JP2014192090A - 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム - Google Patents

集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2014192090A
JP2014192090A JP2013068169A JP2013068169A JP2014192090A JP 2014192090 A JP2014192090 A JP 2014192090A JP 2013068169 A JP2013068169 A JP 2013068169A JP 2013068169 A JP2013068169 A JP 2013068169A JP 2014192090 A JP2014192090 A JP 2014192090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
sample
focused ion
ion
charged particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013068169A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6250294B2 (ja
Inventor
Atsushi Uemoto
敦 上本
Kin Mitsu
欣 満
Tatsuya Asahata
達也 麻畑
Original Assignee
Hitachi High-Tech Science Corp
株式会社日立ハイテクサイエンス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High-Tech Science Corp, 株式会社日立ハイテクサイエンス filed Critical Hitachi High-Tech Science Corp
Priority to JP2013068169A priority Critical patent/JP6250294B2/ja
Publication of JP2014192090A publication Critical patent/JP2014192090A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6250294B2 publication Critical patent/JP6250294B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2255Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222Image processing arrangements associated with the tube
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/045Investigating materials by wave or particle radiation combination of at least 2 measurements (transmission and scatter)
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22Treatment of data
    • H01J2237/226Image reconstruction
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24571Measurements of non-electric or non-magnetic variables
    • H01J2237/24585Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2803Scanning microscopes characterised by the imaging method
    • H01J2237/2804Scattered primary beam
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2803Scanning microscopes characterised by the imaging method
    • H01J2237/2806Secondary charged particle
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2803Scanning microscopes characterised by the imaging method
    • H01J2237/2807X-rays

Abstract

【課題】試料内部の特定の組成を表す領域を短時間で得ることができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】試料2に第一の断面2s及び複数の第二の断面2c1〜2c4を形成する集束イオンビーム照射機構20と、第一の断面及び第二の断面の反射電子像又は二次電子像を第一の画像Gs、G1〜G4として生成する第一の画像生成手段90Aと、第一の断面及び第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像Hs、H4として生成する第二の画像生成手段90Bと、第一の断面の第一の画像及び第二の画像を取得し、かつ第二の断面の第一の画像を取得した場合において、さらに第二の断面の第一の画像が、第一の断面の第一の画像内の特定の組成を表す領域Nと異なる領域を含む場合に、第二の画像生成手段に第二の断面の前記第二の画像を生成させる制御部90と、を有する集束イオンビーム装置100である。
【選択図】図3

