JP2014202867A - パターン照射装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】SLMから生じる0次光を小さな遮断領域で適切に遮断して所望の照射パターンを標本面に形成するパターン照射装置を提供することを課題とする。【解決手段】パターン照射装置100は、光源ユニット10と、光源ユニット10から出射された光を標本面SPに照射する対物レンズ50と、対物レンズ50の瞳位置と共役な位置に配置されて光源ユニット10から出射された光の位相を変調する位相変調型のSLM20と、SLM20と対物レンズ50の間の光路上に配置されてSLM20から生じる0次光を遮断する遮断手段である0次光カットフィルタ41と、SLM20から生じる0次光の集光位置と0次光カットフィルタ41の遮断領域41bの位置を一致させる制御装置70を備える。【選択図】図2

Description

本発明は、パターン照射装置に関し、特に、位相変調型空間変調器を備えたパターン照射装置に関する。
従来から、LCOS(Liquid crystal on silicon、LCOSは商標)などの位相変調型の空間光変調器(SLM:Spatial Light Modulator)を用いて任意の光のパターンを標本面上に形成するパターン照射装置が知られている。
位相変調型のSLMを用いたパターン照射装置では、対物レンズの瞳共役位置に配置されたSLMが光源からの光の位相を変調することで、SLMから生じる回折光によって標本面上に任意の空間強度分布を有する光のパターン(以降、照射パターンと記す)が形成される。
ただし、回折効率の関係で、入射した光のすべてが回折光としてSLMから出射されるわけではなく、SLMで回折されない0次光も回折光とともに出射される。このため、標本面SP上には、図1Aに示すように、回折光による照射パターンP1に加えて、光軸上に集光する0次光によるスポットP2が形成されてしまう。
そこで、例えば、特許文献1に開示される装置は、このような0次光の影響を排除するために試料の直前の光軸上に0次光をカットするための0次光遮蔽板を設けている。0次光の集光位置近傍に0次光遮蔽板1を配置して0次光を遮蔽することで、図1Bに示すように、所望の照射パターンP1のみを標本面SP上に形成することができる。
特開2001−272636号公報
しかしながら、実際のパターン照射装置では、光源の個体差、光源波長の切り替え、及び光束径の変更などによってSLMに入射する光の状態が変化するため、それに伴って0次光の集光位置も変化する。
このため、0次光の一部または全部が0次光遮蔽板の位置からずれた位置を通過して標本面に照射されてしまうという事態が生じ得る。これを防止するためには、集光位置の移動を考慮して予め比較的大きな0次光遮蔽板2を0次光の集光位置近傍に配置するという対処が考えられる。しかしながら、0次光遮蔽板2が配置された領域は0次光だけではなく回折光も通過することができないため、このような対処では、パターンを形成することができる標本面上の領域を狭めてしまうことになる。このため、場合によっては図1Cに示すように、照射パターンの一部が0次光遮蔽板2によって遮られてしまう。
以上のような実情を踏まえ、本発明は、SLMから生じる0次光を小さな遮断領域で適切に遮断して所望の照射パターンを標本面に形成するパターン照射装置を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様は、光源ユニットと、前記光源ユニットから出射された光を標本面に照射する対物レンズと、前記対物レンズの瞳位置と共役な位置に配置されて、前記光源ユニットから出射された光の位相を変調する位相変調型の空間光変調器と、前記空間光変調器と前記対物レンズの間の光路上に配置されて、前記空間光変調器から生じる0次光を遮断する遮断手段と、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させる制御装置と、を備えるパターン照射装置を提供する。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載のパターン照射装置において、前記制御装置は、前記光源ユニットから出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも一つが変化するように、前記光源ユニットを制御するパターン照射装置を提供する。
本発明の第3の態様は、第1の態様または第2の態様に記載のパターン照射装置において、さらに、前記遮断手段の位置を移動させる位置調整機構を備え、前記制御装置は、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置が一致するように、前記位置調整機構を制御するパターン照射装置を提供する。
