JP2014191726A - 透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルムおよび入力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性が向上された透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルムおよび入力装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜２４，３４が、透明絶縁層１０の一面の透明導体層２０ａ上および他面の透明導体層３０ａ上にそれぞれ形成される。レジスト膜２４，３４は、それぞれ異なる感光波長分布を有する。露光光２５，３５がレジスト膜２４，３４にそれぞれ照射される。露光光２５，３５は、それぞれ異なる強度分布を有する。レジスト膜２４，３４の感光波長分布は、それぞれ３６５ｎｍおよび４３６ｎｍの波長を有するピークを含む。レジスト膜２４の感光波長分布における３６５ｎｍの波長に対する感光性は４３６ｎｍの波長に対する感光性よりも高い。また、レジスト膜３４の感光波長分布における４３６ｎｍの波長に対する感光性は３６５ｎｍの波長に対する感光性よりも高い。
【選択図】図６

Description

本発明は、透明導電性フィルムの製造方法および透明導電性フィルムならびにそれを備えた入力装置に関する。

近年、テレビ、携帯電話機、携帯情報端末またはその他の光学的表示装置の表示画面には、入力装置としてタッチパネルが設けられている。このようなタッチパネルにおいては、透明導電性フィルムが用いられる。例えば、特許文献１のアナログ抵抗膜方式のタッチパネルにおいては、一面に透明電極が形成された透明絶縁基材が用いられている。

特許文献１の透明電極は、レジストエッチング処理で透明絶縁基材の全面に設けられた透明導電膜から不要な部分を除去することにより形成される。あるいは、透明電極は、メタルマスク等を介して透明絶縁基材の全面に設けられた透明導電膜をパターン化することにより形成される。

特開２００１−２１６０９０号公報

透明絶縁基材の両面に透明電極を形成する場合にも、特許文献１に記載された方法を用いることができる。しかしながら、透明絶縁基材の両面に同時に感光性材料を形成して透明導電膜を加工する場合、透明絶縁基材の一面に照射された光が透明絶縁基材を透過することにより、透明絶縁基材の他面の感光性材料に不要な感光が発生する。同様に、透明絶縁基材の他面に照射された光が透明絶縁基材を透過することにより、透明絶縁基材の一面の感光性材料に不要な感光が発生する。この場合、透明導電性フィルムの信頼性が低下する。

本発明の目的は、信頼性が向上された透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルムおよび入力装置を提供することである。

（１）第１の発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、透明絶縁層の一面および他面に第１の導体層および第２の導体層がそれぞれ形成された積層体を準備するステップと、第１の感光波長分布を有する第１のレジスト膜を第１の導体層上に形成し、第１の感光波長分布と異なる第２の感光波長分布を有する第２のレジスト膜を第２の導体層上に形成するステップと、第１の強度分布を有しかつ第１のパターンを有する第１の露光光を第１のレジスト膜に照射し、第１の強度分布と異なる第２の強度分布を有しかつ第２のパターンを有する第２の露光光を第２のレジスト膜に照射するステップと、第１のレジスト膜を現像することにより第１のレジストパターンを形成し、第２のレジスト膜を現像することにより第２のレジストパターンを形成するステップと、第１のレジストパターンを除く第１の導体層の領域を除去することにより第１の透明導体パターンを形成し、第２のレジストパターンを除く第２の導体層の領域を除去することにより第２の透明導体パターンを形成するステップと、第１のレジストパターンを除去し、第２のレジストパターンを除去するステップとを含み、第１の強度分布は第１の波長を有するピークを含み、第２の強度分布は第１の波長と異なる第２の波長を有するピークを含み、第１の感光波長分布における第１の波長に対する第１のレジスト膜の感光性は第２の波長に対する感光性よりも高く、第２の感光波長分布における第２の波長に対する第２のレジスト膜の感光性は第１の波長に対する感光性よりも高いものである。

この透明導電性フィルムの製造方法においては、第１および第２のレジスト膜が、透明絶縁層の一面の第１の導体層上および他面の第２の導体層上にそれぞれ形成される。第１および第２のレジスト膜は、互いに異なる第１および第２の感光波長分布をそれぞれ有する。第１および第２の露光光が第１および第２のレジスト膜にそれぞれ照射される。第１および第２の露光光は、それぞれ第１および第２の強度分布を有する。

第１および第２のレジスト膜が現像されることにより第１および第２のレジストパターンがそれぞれ形成される。第１および第２のレジストパターンを除く第１および第２の導体層の領域が除去されることにより、第１および第２の透明導体パターンがそれぞれ形成される。

ここで、第１および第２の強度分布は、互いに異なる第１および第２の波長を有するピークをそれぞれ含む。第１の感光波長分布における第１の波長に対する第１のレジスト膜の感光性は第２の波長に対する感光性よりも高く、第２の感光波長分布における第２の波長に対する第２のレジスト膜の感光性は第１の波長に対する感光性よりも高い。

