WO2016121471A1 - 二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置 - Google Patents

二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置 Download PDF

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富松　聡
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Definitions

  • the present invention relates to a charged particle beam apparatus that repeatedly performs cross-section processing using an energy beam and cross-section observation and analysis.
  • the present invention relates to a charged particle beam apparatus that reconstructs an analysis image three-dimensionally.
  • 3D reconstruction There is a method called 3D reconstruction that builds 3D data by stacking 2D image data.
  • Three-dimensional reconstruction is an effective tool that can be used to intuitively understand the internal structure of an object. If a 3D printer is used, a three-dimensional model can be created from three-dimensional data.
  • FIB / SEM tomography that performs three-dimensional reconstruction by alternately removing the sample surface with a focused ion beam (FIB) and acquiring an image with a scanning electron microscope (SEM). is there.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-115861 (Patent Document 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-19900 (Patent Document 2)
  • X Analysis images are acquired by line analysis (EDX) or the like, and three-dimensional reconstruction is performed from these analysis images.
  • the inventor of the present application diligently studied to improve the efficiency of three-dimensional reconstruction from analysis images, and as a result, the following knowledge was obtained.
  • An object of the present invention relates to greatly reducing the acquisition time of analysis images.
  • the present invention relates to artificially forming an analysis image from a secondary particle image of a desired processed surface based on the correlation between the secondary particle image of the processed surface and the analyzed image.
  • the three-dimensional reconstruction is performed based on the actually acquired analysis image and the pseudo-formed analysis image.
  • the analysis efficiency is improved.
  • damage to the sample due to the electron beam can be reduced, and the reliability of the analysis is improved.
  • FIG. 4 is a flowchart of a three-dimensional reconstruction algorithm according to the fourth embodiment. Flow diagram of three-dimensional reconstruction algorithm according to embodiment 5 Flow diagram of three-dimensional reconstruction algorithm according to embodiment 6 Flow diagram of three-dimensional reconstruction algorithm according to the seventh embodiment
  • FIG. 1 is an explanatory diagram of the principle of three-dimensional reconstruction for artificially forming an analysis image.
  • This three-dimensional reconstruction is performed in a charged particle beam apparatus that repeatedly performs processing using an energy beam such as FIB and observation and analysis of a processed surface using an SEM on a stacked structure of a solid-state device. Based on the correlation between the particle image and the analysis image, this processing surface can be obtained by acquiring a secondary particle image for a certain processing surface by incorporating an algorithm for forming an analysis image from the secondary particle image of the desired processing surface. The analysis image is generated in a pseudo manner without actually acquiring the image, and a three-dimensional image is reconstructed using the pseudo analysis image.
  • the processed surface is observed with an SEM to obtain a secondary particle image 111 such as a BSE (reflected electron) image.
  • an analysis image 121 such as an EDX mapping (energy dispersive X-ray analysis) image is also acquired for this processed surface.
  • the next processed surface is formed by the energy beam irradiation again.
  • this processed surface is observed with an SEM to obtain a secondary particle image 112.
  • a pseudo analysis image 131 (interpolated image) is created from the secondary particle image 112 without acquiring an analysis image.
  • the next processed cross section is formed by energy beam irradiation.
  • the secondary particle image 113 is acquired, but the analysis image is not acquired, and a pseudo analysis image 132 (interpolated image) is created from the secondary particle image 113. Further, the next processed cross section is formed by energy beam irradiation. On this processed surface, the secondary particle image 114 is acquired, and then the analysis image 122 is also acquired.
  • the process of forming a processed surface acquiring a secondary particle image, acquiring an analysis image, or creating a pseudo analysis image (interpolated image) is repeatedly performed. Then, a three-dimensional reconstructed image is acquired using the analysis image 121, the pseudo analysis image 131 (interpolation image), the pseudo analysis image 132 (interpolation image), the analysis image 122, and the like.
  • this three-dimensional reconstruction is that the analysis image is simulated based on the secondary particle image acquired on the desired processing surface based on the correlation between the secondary particle image acquired on a certain processing surface and the analysis image. Is to create. Further, it is one of the features that three-dimensional reconstruction is performed using these analysis images and pseudo analysis images (interpolated images).
  • the presence / absence of the analysis image on each processed surface and the number of times are not limited and can be arbitrarily selected.
  • the secondary particle image is not limited to the BSE image, and for example, an SE (secondary electron) image may be used.
  • the analysis image for three-dimensional reconstruction is not limited to the EDX mapping image.
  • a WDX (wavelength dispersive X-ray analysis) image or an EBSP (electron beam backscatter diffraction) image is used. Also good.
  • an energy beam optical system for irradiating an energy beam an electron beam optical system for irradiating an electron beam, a sample stage for placing a sample, and a secondary particle detector for detecting secondary particles generated from the sample
  • an analyzer for detecting analysis information generated from the sample
  • the first cross section is formed in the sample by irradiation with the energy beam, and the second generated from the sample by irradiation of the electron beam to the first cross section.
  • Secondary particles and analysis information are detected, a second cross section is formed by irradiation of an energy beam, secondary particles generated from the sample are detected by irradiation of an electron beam to the second cross section, and the first cross section is detected.
  • a charged particle beam device that artificially creates an analysis image of the second cross section from the secondary particle image of the second cross section based on the correlation between the secondary particle image and the analysis image.