本発明の第4の態様は、第1の態様乃至第3の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、前記制御装置は、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置が一致するように、前記空間光変調器の位相変調パターンを制御するパターン照射装置を提供する。
本発明の第5の態様は、第4の態様に記載のパターン照射装置において、前記制御装置は、前記空間光変調器の位相変調パターンを、前記標本面上に形成すべき照射パターンから算出される位相変調パターンと、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置を移動させるための位相変調パターンとを足し合わせた位相変調パターンに制御するパターン照射装置を提供する。
本発明の第6の態様は、第1の態様乃至第5の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、さらに、前記光源ユニットから出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも1つが異なる前記光源ユニットの状態毎に、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させるための情報を予め格納する記憶部を備え、前記制御装置は、前記記憶部から前記光源ユニットの状態に応じた情報を読み出して、読み出した情報に基づいて、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させるパターン照射装置を提供する。
本発明の第7の態様は、第1の態様乃至第6の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、前記光源ユニットは、前記光源ユニットから出射される光の光束径を変更するためのレンズ系を備え、前記制御装置は、前記対物レンズの瞳径に応じた光束径を有する光が前記光源ユニットから出射されるように、前記レンズ系を制御するパターン照射装置を提供する。
本発明の第8の態様は、第1の態様乃至第7の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、前記光源ユニットは、波長可変レーザを備えるパターン照射装置を提供する。
本発明の第9の態様は、第1の態様乃至第8の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、前記光源ユニットは、複数の光源と、前記複数の光源から選択された光源からの光を、前記光源ユニットから出射して前記空間光変調器へ導くための光路切り替え手段と、を備えるパターン照射装置を提供する。
本発明の第10の態様は、第1の態様乃至第9の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、前記遮断手段を前記空間光変調器と前記対物レンズの間の光路に対して挿脱する挿脱機構と、前記標本面からの光を検出する光検出器と、を備えるパターン照射装置を提供する。
本発明の第11の態様は、第10の態様に記載のパターン照射装置において、前記制御装置は、前記挿脱機構により前記遮断手段が挿入された状態で前記光検出器により検出される光量と前記挿脱機構により前記遮断手段が取り除かれた状態で前記光検出器により検出される光量とを比較して、比較結果に基づいて前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させるパターン照射装置を提供する。
本発明の第12の態様は、第1の態様乃至第11の態様のいずれか1つに記載のパターン照射装置において、前記パターン照射装置は顕微鏡装置であるパターン照射装置を提供する。
本発明によれば、SLMから生じる0次光を小さな遮断領域で適切に遮断して所望の照射パターンを標本面に形成するパターン照射装置を提供することができる。
標本面上に形成される回折光による照射パターンと0次光によるスポットの一例を示した図である。 0次光遮蔽板が配置された標本面上に形成される回折光による照射パターンの一例を示した図である。 図1Bとは大きさの異なる0次光遮蔽板が配置された標本面上に形成される回折光による照射パターンの一例を示した図である。 本発明の実施例1に係るパターン照射装置の構成を例示した図である。 図2に示すパターン照射装置に含まれる0次光カットフィルタの構成を例示した図である。 0次光カットフィルタを移動させることにより0次光を遮断する方法を説明する第1の図である。 0次光カットフィルタを移動させることにより0次光を遮断する方法を説明する第2の図である。 0次光カットフィルタを移動させることにより0次光を遮断する方法を説明する第3の図である。 SLMの位相変調パターンを変更することにより0次光を遮断する方法を説明する図である。 本発明の実施例2に係るパターン照射装置の構成を例示した図である。 本発明の実施例3に係るパターン照射装置の構成を例示した図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の各実施例について説明する。