この構成によれば、第１のレジスト膜に照射された第１の露光光が第１のレジスト膜、第１の導体層、透明絶縁層および第２の導体層を透過した場合でも、第１の露光光により第２のレジスト膜が感光されにくい。同様に、第２のレジスト膜に照射された第２の露光光が第２のレジスト膜、第２の導体層、透明絶縁層および第１の導体層を透過した場合でも、第２の露光光により第１のレジスト膜が感光されにくい。

これにより、透明絶縁層の一面上に第１の透明導体パターンを高い精度で形成することができるとともに、透明絶縁層の他面上に第２の透明導体パターンを高い精度で形成することができる。その結果、透明導電性フィルムの信頼性を向上させることができる。

（２）第１の露光光の第１の波長に対する第１のレジスト膜の吸収率からの第２の露光光の第２の波長に対する第１のレジスト膜の吸収率の差を第１の吸収率差と定義し、第２の露光光の第２の波長に対する第２のレジスト膜の吸収率からの第１の露光光の第１の波長に対する第２のレジスト膜の吸収率の差を第２の吸収率差と定義した場合、第１の吸収率差が１５％以上であり、第２の吸収率差が１５％以上であってもよい。

この場合、第２の露光光による第１のレジスト膜の感光量が第１の露光光による第１のレジスト膜の感光量よりも十分に低減される。また、第１の露光光による第２のレジスト膜の感光量が第２の露光光による第２のレジスト膜の感光量よりも十分に低減される。これにより、透明導電性フィルムの信頼性をより向上させることができる。

（３）第１の吸収率差と第２の吸収率差との和が６０％以上であってもよい。

この場合、第２の露光光による第１のレジスト膜の感光量がさらに低減されるとともに、第１の露光光による第２のレジスト膜の感光量がさらに低減される。これにより、透明導電性フィルムの信頼性をさらに向上させることができる。

（４）第１のレジスト膜に照射される第１の露光光の光量に対する第２のレジスト膜、第２の導体層、透明絶縁層および第１の導体層を透過して第１のレジスト膜に照射される第２の露光光の光量の比を第１の光量比と定義し、第２のレジスト膜に照射される第２の露光光の光量に対する第１のレジスト膜、第１の導体層、透明絶縁層および第２の導体層を透過して第２のレジスト膜に照射される第１の露光光の光量の比を第２の光量比と定義した場合、第１の光量比が２０％以下であり、第２の光量比が２０％以下であってもよい。

この場合、第１のレジスト膜に照射される第２の露光光の光量が第１のレジスト膜に照射される第１の露光光の光量よりも十分に低減される。また、第２のレジスト膜に照射される第１の露光光の光量が第２のレジスト膜に照射される第２の露光光の光量よりも十分に低減される。これにより、透明導電性フィルムの信頼性をより向上させることができる。

（５）第１の光量比と第２の光量比との和が２５％以下であってもよい。

この場合、第１のレジスト膜に照射される第２の露光光の光量がさらに低減されるとともに、第２のレジスト膜に照射される第１の露光光の光量がさらに低減される。これにより、透明導電性フィルムの信頼性をさらに向上させることができる。

（６）第１および第２の波長は３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。

第１および第２の波長が３００ｎｍ以上である場合、第１および第２のレジスト膜を高精度でかつ容易に形成することができる。また、第１および第２の波長が５００ｎｍ以下である場合、周囲の可視光によるレジスト膜の感光を抑制することができる。

（７）第１の波長は３６５ｎｍを含み、第２の波長は４３６ｎｍを含んでもよい。

この場合、第１および第２の露光光を容易に生成することができる。また、第１の波長と第２の波長との差が大きい。これにより、第２の露光光により第１のレジスト膜が感光することを防止することができるとともに、第１の露光光により第２のレジスト膜が感光することを防止することができる。その結果、透明導電性フィルムの信頼性をさらに向上させることができる。

（８）第２の発明に係る透明導電性フィルムは、第１の発明に係る透明導電性フィルムの製造方法により製造されるものである。

この透明導電性フィルムは、上記の透明導電性フィルムの製造方法により製造される。これにより、透明絶縁層の一面上に第１の透明導体パターンが高い精度で形成されるとともに、透明絶縁層の他面上に第２の透明導体パターンが高い精度で形成される。その結果、透明導電性フィルムの信頼性を向上させることができる。

（９）第３の発明に係る入力装置は、使用者により接触された位置を検出する検出回路に接続される入力装置であって、第１の発明に係る透明導電性フィルムの製造方法により製造される透明導電性フィルムと、透明導電性フィルムの第１および第２の透明導体パターンを検出回路に電気的に接続する配線回路基板とを備えるものである。