Description

本発明は、集束イオンビームで試料を断面加工して観察する集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラムに関する。
例えば半導体デバイス内部の不良や不純物等を観察するため、集束イオンビーム(FIB)装置により試料をエッチング加工して観察用の断面を得ることが行われている。この手法として、断面加工と観察を繰り返し行う「カット・アンド・シー」と呼ばれる技術が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。カット・アンド・シーは、FIB装置にSEM(走査電子顕微鏡)カラムを搭載したFIB−SEM装置を用い、FIBによる断面加工と、断面のSEM像の取得とを繰り返して実行される。さらに、取得した複数の断面SEM像を組み合わせることにより、試料内部の三次元像を構築することもできる。
ここで、断面SEM像は、SEMカラムから試料断面に荷電粒子ビームを照射して生じる二次電子を検出して生成する。
特開平11−273613号公報 特開平11−273936号公報
ところで、SEMカラムから試料断面に電子ビームを照射すると、上述の二次電子の他に特性X線が発生するが、このX線を検出することで断面の元素分析画像を生成することができる。これをEDS(Energy dispersive X-ray spectrometry:エネルギー分散型X線分析)又はEDXという。従って、上記カット・アンド・シーの手法をEDSに適用することにより、試料内部の三次元元素分布を構築することができる。
しかしながら、EDSは検出に時間がかかるため、すべての断面毎にEDS像を取得すると、検出時間が膨大になるという問題がある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、試料内部の特定の組成を表す領域を短時間で得ることができる集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビーム加工用コンピュータプログラムの提供を目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の集束イオンビーム装置は、試料に集束イオンビームを照射し、第一の断面、及び前記試料を除去加工して得られ前記第一の断面と所定の間隔で略平行な複数の第二の断面を形成する集束イオンビーム照射機構と、荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、前記荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射して生じる反射粒子又は二次電子を検出する第一の検出器と、前記第1検出器の検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面の反射粒子像又は二次電子像を第一の画像として生成する第一の画像生成手段と、前記第一の断面及び前記第二の断面に前記荷電粒子ビームを照射して生じるX線又は二次イオンを検出する第二の検出器と、前記第二の検出器で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像として生成する第二の画像生成手段と、前記第一の断面の前記第一の画像及び前記第二の画像を取得し、かつ前記第二の断面の前記第一の画像を取得した場合において、さらに前記第二の断面の前記第一の画像が、前記第一の断面の前記第一の画像内の特定の組成を表す領域と異なる領域を含む場合に、前記第二の画像生成手段に前記第二の断面の前記第二の画像を生成させる制御部と、を有する。
この集束イオンビーム装置によれば、特定の組成の検出時間を要する第二の検出器を動作させる代わりに、該特定の組成を表す領域を第一の画像で代用して試料断面(内部)の該領域を測定するので、試料内部の特定の組成を表す領域を短時間で得ることができる。
前記制御部は、前記第一の断面の前記第二の画像と、前記第二の断面の前記第一の画像のうち前記特定の組成を表す領域と異なる領域を含まない画像とに基づき、前記特定の組成の三次元分布像を生成してもよい。
この集束イオンビーム装置によれば、試料内部の上記特定の組成の三次元分布像を短時間で得ることができる。
本発明の集束イオンビーム装置を用いた試料の断面観察方法は、試料に集束イオンビームを照射し、第一の断面、及び前記試料を除去加工して得られ前記第一の断面と所定の間隔で略平行な複数の第二の断面を形成する集束イオンビーム照射過程と、荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射する荷電粒子ビーム照射過程と、前記荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射して生じる反射粒子又は二次電子を検出する第一の検出過程と、前記第1検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面の反射粒子像又は二次電子像を第一の画像として生成する第一の画像生成過程と、前記第一の断面及び前記第二の断面に前記荷電粒子ビームを照射して生じるX線又は二次イオンを検出する第二の検出過程と、前記第二の検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像として生成する第二の画像生成過程と、を有する集束イオンビームを用いた試料の断面観察方法であって、前記第二の画像生成過程においては、前記第一の断面の前記第一の画像及び前記第二の画像を取得し、かつ前記第二の断面の前記第一の画像を取得した場合において、さらに前記第二の断面の前記第一の画像が、前記第一の断面の前記第一の画像内の特定の組成を表す領域と異なる領域を含む場合に、前記第二の断面の前記第二の画像を生成する。
