the support unit - Google Patents

Support unit and method for treating substrate of the support unit, and bake apparatus with the support unit Download PDF

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KR20090070666A KR1020070138761A KR20070138761A KR20090070666A KR 20090070666 A KR20090070666 A KR 20090070666A KR 1020070138761 A KR1020070138761 A KR 1020070138761A KR 20070138761 A KR20070138761 A KR 20070138761A KR 20090070666 A KR20090070666 A KR 20090070666A
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Abstract

A support unit, a substrate processing method of the support unit and a bake device including the support unit are provided to improve the efficiency of a substrate process by loading and unloading the substrate. A plate has a support surface where a substrate is placed. Lift pins are installed to move up and down through a hole formed in the plate. A driving cylinder(130) drives the lift pins up and down. A lift pin(110) includes a first pin and a second pin. The first pin is lifted by the driving cylinder and supports the lower surface of the substrate. A second pin(114) is lifted with the first pin and supports the side of the substrate placed on the support surface.

Description

지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기 지지유닛을 구비하는 베이크 장치{SUPPORT UNIT AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE OF THE SUPPORT UNIT, AND BAKE APPARATUS WITH THE SUPPORT UNIT}SUPPORT UNIT AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE OF THE SUPPORT UNIT, AND BAKE APPARATUS WITH THE SUPPORT UNIT}

본 발명은 기판을 지지하는 지지유닛 및 이를 구비하여 사진 공정시 기판을 가열 또는 냉각하는 베이크 공정 처리 장치, 그리고 상기 지지유닛의 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit for supporting a substrate, a baking process apparatus for heating or cooling a substrate during a photo process, and a substrate processing method of the support unit.

반도체 제조 공정 및 평판 디스플레이 제조 공정은 웨이퍼 및 유리 기판과 같은 기판에 다양한 처리 공정을 수행하는 장치를 구비한다. 이러한 기판 처리 장치들은 보통 기판을 지지하는 지지유닛을 구비하여, 지지유닛에 놓여져 지지되는 기판상에 공정을 수행한다.BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor manufacturing processes and flat panel display manufacturing processes include apparatus for performing various processing processes on substrates such as wafers and glass substrates. Such substrate processing apparatuses usually have a support unit for supporting a substrate, and perform a process on a substrate placed on and supported by the support unit.

일반적인 지지유닛은 기판이 놓여지는 지지면을 가지는 플레이트, 플레이트를 상하로 관통하도록 설치되는 복수의 리프트핀들, 그리고 상기 플레이트에 놓여진 기판이 지지면상으로부터 이탈되는 것을 방지하는 복수의 가이드핀들을 구비한다. 지지유닛은 기판 로딩시 리프트핀들 상에 웨이퍼를 안착시킨 후 리프트핀들을 하강시켜, 플레이트의 지지면 상에 기판을 로딩시킨다. 이때, 가이드핀들은 로딩된 기판의 측면을 지지하여 기판이 지지면 상으로부터 이탈되는 것을 방지한다.The general support unit includes a plate having a support surface on which the substrate is placed, a plurality of lift pins installed to penetrate the plate up and down, and a plurality of guide pins to prevent the substrate placed on the plate from being separated from the support surface. The support unit seats the wafer on the lift pins during substrate loading and then lowers the lift pins to load the substrate onto the support surface of the plate. At this time, the guide pins support the side of the loaded substrate to prevent the substrate from being separated from the support surface.

그러나, 상술한 구조의 지지유닛은 리프트핀들 상에 안착된 기판을 플레이트의 지지면에 로딩시킬 때, 가이드핀의 상부에 기판의 피처리면 일부가 걸쳐져 기판이 정상적으로 놓여지지 않아 공정 효율이 저하되는 현상이 발생된다.However, in the above-described support unit, when the substrate mounted on the lift pins is loaded on the support surface of the plate, a part of the surface to be processed is covered on the upper part of the guide pin so that the substrate is not normally placed so that process efficiency is lowered. Is generated.

또한, 상술한 구조의 지지유닛은 리프트핀들 및 가이드핀들의 설치를 위한 다수의 홀들이 플레이트 상에 형성된다. 따라서, 핀들의 공차로 인해 각각의 핀들의 기판 처리의 정밀도가 저하될 수 있다.In addition, the support unit of the above-described structure is formed with a plurality of holes on the plate for the installation of the lift pins and the guide pins. Thus, the tolerance of the pins may lower the precision of substrate processing of the respective pins.

본 발명은 기판을 효과적으로 지지하여 공정 효율을 향상시키는 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기 지지유닛을 구비하는 베이크 장치를 제공한다.The present invention provides a support unit for effectively supporting a substrate to improve process efficiency, a substrate processing method of the support unit, and a baking apparatus including the support unit.

본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩을 효과적으로 수행하는 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기 지지유닛을 구비하는 베이크 장치를 제공한다.The present invention provides a support unit for effectively loading and unloading a substrate, a substrate processing method of the support unit, and a baking apparatus including the support unit.