図2は、本実施例に係るパターン照射装置の構成を例示した図である。図2に示されるパターン照射装置100は、標本面SP上に任意のパターンの光を照射するパターン照射機能と、照射パターンの形成に寄与しない0次光を遮断する遮断機能を備えたパターン照射装置である。
パターン照射装置100は、顕微鏡と、顕微鏡を制御する制御装置70と、制御装置70に接続されたモニタ80及び入力装置90と、を備えている。即ち、パターン照射装置100は、顕微鏡を備えた顕微鏡装置である。
パターン照射装置100を構成する顕微鏡は、光源ユニット10と、光源ユニット10から出射された光を標本面SPに照射する対物レンズ50と、光源ユニット10から出射された光の位相を変調する位相変調型のSLM20と、SLM20を対物レンズ50の瞳位置に投影するための光学系(ミラー31、フーリエ変換レンズ32、レンズ33、ハーフミラー34)と、標本面SPを観察するための観察系60と、を備えている。
光源ユニット10は、可干渉性を有する光を出射する光源11と、レンズ12aとレンズ12bの間の距離を変更することにより光源ユニット10から出射される光の光束径を変更するビームエクスパンダ12と、を有している。なお、光源11は、例えば、赤外線領域の超短パルスレーザ光を出射する赤外パルスレーザである。
SLM20は、対物レンズ50の瞳位置と光学的に共役な位置に配置されている。SLM20は、各々が独立して制御される二次元に配置された複数のピクセル素子を備えていて、SLM20に入射したレーザ光は入射したピクセル素子でその位相が変調される。顕微鏡では、SLM20で光源ユニット10から出射された光の位相が変調されることで、標本面SPに任意のレーザ光のパターンが形成される。なお、SLM20は、例えば、反射型のSLMであるLCOSである。
SLM20を対物レンズ50の瞳位置に投影するための光学系は、ミラー31と、ミラー31で反射した光を集光して光源11の一次像を形成するフーリエ変換レンズ32と、レンズ33と、SLM20で位相が変調された光を対物レンズ50へ向けて反射するハーフミラー34と、を備えている。
観察系60は、ハーフミラー34を透過して入射する標本面SPからの光をカメラ62に結像させる結像レンズ61と、カメラ62と、を備えている。カメラ62は、例えば、標本面SPからの光を検出するCCDイメージセンサなどの光検出器を備えていて、光検出器からの信号に基づいて標本面SPの画像を生成して制御装置70に送信する。
顕微鏡は、さらに、SLM20から生じる0次光を遮断する遮断手段である0次光カットフィルタ41と、0次光カットフィルタ41の位置を移動させる位置調整機構42と、0次光カットフィルタ41をSLM20と対物レンズ50の間の光路に対して挿脱する挿脱機構43と、を備えている。
0次光カットフィルタ41は、SLM20と対物レンズ50の間の光路上に配置されている。0次光カットフィルタ41は、図3に示すように、光を透過させる透過領域41aと光を遮断する遮断領域41bを有していて、例えば、ガラス基板の中心部に金属ミラーを蒸着させることによって作成される。
位置調整機構42は、0次光カットフィルタ41を光軸方向に沿って移動させる機構であり、例えば、ラックアンドピニオン機構である。なお、位置調整機構42は、光軸方向に加えて、光軸と直交する方向にも0次光カットフィルタ41を移動させるように構成されてもよい。
制御装置70は、ハードディスクやメモリなどからなる記憶部71を備えていて、顕微鏡の構成要素のうちの少なくとも、光源ユニット10、SLM20、位置調整機構42、及び、カメラ62に接続されている。制御装置70は、これらの構成要素を制御するとともに、これらの構成要素からの信号を受信し処理するように構成されている。制御装置70は、例えば、パーソナルコンピュータなどである。
記憶部71には、光源ユニット10から出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも1つが異なる状態(以降、光源ユニット10の状態と記す)毎に、SLM20から生じる0次光の集光位置と0次光カットフィルタ41の遮断領域41bの位置を一致させるための情報(以降、一致制御情報と記す。)が予め格納されている。なお、記憶部71に光源ユニット10の状態毎の一致制御情報を準備する方法について後述する。
以上のように構成されたパターン照射装置100では、制御装置70が光源ユニット10を制御することで、光源11から出射された光の光束径がビームエクスパンダ12で対物レンズ50の瞳径に応じた光束径に調整され、光束径が調整された光がSLM20に入射する。そして、制御装置70が標本面SP上に形成すべき照射パターンから算出される位相変調パターンにSLM20の位相変調パターンを制御することで、SLM20に入射した光の位相が変調されて、SLM20からの光のフーリエ変換がフーリエ変換レンズ32によって形成される集光面に投影される。これにより、集光面上に回折光による照射パターンが形成される。この際、集光面には0次光によるスポットも形成される。