本発明の集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラムは、試料に集束イオンビームを照射し、第一の断面、及び前記試料を除去加工して得られ前記第一の断面と所定の間隔で略平行な複数の第二の断面を形成する集束イオンビーム照射過程と、荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射する荷電粒子ビーム照射過程と、前記荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射して生じる反射粒子又は二次電子を検出する第一の検出過程と、前記第1検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面の反射粒子像又は二次電子像を第一の画像として生成する第一の画像生成過程と、前記第一の断面及び前記第二の断面に前記荷電粒子ビームを照射して生じるX線又は二次イオンを検出する第二の検出過程と、前記第二の検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像として生成する第二の画像生成過程と、をコンピュータに実行させる集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラムであって、前記第二の画像生成過程においては、前記第一の断面の前記第一の画像及び前記第二の画像を取得し、かつ前記第二の断面の前記第一の画像を取得した場合において、さらに前記第二の断面の前記第一の画像が、前記第一の断面の前記第一の画像内の特定の組成を表す領域と異なる領域を含む場合に、前記第二の断面の前記第二の画像を生成する。
本発明によれば、集束イオンビーム装置を用い、試料内部の特定の組成を表す領域を短時間で得ることができる。
本発明の実施形態に係る集束イオンビーム装置の全体構成を示すブロック図である。 除去加工を行う方法を示す図である。 第一の断面及び各第二の断面にて反射電子像及びEDS像を生成する手順を示す図である。 特定の組成の三次元分布像を示す図である。 図3(e)の別の画像を示す図である。 実際の半導体デバイス試料の第一の断面における、反射電子像及びEDS像を示す図である。 図6の反射電子像及びEDS像を用いた実際の特定の組成の三次元分布像を示す図である。 図3の処理のフローを示す図である。 図4の処理のフローを示す図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は本発明の実施形態に係る集束イオンビーム装置100の全体構成を示すブロック図である。図1において、集束イオンビーム装置100は、真空室10と、イオンビーム照射系(特許請求の範囲の「集束イオンビーム照射機構」)20と、荷電粒子ビーム照射系(特許請求の範囲の「荷電粒子ビーム鏡筒」)30と、試料ステージ60と、二次荷電粒子検出器70と、反射粒子検出器(特許請求の範囲の「第一の検出器」)72と、EDS(Energy dispersive X-ray spectrometry:エネルギー分散型X線分析)検出器(特許請求の範囲の「第二の検出器」)74と、ガス銃80と、制御部90とを備えている。真空室10の内部は所定の真空度まで減圧され、集束イオンビーム装置100の各構成部分の一部又は全部が真空室10内に配置されている。
なお、以下の例では、荷電粒子ビーム鏡筒として電子ビーム鏡筒30を用い、荷電粒子ビームとして電子ビーム30Aを用いた場合について説明する。
又、試料ステージ60は、試料台61を移動可能に支持し、試料台61上には試料2が載置されている。そして、試料ステージ60は、試料台61を5軸で変位させることができる移動機構を有している。この移動機構は、試料台61を水平面に平行で且つ互いに直交するX軸及びY軸と、X軸及びY軸に直交するZ軸とに沿ってそれぞれ移動させるXYZ移動機構60bと、試料台61をZ軸回りに回転させるローテーション機構60cと、試料台61をX軸(又はY軸)回りに回転させるチルト機構60aとを備えている。試料ステージ60は、試料台61を5軸に変位させることで、試料2をイオンビーム20Aの照射位置に移動させる。
制御部90は、中央演算処理装置としてのCPUと、データやプログラムなどを格納する記憶部(RAMおよびROM)93と、外部機器との間で信号の入出力を行う入力ポートおよび出力ポートとを備えるコンピュータで構成することができる。制御部90は、記憶部93に格納されたプログラムに基づいてCPUが各種演算処理を実行し、集束イオンビーム装置100の各構成部分を制御する。そして、制御部90は、イオンビーム(以下、適宜、集束イオンビームを「イオンビーム」と略記する)照射系20、荷電粒子ビーム照射系30、二次荷電粒子検出器70、反射粒子検出器72、EDS検出器74及び試料ステージ60の制御配線等と電気的に接続されている。
制御部90は、第一の画像生成手段90A、第二の画像生成手段90Bを有する。
また制御部90は、ソフトウェアの指令やオペレータの入力に基づいて試料ステージ60を駆動し、試料2の位置や姿勢を調整して試料2表面へのイオンビーム20Aの照射位置や照射角度を調整できるようになっている。