  • a charged particle beam apparatus that performs three-dimensional reconstruction using at least an analysis image related to the first cross section and a pseudo analysis image related to the second cross section is disclosed.
  • a charged particle beam device in which the secondary particle detector is a backscattered electron detector is disclosed.
  • a charged particle beam device in which the secondary particle detector is a secondary electron detector is disclosed.
  • a charged particle beam device in which the analyzer is a detector for EDX is disclosed.
  • a charged particle beam device in which the analyzer is a detector for WDX is disclosed.
  • a charged particle beam device in which the analyzer is an EBSP detector is disclosed.
  • a charged particle beam apparatus in which the acceleration voltage when irradiating an electron beam onto the second cross section is lower than the acceleration voltage when irradiating the electron beam onto the first cross section.
  • a charged particle having an observation condition different from that when the electron beam is applied to the first cross section by applying a retarding voltage to the sample is disclosed.
  • the embodiment discloses a charged particle beam apparatus that changes the processing conditions of the energy beam applied to the second cross section based on the analysis image related to the first cross section.
  • the processing conditions of the energy beam are changed based on the secondary particle image relating to the first cross section and the secondary particle image relating to the second cross section, and the third cross section is formed by irradiation of the energy beam.
  • a charged particle beam device to be formed.
  • the secondary particle image and the second cross section relating to the first cross section are determined whether or not the analyzer acquires the analysis information relating to the third cross section formed by the irradiation of the energy beam.
  • a charged particle beam device that makes a determination based on a secondary particle image.
  • a charged particle beam apparatus that changes the acquisition condition of the analysis image related to the first cross section based on the secondary particle image related to the first cross section.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the FIB-SEM according to the present embodiment.
  • the FIB column 1 that irradiates the focused ion beam is perpendicular to the chamber 6 in which the sample stage 5 is disposed, and the SEM column 2 that irradiates the electron beam is oblique to the chamber 6.
  • the arrangement of the FIB column 1 and the SEM column 2 may be reversed.
  • the chamber 6 is also provided with a BSE detector 3 and an EDX detector 4.
  • the inside of the chamber 6 is kept in a vacuum state by an exhaust device (not shown).
  • the sample placed on the sample stage 5 is processed by irradiating the focused ion beam from the FIB column 1 to form a cross section for observation. Further, SEM observation is performed by irradiating the cross section with an electron beam from the SEM column 2 and detecting BSE by the BSE detector 3. A secondary electron detector that detects SE may be used instead of the BSE detector. Further, EDX analysis is performed by the EDX analyzer 4 by irradiating the cross section with an electron beam. Instead of an EDX analyzer, an analyzer that measures the composition, properties, structure, or state of a substance, such as a WDX detector or an EBSP detector, may be used.
  • FIB column 1 SEM column 2, BSE detector 3, and EDX detector 4 are connected to FIB column controller 11, SEM column controller 21, detector controller 31, and EDX detector controller 41, respectively. It is controlled by each control unit.
  • Each of these control units is connected to the overall apparatus control unit 7 and controls processing observation conditions and timing.
  • the overall apparatus control unit 7 executes an input unit for receiving an instruction from the user, an output unit for displaying secondary particle images, analysis images, 3D reconstruction images, and the like, analysis image creation, 3D reconstruction, etc. And a storage unit for storing various algorithms and calculation results.
  • the overall apparatus control unit 7 performs switching control between BSE observation and EDX analysis.
  • the overall apparatus control unit 7 creates a pseudo EDX mapping image based on the BSE image acquired on another processing surface from the correlation between the BSE image acquired on the processing surface with the sample and the EDX mapping image.
  • a three-dimensional reconstruction image can be created from the EDX mapping image and the pseudo EDX mapping image.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the three-dimensional reconstruction algorithm according to the present embodiment.
  • the processed surfaces of the sample are the first to fourth four surfaces, BSE images and EDX mapping images are acquired on the first processed surface and the fourth processed surface, and BSE images are acquired on the second processed surface and the third processed surface. Only the case of acquiring will be described.
  • pixel coordinates having a signal of the element of interest are extracted from the EDX mapping image (first Map image) on the first processed surface.
  • You may extract by sampling instead of all the coordinates of a 1st Map image (object).
  • luminance of the 1st BSE image corresponding to this coordinate for example, average brightness
  • only luminance coordinates corresponding to the calculated luminance are extracted from the second BSE image. In this case, the calculated luminance may have a certain range. If the overall luminance varies, the luminance profile standard may be used.
  • An EDX mapping image created based on the coordinate information (image) extracted from the second BSE image is stored as a second pseudo EDX mapping image (second interpolation image).
  • the third interpolation image is created from the third BSE image by the same procedure.
  • the third interpolation image may be created afterwards from the correlation information between the fourth BSE image and the fourth Map image instead of the correlation information between the first BSE image and the first Map image.
  • the procedure for creating the third interpolation image from the third BSE image based on the correlation information between the fourth BSE image and the fourth Map image is the step of creating the second interpolation image from the second BSE image based on the correlation between the first BSE image and the first Map image. It is the same as the created procedure.
  • the three-dimensional image is reconstructed from the EDX mapping image or pseudo EDX mapping image (first map image, second interpolation image, third interpolation image, and fourth map image) acquired or created in this way.