さらに、制御装置70が記憶部71に格納されている光源ユニット10の状態に応じた一致制御情報を読み出して、読み出した一致制御情報に基づいてSLM20から生じる0次光の集光位置と0次光カットフィルタ41の遮断領域41bの位置が一致するように位置調整機構42を制御する。
ここで、制御装置70が光源ユニット10の状態に応じた一致制御情報に基づいて制御を行うのは、光源ユニット10から出射される光の光束径を対物レンズ50の瞳径に応じて調整すると、光束径とともに波面の曲率半径も変化し、その結果、集光位置が移動することがあるからである。つまり、図4Aに示すように、光束径を変更する前の集光位置が遮断領域41bの位置に一致している場合であっても、光束径を変更した結果、図4Bに示すように、光束径を変更した後の集光位置が遮断領域41bの位置からずれてしまうことがあるからである。
制御装置70が光源ユニット10の状態に応じた一致制御情報に基づいて位置調整機構42を制御することで、図4Cに示すように光源ユニット10の状態によらず集光位置と遮断領域41bが一致することになる。これにより、集光面上で0次光カットフィルタ41により0次光が遮断され、回折光のみが0次光カットフィルタ41を透過する。このため、標本面SP上に回折光による照射パターンが形成される。
このように、パターン照射装置100では、制御装置70が光源ユニット10を制御して、光源ユニット10から出射された光の光束径を変化させることができる。このため、対物レンズ50の瞳径にあわせて光束径を調整することで、対物レンズ50に入射することができずに無駄になってしまう光の量を減らして光を効率的に利用しつつ、対物レンズ50の性能(NA)を十分に発揮させることができる。このため、標本面を明るく照明することができる。
また、パターン照射装置100では、制御装置70が0次光の集光位置と遮断領域41bの位置を一致させることで、SLM20から生じる0次光を小さな遮断領域41bで適切に遮断して所望の照射パターンを標本面SPに形成することができる。このため、パターンを形成することができる標本面SP上の領域の制約を最小限に抑えることができる。特に、制御装置70が光源ユニット10の状態に応じた一致制御情報に基づいて0次光の集光位置と遮断領域41bの位置を一致させることで、光源ユニット10の状態変化に伴って0次光の集光位置が移動してしまう場合であっても、0次光を適切に遮断して所望の照射パターンを標本面SPに形成することができる。
なお、制御装置70がビームエクスパンダ12を制御することにより光源ユニット10から出射される光の光束径を変化させる例を示したが、制御装置70は、その他の方法によって光源ユニット10の状態を変化させてもよい。制御装置70は、0次光の集光位置を移動させることになる光源ユニット10から出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも一つが変化するように、光源ユニット10を制御してもよい。
また、制御装置70が位置調整機構42を制御することにより集光位置と遮断領域41bの位置を一致させる例を示したが、制御装置70は、他の方法によって集光位置と遮断領域41bの位置を一致させてもよい。例えば、制御装置70が位置調整機構42の代わりにSLM20の位相変調パターンを、SLM20から生じる0次光の集光位置と遮断領域41bの位置が一致するように制御してもよい。
SLM20は、パターン形成のための位相変調(以降、ホログラム変調)だけではなく、照射パターンの形状を変化させることなく光軸方向に照射パターンの位置を移動させる位相変調(以降、フレネル変調)を行うことも可能である。フレネル変調は、回折光だけではなく0次光にも作用し、例えば、図5に示すように、SLM20から出射される光の波面を制御して、収斂光束としてSLM20に入射した光を平行光束に変換して出射することができる。このため、ホログラム変調とフレネル変調を組み合わせることにより、遮断領域41bを移動させることなく0次光の集光位置と遮断領域41bの位置を一致させ、且つ、標本面SP上に所望の照射パターンを形成することができる。
従って、制御装置70が、SLM20の位相変調パターンを、標本面SP上に形成すべき照射パターンから算出される位相変調パターン(以降、ホログラムパターンと記す。)に制御するのではなく、そのホログラムパターンとSLM20から生じる0次光の集光位置を遮断領域41bの位置に移動させるための位相変調パターン(以降、フレネルパターン)とを足し合わせた位相変調パターンに制御してもよい。
SLM20がフレネル変調を行う場合には、パターン照射装置100は位置調整機構42を備える必要がないため、既存のパターン照射装置の構成をそのまま使用することが可能となる。従って、位置調整機構42を設けて制御する場合に比べて、既存のパターン照射装置への適用が容易となる。なお、位置調整機構42を制御する方法とSLM20を制御する方法は、0次光の遮断性能と装置構成のどちらを重視するかによって選択されてもよい。