본 발명에 따른 지지유닛은 기판이 놓여지는 지지면을 가지는 플레이트 및 상기 플레이트에 형성된 홀을 통해 상하 방향으로 이동되도록 설치되는 리프트핀들, 그리고 상기 리프트핀들을 상하방향으로 구동시키는 구동실린더를 포함하되, 상기 리프트핀은 상기 구동실린더에 의해 승강되는, 그리고 기판의 하부면을 지지하는 제1 핀 및 상기 제1 핀과 함께 승강되도록 제공되는, 그리고 상기 지지면에 놓여진 기판의 측면을 지지하는 제2 핀을 가진다.The support unit according to the present invention includes a plate having a support surface on which a substrate is placed, lift pins installed to move in a vertical direction through holes formed in the plate, and a driving cylinder for driving the lift pins in a vertical direction, The lift pin is lifted by the drive cylinder and is provided to be lifted with the first pin and the first pin supporting the bottom surface of the substrate, and the second pin supporting the side of the substrate lying on the support surface. Has

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플레이트에는 기판의 로딩을 위해 상기 리프트핀이 하강될 때, 상기 제2 핀이 상기 지지면으로부터 돌출되는 위치에서 상기 리프트핀의 하강이 멈추도록 형성되는 가이드홈이 형성된다.According to an embodiment of the present invention, the plate has a guide groove which is formed so that when the lift pin is lowered for loading of the substrate, the lowering of the lift pin stops at the position where the second pin protrudes from the support surface Is formed.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 핀은 기판의 측면과 대향되는 측부지지면 및 상기 측부지지면의 상단으로부터 상방향으로 갈수록 상기 기판의 중심으로 부터 멀어지도록 경사지는 경사면을 가진다.According to an embodiment of the present invention, the second fin has a side support surface facing the side of the substrate and an inclined surface inclined away from the center of the substrate toward the top from the upper end of the side support surface.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 핀은 상기 제2 핀으로부터 기판의 중심을 향하는 방향으로 이격되게 배치된다.According to an embodiment of the present invention, the first fin is spaced apart from the second fin in a direction toward the center of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 연결부의 상부면은 상기 제1 핀의 상부면과 동일한 높이로 제공된다.According to an embodiment of the invention, the upper surface of the connecting portion is provided at the same height as the upper surface of the first pin.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 핀은 상기 제1 핀의 상부면으로부터 상방향으로 돌출되도록 배치된다.According to an embodiment of the present invention, the second fin is disposed to protrude upward from an upper surface of the first fin.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 측면 지지는 상기 제2 핀들에 의해서만 이루어진다.According to an embodiment of the invention, the side support of the substrate is made only by the second pins.

본 발명에 따른 베이크 장치는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 챔버 및 공정시 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는, 그리고 기판을 냉각 또는 가열하는 적어도 하나의 플레이트를 가지는 지지유닛을 포함하되, 상기 지지유닛은 상기 플레이트에 형성된 홀을 통해 상하 방향으로 이동하도록 설치되는 리프트핀들 및 상기 리프트핀들을 상하방향으로 구동시키는 구동실린더를 포함하고, 상기 리프트핀은 상기 구동실린더에 의해 승강되는, 그리고 기판의 하부면을 지지하는 제1 핀 및 상기 제1 핀과 함께 승강되도록 제공되는, 그리고 상기 지지면에 놓여진 기판의 측면을 지지하는 제2 핀을 가진다.The baking apparatus according to the present invention includes a chamber for performing a process of processing a substrate therein and a support unit having at least one plate for supporting the substrate in the chamber and cooling or heating the substrate during the process, wherein The support unit includes lift pins installed to move up and down through a hole formed in the plate, and a driving cylinder for driving the lift pins up and down, wherein the lift pins are elevated by the drive cylinders and And a first pin supporting a bottom surface and a second pin provided to be lifted with the first pin and supporting a side of the substrate placed on the support surface.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플레이트에는 기판의 로딩을 위해 상기 리프트핀이 하강될 때, 상기 제2 핀이 상기 지지면으로부터 돌출되는 위치에서 상기 리프트핀의 하강이 멈추도록 형성되는 가이드홈이 형성된다.According to an embodiment of the present invention, the plate has a guide groove which is formed so that when the lift pin is lowered for loading of the substrate, the lowering of the lift pin stops at the position where the second pin protrudes from the support surface Is formed.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 핀은 기판의 측면과 대향되는 측부지지면 및 상기 측부지지면의 상단으로부터 상방향으로 갈수록 상기 기판의 중심으로부터 멀어지도록 경사지는 경사면을 가진다.According to an embodiment of the present invention, the second fin has a side support surface that faces the side of the substrate and an inclined surface that is inclined away from the center of the substrate in an upward direction from an upper end of the side support surface.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 핀은 상기 제2 핀으로부터 기판의 중심을 향하는 방향으로 이격되게 배치된다.According to an embodiment of the present invention, the first fin is spaced apart from the second fin in a direction toward the center of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 연결부의 상부면은 상기 제1 핀의 상부면과 동일한 높이로 제공된다.According to an embodiment of the invention, the upper surface of the connecting portion is provided at the same height as the upper surface of the first pin.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 핀은 상기 제1 핀의 상부면으로부터 상방향으로 돌출되도록 배치된다.According to an embodiment of the present invention, the second fin is disposed to protrude upward from an upper surface of the first fin.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 측면 지지는 상기 제2 핀들에 의해서만 이루어진다.According to an embodiment of the invention, the side support of the substrate is made only by the second pins.

본 발명에 따른 지지유닛의 기판 처리 방법은 상하방향으로 이동되는 리프트핀을 사용하여 기판을 플레이트에 로딩시키고, 상기 리프트핀을 사용하여 상기 기판이 상기 플레이트로부터 측방향으로 이탈되지 않도록 상기 기판의 측면을 지지한다.In the substrate processing method of the support unit according to the present invention, the substrate is loaded on the plate using a lift pin which is moved in the vertical direction, and the side of the substrate is prevented from being separated laterally from the plate using the lift pin. Support.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 리프트핀은 상기 기판의 하부면을 지지하는 제1 핀 및 상기 제1 핀보다 높은 위치에 배치되어 상기 기판의 측면을 지지하는 제2 핀을 구비한다.According to an embodiment of the present invention, the lift pin has a first pin for supporting a lower surface of the substrate and a second pin disposed at a position higher than the first pin for supporting a side surface of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 핀의 일부는 기판이 상기 플레이트 상에 로딩되었을 때, 상기 플레이트로부터 돌출되도록 제공된다.According to an embodiment of the invention, a portion of the second pin is provided to protrude from the plate when the substrate is loaded on the plate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 측면 지지는 상기 제2 핀들에 의해서만 이루어진다.According to an embodiment of the invention, the side support of the substrate is made only by the second pins.