  • the present embodiment it is not necessary to acquire an EDX mapping image (analysis image) that requires a long time for acquisition for each processing surface, and a three-dimensional reconstructed image of the analysis image can be acquired in a shorter time than in the past.
  • the analysis efficiency can be improved.
  • damage due to electron beam irradiation can be reduced, and analysis reliability can be improved.
  • This example is an example in the FIB-SEM in which the FIB column and the SEM column are vertically arranged.
  • the difference from the first embodiment will be mainly described.
  • FIG. 4 is a schematic configuration diagram of the FIB-SEM according to the present embodiment.
  • the FIB column 1 is arranged vertically and the SEM column 2 is arranged horizontally with respect to the chamber 6. That is, the SEM column 2 is arranged in a direction perpendicular to the FIB column 1.
  • the arrangement of the FIB column 1 and the SEM column 2 may be reversed. According to this arrangement configuration, the electron beam can be vertically incident from the SEM column 2 without moving the sample stage 5 with respect to the processing surface processed by the focused ion beam irradiated from the FIB column 1.
  • This example is an example of creating an analysis image from shape information.
  • the difference from the first and second embodiments will be mainly described.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of the three-dimensional reconstruction algorithm according to the present embodiment.
  • the processed surfaces of the sample are the first to fourth four surfaces, and the BSE image and the EDX mapping image are acquired on the first processed surface and the fourth processed surface, and the second processed surface and the second processed surface are obtained.
  • a case where only the BSE image is acquired on the three processed surfaces will be described.
  • the shape information of the element of interest and the corresponding pixel coordinates are extracted from the first Map image. Representative pixel coordinates may be extracted. Next, it is determined from the extracted pixel coordinates and shape information whether there is a shape similar to the extracted shape information in the vicinity of the extracted pixel coordinates on the first BSE image. If there is a similar shape, this is estimated as a BSE image of the element of interest. Next, a shape similar to the estimated shape information is extracted from the vicinity of the extracted pixel coordinates on the second BSE image. An EDX mapping image created based on the shape information (image) extracted from the second BSE image is stored as a second interpolation image.
  • the third interpolation image is created from the third BSE image by the same procedure.
  • the third interpolation image may be created afterwards from the correlation information between the fourth BSE image and the fourth Map image instead of the correlation information between the first BSE image and the first Map image, as in the first embodiment. .
  • the three-dimensional image is reconstructed from the EDX mapping image or pseudo EDX mapping image (first map image, second interpolation image, third interpolation image, and fourth map image) acquired or created in this way.
  • the present embodiment similarly to the first embodiment, there is no need to acquire an analysis image that requires a long time for each processing surface, and a three-dimensional reconstructed image of the analysis image can be acquired in a shorter time than in the past. As a result, the analysis efficiency can be improved. In addition, damage due to electron beam irradiation can be reduced, and analysis reliability can be improved.
  • the correlation between the secondary particle image on one processing surface and the analysis image is used, and in the three-dimensional reconstruction in which an analysis image is created in a pseudo manner from the secondary particle image on the next processing surface, the tertiary image with higher accuracy is obtained.
  • the observation conditions are optimized to reconstruct the original image.
  • FIG. 6 is a flowchart of the three-dimensional reconstruction algorithm according to the present embodiment.
  • the first cross-section processing is performed by ion beam irradiation.
  • a secondary particle image (BSE image) and an analysis image (EDX mapping image) are acquired by electron beam irradiation on the first processed cross section.
  • the electron beam irradiation during the first cross-sectional observation is performed with the electron beam extraction voltage set to a high acceleration voltage in order to obtain an EDX mapping image.
  • the second cross-section processing and the second cross-section observation are performed. In the second cross-sectional observation, only secondary particle images (BSE images) are acquired. Since it is not necessary to acquire an EDX mapping image during the second cross-sectional observation, the acceleration voltage of the electron beam is lowered.
  • the resolution is improved in both the depth direction and the in-plane direction in the second cross-sectional observation. For this reason, a high-resolution image can be formed in the pseudo EDX mapping image created in a pseudo manner from the BSE image of the second processed cross section.
  • a high-resolution pseudo EDX mapping image (analysis image) can be created, and a highly accurate three-dimensional image can be reconstructed from these high-resolution analysis images.
  • the difference from the first to fourth embodiments will be mainly described.
  • FIG. 7 is a flowchart of the three-dimensional reconstruction algorithm according to the present embodiment.
  • the first cross-section processing is performed by ion beam irradiation.
  • a secondary particle image (BSE image) and an analysis image (EDX mapping image) are acquired by electron beam irradiation on the first processed cross section.
  • the particle diameter in the EDX mapping image is measured from the acquired EDX mapping image, and the minimum particle diameter (a) is determined.
  • the processing conditions are changed so that the processing amount by ion beam irradiation is a or less. Thereby, the omission of information from the secondary particle image and the analysis image can be suppressed due to the processing amount being too large.
  • the particle information is reliably captured in the secondary particle image and the analysis image, it is possible to reconstruct a three-dimensional image with high information certainty.
  • This example optimizes the processing conditions for cross-section processing based on the composition change.
  • the difference from the first to fifth embodiments will be mainly described.
  • FIG. 8 is a flowchart of the three-dimensional reconstruction algorithm according to the present embodiment.