次に、光源ユニット10の状態毎の一致制御情報を準備する方法について説明する。
まず、最初に標本面SP上にミラー標本MSを配置し、挿脱機構43により0次光カットフィルタ41を光路外に取り除く。そして、カメラ62で生成された画像によりミラー標本MSを観察して、ミラー標本MSにピントを合わせる。このとき、SLM20では変調を行わず、SLM20を単なるミラーとして機能させる。
その後、挿脱機構43により0次光カットフィルタ41を光路に挿入する。そして、位置調整機構42により0次光カットフィルタ41を移動しながら、0次光の集光位置と遮断領域41bの位置が一致する位置調整機構42の位置(以降、位置調整機構42の最適位置と記す)を探す。位置調整機構42の最適位置は、0次光カットフィルタ41の挿入前後に検出される光量を比較することで、0次光カットフィルタ41の挿入前後での光量差が最大となる位置として検出される。
位置調整機構42の最適位置が見つかると、位置調整機構42の最適位置に関する情報と光源ユニット10の状態に関する情報とを一致制御情報として記憶部71に格納する。さらに、この作業を光源ユニット10の状態毎に行うことで、光源ユニット10の状態毎の一致制御情報を記憶部71に格納することができる。位置調整機構42の最適位置を特定する作業は、例えば、パターン照射装置100の製品出荷前などに人手で行われてもよく、また、専用のプログラムに従って制御装置70により行われてもよい。
なお、SLM20を単なるミラーとして機能させる代わりにSLM20でホログラム変調を行いながら、位置調整機構42の最適位置を探しても良い。この場合、0次光が検出される画像の中心部分の光量の変化を比較することで、位置調整機構42の最適位置を特定することができる。また、観察される照射パターンと所望の照射パターンとを比較することで、遮断領域41bが0次光に加えて回折光も遮ってしまっていないかどうかを確認することができる。
また、制御装置70がSLM20を制御することにより0次光の集光位置と遮断領域41bの位置を一致させる場合の一致制御情報を準備する手順もほとんど同じである。ただし、位置調整機構42により0次光カットフィルタ41を移動させる代わりにSLM20によるフレネル変調を調整する点、及び、位置調整機構42の最適位置に関する情報の代わりにSLM20のフレネル変調に関する情報を記憶部71に格納する点が異なる。
図6は、本実施例に係るパターン照射装置の構成を例示した図である。図6に示すパターン照射装置101は、光源ユニット10の代わりに光源ユニット10aを備える点が、実施例1に係るパターン照射装置100と異なっている。パターン照射装置101のその他の構成は、パターン照射装置100と同様である。
光源ユニット10aは、可干渉性を有する光を出射する複数の光源(光源11a、光源11b)と、複数の光源が共有する光路上に配置されたビームエクスパンダ12と、複数のミラー(ミラー13、ミラー14)を備える。
光源11aは、例えば、赤外線領域の超短パルスレーザ光を出射する赤外パルスレーザである。一方、光源11bは、例えば、波長可変レーザである。ビームエクスパンダ12は、レンズ12aとレンズ12bの間の距離を変更することにより光源ユニット10aから出射される光の光束径を変更する。
ミラー13が光源ユニット10a内で固定されているのに対して、ミラー14は光源ユニット10a内で移動可能に配置されている。ミラー14は、光源11aと光源11bから選択された光源からの光を、光源ユニット10aから出射してSLM20へ導くための光路切り替え手段として機能する。
パターン照射装置101では、制御装置70がビームエクスパンダ12に加えて光路切り替え手段としてのミラー14や波長可変レーザである光源11bを制御する。このため、0次光の集光位置を移動させる要因である光源ユニット10aから出射される光の波面の変化は、光束径の変更だけではなく、波長の変更や個体差のある光源の切り替えによっても生じる。従って、パターン照射装置101では、記憶部71に、光源ユニット10aから出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも1つが異なる光源ユニット10aの状態毎に一致制御情報を予め格納する。
以上のように構成されたパターン照射装置101によっても、実施例1に係るパターン照射装置100と同様に、SLM20から生じる0次光を小さな遮断領域41bで適切に遮断して所望の照射パターンを標本面SPに形成することができる。また、パターン照射装置101によれば、標本面SPに照射する光の波長や使用する光源を切り替えることができるため、試料に適した光でパターン照射を行うことができる。
図7は、本実施例に係るパターン照射装置の構成を例示した図である。図7に示すパターン照射装置102は、レーザ加工装置である。パターン照射装置102は、挿脱機構43を備えない点、ハーフミラー34の代わりにミラー35を備える点、観察系60の代わりに光パワーメータ110及びモニタ120を備える点が、実施例1に係るパターン照射装置100と異なっている。パターン照射装置102のその他の構成は、パターン照射装置100と同様である。