본 발명에 따른 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기 지지유닛을 구비하는 베이크 장치는 플레이트 상에 기판을 효과적으로 지지하여 기판 처리 공정 효율을 향상시킨다.The support unit, the substrate processing method of the support unit, and the baking apparatus provided with the support unit according to the present invention effectively support the substrate on the plate to improve the substrate processing process efficiency.

본 발명에 따른 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기 지지유닛을 구비하는 베이크 장치는 기판의 로딩 및 언로딩을 효과적으로 수행하여 기판 처리 공정 효율을 향상시킨다.The support unit, the substrate processing method of the support unit, and the baking apparatus provided with the support unit according to the present invention effectively perform substrate loading and unloading to improve substrate processing process efficiency.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자, 즉 당업자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art, that is, to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures is exaggerated to emphasize clear explanation.

또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 베이크 공정을 수행하는 베이크 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판을 소정의 지지유닛에 지지시켜 공 정을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention will be described taking a baking apparatus for performing a semiconductor baking process as an example. However, the present invention may be applicable to any apparatus for processing a process by supporting a substrate on a predetermined support unit.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 리프트핀을 보여주는 사시도이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention, Figure 2 is a view showing a cross section taken along the line AA 'shown in FIG. 3 is a perspective view showing the lift pin shown in FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 반도체 기판(이하, 웨이퍼)(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 공정은 반도체 사진 공정에 있어서 웨이퍼(W)를 가열 및 냉각하는 베이크 공정(bake process)일 수 있다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs a process of processing a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a wafer) W. FIG. The substrate processing process may be a bake process for heating and cooling the wafer W in the semiconductor photolithography process.

기판 처리 장치(1)는 챔버몸체(chamber body)(10), 지지유닛(support unit)(20, 30), 그리고 이송유닛(transfering unit)(40)를 가진다. The substrate processing apparatus 1 has a chamber body 10, support units 20 and 30, and a transfer unit 40.

챔버몸체(10)는 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 챔버몸체(10)는 대체로 직육면체 형상을 가진다. 챔버몸체(10)의 일측면에는 웨이퍼(W)의 출입을 위한 출입구(12)가 형성된다.The chamber body 10 provides a space for performing a baking process therein. The chamber body 10 has a generally rectangular parallelepiped shape. One side of the chamber body 10 is formed with an entrance 12 for the entrance and exit of the wafer (W).

지지유닛(20, 30)은 공정시 챔버몸체(10) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 일 실시예로서, 지지유닛은 웨이퍼(W)를 기설정된 온도로 냉각하는 냉각유닛(cooling unit)(20) 및 웨이퍼(W)를 기설정된 온도로 가열하는 가열유닛(heating unit)(30)을 포함한다. 냉각유닛(20) 및 가열유닛(30) 각각은 베이크 공정시 웨이퍼(W)를 지지하는 지지면(22a, 32a)을 가지는 플레이트(plate)를 가진다. 예컨대, 냉각유닛(20)은 냉각플레이트(cooling plate)(22)를 가지고, 가열유닛(30)은 가열 플레이트(heating plate)(32)를 가진다. 냉각플레이트(22)와 가열플레이트(32)는 챔버몸체(10) 내부에서 나란히 배치된다. 여기서, 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)의 지지면(22a, 32a) 상에는 복수의 세라믹 돌출부(미도시됨)가 구비될 수 있다. 세라믹 돌출부는 베이크 공정시 플레이트(22, 32)에 놓여지는 웨이퍼(W)의 피처리면이 지지면(22a, 32a)으로부터 일정간격이 이격되도록 한다. 이는 웨이퍼(W)의 피처리면이 지지면(22a, 32a)에 직접 접촉하는 경우 급격한 웨이퍼(W)의 냉각 또는 가열로 인해 웨이퍼(W)가 파손되는 것을 방지하기 위함이다. 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32) 각각에는 지지부재(100)가 설치된다. 지지부재(100)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The support units 20 and 30 support the wafer W in the chamber body 10 during the process. In one embodiment, the support unit comprises a cooling unit 20 for cooling the wafer W to a predetermined temperature and a heating unit 30 for heating the wafer W to a predetermined temperature. Include. Each of the cooling unit 20 and the heating unit 30 has a plate having support surfaces 22a and 32a for supporting the wafer W during the baking process. For example, the cooling unit 20 has a cooling plate 22, and the heating unit 30 has a heating plate 32. The cooling plate 22 and the heating plate 32 are arranged side by side inside the chamber body 10. Here, a plurality of ceramic protrusions (not shown) may be provided on the support surfaces 22a and 32a of the cooling plate 22 and the heating plate 32. The ceramic protrusion allows the target surface of the wafer W placed on the plates 22 and 32 to be spaced apart from the supporting surfaces 22a and 32a during the baking process. This is to prevent the wafer W from being damaged due to rapid cooling or heating of the wafer W when the surface to be processed of the wafer W directly contacts the support surfaces 22a and 32a. Each of the cooling plate 22 and the heating plate 32 is provided with a support member 100. Detailed description of the support member 100 will be described later.

이송유닛(40)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32) 상호간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 이송유닛(40)은 가이드레일(guide rail)(41), 제1 이송암(first transfer arm)(42), 제2 이송암(second transfer arm)(44), 구동모터(driving motor)(46), 그리고 타이밍 벨트(timing belt)(48)를 가진다. The transfer unit 40 transfers the wafer W between the cooling plate 22 and the heating plate 32. The transfer unit 40 includes a guide rail 41, a first transfer arm 42, a second transfer arm 44, and a driving motor 46. And a timing belt 48.