  • the first cross-section processing is performed by ion beam irradiation.
  • a secondary particle image (BSE image) and an analysis image (EDX mapping image) are acquired by electron beam irradiation on the first processed cross section.
  • the BSE image at this time is referred to as a BSE image (1).
  • second section processing and second section observation are performed to obtain a BSE image.
  • the BSE image at this time is referred to as a BSE image (2).
  • the brightness of the BSE image (1) and the brightness of the BSE image (2) are compared before performing the third cross-section processing.
  • the composition change in the direction of the processed surface of the material is estimated to be steep, so the third cross-section processing Change the processing conditions so that the amount of processing at that time becomes smaller.
  • the initial schedule is changed and an EDX mapping image is acquired.
  • composition information is easily captured in the secondary particle image and analysis image, so that a three-dimensional image with high reliability of information can be reconstructed.
  • the correlation between the secondary particle image and the analysis image on one processing surface is used to obtain the analysis image acquisition conditions in the three-dimensional reconstruction in which the analysis image is pseudo-formed from the secondary particle image on the next processing surface. Is to optimize.
  • the difference from the first to sixth embodiments will be mainly described.
  • FIG. 9 is a flowchart of the three-dimensional reconstruction algorithm according to the present embodiment.
  • the first cross-section processing is performed by ion beam irradiation.
  • a secondary particle image (BSE image) is obtained by electron beam irradiation on the first processed cross section.
  • the particle diameter in a BSE image is measured from the acquired BSE image. If the minimum particle size at this time is smaller than the specified value ⁇ , the acquisition conditions for acquiring the EDX mapping image of the same processed cross section are reviewed. For example, the high-resolution acquisition mode is acquired. Thereby, higher information about the correlation between the BSE image and the EDX image can be obtained.

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Abstract

　本発明の目的は、分析画像の取得時間を大幅に低減することに関する。本発明は、加工面の二次粒子像と分析画像の相関に基づき、所望の加工面の二次粒子像（１１１－１１４）から分析画像を擬似的に形成することに関する。好ましくは、実際に取得された分析画像（１２１－１２２）と、擬似的に形成された分析画像（１３１－１３２）に基づき、三次元像を再構築する。本発明によれば、加工面ごとに分析画像を取得すること無く、三次元再構成に必要な多数の分析画像を短時間で取得できるため、解析効率が向上する。また、試料への電子ビームによるダメージを低減でき、解析の信頼性も向上する。

Description

二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置
　本発明は、エネルギービームによる断面加工と、断面の観察および分析とを繰り返し実施する荷電粒子線装置に関する。好適には、分析画像を三次元再構築する荷電粒子線装置に関する。
　三次元再構築と呼ばれる、二次元の画像データを積層して三次元のデータを構築する手法がある。三次元再構築は、対象物の内部構造を感覚的に理解できる有効なツールであり、３Ｄプリンターを用いれば、三次元のデータから立体模型を作ることもできる。
　三次元再構築の一つとして、集束イオンビーム（ＦＩＢ）による試料表面の削剥と、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による画像取得を交互に行い、三次元再構成するＦＩＢ／ＳＥＭトモグラフィーと呼ばれる方法がある。
　例えば、特開平９－１１５８６１号公報（特許文献１）や特開２０１３－１９９００号公報（特許文献２）においては、ＦＩＢ装置とＳＥＭを備えた加工観察装置において、ＦＩＢ照射による加工面ごとにＸ線分析（ＥＤＸ）などにより分析画像を取得し、これらの分析画像から三次元再構築している。
特開平９－１１５８６１号公報 特開２０１３－１９９００号公報
　本願発明者が、分析画像からの三次元再構築の効率向上について鋭意検討した結果、次の知見を得るに至った。