なお、制御部90には、オペレータの入力指示を取得するキーボード等の入力手段92が接続されている。
制御部90は、試料ステージ60、イオン源21及びイオンビーム照射系光学系12を制御してイオンビーム20Aの照射を制御する。具体的には、制御部90は、イオン源11から出射されるイオンビーム20Aの出力を制御すると共に、偏向器22bを制御して、イオンビーム20Aの照射条件を制御する。又、制御部90は、試料ステージ60を動かしながらイオンビーム20Aを照射して試料2の所定部分を除去加工する。
この除去加工は、例えば図2のように行う。まず、試料2の表面2aに対して垂直にイオンビーム20Aを照射して深さ方向にトレンチ状(溝状)に試料2を除去し、表面から傾斜する斜面2bを形成する。斜面2bから表面2aに向かって垂直に立ち上がる面が試料の第一の断面2sとなる。又、この第一の断面2sに対し、表面2aと斜めの方向から電子ビーム30Aを照射し、その反射電子を反射粒子検出器72で検出すると共に、照射によって生じるX線をEDS検出器74で検出する。
次に、イオンビーム20Aを方向Lに(図2の左から右へ)移動させ、第一の断面2sを含む試料を除去し、第一の断面2sの右側に第一の断面2sと所定の間隔で略平行な第二の断面2c1が表れる。以下、方向Lにイオンビーム20Aを移動する毎に試料が除去され、第二の断面2c1と平行な第二の断面2c2〜2c4が順次形成される。
反射粒子検出器72は、荷電粒子ビーム鏡筒30から試料2の第一の断面2s及び各第二の断面2c1〜2c4(図2参照)に電子ビーム30Aを照射して生じる、反射電子30Rを検出する。
第一の画像生成手段90Aは、反射粒子検出器72の検出したデータに基づき、第一の断面2s及び第二の断面2c1〜2c4の反射電子像(特許請求の範囲の「第一の画像」)を生成する。
なお、荷電粒子ビーム鏡筒30から第一の断面2s及び各第二の断面2c1〜2c4に電子ビーム30Aを照射して生じる二次電子を、二次荷電粒子検出器70で検出して二次電子像を形成し、この二次電子像を第一の画像として用いることもできる。
制御部90は、反射電子像に表れる特定の組成を表す領域に対応するコントラストを初期値として設定する。ここで、反射電子像においては、原子番号が大きいほど、反射電子が多く放出されたことになり、(原子番号×密度)積が大きいほど(重い元素ほど)コントラストが明るくなる(後述の図6参照)。従って、反射電子像のコントラストは、原子番号又は密度を反映した特性(元素の種類、結晶方位等)を表す。反射電子像のコントラストは、像の明るさを段階的に分けて数値化したものである。反射電子像は白黒画像であるから、例えば、白色のグレイスケール値を256、黒色のグレイスケール値を1とするグレイスケール値で規定することができ、各画素が所定のグレイスケール値に対応する。又、誤差等を考慮し、初期値としてのコントラストは、グレイスケール値の1点でなく、ある程度の数値の幅を持つようにするとよい。例えば、初期値を100に設定したとき、初期値は90〜110の幅を持つことができる。
又、コントラストの設定は、第一の断面2sの反射電子像上で、操作者が入力手段92を操作して任意の領域を指定して設定することができる。任意の領域が複数の画素を含む場合、その領域のコントラストの決め方は特に限定されず、例えばそれら画素のグレイスケール値の平均値としてもよく、各画素のグレイスケール値のうち最大値を採用してもよい。又、操作者が領域内の一点(一画素)を選択すると、その周囲の所定領域の複数画素を自動的に取得し、コントラストを設定してもよい。
第一の断面2sの反射電子像上で初期値を設定することができる。この場合は、例えば第一の断面2sの上記特性を表す第二の画像上(後述)で、その特性を示す領域を操作者が確認した後、第一の断面2sの反射電子像上で第二の画像と対応する位置の領域近辺のコントラストを設定する(図3(a)参照)。具体的には、例えば第二の画像上で、半導体デバイス試料の断面に不純物(例えば、マグネシウム)を発見し、反射電子像上でその位置に対応するコントラストを設定する場合が挙げられる。
一方、第一の断面2sの反射電子像を観察せずに、コントラストを初期値として設定してもよい。例えば操作者が入力手段92を操作してグレイスケール値を入力して設定することができる。この場合は、例えば半導体デバイス試料の目的とする不純物(例えば、上述のマグネシウム)が予めわかっていて、その不純物の反射電子像上のコントラストも既知である場合が相当する。かかる場合は、操作者がグレイスケール値を入力する代わりに、所定の画面上で不純物の種類を指定すると、その不純物に対応したグレイスケール値が自動的に指定されるようにすることもできる。
EDS検出器74は、荷電粒子ビーム鏡筒30から試料2の第一の断面2s及び所定の第二の断面2c4(図2参照)に電子ビーム30Aを照射して生じる、特性X線30xを検出する。
第二の画像生成手段90Bは、EDS検出器74の検出したデータに基づき、第一の断面2s及び第二の断面2c4のEDS像(特許請求の範囲の「第二の画像」)を生成する。EDS(又はEDX)像においては、元素の種類によって特性X線のエネルギー(波長)が異なることを利用し、試料中の元素の分布を知ることができる。そして、第一の断面2sのEDS像を観察することで、上述のようにEDS像上の元素(不純物等)を、反射電子像上のコントラストに対応させることができる。
なお、反射電子像及びEDS像は、制御部90に接続された表示装置(ディスプレイ、)91に出力されると共に、画像データ(ビットマップデータ)として記憶部93に記憶される。