제1 이송암(42) 및 제2 이송암(44)은 제1 아암(42a) 및 제2 아암(44a)을 가진다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)의 상부에서 대체로 수평으로 배치되는 긴 바(bar) 형상을 가진다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 상부면을 가진다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 타이밍 벨트(48)에 의해 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 직선 왕복 이동된다. 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 가이드레일(41)을 따라 제1 및 제2 방향(X1, X2)으로 직선 왕복 이동된다. 따라서, 제1 및 제2 아암(42a, 44a)이 제1 및 제2 방향(X1, X2)을 따라 직선 왕복 이동되어, 제1 및 제2 아암(42a, 44a)은 냉각플레이트(42) 및 가열플레이트(42)에 교대로 웨이퍼(W)를 로드/언로드(load/unload)한다. The first transfer arm 42 and the second transfer arm 44 have a first arm 42a and a second arm 44a. The first and second arms 42a and 44a have long bar shapes that are generally horizontally arranged on top of the cooling plate 22 and the heating plate 32. The first and second arms 42a and 44a have a top surface on which the wafer W is placed. The first and second arms 42a and 44a are linearly reciprocated along the first and second directions X1 and X2 by the timing belt 48. The first and second arms 42a and 44a are linearly reciprocated in the first and second directions X1 and X2 along the guide rail 41. Thus, the first and second arms 42a and 44a are linearly reciprocated along the first and second directions X1 and X2, so that the first and second arms 42a and 44a are cooled plates 42 and The wafers W are alternately loaded / unloaded on the heating plate 42.

구동모터(46)는 타이밍 벨트(48)를 구동시켜, 제1 이송암(42) 및 제2 이송암(44)이 웨이퍼(W)를 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32)에 로드/언로드(load/unload)하도록 한다. 즉, 공정시 구동모터(46)가 회전되면, 타이밍 벨트(48)에 의해 감겨지는 풀리(pulley)(47)가 회전되어, 타이밍 벨트(48)에 결합되는 제1 및 제2 이송암(42, 44)이 가이드레일(41)을 따라 이동되어, 제1 및 제2 아암(42a, 44a) 각각은 제1 방향(X1) 또는 제2 방향(X2)으로 이동된다. 이때, 제1 아암(42a)과 제2 아암(44a)은 서로 반대방향으로 이동된다. 즉, 제1 아암(42a)이 제1 방향(X1)으로 이동되면, 제2 아암(44a)은 제2 방향(X2)으로 이동되고, 제1 아암(42a)이 제2 방향(X2)으로 이동되면, 제2 아암(44a)은 제1 방향(X1)으로 이동된다.The drive motor 46 drives the timing belt 48 so that the first transfer arm 42 and the second transfer arm 44 load / load the wafer W onto the cooling plate 22 and the heating plate 32. Unload (load / unload). That is, when the driving motor 46 is rotated during the process, a pulley 47 wound by the timing belt 48 is rotated, and the first and second transfer arms 42 coupled to the timing belt 48 are rotated. , 44 is moved along the guide rail 41, so that each of the first and second arms 42a, 44a is moved in the first direction X1 or the second direction X2. At this time, the first arm 42a and the second arm 44a are moved in opposite directions. That is, when the first arm 42a is moved in the first direction X1, the second arm 44a is moved in the second direction X2, and the first arm 42a is moved in the second direction X2. When moved, the second arm 44a is moved in the first direction X1.

계속해서, 본 발명에 따른 지지부재(100)에 대해서 상세히 설명한다.Subsequently, the supporting member 100 according to the present invention will be described in detail.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 지지부재(support member)(100)는 공정시 냉각유닛(22) 및 가열유닛(32)에 놓여지는 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 지지부재(100)는 웨이퍼(W)의 냉각유닛(22) 및 가열유닛(32) 로딩/언로딩시 웨이퍼(W)를 냉각유닛(22) 및 가열유닛(32)의 지지면(22a, 32a) 상에 안착시키거나, 냉각유닛(22) 및 가열유닛(32)의 지지면(22a, 32a)으로부터 이격시킨다.Referring to FIG. 3, the support member 100 according to the present invention supports the wafer W placed on the cooling unit 22 and the heating unit 32 during the process. In addition, the support member 100 supports the wafers W at the time of loading / unloading the cooling unit 22 and the heating unit 32 of the wafer W, and the support surfaces 22a of the cooling unit 22 and the heating unit 32. , 32a or spaced apart from the support surfaces 22a and 32a of the cooling unit 22 and the heating unit 32.

지지부재(100)는 리프트핀(support pin)(110), 승강판(lifting plate)(120), 그리고 구동실린더(driving cylinder)(130)를 가진다. 리프트핀(110)은 냉각플레이트(22) 및 가열플레이트(32) 각각의 지지면(22a, 32a) 가장자리를 따라 세 개가 구비된다. 리프트핀(110)은 제1 핀(first pin)(112), 제2 핀(second pin)(114), 그리고 제1 핀(112)과 제2 핀(114)을 연결하는 연결부(connecting member)(116)를 가진다. The support member 100 has a support pin 110, a lifting plate 120, and a driving cylinder 130. The lift pins 110 are provided along three edges of the supporting surfaces 22a and 32a of the cooling plate 22 and the heating plate 32, respectively. The lift pin 110 may include a first pin 112, a second pin 114, and a connecting member connecting the first pin 112 and the second pin 114 to each other. Has 116.

제1 핀(112)은 대체로 상하로 수직하는 핀 형상을 가진다. 제1 핀(112)은 냉각 및 가열플레이트(22, 32)에 형성되는 홀(22b)를 상하로 관통하도록 설치된다. 제1 핀(112)은 웨이퍼(W)가 리프트핀(110)들 상에 정상적으로 놓여졌을 때 웨이퍼(W)의 하부면(피처리면)과 접촉되는 상부면(112a)을 가진다. The first pin 112 has a pin shape that is generally vertically up and down. The first fin 112 is installed to vertically penetrate the holes 22b formed in the cooling and heating plates 22 and 32. The first fin 112 has an upper surface 112a which is in contact with the lower surface (to-be-processed surface) of the wafer W when the wafer W is normally placed on the lift pins 110.

