JP2015156393A - 断面加工観察装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】試料へのダメージを軽減し、表示領域の揃った複数の観察像が取得可能な方法と装置の提供。
【解決手段】集束イオンビームによるエッチング加工で試料に第一の断面を形成する工程と、集束イオンビームを第一の断面に照射し、第一の断面の画像情報を取得する工程と、集束イオンビームで第一の断面をエッチング加工し、第二の断面を形成する工程と、集束イオンビームを第二の断面に照射し、第二の断面の画像情報を取得する工程と、第二の断面の画像情報から集束イオンビームの照射領域の一部の表示領域の画像情報を表示する工程と、表示した画像情報に第一の断面の画像情報を重ねて表示する工程と、照射領域内で表示領域を変更する工程と、を有する断面加工観察方法を用いる。
【選択図】図1

Description

本発明は、集束イオンビーム装置を用いた試料の加工観察に関するものである。
半導体などの試料の断面を加工・観察する手法として、集束イオンビームを用いることが広く知られている。この手法の応用として、特定領域において断面加工観察を繰り返し行い、試料内部の三次元像を構築する技術も知られている。まず、集束イオンビームのエッチング加工で試料の断面を形成する工程と、断面の観察像を取得する工程とを繰り返し実行する。これをカット・アンド・シーと呼ぶ。次に、取得した複数の断面の観察像を組み合わせる。これにより三次元像を構築することができる。また、カット・アンド・シーにより所望の観察対象の断面が形成できたところで加工を止めることも可能である。FIB(Focused Ion Beam)−SEM(Scanning Electron Microscope)装置を用いて試料欠陥の加工観察で加工終点を決定する方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−273613号公報
そして、カット・アンド・シーにより取得した観察像の比較検討や三次元再構成処理を行うためには、複数の観察像の表示領域が揃っていることが望ましい。FIB−SEM装置を用いた場合、カット・アンド・シー実行中はステージ移動が不要であるので、同じ表示範囲の連続的な断面像を容易に得ることができた。
しかし、FIB−SEM装置は、装置構成が複雑であり、かつ高価な装置であった。そのため、SEMを有しない集束イオンビーム装置を用いたカット・アンド・シーが望まれていた。ただし、SEMを有しない集束イオンビーム装置でカット・アンド・シーを行う場合、次のような課題があった。
断面形成時には、試料に対して垂直方向から集束イオンビームを照射して加工を行う。そして、断面観察時には、断面に対して集束イオンビームが照射できるように試料を傾斜させて観察を行う。つまり、加工と観察の間で試料傾斜するために試料台を傾斜移動させる必要があった。近年、観察対象の微細化に伴い、高分解能での断面観察が要求されている。高分解能断面観察を行うカット・アンド・シーでは、試料台の傾斜移動に伴う複数の断面の間の表示領域のずれは無視できない。
このような表示領域のずれが生じた場合は、従来では断面観察を行いながらビームを偏向してビーム照射位置を移動するか、あるいは試料ステージの位置を微調整することにより表示領域の位置合わせを行っていた。表示領域の位置合わせは、荷電粒子ビームを試料に照射し、位置合わせ中の観察像を見ながら行う。そのため、位置合わせの間、試料への荷電粒子ビームの照射が続くことになる。
しかし、試料に荷電粒子ビームを照射し続けることは、真空試料室中の残留気体と荷電粒子ビームの相互作用による試料へのコンタミネーションの付着や、エッチングによる試料中の微細構造の損失や、荷電粒子ビーム照射による試料形状の変化など、試料にダメージを与える。
そこで、本発明の目的は、試料へのダメージを軽減し、表示領域の揃った複数の観察像が取得可能な方法と装置を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供している。
本発明に係る断面加工観察装置は、集束イオンビーム照射部と、試料を載置する試料台と、前記試料に電子ビームを照射して取得した観察像を形成する像形成部と、前記観察像を記憶する記憶部と、前記観察像の一部の領域を表示する表示部と、前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせて表示し、前記観察像を表示させる領域を変更する像編集部と、前記観察像と前記記憶部から読み出した別の観察像のそれぞれから特徴部分を抽出し、前記特徴部分の位置が一致するように前記観察像と前記別の観察像を重ね合わせる像処理部と、を有する。