この入力装置においては、透明導電性フィルムが上記の透明導電性フィルムの製造方法により製造される。透明導電性フィルムの第１および第２の透明導体パターンが配線回路基板により検出回路に電気的に接続される。使用者が入力装置を接触した場合、使用者により接触された位置が検出回路により検出される。

この透明導電性フィルムは、上記の透明導電性フィルムの製造方法により製造される。これにより、透明絶縁層の一面上に第１の透明導体パターンが高い精度で形成されるとともに、透明絶縁層の他面上に第２の透明導体パターンが高い精度で形成される。その結果、入力装置の信頼性を向上させることができる。

本発明によれば、透明導電性フィルムおよび入力装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施の形態に係る透明導電性フィルムの模式的斜視図である。 透明絶縁層の一面側から見た透明導電性フィルムの平面図である。 透明絶縁層の他面側から見た透明導電性フィルムの底面図である。 図２および図３のＡ−Ａ線断面図である。 図１の透明導電性フィルムの製造工程を示す模式的工程断面図である。 図１の透明導電性フィルムの製造工程を示す模式的工程断面図である。 図１の透明導電性フィルムの製造工程を示す模式的工程断面図である。 透明導電性フィルムを用いたタッチパネルの模式図である。 実施例１〜３および比較例１，２に係る透明導電性フィルムの斜視図である。 実施例１におけるレジスト膜の吸収波長分布（波長依存性）を示す図である。 実施例２におけるレジスト膜の吸収波長分布（波長依存性）を示す図である。 比較例１におけるレジスト膜の吸収波長分布（波長依存性）を示す図である。 顕微鏡を用いて撮影された透明導電性フィルムの一部の拡大画像である。

以下、本発明の実施の形態に係る透明導電性フィルムの製造方法、透明導電性フィルムおよび入力装置について図面を参照しながら説明する。以下の本発明の実施の形態においては、透明導電性フィルムの例として、入力装置であるタッチパネルに用いられる透明導電性フィルムの構成およびその製造方法について説明する。

（１）透明導電性フィルムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る透明導電性フィルムの斜視図である。図１に示すように、透明導電性フィルム１００は、透明絶縁層１０、複数の透明電極２０および複数の透明電極３０（後述する図３参照）を含む。

本例においては、透明絶縁層１０は矩形状を有する。図１ならびに後述する図２、図３および図９において、透明絶縁層１０の対向する一組の辺が延びる方向をＸ方向と呼び、透明絶縁層１０の対向する他の一組の辺が延びる方向をＹ方向と呼ぶ。また、Ｘ方向およびＹ方向に直交する方向をＺ方向と呼ぶ。

透明絶縁層１０は、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、セルロース樹脂またはシクロオレフィンポリマー樹脂（ＣＯＰ）等の透明な光学等方性材料により形成される。本実施の形態においては、透明絶縁層１０はＣＯＰにより形成される。

以下、ピーク波長が３６５ｎｍの光をｉ線と呼び、ピーク波長が４０５ｎｍの光をｈ線と呼び、ピーク波長が４３６ｎｍの光をｇ線と呼ぶ。透明絶縁層１０がＣＯＰにより形成された場合、ｉ線、ｈ線およびｇ線に対する透明絶縁層１０の透過率は６０％以上である。

複数の透明電極２０，３０は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明な導電材料により形成される。複数の透明電極２０は透明絶縁層１０の一面に設けられ、複数の透明電極３０は透明絶縁層１０の他面に設けられる。

図２は、透明絶縁層１０の一面側から見た透明導電性フィルム１００の平面図である。図２においては、構成の理解を容易にするために、複数の透明電極２０にハッチングが付されている。図２に示すように、複数の透明電極２０は、Ｙ方向に平行に延びかつＸ方向に並ぶように透明絶縁層１０の一面に配置される。複数の透明電極２０は、互いに電気的に絶縁されている。

各透明電極２０は、複数の接触検出パターン２１および配線パターン２２を含む。図２の例においては、各接触検出パターン２１は矩形状を有する。各透明電極２０において、複数の接触検出パターン２１がＹ方向に並ぶように配置される。隣り合う２つの接触検出パターン２１の頂点は、互いに電気的に接続される。

各透明電極２０の一方の端部に位置する接触検出パターン２１の頂点には、配線パターン２２が電気的に接続される。各透明電極２０の配線パターン２２は、後述する図８のフレキシブル配線回路（以下、ＦＰＣと呼ぶ）基板１１０に接続される。

このように、透明絶縁層１０の一面には複数の透明電極２０がＸ方向に並ぶように配置される。また、各透明電極２０において、複数の接触検出パターン２１がＹ方向に並ぶように配置される。すなわち、透明絶縁層１０の一面には、複数の接触検出パターン２１がＸ方向およびＹ方向に並ぶように配置される。