제2 핀(114)은 지지면(22a, 32a)의 중심을 기준으로 제1 핀(112)보다 외측에 배치된다. 예컨대, 제2 핀(114)은 냉각플레이트(22)에 지지면(22a)에 형성되는 홈(22c)에 일부가 삽입되도록 설치된다. 제2 핀(114)은 웨이퍼(W)의 측면(W1)을 지지하여 웨이퍼(W)가 이탈되는 것을 방지하는 측부지지면(114a)을 가진다. 즉, 공정시 웨이퍼(W)가 냉각플레이트(22)에 놓여진 웨이퍼(W)의 측면(W1)을 지지하여, 웨이퍼(W)가 냉각플레이트(22) 상의 기설정된 위치에서 측방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 여기서, 플레이트(22)에 형성되는 홈(22c)은 리프트핀(110)이 웨이퍼(W)를 플레이트(22) 상에 로딩하였을 때, 제2 핀(114)의 측부지지면(114a)이 지지면(22a, 32a)으로부터 돌출되어 웨이퍼(W)의 측면(W1)과 대향될 수 있을 정도의 깊이를 갖도록 형성된다. 따라서, 공정시 홈(22c)은 웨이퍼(W) 로딩을 위한 리프트핀(110)의 하강시, 제1 핀(112)은 지지면(22a, 32a)의 높이보다 낮은 높이에 위치되도록 하 고, 동시에 제2 핀(114)은 지지면(22a, 32a)으로부터 돌출되도록 하는 위치에서 리프트핀(110)의 하강을 멈추게하는 스토퍼(stopper)의 기능을 수행할 수 있다.The second pin 114 is disposed outside the first pin 112 with respect to the center of the support surfaces 22a and 32a. For example, the second fin 114 is installed so that a part of the second fin 114 is inserted into the groove 22c formed in the support surface 22a on the cooling plate 22. The second fin 114 has a side support surface 114a that supports the side surface W1 of the wafer W to prevent the wafer W from being separated. That is, during the process, the wafer W supports the side surface W1 of the wafer W placed on the cooling plate 22 so that the wafer W is laterally released from the predetermined position on the cooling plate 22. prevent. Here, the groove 22c formed in the plate 22 is supported by the side support surface 114a of the second pin 114 when the lift pin 110 loads the wafer W onto the plate 22. It is formed to have a depth enough to protrude from the surfaces 22a and 32a so as to face the side surface W1 of the wafer W. Accordingly, during the process, the groove 22c is positioned at the height lower than the height of the support surfaces 22a and 32a when the lift pin 110 is lowered for loading the wafer W. At the same time, the second pin 114 may function as a stopper for stopping the lowering of the lift pin 110 at a position to protrude from the support surfaces 22a and 32a.

또한, 제2 핀(114)은 웨이퍼(W)가 리프트핀(110) 상에 놓여졌을 때, 각각의 리프트핀(110)의 측부지지면(114a)들 사이의 위치로 놓여지도록 웨이퍼(W)를 안내하는 경사면(114b)을 가진다. 경사면(114b)은 측부지지면(114a)의 상단으로부터 상방향으로 갈수록 지지면(22a, 32a)의 중심으로부터 멀어지도록 경사진다. 따라서, 공정시 제2 핀(114)의 경사면(114b)에 웨이퍼(W)의 가장자리 일부가 놓여지면, 경사면(114b)에 놓여진 웨이퍼(W)의 가장자리 일부가 경사면(114b)을 따라 아래방향으로 슬라이딩된 후 측부지지면(114a)에 의해 웨이퍼(W)의 측면(W1)이 지지되도록 한다.In addition, the second pin 114 is placed on the wafer W such that when the wafer W is placed on the lift pin 110, it is placed in a position between the side supporting surfaces 114a of each lift pin 110. It has an inclined surface 114b for guiding it. The inclined surface 114b is inclined away from the center of the supporting surfaces 22a and 32a in an upward direction from the upper end of the side support surface 114a. Therefore, if a part of the edge of the wafer W is placed on the inclined surface 114b of the second fin 114 during the process, a part of the edge of the wafer W placed on the inclined surface 114b is moved downward along the inclined surface 114b. After sliding, the side surface W 114 of the wafer W is supported by the side support surface 114a.

연결부(116)는 제1 핀(112)과 제2 핀(114)을 연결한다. 이때, 연결부(116)는 제1 핀(112)과 제2 핀(114)이 냉각 및 가열플레이트(22, 32)의 지지면(22a, 32a) 중심으로부터 반경방향으로 연장되는 직선상에 배치되도록 제1 핀(112)과 제2 핀(114)을 연결한다. 따라서, 제1 핀(112)은 제2 핀(114)보다 웨이퍼(W)의 중심과 가깝도록 배치된다. 연결부(116)의 상부면(116a)은 제1 핀(112)의 상부면(112a)과 동일한 높이를 가진다. 연결부(116)의 상부면(116a)은 웨이퍼(W)가 리프트핀(110) 상에 정상적으로 놓여졌을 때, 웨이퍼(W)의 하부면(피처리면)과 접촉된다.The connection part 116 connects the first pin 112 and the second pin 114. At this time, the connecting portion 116 is such that the first fin 112 and the second fin 114 are disposed on a straight line extending radially from the center of the supporting surfaces 22a and 32a of the cooling and heating plates 22 and 32. The first pin 112 and the second pin 114 are connected. Therefore, the first fin 112 is disposed closer to the center of the wafer W than the second fin 114. The upper surface 116a of the connecting portion 116 has the same height as the upper surface 112a of the first pin 112. The upper surface 116a of the connecting portion 116 is in contact with the lower surface (surface to be processed) of the wafer W when the wafer W is normally placed on the lift pin 110.