また、本発明に係る断面加工観察装置は、試料を載置する試料台と、前記試料に断面加工を施すための集束イオンビーム照射部と、前記試料に電子ビームを照射して取得した観察像を形成する像形成部と、前記観察像を記憶する記憶部と、前記観察像の一部の領域を表示する表示部と、前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせて表示し、前記観察像を表示させる領域を変更する像編集部と、前記観察像と前記記憶部から読み出した別の観察像のそれぞれから特徴部分を抽出し、前記特徴部分の位置が一致するように前記観察像と前記別の観察像を重ね合わせる像処理部と、を有し、処理後の複数の観察像に基づき前記断面加工を施した領域の三次元像を構築する。
これにより自動的に第一の断面像と第二の断面像の間で表示領域の位置ずれがない観察像を取得することができる。
本発明によると、取得した画像情報を用いて観察像間の表示領域の位置ずれを補正することができるので、観察対象へのダメージを軽減し、表示領域の揃った複数の観察像が取得することができる。
本発明の実施例を示す集束イオンビーム装置の概略図。 本発明の実施例を示す断面加工観察の概略図。 本発明の実施例を示すフローチャート。 本発明の実施例を示す画像情報の編集の説明図。 本発明の実施例を示す表示領域の補正の説明図。
以下、本発明の実施例を図1から図5に基づいて説明する。
集束イオンビーム装置は、図1に示すように、次の構成を備えている。集束イオンビームを照射するイオンビーム鏡筒1と、内部を真空状態にする試料室2を備える。試料室2は、試料4を載置する試料台3と、二次電子を検出する二次電子検出器5を備える。
また、試料4の表面および断面に対して集束イオンビームを照射するために集束イオンビームに対して試料台4を傾斜させる試料台駆動部6を備える。
また、集束イオンビーム照射と観察像形成に関する制御を行う制御部10を備える。制御部10に指示を入力するキーボートやマウスなどの入力手段である入力部11を備える。
制御部10は、イオンビーム鏡筒1を制御するイオンビーム制御部13と、画像情報を形成する像形成部14を備える。また、制御部10は、像形成部14で形成した画像情報を記憶する第一の記憶部15と、第一の記憶部15で記憶した画像情報を編集する像編集部16を備える。また、制御部10は、第一の記憶部15で記憶した画像情報を画像処理する像処理部17を備える。また、制御部10は、像編集部16で画像処理した画像情報や像処理部17で画像処理した画像情報を記憶する第二の記憶部18を備える。
また、像形成部14で形成した画像情報や像処理部17で画像処理した画像情報から試料4の観察像を表示する表示部12を備える。
入力部11から集束イオンビーム照射設定情報をイオンビーム制御部13に入力する。イオンビーム制御部13はイオンビーム鏡筒1にイオンビーム照射の走査信号を出力する。イオンビーム鏡筒1は試料4の表面の照射領域に集束イオンビームを走査照射する。集束イオンビーム照射により試料4の表面から発生した二次電子は二次電子検出器5で検出される。検出された二次電子の信号と集束イオンビーム照射の走査信号に基づいて像形成部14で照射領域の画像情報を形成する。ここで、画像情報とは、ピクセルの座標情報とピクセル毎の輝度情報からなる。ピクセルの座標情報とは、集束イオンビームを照射する位置座標情報である。ピクセル毎の輝度情報とは、集束イオンビームを照射したピクセルで発生した二次電子信号の輝度情報である。像形成部14で形成された画像情報から、照射領域内の一部分の画像情報を観察像として表示部12に表示する。
次に、このように構成された集束イオンビーム装置による断面加工観察について、図2から図5に基づいて説明する。
図2は本発明の実施例を示す断面加工観察の概略図である。図2(a)、(c)、(e)、(g)は、試料台3と試料4の断面図である。図2(b)、(d)、(f)、(h)は、それぞれ図2(a)、(c)、(e)、(g)の集束イオンビーム30の方向から集束イオンビーム30を走査照射して得られた観察像である。
まず、断面観察するための断面を形成する。集束イオンビーム30を照射し、凹部21を形成する(図2(a))。そして、試料4表面に対して略垂直方向から集束イオンビーム30を試料4の照射領域に走査照射して観察像を取得する(図2(b))。
断面観察では、凹部21の台形上辺にあたる部分の側壁に形成された第一の断面22を観察する。ここで、断面位置は、試料4の表面に対して略垂直な方向であり、かつ、観察対象である試料4内部の構造物の配列方向が断面に対して略垂直方向に配置されるように選択することが望ましい。配列方向とは、例えばビアが繰り返し配置されている方向である。そして、断面加工と観察を繰り返し行う断面加工の進行方向は、試料4内部の構造の配置に略平行な方向であることが望ましい。これにより、断面加工を進行させながら取得した断面の観察像を組み合わせることで、観察対象の構造物の三次元像を構築することができる。
ここで、凹部21の形状について説明する。第一の断面22を上辺とする台形形状にすることにより、第一の断面22から発生する二次電子を効率よく二次電子検出器5に集めることができる。また、凹部21は第一の断面22側は凹部の深さが深く、第一の断面22から離れるに従い浅くなっている。これにより凹部21全体を深く加工するよりも加工量を節約することができる。ただし、本発明は上記の形状に限定するものではない。