制御部90は、EDS検出器74の動作を制御する。EDS検出器74の感度が低いために1つのEDS像を得るのに時間がかかるため、すべての第二の断面2c1〜2c4についてEDS像を取得すると検出時間が膨大になってしまう。そのため、必要なEDS像のみを取得するよう、制御部90がEDS検出器74の動作制御を行う。
イオンビーム照射系20は、イオンを発生させるイオン源21と、イオン源21から流出したイオンを集束イオンビームに成形するとともに走査させるイオン光学系22とを備えている。イオンビーム鏡筒23を備えたイオンビーム照射系20から、真空室10内の試料ステージ60上の試料2に荷電粒子ビームであるイオンビーム20Aが照射される。このとき、試料2からは二次イオンや二次電子等の二次荷電粒子が発生する。この二次荷電粒子を、二次荷電粒子検出器70で検出して試料2の像が取得される。また、イオンビーム照射系20は、イオンビーム20Aの照射量を増すことで、照射範囲の試料2をエッチング加工(除去加工)する。
イオン光学系22は、例えば、イオンビーム20Aを集束するコンデンサーレンズと、イオンビーム20Aを絞り込む絞りと、イオンビーム20Aの光軸を調整するアライナと、イオンビーム20Aを試料に対して集束する対物レンズと、試料上でイオンビーム20Aを走査する偏向器22bとを備えて構成される。
荷電粒子ビーム照射系30は、電子を放出する電子源31と、電子源31から放出された電子をビーム状に成形するとともに走査する電子光学系32とを備えている。荷電粒子ビーム照射系30から射出される電子ビーム30Aを試料2に照射することによって、試料2から発生した反射電子及びX線を、それぞれ反射粒子検出器72及びEDS検出器74で検出し、上述のように試料2の反射電子像やEDS像を取得することができる。
二次荷電粒子検出器70は、試料2へイオンビーム20A又は電子ビーム30Aが照射された際に、試料2から発生する二次荷電粒子(二次電子や二次イオン)を検出する。
ガス銃80は、試料2へエッチングガス等の所定のガスを放出する。ガス銃80からエッチングガスを供給しながら試料2にイオンビーム20Aを照射することで、イオンビーム20Aによる試料のエッチング速度を高めることができる。又、ガス銃80から化合物ガスを供給しながら試料2にイオンビーム20Aを照射することで、イオンビーム20Aの照射領域近傍に局所的なガス成分の析出(デポジション)を行うことができる。
次に、図3〜図9を参照し、本発明の実施形態に係る集束イオンビーム装置100による、反射電子像及びEDS像の生成について説明する。まず、図2に示すようにして試料(半導体デバイス)の第一の断面2sを形成しておく。
図3は、第一の断面2s及び各第二の断面2c1〜2c4にて反射電子像及びEDS像を生成する手順を示す。まず、第一の断面2sにて反射電子像Gs及びEDS像Hsを生成する(図3(a))。そして、上述のように操作者は、EDS像Hs上で、観察対象とする不純物(例えば、マグネシウム)の領域NHを確認する。次に、操作者は、反射電子像Gs上で、EDS像Hsと対応する位置の領域(特許請求の範囲の「特定の組成を表す領域」)Nのコントラストを初期値に設定する。
次に、第二の断面2c1にて反射電子像G1を生成する(図3(b))。反射電子像G1上では、図3(a)で設定した初期値のコントラストを有する領域Nが存在するので、EDS像は生成しない。以下、第二の断面2c2、2c3にて同様に反射電子像G2、G3を生成する(図3(c)、(d))。各反射電子像G2、G3上においても、図3(a)で設定した初期値のコントラストを有する領域Nが存在するので、EDS像は生成しない。
次に、第二の断面2c4にて反射電子像G4を生成する(図3(e))。反射電子像G4上では、図3(a)で設定した初期値のコントラストを有する領域Nが消失する。これは、初期値と異なるコントラスト(特定の組成を表す領域と異なる領域)を有する反射電子像(異種反射電子像)を意味するので、EDS像H4を生成する。EDS像H4上では、不純物(マグネシウム)が存在しないことを確認できる。
次に、図4に示すように、反射電子像G1〜G4及びEDS像Hsに基づき、不純物(マグネシウム)の三次元分布像Dを生成する。具体的には、反射電子像G1〜G4における領域Nを、EDS像上の領域NHとみなし、反射電子像G1〜G4及びEDS像Hsを時系列順に並べ、領域NHの三次元分布像Dを生成する。
このように、試料断面の不純物(マグネシウム)の存在の有無を測定したり、その三次元分布像を生成する際に、必要なEDS像Hsのみを取得すればよいので、すべての第二の断面2c1〜2c4についてEDS像を取得する場合に比べ、検出時間が大幅に減少する。
なお、図4に示す三次元分布像を生成せず、図3(e)で処理を終了した場合でも、どの断面位置(第二の断面2c3)まで不純物(マグネシウム)が存在するかを迅速に知ることができ、すべての第二の断面2c1〜2c4についてEDS像を取得する場合に比べ、検出時間が大幅に減少する。
図5は、図3(e)の別の画像を示す。図5においては、反射電子像G4上で、図3(a)で設定したコントラストを有する領域Nの他に、領域Nと異なるコントラストを有する領域Pが現れた場合を想定している。領域Pは、領域Nとは異なる元素を表しているため、第二の断面2c4にてEDS像H4を生成し、領域Pに対応する領域PHの元素の組成を確認する。