승강판(120)은 각각의 리프트핀(110)들의 높이를 조절하기 위해 제공된다. 승강판(120)은 냉각 및 가열플레이트(22, 32)의 하부에서 상하로 승강 및 하강이 가능하도록 설치된다. 구동실린더(130)는 승강판(120)을 상하로 승강 및 하강시킨 다. 구동실린더(130)가 승강판(120)을 상하로 승강 및 하강시키면, 승강판(120)의 상하운동에 의해 리프트핀(110)들의 높이가 조절된다.The elevating plate 120 is provided to adjust the height of each lift pin 110. The elevating plate 120 is installed to be capable of raising and lowering up and down at the bottom of the cooling and heating plates 22 and 32. The driving cylinder 130 raises and lowers the lifting plate 120 up and down. When the driving cylinder 130 moves up and down the lifting plate 120 up and down, the height of the lift pins 110 is adjusted by the up and down movement of the lifting plate 120.

본 실시예에서는 리프트핀(110)이 냉각유닛(22) 및 가열유닛(32) 각각에 세 개씩 배치되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 리프트핀(110)의 개수 및 배치는 다양하게 변경이 가능할 수 있다.In the present exemplary embodiment, three lift pins 110 are disposed in each of the cooling unit 22 and the heating unit 32, but the number and arrangement of the lift pins 110 may be variously changed. have.

본 실시예에서는 제1 핀(112) 및 제2 핀(114), 그리고 이들을 연결하는 연결부(116)를 구비하는 리프트핀(110)의 구조를 예로 들어 설명하였으나, 리프트핀(110)의 구조는 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트핀(110a)은 하나의 핀 상에 상부면(112a), 측부지지면(114a), 그리고 경사면(114b)이 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. In the present embodiment, the structure of the lift pin 110 having the first pin 112 and the second pin 114, and the connecting portion 116 connecting them has been described as an example. Various changes and modifications can be made. For example, as shown in FIG. 4, the lift pin 110a according to another embodiment of the present invention has an upper surface 112a, a side support surface 114a, and an inclined surface 114b formed on one pin. It can have a structure.

이하, 본 발명에 따른 지지유닛(110)가 웨이퍼를 지지하는 과정을 상세히 설명한다. 도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 지지유닛의 기판 지지 과정을 보여주기 위한 도면들이다.Hereinafter, a process of supporting the wafer by the support unit 110 according to the present invention will be described in detail. 5a and 5b are views for showing a substrate support process of the support unit according to the present invention.

베이크 공정이 개시되면, 웨이퍼(W)는 출입구(12)를 통해 챔버몸체(10) 내부로 반입된 후 냉각유닛(20) 또는 가열유닛(30)에 놓여진다. 본 실시예에서는 냉각유닛(20)에 놓여지는 경우를 예로 들어 설명한다. When the baking process is started, the wafer W is loaded into the chamber body 10 through the entrance 12 and then placed in the cooling unit 20 or the heating unit 30. In this embodiment, a case in which the cooling unit 20 is placed will be described as an example.

냉각유닛(20)에 놓여진 웨이퍼(W)는 지지유닛(100)의 리프트핀(110)들 상에 놓여진다. 즉, 도 5a를 참조하면, 웨이퍼(W) 로딩시 지지유닛(100)의 구동실린더(130)는 승강판(120)을 승강시켜, 제1 핀(112)들의 상부면(112a)이 냉각플레이트(22)의 지지면(22a)으로부터 상부로 돌출되도록 한다. 따라서, 로딩되는 웨이퍼(W)는 제1 핀(112)들 각각의 상부면(112a) 및 연결부(116)의 상부면(116a)에 놓여진다. 각각의 리프트핀(110)의 상부면(112a, 116a) 상에 웨이퍼(W)가 놓여지면, 각각의 제2 핀(114)의 측부지지면(114a)은 웨이퍼(W)의 측면(W1)을 지지함으로써 웨이퍼(W)가 지지면(22a)으로부터 수평으로 이탈되는 것을 방지한다. 만약, 웨이퍼(W) 로딩시 웨이퍼(W)의 피처리면 일부가 경사면(114b)에 놓여지면, 경사면(114b)에 놓여진 웨이퍼(W)의 일부는 경사면(114b)을 따라 슬라이딩되어 제1 핀(112)의 상부면(112b) 상으로 떨어지도록 하여 리프트핀(110)들 상에 웨이퍼(W)를 안착시킨다.The wafer W placed on the cooling unit 20 is placed on the lift pins 110 of the support unit 100. That is, referring to FIG. 5A, when the wafer W is loaded, the driving cylinder 130 of the support unit 100 raises and lowers the lifting plate 120 so that the upper surface 112a of the first fins 112 is cooled on the cooling plate. Protruding upward from the support surface 22a of (22). Thus, the loaded wafer W is placed on the top surface 112a of each of the first fins 112 and the top surface 116a of the connection 116. When the wafer W is placed on the top surfaces 112a and 116a of each lift pin 110, the side support surface 114a of each second pin 114 is the side surface W1 of the wafer W. By supporting the above, the wafer W is prevented from being separated horizontally from the support surface 22a. If a portion of the surface to be processed of the wafer W is placed on the inclined surface 114b when the wafer W is loaded, a portion of the wafer W placed on the inclined surface 114b is slid along the inclined surface 114b to form a first pin ( The wafer W is seated on the lift pins 110 by falling onto the upper surface 112b of the 112.