　ＥＤＸなどによる分析画像の取得には、１画像につき少なくとも５分程度、解像度を上げると２０分以上かかる場合もあるため、多数の分析画像を取得する必要がある分析画像からの三次元再構築には、膨大な時間を要していた。
　本発明の目的は、分析画像の取得時間を大幅に低減することに関する。
　本発明は、加工面の二次粒子像と分析画像の相関に基づき、所望の加工面の二次粒子像から分析画像を擬似的に形成することに関する。好ましくは、実際に取得された分析画像と、擬似的に形成された分析画像に基づき、三次元再構築する。
　本発明によれば、加工面ごとに分析画像を取得すること無く、三次元再構成に必要な多数の分析画像を短時間で取得できるため、解析効率が向上する。また、試料への電子ビームによるダメージを低減でき、解析の信頼性も向上する。
分析画像を擬似的に形成する三次元再構築の原理説明図 実施例１にかかるＦＩＢ－ＳＥＭの概略構成図 実施例１にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図 実施例２にかかるＦＩＢ－ＳＥＭの概略構成図 実施例３にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図 実施例４にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図 実施例５にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図 実施例６にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図 実施例７にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図
　図１は、分析画像を擬似的に形成する三次元再構築の原理説明図である。
　この三次元再構築は、固体デバイスの積層構造などに対し、ＦＩＢなどのエネルギービームによる加工と、ＳＥＭなどによる加工面の観察および分析とを繰り返し実施する荷電粒子線装置において、加工面の二次粒子像と分析画像の相関に基づき、所望の加工面の二次粒子像から分析画像を形成するアルゴリズムを組み込むことにより、ある加工面に対して二次粒子像を取得することにより、この加工面の分析画像を実際に取得することなく擬似的に作成し、擬似的な分析画像を用いて三次元像を再構築するものである。
　エネルギービームの照射により試料に断面を形成した後、この加工面をＳＥＭにより観察してＢＳＥ（反射電子）像などの二次粒子像１１１を取得する。また、この加工面について、ＥＤＸマッピング（エネルギー分散形Ｘ線分析)像などの分析画像１２１も取得する。その後、再度のエネルギービーム照射により次の加工面を形成する。そして、この加工面をＳＥＭにより観察して二次粒子像１１２を取得する。この加工面においては、分析画像は取得せずに、二次粒子像１１２から擬似的分析画像１３１（補間像）を作成する。更に、エネルギービーム照射により次の加工断面を形成する。この加工面においても、二次粒子像１１３は取得するが、分析画像は取得せずに、二次粒子像１１３から擬似的分析画像１３２（補間像）を作成する。更に、エネルギービーム照射により次の加工断面を形成する。この加工面においては、二次粒子像１１４を取得し、その後、分析画像１２２も取得する。以下、同様に、加工面の形成、二次粒子像の取得、および分析画像の取得、または擬似的分析画像（補間像）の作成の作業を繰り返し実施する。そして、分析画像１２１、擬似的分析画像１３１（補間像）、擬似的分析画像１３２（補間像）、および分析画像１２２などを用いて、三次元再構築像を取得する。
　この三次元再構築の特徴の一つは、ある加工面において取得した二次粒子像と分析画像の相関から、所望の加工面において取得した二次粒子像を基に、分析画像を擬似的に作成することである。更に、これら分析画像および擬似的分析画像（補間像）を用いて三次元再構築することも、特徴の一つである。
　なお、各加工面における分析画像の取得の有無や、回数は限定されるものではなく、任意に選択できる。また、二次粒子像はＢＳＥ像に限定されるものではなく、例えば、ＳＥ（二次電子）像などを用いてもよい。また、三次元再構築するための分析画像も、ＥＤＸマッピング像に限定されるものではなく、例えば、ＷＤＸ（波長分散形Ｘ線分析)像やＥＢＳＰ（電子線後方散乱回折）像などを用いてもよい。
　実施例では、エネルギービームを照射するエネルギービーム光学系と、電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、試料を載置する試料ステージと、試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出器と、試料から発生する分析情報を検出する分析器と、を備え、エネルギービームの照射により試料に第１の断面を形成し、当該第１の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子および分析情報を検出し、エネルギービームの照射により第２の断面を形成し、当該第２の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子を検出し、第１の断面にかかる二次粒子像および分析画像の相関に基づき、第２の断面にかかる二次粒子像から第２の断面の分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、少なくとも、第１の断面にかかる分析画像と、第２の断面にかかる擬似的な分析画像を用いて、３次元再構築する荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、二次粒子検出器が、反射電子検出器である荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、二次粒子検出器が、二次電子検出器である荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、分析器が、ＥＤＸ用検出器である荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、分析器が、ＷＤＸ用検出器である荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、分析器が、ＥＢＳＰ用検出器である荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、第２の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧を、第１の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧より下げる荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、第２の断面へ電子ビームを照射するときに、試料にリターディング電圧を印加することにより、第１の断面へ電子ビームを照射するときとは異なる観察条件とする荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、第１の断面にかかる分析画像に基づき、第２の断面にかかるエネルギービームの加工条件を変更する荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、第１の断面にかかる二次粒子像および第２の断面にかかる二次粒子像に基づき、エネルギービームの加工条件を変更し、当該エネルギービームの照射により第３の断面を形成する荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、エネルギービームの照射により形成された第３の断面にかかる分析情報を分析器により取得するか否かにつき、第１の断面にかかる二次粒子像および第２の断面にかかる二次粒子像に基づき判断する荷電粒子線装置を開示する。