この場合、領域Pのコントラストを初期値として更新し、第二の断面2c4からさらに試料2を除去加工して得られる次に第二の断面以降で、初期値(領域Pのコントラスト)と異なるコントラストを有する反射電子像(異種反射電子像)を見出すまではEDS像を生成しない。
これにより、上記と同様、どの断面位置(第二の断面)まで領域Pの元素が存在するかを迅速に知ることができるし、領域Pの元素の三次元分布像を迅速に生成することができる。
なお、図5において、反射電子像G4上で、領域Nが消失し、代わりに領域Pが現れた場合も、上記と同様とすることができる。
図6は、実際の半導体デバイス試料の第一の断面2sにおける、反射電子像Gsを示す。反射電子像Gs上の領域Nが不純物(マグネシウム)を示す。
図7は、図6の反射電子像、及びこの反射像に対応して取得したEDS像(図示せず)を用いた実際の不純物(マグネシウム)の三次元分布像Dを示す。
次に、図8を参照し、図3の処理のフローについて説明する。まず、制御部90は、第一の断面2sにてEDS検出器74を動作させ、第二の画像生成手段90Bは、EDS検出器74の検出したデータに基づき、EDS像Hsを生成する(ステップS2)。ステップS2の動作は、例えば表示装置91上の作業設定画面で、操作者が本装置の処理を行うソフトウェアを起動させることで行うことができる。
次に、EDS像Hsの不純物(マグネシウム)の領域NHを参照しながら、第一の断面2sの反射電子像Gs上で、操作者が入力手段92を操作して領域Nを指定すると、制御部90は特定の組成を表す領域Nのコントラストを初期値として取得(設定)し、記憶部93に登録する(ステップS4)。
ステップS4に続き、制御部90は図2に示すようにして第二の断面2c1を形成する。そして、第一の画像生成手段90Aは、反射粒子検出器72の検出したデータに基づき、第二の断面2c1の反射電子像G1を生成する(ステップS6)。
次に、制御部90は、反射電子像G1上に初期値と異なるコントラストが存在するか否か(つまり、特許請求の範囲の「特定の組成を表す領域と異なる領域を含む」か否か)を判定する(ステップS8)。ステップS8で「No」であればステップS6へ戻り、次の第二の断面2c2(〜2c3)の形成、及びその第二の断面の反射電子像G2(〜G3)の生成を行う。ステップS8で「Yes」であればステップS10に移行する。以下では、第二の断面2c4の反射電子像G2について、ステップS8で「Yes」になった場合を例とする。
ステップS10で制御部90は、第二の断面2c4にてEDS検出器74を動作させ、第二の画像生成手段90Bは、EDS検出器74の検出したデータに基づき、EDS像H4を生成する。
次に、図9を参照し、図4の処理のフローについて説明する。制御部90は、記憶部93から反射電子像G1〜G3及び第一の断面のEDS像Hsの画像データを取得する(ステップS102)。
次いで、制御部90は、EDS像Hsを生成しなかった第二の断面2c1〜2c3の反射電子像G1〜G3における特定の組成を表す領域Nを、EDS画像の領域NHに変換する(ステップS104)。ステップS104の変換は、例えば領域Nのコントラストを、領域NHが表すコントラストに変換することで行う。
そして、制御部90は、EDS像Hs、及びステップS104で変換後の反射電子像G1〜G3を時系列順(図2参照)に並べ、EDS像上の領域NHの三次元分布像Dを生成する(ステップS106)。
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。
例えば、初期値として設定されるコントラストは、反射電子像の所定の特性に対応するものであれば上記に限定されず、特性としては、特定の元素又は方位が例示される。
又、第二の検出器は上記に限定されず、反射電子像の所定の特性を分析できるものであればよい。
上記特性として元素種を採用する場合、上記したEDS検出器74の代わりに、二次荷電粒子検出器70を用い、試料2へイオンビーム20Aが照射された際に、試料2から発生する二次イオンを検出することもできる。また、反射粒子検出器72を用い、試料2から反射する反射イオンを検出することもできる。但し、この場合、第一の断面及び第二の断面の組成像を生成する際には、図2に示すように、集束イオンビーム照射機構20が相対的に試料2の直上の位置から破線の位置20sになるよう、試料ステージ60を傾ける必要がある。
また、荷電粒子ビーム照射系30の代わりにガス電界電離イオン源を備えた集束イオンビーム照射機構を用いることもできる。ガス電界電離イオン源を用いることでヘリウムや水素など質量の小さいイオン種のイオンビームを小さいビーム径で第一の断面及び第二の断面に照射することができる。従って第一の断面及び第二の断面へのダメージを軽減しつつ高分解能の反射イオン像又は二次電子像(第一の画像)を取得することができる。なお、上記した「ガス電界電離イオン源を備えた集束イオンビーム照射機構」が特許請求の範囲の「荷電粒子ビーム鏡筒」に相当する。又、ガス電界電離イオン源から出射されるイオンビームが特許請求の範囲の「荷電粒子ビーム」に相当する。
2 試料
2s 第一の断面
2c1〜2c4 第二の断面
20 集束イオンビーム照射機構
20A 集束イオンビーム
30 荷電粒子ビーム鏡筒
30A 荷電粒子ビーム
72 第一の検出器
74 第二の検出器(EDS検出器)
90 制御部
90A 第一の画像生成手段
90B 第二の画像生成手段
100 集束イオンビーム装置
D 三次元分布像
Gs、G1〜G4 第一の画像(反射電子像)
G4 異種反射電子像
Hs、H4 第二の画像(EDS像)
N 特定の組成を表す領域