웨이퍼(W)가 각각의 제1 핀(112)의 상부면(1112a)상에 놓여지면, 지지유닛(100)은 냉각플레이트(22)의 상부면(22a)에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 즉, 도 5b를 참조하면, 구동실린더(130)는 승강판(120)을 하강시켜, 리프트핀(110)들 상에 놓여진 웨이퍼(W)를 냉각플레이트(22)의 지지면(22a) 상에 안착시킨다. 이때, 지지면(22a) 상에 놓여지는 웨이퍼(W)의 처리면은 지지면(22a)으로부터 돌출되는 세라믹 돌출부(미도시됨)에 의해 지지면(22a)과 비접촉될 수 있다. 웨이퍼(W)가 냉각플레이트(22) 상에 놓여지면, 웨이퍼(W)는 냉각플레이트(22)에 의해 기설정된 온도로 냉각된다. 그 후 기설정된 온도로 냉각된 웨이퍼(W)는 출입구(12)를 통해 유닛몸체(10)로부터 반출된 후 후속 공정이 수행되는 설비로 이송된다.When the wafer W is placed on the top surface 1112a of each first fin 112, the support unit 100 rests the wafer W on the top surface 22a of the cooling plate 22. That is, referring to FIG. 5B, the driving cylinder 130 lowers the lifting plate 120 so that the wafer W placed on the lift pins 110 is placed on the support surface 22a of the cooling plate 22. Settle down. At this time, the processing surface of the wafer W placed on the support surface 22a may be in non-contact with the support surface 22a by a ceramic protrusion (not shown) projecting from the support surface 22a. When the wafer W is placed on the cooling plate 22, the wafer W is cooled to a predetermined temperature by the cooling plate 22. Thereafter, the wafer W cooled to a predetermined temperature is removed from the unit body 10 through the entrance 12 and then transferred to a facility where a subsequent process is performed.

상술한 바와 같이, 본 발명은 기판의 하부면을 지지하는 기능과 플레이트에 안착된 기판의 측면을 지지하는 기능을 함께 수행하는 리프트핀을 구비하여 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩을 효과적으로 수행한다. 특히, 본 발명은 웨이퍼(W) 로딩 및 언로딩시 웨이퍼(W)가 플레이트(22, 32)에 놓여졌을 때, 웨이퍼(W)의 수평으로의 이탈을 방지하는 가이드핀에 웨이퍼(W)가 걸쳐져 웨이퍼(W)가 비정상적으로 놓여지는 현상을 방지한다.As described above, the present invention includes a lift pin that performs both a function of supporting the bottom surface of the substrate and a function of supporting the side of the substrate seated on the plate, thereby effectively loading and unloading the wafer (W). . In particular, in the present invention, when the wafer W is placed on the plates 22 and 32 during loading and unloading of the wafer W, the wafer W is placed on a guide pin that prevents the wafer W from moving horizontally. To prevent the wafer W from being abnormally placed.

또한, 본 발명은 핀들의 설치를 위해 플레이트 형성되는 홀들의 개수를 세 개로 최소화함으로써, 홀들의 공차로 인해 리프트핀들의 정밀한 웨이퍼(W) 지지 및 로딩/언로딩 기능이 저하되는 것을 방지한다.In addition, the present invention minimizes the number of holes to be plated to three for the installation of the pins, thereby preventing the precision of the lift pin support and loading / unloading functions of the lift pins from degrading.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면을 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 리프트핀을 보여주는 사시도이다.3 is a perspective view showing the lift pin shown in FIG.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트핀을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a lift pin according to another embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 지지유닛의 기판 지지 과정을 보여주기 위한 도면들이다.5a and 5b are views for showing a substrate support process of the support unit according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

1 : 기판 처리 장치1: substrate processing apparatus

10 : 하우징10: housing

20 : 지지유닛20: support unit

110 : 리프트핀110: lift pin

112 : 제1 핀112: first pin

114 : 제2 핀114: second pin

116 : 연결부116: connection

120 : 승강판120: lifting plate

130 : 구동실린더130: driving cylinder

Claims (18)