　また、実施例では、第１の断面にかかる二次粒子像に基づき、第１の断面にかかる分析画像の取得条件を変更する荷電粒子線装置を開示する。
　以下、上記およびその他の本発明の新規な特徴と効果について図面を参酌して説明する。なお、図面は、発明の理解のために用いるものであり、権利範囲を限定するものではない。
　図２は、本実施例にかかるＦＩＢ－ＳＥＭの概略構成図である。
　本実施例にかかるＦＩＢ－ＳＥＭは、その内部に試料ステージ５が配置されるチャンバー６に対して、集束イオンビームを照射するＦＩＢカラム１が垂直に、電子ビームを照射するＳＥＭカラム２が斜めに配置されている。ＦＩＢカラム１とＳＥＭカラム２の配置は逆でもよい。また、チャンバー６には、ＢＳＥ検出器３およびＥＤＸ検出器４も設けられている。チャンバー６の内部は、図示していない排気装置により、真空状態に保持されている。
　ＦＩＢカラム１から集束イオンビームを照射することにより、試料ステージ５に載置された試料を加工し、観察用の断面を形成する。また、この断面にＳＥＭカラム２から電子ビームを照射し、ＢＳＥ検出器３によりＢＳＥを検出することによりＳＥＭ観察を実施する。ＢＳＥ検出器の代わりに、ＳＥを検出する二次電子検出器を用いてもよい。また、この断面への電子ビーム照射によりＥＤＸ分析器４にてＥＤＸ分析する。ＥＤＸ分析器の代わりに、ＷＤＸ用検出器やＥＢＳＰ用検出器など、物質の組成、性質、構造または状態などを測定する分析器を用いてもよい。
　ＦＩＢカラム１、ＳＥＭカラム２、ＢＳＥ検出器３、およびＥＤＸ検出器４は、それぞれＦＩＢカラム制御部１１、ＳＥＭカラム制御部２１、検出器制御部３１、およびＥＤＸ検出器制御部４１に接続されており、各制御部により制御されている。これら各制御部は、装置全体制御部７に接続されており、加工観察の条件やタイミングを制御する。
　装置全体制御部７は、ユーザからの指示などが入力される入力部、二次粒子像、分析画像および三次元再構築像などを表示する出力部、分析画像作成や三次元再構築などを実行する計算部、および各種アルゴリズムや計算結果などを記憶する記憶部を有する。装置全体制御部７においては、ＢＳＥ観察とＥＤＸ分析の切替制御を実施している。装置全体制御部7は、試料のある加工面に対して取得したＢＳＥ像とＥＤＸマッピング像の相関から、別の加工面で取得したＢＳＥ像に基づいて擬似的にＥＤＸマッピング像を作成し、これらＥＤＸマッピング像および擬似的ＥＤＸマッピング像から三次元再構築像を作成できる。
　図２は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図である。
　試料の加工面が、第１～第４の４面であり、第１加工面および第４加工面において、ＢＳＥ像およびＥＤＸマッピング像を取得し、第２加工面および第３加工面ではＢＳＥ像のみ取得した場合について説明する。
　本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、第１の加工面にかかるＥＤＸマッピング像（第１Ｍａｐ像）から、注目元素の信号のあるピクセル座標を抽出する。第１Ｍａｐ像（対象）の全座標ではなくサンプリングにより抽出してもよい。そして、この座標に対応する第１ＢＳＥ像の輝度、例えば平均輝度を算出する。次に、算出した輝度に相当する輝度の座標のみ第２ＢＳＥ像から抽出する。この場合、算出する輝度は、ある程度の範囲を持たせてもよい。全体輝度がばらついている場合は、輝度プロファイルの規格を使ってもよい。この第２ＢＳＥ像から抽出された座標情報（像）に基づいて作成されたＥＤＸマッピング像を、第２擬似的ＥＤＸマッピング像（第２補間像）として保存する。
　同様な手順により第３ＢＳＥ像から第３補間像を作成する。なお、この第３補間像の作成にあたっては、第１ＢＳＥ像と第１Ｍａｐ像の相関情報ではなく、第４ＢＳＥ像と第４Ｍａｐ像の相関情報から事後的に作成してもよい。第４ＢＳＥ像と第４Ｍａｐ像の相関情報を基に第３ＢＳＥ像から第３補間像を作成する手順は、上述の第１ＢＳＥ像と第１Ｍａｐ像の相関を基に第２ＢＳＥ像から第２補間像を作成した手順と同じである。
　このようにして取得や作成されたＥＤＸマッピング像や擬似的ＥＤＸマッピング像（第１Ｍａｐ像、第２補間像、第３補間像および第４Ｍａｐ像）から三次元像を再構築する。
　本実施例によれば、取得に長時間を要するＥＤＸマッピング像（分析画像）を加工面ごとに取得する必要が無く、分析画像の三次元再構築像を従来に比べて短い時間で取得できるようになり、解析効率の向上が図れる。また、電子ビーム照射によるダメージを低減でき、解析の信頼性を向上できる。
　本実施例は、ＦＩＢカラムとＳＥＭカラムが垂直配置されたＦＩＢ－ＳＥＭにおける例である。以下、実施例1との相違点を中心に説明する。
　図４は、本実施例にかかるＦＩＢ－ＳＥＭの概略構成図である。
　本実施例にかかるＦＩＢ－ＳＥＭは、チャンバー６に対してＦＩＢカラム１が垂直に、ＳＥＭカラム２が水平に配置されている。つまり、ＦＩＢカラム１に対して直角方向にＳＥＭカラム２が配置されている。なお、ＦＩＢカラム１とＳＥＭカラム２の配置は逆でもよい。この配置構成によれば、ＦＩＢカラム１から照射された集束イオンビームにより加工された加工面に対し、試料ステージ５を動かすことなく、ＳＥＭカラム２から電子ビームを垂直に入射できる。
　本実施例によれば、加工面に対して電子ビームを斜め方向から入射させた場合に比べ高精度な観察や分析が可能である。試料ステージ５の駆動に伴うドリフトも回避できるため、高精度な三次元再構築像を取得できる。
　本実施例は、形状情報から分析画像を作成する例である。以下、実施例１および２との相違点を中心に説明する。
　図５は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムの説明図である。
　実施例１と同様、試料の加工面が、第１～第４の４面であり、第１加工面および第４加工面において、ＢＳＥ像およびＥＤＸマッピング像を取得し、第２加工面および第３加工面ではＢＳＥ像のみ取得した場合について説明する。
　本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、第１Ｍａｐ像から注目元素の形状情報と、該当するピクセル座標を抽出する。代表となるピクセル座標を抽出してもよい。次に、抽出したピクセル座標と形状情報から、第１ＢＳＥ像上の抽出したピクセル座標の近傍位置に抽出した形状情報と類似する形状があるか判定する。類似の形状がある場合には、これを注目元素のＢＳＥ像と推定する。次に、第２ＢＳＥ像上における、上述の抽出されたピクセル座標の近傍位置から、上述の推定された形状情報と類似の形状を抽出する。この第２ＢＳＥ像から抽出された形状情報（像）に基づいて作成されたＥＤＸマッピング像を、第２補間像として保存する。
　同様な手順により第３ＢＳＥ像から第３補間像を作成する。なお、この第３補間像の作成にあたっては、実施例１と同様、第１ＢＳＥ像と第１Ｍａｐ像の相関情報ではなく、第４ＢＳＥ像と第４Ｍａｐ像の相関情報から事後的に作成してもよい。
　このようにして取得や作成されたＥＤＸマッピング像や擬似的ＥＤＸマッピング像（第１Ｍａｐ像、第２補間像、第３補間像および第４Ｍａｐ像）から三次元像を再構築する。