次に第一の断面21を観察する。集束イオンビーム30を第一の断面22に照射するために試料台3をに傾斜する。このときの傾斜角はθ1である。第一の断面22を含む照射領域に集束イオンビーム30を走査照射し、第一の断面22を観察する(図2(c))。第一の断面22の観察像には試料4の内部構造が現れている(図2(d))。
ここで、観察する時の集束イオンビームのビーム電流は凹部21をエッチング加工したときのビーム電流に比べて小さいビーム電流を用いる。これにより断面観察する際、第一の断面22に与えるダメージを軽減することができる。
次に第二の断面を形成する。集束イオンビーム30を試料4表面に対して略垂直方向から照射するために試料台3の傾斜を戻す(図2(e))。そして、エッチング加工により第一の断面21を含む凹部24を形成する(図2(f))。形成された凹部24の側面が第二の断面25である。
次に第二の断面25を観察する。集束イオンビーム30を第二の断面25に照射するために試料台3を傾斜する。このときの傾斜角はθ2である(図2(g))。第二の断面25を含む照射領域に集束イオンビーム30を走査照射し、第二の断面25を観察する(図2(h))。上記の断面形成と断面観察を繰り返し行い、複数の断面の画像情報を取得する。
ところで、断面加工観察では、断面を形成し、断面を観察するために観察試料台3の傾斜を繰り返し行う。すると、試料台3の傾斜角のずれが生じる。傾斜角のずれとは、図2(c)の傾斜角θ1と図2(g)の傾斜角θ2との角度差である。数ナノメートルの分解能で数百枚の断面画像を取得する断面加工観察では、試料台3の傾斜角のずれにより取得した複数の断面像の間で観察領域の位置ずれが生じ、所望の領域が観察できないことがある。本発明では、画像情報を処理することで、観察領域の位置ずれを補正する。
画像情報の処理について説明する。まず、画像情報の取得について図3のフローチャートを用いて説明する。最初に、第一の断面21の画像情報を取得する(s1)。取得した画像情報を第一の記憶部15に記憶する。次に、試料台3の傾斜を戻す(s2)。そして、凹部24を形成し、第二の断面25を露出させる(s3)。次に、第二の断面25を観察するために試料台3を傾斜する(s4)。そして、第二の断面25の画像情報を取得する(s5)。次に像編集部16で第二の断面25の画像情報の編集を行う(s6)。
次に画像情報の編集について図4を用いて説明する。図4(a)は、第一の断面22の観察像である。断面観察では、第一の断面22を拡大した観察領域の画像情報を取得する。表示領域41は、表示部12に表示する表示領域である。図4(b)は、表示領域41内の第一の断面22の観察像である。第一の断面22にはビア42などの内部構造が露出している。
図4(c)は、表示部12に表示した第二の断面25の観察像である。すなわち、第一の断面22の表示領域41と同じ位置座標に集束イオンビーム30を照射し、得られた観察像である。ビア43は、第一の断面22のビア42と同じビアであるが、断面に露出している形状は異なる。
像編集部16で次の処理行う。表示部12に第二の断面25の観察像を表示した状態で、第一の記憶部15から第一の断面22の画像情報を読み出す。そして、読み出した第一の断面22の画像情報を第二の断面25の観察像に表示部12上で重ね合わせる。このとき第一の断面22の画像情報は、第一の断面22の画像情報を重ね合わせても第二の断面25の観察像が認識できるように半透明にすることが望ましい。また、重ね合わせの手法として、ピクセル毎に2枚の画像の輝度情報の排他的論理和を取る手法や、ピクセル単位で交互に2枚の断面の画像情報を表示する手法を用いることも可能である。
図4(d)は、第二の断面25の観察像に第一の断面22の画像情報を重ね合わせた観察像である。ここでは断面25の内部構造を点線で示す。図4(d)において、ビア42とビア43の位置がずれている。この位置ずれの原因は、試料台3の傾斜動作によるものである。そこで、第二の断面25の表示領域を移動させる。ビア43がビア42に重なるように移動させる。これにより、図4(e)に示すように、第一の断面22の内部構造と第二の断面25の内部構造が重なり、二つの断面の表示領域が揃った断面像になった。
表示領域の移動は、作業者が手動で行う場合と、画像認識により自動で行う場合がある。作業者が手動で行う場合は、作業者が表示部12に表示された観察像を見ながら、第二の断面25の表示領域を移動させる指示を入力部11から入力する。また、自動処理で行う場合は、像処理部17で画像処理する。
画像処理は、二つの画像情報において、輝度情報で特徴のある部分を抽出し、パターンマッチングする処理である。第一の記憶部15に記憶した第一の断面22の画像情報と第二の断面25の画像情報を像処理部17に入力する。像処理部17でパターンマッチング処理をする。パターンマッチング処理により得られた表示領域を移動した第二の断面25の画像情報を第二の記憶部18に記憶する。