기판이 놓여지는 지지면을 가지는 플레이트와,A plate having a support surface on which the substrate is placed, 상기 플레이트에 형성된 홀을 통해 상하 방향으로 이동되도록 설치되는 리프트핀들, 그리고Lift pins are installed to move in the vertical direction through the hole formed in the plate, and 상기 리프트핀들을 상하방향으로 구동시키는 구동실린더를 포함하되,Including a drive cylinder for driving the lift pins in the vertical direction, 상기 리프트핀은,The lift pin, 상기 구동실린더에 의해 승강되는, 그리고 기판의 하부면을 지지하는 제1 핀과,A first pin lifted by the drive cylinder and supporting a lower surface of the substrate; 상기 제1 핀과 함께 승강되도록 제공되는, 그리고 상기 지지면에 놓여진 기판의 측면을 지지하는 제2 핀을 가지는 것을 특징으로 하는 지지유닛.And a second pin provided to be lifted with the first pin and supporting a side surface of the substrate placed on the support surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플레이트에는,In the plate, 기판의 로딩을 위해 상기 리프트핀이 하강될 때, 상기 제2 핀이 상기 지지면으로부터 돌출되는 위치에서 상기 리프트핀의 하강이 멈추도록 형성되는 가이드홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 지지유닛.When the lift pin is lowered for loading the substrate, the support unit is characterized in that the guide groove is formed so that the lowering of the lift pin stops at the position where the second pin protrudes from the support surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 핀은,The second pin, 기판의 측면과 대향되는 측부지지면 및 상기 측부지지면의 상단으로부터 상방향으로 갈수록 상기 기판의 중심으로부터 멀어지도록 경사지는 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 지지유닛.And a side surface facing the side of the substrate and an inclined surface inclined away from the center of the substrate toward an upward direction from an upper end of the side surface. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제1 핀은,The first pin, 상기 제2 핀으로부터 기판의 중심을 향하는 방향으로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 지지유닛.The support unit, characterized in that spaced apart from the second pin in the direction toward the center of the substrate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 연결부의 상부면은,The upper surface of the connection portion, 상기 제1 핀의 상부면과 동일한 높이로 제공되는 것을 특징으로 하는 지지유닛.And a support unit provided at the same height as the upper surface of the first pin. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 핀은,The second pin, 상기 제1 핀의 상부면으로부터 상방향으로 돌출되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 지지유닛.And a support unit arranged to protrude upward from an upper surface of the first pin. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 기판의 측면 지지는,Side support of the substrate, 상기 제2 핀들에 의해서만 이루어지는 것을 특징으로 하는 지지유닛.The support unit, characterized in that only made by the second pins. 반도체 베이크 공정을 수행하는 장치에 있어서,In the apparatus for performing a semiconductor baking process, 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 챔버와,A chamber for performing a process of treating a substrate therein; 공정시 상기 챔버 내부에서 기판을 지지하는, 그리고 기판을 냉각 또는 가열하는 적어도 하나의 플레이트를 가지는 지지유닛을 포함하되,A support unit having at least one plate for supporting a substrate in the chamber during the process and for cooling or heating the substrate, 상기 지지유닛은,The support unit, 상기 플레이트에 형성된 홀을 통해 상하 방향으로 이동하도록 설치되는 리프트핀들과,Lift pins are installed to move in the vertical direction through the hole formed in the plate, 상기 리프트핀들을 상하방향으로 구동시키는 구동실린더를 포함하고,A driving cylinder for driving the lift pins in a vertical direction; 상기 리프트핀은,The lift pin, 상기 구동실린더에 의해 승강되는, 그리고 기판의 하부면을 지지하는 제1 핀과,A first pin lifted by the drive cylinder and supporting a lower surface of the substrate; 상기 제1 핀과 함께 승강되도록 제공되는, 그리고 상기 지지면에 놓여진 기판의 측면을 지지하는 제2 핀을 가지는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And a second pin provided to be lifted with the first pin and supporting a side of the substrate placed on the support surface. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 플레이트에는,In the plate, 기판의 로딩을 위해 상기 리프트핀이 하강될 때, 상기 제2 핀이 상기 지지면 으로부터 돌출되는 위치에서 상기 리프트핀의 하강이 멈추도록 형성되는 가이드홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.When the lift pin is lowered for loading the substrate, the baking device characterized in that the guide groove is formed to stop the falling of the lift pin in the position where the second pin protrudes from the support surface. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제2 핀은,The second pin, 기판의 측면과 대향되는 측부지지면 및 상기 측부지지면의 상단으로부터 상방향으로 갈수록 상기 기판의 중심으로부터 멀어지도록 경사지는 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.And a side surface facing the side of the substrate and an inclined surface inclined away from the center of the substrate toward an upward direction from an upper end of the side surface. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1 핀은,The first pin, 상기 제2 핀으로부터 기판의 중심을 향하는 방향으로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.Baking apparatus, characterized in that spaced apart from the second pin in the direction toward the center of the substrate. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 연결부의 상부면은,The upper surface of the connection portion, 상기 제1 핀의 상부면과 동일한 높이로 제공되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.A baking device, characterized in that provided at the same height as the upper surface of the first pin. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제2 핀은,The second pin, 상기 제1 핀의 상부면으로부터 상방향으로 돌출되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The baking device, characterized in that arranged to protrude upward from the upper surface of the first pin. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 8 to 13, 상기 기판의 측면 지지는,Side support of the substrate, 상기 제2 핀들에 의해서만 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.A baking device, characterized in that only made by the second pins. 상하방향으로 이동되는 리프트핀을 사용하여 기판을 플레이트에 로딩시키고, 상기 리프트핀을 사용하여 상기 기판이 상기 플레이트로부터 측방향으로 이탈되지 않도록 상기 기판의 측면을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method comprising loading a substrate to a plate by using a lift pin moved in an up and down direction, and supporting the side of the substrate so that the substrate does not deviate laterally from the plate using the lift pin. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 리프트핀은,The lift pin, 상기 기판의 하부면을 지지하는 제1 핀과,A first pin supporting a lower surface of the substrate; 상기 제1 핀보다 높은 위치에 배치되어 상기 기판의 측면을 지지하는 제2 핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a second pin disposed at a position higher than the first pin and supporting a side surface of the substrate. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 제2 핀의 일부는,A part of the second pin, 기판이 상기 플레이트 상에 로딩되었을 때, 상기 플레이트로부터 돌출되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a substrate is provided to protrude from the plate when the substrate is loaded on the plate. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 15 to 17, 상기 기판의 측면 지지는,Side support of the substrate, 상기 제2 핀들에 의해서만 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the second fins only.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530024B1 (en) * 2013-12-20 2015-06-22 주식회사 유진테크 Substrate processing module, substrate processing apparatus and substrate transfering method including the same
KR20210077089A (en) * 2019-12-16 2021-06-25 에이피시스템 주식회사 Loadlock apparatus and method for aligning a substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313329A (en) * 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc Wafer support device in semiconductor manufacturing apparatus
KR20060032088A (en) * 2004-10-11 2006-04-14 삼성전자주식회사 Wafer lift unit of semiconductor manufacturing apparatus
KR20070033570A (en) * 2005-09-21 2007-03-27 삼성전자주식회사 Lifting unit of semiconductor manufacturing equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101530024B1 (en) * 2013-12-20 2015-06-22 주식회사 유진테크 Substrate processing module, substrate processing apparatus and substrate transfering method including the same
US20150179489A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate Processing Module, Substrate Processing Apparatus Including the same, and Substrate Transferring Method
KR20210077089A (en) * 2019-12-16 2021-06-25 에이피시스템 주식회사 Loadlock apparatus and method for aligning a substrate

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