　本実施例によれば、実施例１と同様、取得に長時間を要する分析画像を加工面ごとに取得する必要が無く、分析画像の三次元再構築像を従来に比べて短い時間で取得できるようになり、解析効率の向上が図れる。また、電子ビーム照射によるダメージを低減でき、解析の信頼性を向上できる。
　本実施例は、１つの加工面における二次粒子像と分析画像の相関から、次の加工面における二次粒子像より擬似的に分析画像を作成する三次元再構築において、より精度の高い三次元像を再構築するために観察条件を最適化するものである。以下、実施例１～３との相違点を中心に説明する。
　図６は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。
　本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）および分析画像（ＥＤＸマッピング像)を取得する。第１の断面観察時における電子ビーム照射は、ＥＤＸマッピング像を取得するために、電子ビームの引き出し電圧を高加速電圧にして実施する。次に、第２の断面加工と、第２の断面観察を実施する。第２の断面観察では二次粒子像(ＢＳＥ像)のみ取得する。第２の断面観察時では、ＥＤＸマッピング像を取得する必要が無いため、電子ビームの加速電圧は低くする。低加速電子ビーム照射により、第２の断面観察では、深さ方向および面内方向ともに分解能が上がる。このため、第２の加工断面のＢＳＥ像から擬似的に作成した擬似的ＥＤＸマッピング像において高分解能な像を形成できる。
　なお、第２の断面観察時の観察条件として、電子ビームの加速電圧を下げる代わりに、ホルダー側に接続された電圧印加機構によりリタ－ディング電圧を印加しても同様の効果を得られる。
　本実施例によれば、高分解能な擬似的ＥＤＸマッピング像（分析画像）を作成でき、これら高分解能な分析画像から高精度な三次元像を再構築できる。
　本実施例は、１つの加工面における二次粒子像と分析画像の相関から、次の加工面における二次粒子像より擬似的に分析画像を作成する三次元再構築において、断面加工の加工条件を最適化するものである。以下、実施例１～４との相違点を中心に説明する。
　図７は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。
　本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）および分析画像（ＥＤＸマッピング像)を取得する。取得したＥＤＸマッピング像からＥＤＸマッピング像中の粒径を測定し、最小粒径（ａ）を判断する。次に、第２の断面加工にあたり、イオンビーム照射による加工量がａ以下となるよう加工条件に変更する。これにより、加工量が大き過ぎることにより、二次粒子像および分析画像からの情報の欠落を抑制できる。
　本実施例によれば、二次粒子像および分析画像に粒子の情報が確実に捕捉されるため、情報の確実性が高い三次元像を再構築できる。
　本実施例は、組成変化を踏まえて断面加工の加工条件を最適化するものである。以下、実施例１～５との相違点を中心に説明する。
　図８は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。
　本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）および分析画像（ＥＤＸマッピング像)を取得する。この時のＢＳＥ像をＢＳＥ像（１）とする。次に、第２の断面加工と、第２の断面観察を実施し、ＢＳＥ像を取得する。この時のＢＳＥ像をＢＳＥ像（２）とする。そして、第３の断面加工を実施する前に、ＢＳＥ像（１）の輝度とＢＳＥ像（２）の輝度を比較する。ＢＳＥ像（１）の輝度に対するＢＳＥ像（２）の輝度の比率がある規定値αを超えている場合は、材料の加工面方向の組成変化が急峻と推測されるため、第三の断面加工時の加工量が小さくなるように加工条件を変更する。また、第３の断面観察では、当初予定を変更し、ＥＤＸマッピング像を取得する。これにより、第３の加工断面の観測において、組成変化の急峻にかかる情報が捕捉される確実性を高められる。
　本実施例によれば、二次粒子像および分析画像に組成の情報が捕捉され易くなるため、情報の確実性が高い三次元像を再構築できる。
　本実施例は、１つの加工面における二次粒子像と分析画像の相関から、次の加工面における二次粒子像より擬似的に分析画像を形成する三次元再構築において、分析画像の取得条件を最適化するものである。以下、実施例１～６との相違点を中心に説明する。
　図９は、本実施例にかかる三次元再構築アルゴリズムのフロー図である。
　本実施例の三次元再構築アルゴリズムでは、イオンビーム照射により第１の断面加工を実施する。次に、第１の加工断面への電子ビーム照射により二次粒子像（ＢＳＥ像）を取得する。そして、取得したＢＳＥ像からＢＳＥ像中の粒子径を測定する。この時の最小粒子径が規定値βより小さい場合は、同じ加工断面のＥＤＸマッピング像の取得における取得条件を見直す。例えば、高分解能取得モードとして取得する。これにより、ＢＳＥ像とＥＤＸ像の相関について、より高い情報が得られる。
　本実施例によれば、二次粒子像と分析画像の相関が高まるため、高精度な三次元像を再構築できる。
　１…ＦＩＢカラム
　２…ＳＥＭカラム
　３…ＢＳＥ検出器
　４…ＥＤＸ分析器
　５…試料ステージ
　６…チャンバー
　７…装置全体制御部
　１１…ＦＩＢカラム制御部
　２１…ＳＥＭカラム制御部
　３１…検出器制御部
　４１…ＥＤＸ分析器制御部
　１１１、１１２、１１３、１１４…二次粒子像
　１２１、１２２…分析画像
　１３１、１３２…擬似的分析画像

Claims (13)

  1. 　エネルギービームを照射するエネルギービーム光学系と、
    　電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、
    　試料を載置する試料ステージと、
    　試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出器と、
    　試料から発生する分析情報を検出する分析器と、を備える荷電粒子線装置において、
    　エネルギービームの照射により試料に第１の断面を形成し、当該第１の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子および分析情報を検出し、エネルギービームの照射により第２の断面を形成し、当該第２の断面への電子ビームの照射により試料から発生した二次粒子を検出し、前記第１の断面にかかる二次粒子像および分析画像の相関に基づき、前記第２の断面にかかる二次粒子像から前記第２の断面の分析画像を擬似的に作成することを特徴とする荷電粒子線装置。
  2. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　少なくとも、前記第１の断面にかかる分析画像と、前記第２の断面にかかる擬似的な分析画像を用いて、３次元再構築することを特徴とする荷電粒子線装置。
  3. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記二次粒子検出器が、反射電子検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
  4. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記二次粒子検出器が、二次電子検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