ここで上記の説明では、断面に露出した内部構造を特徴部分として説明したが、内部構造は切り出す断面によって形状が変化することがある。そこで、形状が変化しない構造物を特徴部分として抽出することが望ましい。
また上記の説明では、表示領域を補正するために第一の断面22の画像情報を用いたが、本発明はこれに限定するものではない。すなわち、表示領域を補正する対象の断面よりも以前に作成した断面の画像情報であれば、その画像情報を表示領域の補正に用いることができる。
上記の工程を繰り返し行うことで、表示領域を補正した複数の断面の画像情報を取得することができる。表示領域を補正した断面の画像情報を第二の記憶部18に記憶する。記憶した複数の画像情報を用いることで、断面加工した領域の三次元像を構築することができる。
ここで、図5を用いて、表示領域の補正について説明する。図5(a)は、第二の断面25の観察像である。表示領域51は、第一の断面22の表示領域41に対応する領域である。すなわち、表示領域51と表示領域41とは、集束イオンビーム30を照射する位置座標が同じである。断面観察を行う際、表示領域51を含み、表示領域51よりも広いビーム照射領域52に集束イオンビーム30を照射し、画像情報を取得する。取得した画像情報は第一の記憶部15に記憶する。
次に、表示領域の補正を作業者が手動で行う場合は、像編集部16で表示領域を補正する。第一の記憶部15からビーム照射領域52の画像情報を読み出す。入力部11からの入力により、ビーム照射領域52内で表示領域51を移動し、移動した表示領域51内の画像情報を表示部12に表示する。すなわち、図5(b)で示した表示領域51をビーム照射領域52内で移動し、図5(c)で示した位置に表示領域51を移動する。そして、表示領域を補正した画像情報を第二の記憶部18に記憶する。
また、画像認識により自動で行う場合は、像処理部17で表示領域を補正する。第一の記憶部15からビーム照射領域52の画像情報を読み出す。像処理部17で画像処理を行い、補正した画像情報を第二の記憶部18に記憶する。
また、上記の説明では、断面像取得に集束イオンビームを照射して取得した二次電子像を用いていたが、電子ビームを照射して取得した二次電子像を用いることも可能である。
1…イオンビーム鏡筒
2…試料室
3…試料台
4…試料
5…二次電子検出器
6…試料台駆動部
10…制御部
11…入力部
12…表示部
13…イオンビーム制御部
14…像形成部
15…第一の記憶部
16…像編集部
17…像処理部
18…第二の記憶部

Claims (2)

  1. 集束イオンビーム照射部と、
    試料を載置する試料台と、
    前記試料に電子ビームを照射して取得した観察像を形成する像形成部と、
    前記観察像を記憶する記憶部と、
    前記観察像の一部の領域を表示する表示部と、
    前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせて表示し、前記観察像を表示させる領域を変更する像編集部と、
    前記観察像と前記記憶部から読み出した別の観察像のそれぞれから特徴部分を抽出し、前記特徴部分の位置が一致するように前記観察像と前記別の観察像を重ね合わせる像処理部と、を有する断面加工観察装置。
  2. 試料を載置する試料台と、
    前記試料に断面加工を施すための集束イオンビーム照射部と、
    前記試料に電子ビームを照射して取得した観察像を形成する像形成部と、
    前記観察像を記憶する記憶部と、
    前記観察像の一部の領域を表示する表示部と、
    前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせて表示し、前記観察像を表示させる領域を変更する像編集部と、
    前記観察像と前記記憶部から読み出した別の観察像のそれぞれから特徴部分を抽出し、前記特徴部分の位置が一致するように前記観察像と前記別の観察像を重ね合わせる像処理部と、を有し、
    処理後の複数の観察像に基づき前記断面加工を施した領域の三次元像を構築する、断面加工観察装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109906497A (zh) * 2016-11-22 2019-06-18 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置以及试样观察方法
JPWO2018096575A1 (ja) * 2016-11-22 2019-10-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および試料観察方法
CN109906497B (zh) * 2016-11-22 2021-07-20 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置以及试样观察方法
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