Claims (4)

  1. 試料に集束イオンビームを照射し、第一の断面、及び前記試料を除去加工して得られ前記第一の断面と所定の間隔で略平行な複数の第二の断面を形成する集束イオンビーム照射機構と、
    荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射する荷電粒子ビーム鏡筒と、
    前記荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射して生じる反射粒子又は二次電子を検出する第一の検出器と、
    前記第1検出器の検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面の反射粒子像又は二次電子像を第一の画像として生成する第一の画像生成手段と、
    前記第一の断面及び前記第二の断面に前記荷電粒子ビームを照射して生じるX線又は二次イオンを検出する第二の検出器と、
    前記第二の検出器で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像として生成する第二の画像生成手段と、
    前記第一の断面の前記第一の画像及び前記第二の画像を取得し、かつ前記第二の断面の前記第一の画像を取得した場合において、さらに前記第二の断面の前記第一の画像が、前記第一の断面の前記第一の画像内の特定の組成を表す領域と異なる領域を含む場合に、前記第二の画像生成手段に前記第二の断面の前記第二の画像を生成させる制御部と、
    を有する集束イオンビーム装置。
  2. 前記制御部は、前記第一の断面の前記第二の画像と、前記第二の断面の前記第一の画像のうち前記特定の組成を表す領域と異なる領域を含まない画像とに基づき、前記特定の組成の三次元分布像を生成する請求項1記載の集束イオンビーム装置。
  3. 試料に集束イオンビームを照射し、第一の断面、及び前記試料を除去加工して得られ前記第一の断面と所定の間隔で略平行な複数の第二の断面を形成する集束イオンビーム照射過程と、
    荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射する荷電粒子ビーム照射過程と、
    前記荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射して生じる反射粒子又は二次電子を検出する第一の検出過程と、
    前記第1検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面の反射粒子像又は二次電子像を第一の画像として生成する第一の画像生成過程と、
    前記第一の断面及び前記第二の断面に前記荷電粒子ビームを照射して生じるX線又は二次イオンを検出する第二の検出過程と、
    前記第二の検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像として生成する第二の画像生成過程と、
    を有する集束イオンビームを用いた試料の断面観察方法であって、
    前記第二の画像生成過程においては、前記第一の断面の前記第一の画像及び前記第二の画像を取得し、かつ前記第二の断面の前記第一の画像を取得した場合において、さらに前記第二の断面の前記第一の画像が、前記第一の断面の前記第一の画像内の特定の組成を表す領域と異なる領域を含む場合に、前記第二の断面の前記第二の画像を生成する、集束イオンビームを用いた試料の断面観察方法。
  4. 試料に集束イオンビームを照射し、第一の断面、及び前記試料を除去加工して得られ前記第一の断面と所定の間隔で略平行な複数の第二の断面を形成する集束イオンビーム照射過程と、
    荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射する荷電粒子ビーム照射過程と、
    前記荷電粒子ビームを前記第一の断面及び前記第二の断面に照射して生じる反射粒子又は二次電子を検出する第一の検出過程と、
    前記第1検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面の反射粒子像又は二次電子像を第一の画像として生成する第一の画像生成過程と、
    前記第一の断面及び前記第二の断面に前記荷電粒子ビームを照射して生じるX線又は二次イオンを検出する第二の検出過程と、
    前記第二の検出過程で検出したデータに基づき、前記第一の断面及び前記第二の断面のEDS像又は二次イオン像を第二の画像として生成する第二の画像生成過程と、
    をコンピュータに実行させる集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラムであって、
    前記第二の画像生成過程においては、前記第一の断面の前記第一の画像及び前記第二の画像を取得し、かつ前記第二の断面の前記第一の画像を取得した場合において、さらに前記第二の断面の前記第一の画像が、前記第一の断面の前記第一の画像内の特定の組成を表す領域と異なる領域を含む場合に、前記第二の断面の前記第二の画像を生成する、集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム。
JP2013068169A 2013-03-28 2013-03-28 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム Active JP6250294B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013068169A JP6250294B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013068169A JP6250294B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム
US14/224,164 US9934938B2 (en) 2013-03-28 2014-03-25 Focused ion beam apparatus, method for observing cross-section of sample by using the same, and storage medium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014192090A true JP2014192090A (ja) 2014-10-06
JP6250294B2 JP6250294B2 (ja) 2017-12-20