  5. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記分析器が、ＥＤＸ用検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
  6. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記分析器が、ＷＤＸ用検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
  7. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記分析器が、ＥＢＳＰ用検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。
  8. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記第２の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧を、前記第１の断面へ電子ビームを照射するときの加速電圧より下げることを特徴とする荷電粒子線装置。
  9. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記第２の断面へ電子ビームを照射するときに、試料にリターディング電圧を印加することにより、前記第１の断面へ電子ビームを照射するときとは異なる観察条件とすることを特徴とする荷電粒子線装置。
  10. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記第１の断面にかかる分析画像に基づき、前記第２の断面にかかるエネルギービームの加工条件を変更することを特徴とする荷電粒子線装置。
  11. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記第１の断面にかかる二次粒子像および前記第２の断面にかかる二次粒子像に基づき、エネルギービームの加工条件を変更し、当該エネルギービームの照射により第３の断面を形成することを特徴とする荷電粒子線装置。
  12. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　エネルギービームの照射により形成された第３の断面にかかる分析情報を前記分析器により取得するか否かにつき、前記第１の断面にかかる二次粒子像および前記第２の断面にかかる二次粒子像に基づき判断することを特徴とする荷電粒子線装置。
  13. 　請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
    　前記第１の断面にかかる二次粒子像に基づき、前記第１の断面にかかる分析画像の取得条件を変更することを特徴とする荷電粒子線装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018152330A (ja) * 2017-02-16 2018-09-27 カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ＧｍｂＨ 物体を分析する方法およびこの方法を実行するための荷電粒子ビーム装置
JP2019129072A (ja) * 2018-01-24 2019-08-01 日本電子株式会社 走査電子顕微鏡および測定方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135052A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2002323463A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Shimadzu Corp 電子線分析装置
JP2007250377A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡、及びそれに取り付けられる電子顕微鏡用試料室
JP2011204570A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 複合荷電粒子線装置
JP2014082027A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
JP2014116292A (ja) * 2012-11-15 2014-06-26 Hitachi High-Tech Science Corp 断面加工観察方法及び装置
JP2014192090A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Hitachi High-Tech Science Corp 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム
JP2014222674A (ja) * 2014-08-01 2014-11-27 株式会社日立ハイテクサイエンス 電子顕微鏡

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135052A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP2002323463A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Shimadzu Corp 電子線分析装置
JP2007250377A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡、及びそれに取り付けられる電子顕微鏡用試料室
JP2011204570A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 複合荷電粒子線装置
JP2014082027A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
JP2014116292A (ja) * 2012-11-15 2014-06-26 Hitachi High-Tech Science Corp 断面加工観察方法及び装置
JP2014192090A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Hitachi High-Tech Science Corp 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム
JP2014222674A (ja) * 2014-08-01 2014-11-27 株式会社日立ハイテクサイエンス 電子顕微鏡

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018152330A (ja) * 2017-02-16 2018-09-27 カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ＧｍｂＨ 物体を分析する方法およびこの方法を実行するための荷電粒子ビーム装置
JP2019129072A (ja) * 2018-01-24 2019-08-01 日本電子株式会社 走査電子顕微鏡および測定方法

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