パターン照射装置102は、観察系60を備えていないため、パターン照射装置100とは異なる手順により光源ユニット10の状態毎の一致制御情報を準備する。
具体的には、まず、最初に標本面SP上に光パワーメータ110を配置し、対物レンズ50から標本面SPに出射される光のパワーを測定してその結果をモニタ120で確認する。このとき、SLM20では変調を行わず、SLM20を単なるミラーとして機能させる。または、フレネル変調のみを行う。
その後、位置調整機構42により0次光カットフィルタ41を移動しながら、または、SLM20によるフレネル変調を調整しながら、0次光の集光位置と遮断領域41bの位置を一致させる。0次光の集光位置と遮断領域41bの位置が一致したか否かは、光パワーメータ110で計測される光のパワーが十分に小さくなっているか否かによって判断する。
そして、0次光の集光位置と遮断領域41bの位置が一致したときの位置調整機構42の位置に関する情報またはSLM20のフレネル変調に関する情報と光源ユニット10の状態に関する情報とを一致制御情報として記憶部71に格納する。さらに、この作業を光源ユニット10の状態毎に行うことで、光源ユニット10の状態毎の一致制御情報を記憶部71に格納することができる。
以上のように構成されたパターン照射装置102によっても、実施例1に係るパターン照射装置100と同様に、SLM20から生じる0次光を小さな遮断領域41bで適切に遮断して所望の照射パターンを標本面SPに形成することができる。また、パターン照射装置102によれば、パターン照射装置100に比べて装置構成を簡素化することができる。
なお、パターン照射装置102は、観察系60を追加し、且つ、ミラー35とハーフミラー34を交換することができるように構成されてもよい。その上で、調整時とパターン照射時でこれらの構成を使い分けても良い。これにより、パターン照射時には簡素な構成でありながら、調整時には画像を見ながら容易に事前調整を行うことができる。
上述した実施例は、発明の理解を容易にするために本発明の具体例を示したものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。本発明のパターン照射装置は、特許請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、さまざまな変形、変更が可能である。
例えば、対物レンズ50の瞳共役位置に配置されたSLM20は、反射型のLCOSである場合を例に説明したが、SLM20は反射型のSLMに限られず、透過型のSLMであってもよい。
また、光源ユニットの状態によって0次光の集光位置が光軸方向に移動する場合を例に、0次光の集光位置と遮断領域41bの位置とを一致させる制御を説明したが、光源ユニットの状態によって0次光の集光位置が光軸と直交する方向に移動してもよい。この場合、制御装置70は、位置調整機構42を光軸と直交する方向に移動させることにより、または、照射パターンの形状を変化させることなく光軸と直交する方向に照射パターンの位置を移動させる位相変調(以降、チルト変調)をSLM20で行うことにより、0次光の集光位置と遮断領域41bの位置とを一致させることができる。
また、位置調整機構42の制御とSLM20の制御とを併用してもよい。例えば、光源ユニットの状態によって0次光の集光位置が光軸方向と光軸方向に直交する方向の両方に移動する場合には、0次光の遮断に特に効果的な光軸方向の調整については位置調整機構42の制御によって行い、光軸と直交する方向への微調整についてはSLM20の制御(チルト変調)によって行っても良い。このような制御であれば、主に微調整に使用される光軸と直交する方向の調整のために装置構成が複雑化することを防止することができる。
1、2 0次光遮蔽板
10、10a 光源ユニット
11、11a、11b 光源
12 ビームエクスパンダ
12a、12b、33 レンズ
13、14、31、35 ミラー
20 SLM
32 フーリエ変換レンズ
34 ハーフミラー
41 0次光カットフィルタ
41a 透過領域
41b 遮断領域
42 位置調整機構
43 挿脱機構
50 対物レンズ
60 観察系
61 結像レンズ
62 カメラ
70 制御装置
71 記憶部
80 モニタ
90 入力装置
100、101、102 パターン照射装置
110 光パワーメータ
120 モニタ
P1、P2 照射パターン
SP 標本面
MS ミラー標本

Claims (12)

  1. 光源ユニットと、
    前記光源ユニットから出射された光を標本面に照射する対物レンズと、
    前記対物レンズの瞳位置と共役な位置に配置されて、前記光源ユニットから出射された光の位相を変調する位相変調型の空間光変調器と、
    前記空間光変調器と前記対物レンズの間の光路上に配置されて、前記空間光変調器から生じる0次光を遮断する遮断手段と、