Family

ID=51619864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013068169A Active JP6250294B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9934938B2 (ja)
JP (1) JP6250294B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016121471A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置
JP2018152330A (ja) * 2017-02-16 2018-09-27 カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH 物体を分析する方法およびこの方法を実行するための荷電粒子ビーム装置
WO2018181407A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面観察装置、及び制御方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10242842B2 (en) * 2016-03-25 2019-03-26 Hitachi High-Tech Science Corporation Method for cross-section processing and observation and apparatus therefor

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08115699A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Hitachi Ltd 三次元断面加工観察装置
JPH11273613A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Jeol Ltd Fib−sem装置における試料加工方法およびfib−sem装置
JP2002150990A (ja) * 2000-11-02 2002-05-24 Hitachi Ltd 微小試料加工観察方法及び装置
US20070051888A1 (en) * 2003-07-11 2007-03-08 Zvika Rosenberg System and method for determining a cross sectional feature of a structural element using a reference structural element
JP2009026621A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置、及び試料加工観察方法
JP2009295371A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Jeol Ltd 断面観察用走査電子顕微鏡
JP2010257855A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp 複合荷電粒子線装置
JP2012252941A (ja) * 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料作製方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828566B2 (en) * 1997-07-22 2004-12-07 Hitachi Ltd Method and apparatus for specimen fabrication
JPH11273936A (ja) 1998-03-23 1999-10-08 Hitachi Ltd 酸化物超電導コイルの巻線構造
US6649919B2 (en) * 2000-09-20 2003-11-18 Fei Company Real time monitoring simultaneous imaging and exposure in charged particle beam systems
US6670610B2 (en) * 2001-11-26 2003-12-30 Applied Materials, Inc. System and method for directing a miller
JP4563049B2 (ja) * 2004-02-24 2010-10-13 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Fib−sem複合装置を用いたイオンビーム加工方法
JP5033314B2 (ja) * 2004-09-29 2012-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置及び加工方法
DE102008064781B3 (de) * 2007-04-23 2016-01-07 Hitachi High-Technologies Corporation lonenstrahlbearbeitungs-/Betrachtungsvorrichtung
US7453274B1 (en) * 2007-10-09 2008-11-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Detection of defects using transient contrast
JP5965739B2 (ja) * 2012-06-22 2016-08-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像処理装置、電子顕微鏡装置、画像処理方法及びプログラム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08115699A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Hitachi Ltd 三次元断面加工観察装置
JPH11273613A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Jeol Ltd Fib−sem装置における試料加工方法およびfib−sem装置
JP2002150990A (ja) * 2000-11-02 2002-05-24 Hitachi Ltd 微小試料加工観察方法及び装置
US20070051888A1 (en) * 2003-07-11 2007-03-08 Zvika Rosenberg System and method for determining a cross sectional feature of a structural element using a reference structural element
JP2009026621A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置、及び試料加工観察方法
JP2009295371A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Jeol Ltd 断面観察用走査電子顕微鏡
JP2010257855A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp 複合荷電粒子線装置
JP2012252941A (ja) * 2011-06-06 2012-12-20 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料作製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016121471A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置
JPWO2016121471A1 (ja) * 2015-01-30 2017-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置
JP2018152330A (ja) * 2017-02-16 2018-09-27 カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy GmbH 物体を分析する方法およびこの方法を実行するための荷電粒子ビーム装置
WO2018181407A1 (ja) * 2017-03-27 2018-10-04 株式会社日立ハイテクサイエンス 断面観察装置、及び制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6250294B2 (ja) 2017-12-20
US20140291508A1 (en) 2014-10-02
US9934938B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8034640B2 (en) Apparatus and method to inspect defect of semiconductor device
JP6226781B2 (ja) 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の加工方法、及び集束イオンビーム加工用コンピュータプログラム
JP6250294B2 (ja) 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム
US9202671B2 (en) Charged particle beam apparatus and sample processing method using charged particle beam apparatus
WO2016121265A1 (ja) 試料観察方法および試料観察装置
JP5364049B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法
KR101709433B1 (ko) 시료 관찰 장치
JP2009085657A (ja) 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法およびそのシステム
US9396905B2 (en) Image evaluation method and charged particle beam device
JP6490938B2 (ja) 断面加工方法、断面加工装置
US10984981B2 (en) Charged particle beam device having inspection scan direction based on scan with smaller dose
JP6112929B2 (ja) 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の加工方法、及び集束イオンビームを用いた試料の加工コンピュータプログラム
JP2011086606A (ja) 断面加工観察方法および装置
JP4230899B2 (ja) 回路パターン検査方法
US10811217B2 (en) Crystal orientation figure creating device, charged particle beam device, crystal orientation figure creating method, and program
JP4746659B2 (ja) 回路パターンの検査方法
JP5981744B2 (ja) 試料観察方法、試料作製方法及び荷電粒子ビーム装置
TWI636480B (zh) Charged particle beam device, control method of charged particle beam device and cross-section processing observation device
JP6207893B2 (ja) 試料観察装置用のテンプレート作成装置
JP2011179819A (ja) パターン測定方法及びコンピュータプログラム
JP2015156393A (ja) 断面加工観察装置
JP6487225B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置および欠陥検査システム
KR20200115028A (ko) 하전 입자 빔 장치 및 제어 방법
JP2008277863A (ja) 回路パターンの検査装置
JP2010146829A (ja) 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の加工方法、及び集束イオンビーム加工用コンピュータプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160905

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170321

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170519

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171030

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6250294

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250