    前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させる制御装置と、を備える
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  2. 請求項1に記載のパターン照射装置において、
    前記制御装置は、前記光源ユニットから出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも一つが変化するように、前記光源ユニットを制御する
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載のパターン照射装置において、さらに、
    前記遮断手段の位置を移動させる位置調整機構を備え、
    前記制御装置は、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置が一致するように、前記位置調整機構を制御する
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、
    前記制御装置は、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置が一致するように、前記空間光変調器の位相変調パターンを制御する
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  5. 請求項4に記載のパターン照射装置において、
    前記制御装置は、前記空間光変調器の位相変調パターンを、前記標本面上に形成すべき照射パターンから算出される位相変調パターンと、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置を移動させるための位相変調パターンとを足し合わせた位相変調パターンに制御する
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、さらに、
    前記光源ユニットから出射された光の波長、波面、または光束径の少なくとも1つが異なる前記光源ユニットの状態毎に、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させるための情報を予め格納する記憶部を備え、
    前記制御装置は、前記記憶部から前記光源ユニットの状態に応じた情報を読み出して、読み出した情報に基づいて、前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させる
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、
    前記光源ユニットは、前記光源ユニットから出射される光の光束径を変更するためのレンズ系を備え、
    前記制御装置は、前記対物レンズの瞳径に応じた光束径を有する光が前記光源ユニットから出射されるように、前記レンズ系を制御する
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、
    前記光源ユニットは、波長可変レーザを備える
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、
    前記光源ユニットは、
    複数の光源と、
    前記複数の光源から選択された光源からの光を、前記光源ユニットから出射して前記空間光変調器へ導くための光路切り替え手段と、を備える
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  10. 請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、
    前記遮断手段を前記空間光変調器と前記対物レンズの間の光路に対して挿脱する挿脱機構と、
    前記標本面からの光を検出する光検出器と、を備える
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  11. 請求項10に記載のパターン照射装置において、
    前記制御装置は、前記挿脱機構により前記遮断手段が挿入された状態で前記光検出器により検出される光量と前記挿脱機構により前記遮断手段が取り除かれた状態で前記光検出器により検出される光量とを比較して、比較結果に基づいて前記空間光変調器から生じる0次光の集光位置と前記遮断手段の位置を一致させる
    ことを特徴とするパターン照射装置。
  12. 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のパターン照射装置において、
    前記パターン照射装置は顕微鏡装置である
    ことを特徴とするパターン照射装置。
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