これにより、透明絶縁層１０の一面には、複数の接触検出パターン２１により取り囲まれる複数の開口領域２３が形成される。各開口領域２３は、一の透明電極２０において隣り合う２つの接触検出パターン２１と、一の透明電極２０に隣接する他の透明電極２０において隣り合う２つの接触検出パターン２１とにより取り囲まれる。図２の例においては、各開口領域２３は矩形状を有する。

図３は、透明絶縁層１０の他面側から見た透明導電性フィルム１００の底面図である。図３においては、構成の理解を容易にするために、複数の透明電極３０にハッチングが付されている。図３に示すように、複数の透明電極３０は、Ｘ方向に平行に延びかつＹ方向に並ぶように透明絶縁層１０の他面に配置される。複数の透明電極３０は、互いに電気的に絶縁されている。

各透明電極３０は、複数の接触検出パターン３１および配線パターン３２を含む。図３の例においては、各接触検出パターン３１は矩形状を有する。各透明電極３０において、複数の接触検出パターン３１がＸ方向に並ぶように配置される。隣り合う２つの接触検出パターン３１の頂点は、互いに電気的に接続される。

各透明電極３０の一方の端部に位置する接触検出パターン３１の頂点には、配線パターン３２が電気的に接続される。各透明電極３０の配線パターン３２は、後述する図８のＦＰＣ基板１１０に接続される。

このように、透明絶縁層１０の他面には複数の透明電極３０がＹ方向に並ぶように配置される。また、各透明電極３０において、複数の接触検出パターン３１がＸ方向に並ぶように配置される。すなわち、透明絶縁層１０の他面には、複数の接触検出パターン３１がＸ方向およびＹ方向に並ぶように配置される。

これにより、透明絶縁層１０の他面には、複数の接触検出パターン３１により取り囲まれる複数の開口領域３３が形成される。各開口領域３３は、一の透明電極３０において隣り合う２つの接触検出パターン３１と、一の透明電極３０に隣接する他の透明電極３０において隣り合う２つの接触検出パターン３１とにより取り囲まれる。図３の例においては、各開口領域３３は矩形状を有する。

図４は、図２および図３のＡ−Ａ線断面図である。図４に示すように、一部の接触検出パターン２１を除いて、複数の接触検出パターン２１は複数の開口領域３３と重なるように形成される。また、一部の接触検出パターン３１を除いて、複数の接触検出パターン３１は複数の開口領域２３と重なるように形成される。これにより、複数の接触検出パターン２１と複数の接触検出パターン３１とは、互いに重ならないように形成される。

（２）透明導電性フィルムの製造方法
図１の透明導電性フィルム１００の製造工程について説明する。図５〜図７は、図１の透明導電性フィルム１００の製造工程を示す模式的工程断面図である。図５〜図７は、図２および図３のＡ−Ａ線断面図を示す。

まず、図５（ａ）に示すように、透明絶縁層１０の一面および他面に透明導体層２０ａ，３０ａがそれぞれ形成された積層体１００ａを準備する。透明絶縁層１０の厚みは、２５μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１２５μｍ以下であることがより好ましい。また、透明導体層２０ａ，３０ａの厚みは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。

次に、図５（ｂ）に示すように、透明導体層２０ａ上にエッチング用のレジスト膜２４を形成するとともに、透明導体層３０ａ上にエッチング用のレジスト膜３４を形成する。レジスト膜２４，３４は、感光性ドライフィルムレジストであり、例えばラミネートにより透明導体層２０ａ，３０ａ上にそれぞれ形成される。ここで、レジスト膜２４の吸収波長分布におけるピーク波長とレジスト膜３４の吸収波長分布におけるピーク波長とは互いに異なる。吸収波長分布は感光波長分布に相当する。

続いて、図６（ａ）に示すように、所定のパターンを有するマスクＭ１を介してレジスト膜２４に露光光２５を照射することによりレジスト膜２４を露光するとともに、所定のパターンを有するマスクＭ２を介してレジスト膜３４に露光光３５を照射することによりレジスト膜３４を露光する。ここで、露光光２５の強度分布におけるピーク波長と露光光３５の強度分布におけるピーク波長とは互いに異なる。

その後、現像液を用いてレジスト膜２４，３４を現像することにより、図６（ｂ）に示すように、それぞれエッチングレジストパターン２４ａ，３４ａを形成する。レジスト膜２４，３４は現像液中に浸漬されることにより現像されてもよいし、現像液が噴霧されることにより現像されてもよい。エッチングレジストパターン２４ａ，３４ａの厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。

次に、図７（ａ）に示すように、エッチングレジストパターン２４ａから露出した透明導体層２０ａの部分およびエッチングレジストパターン３４ａから露出した透明導体層３０ａの部分を例えばアルカリ性処理液を用いたエッチングにより除去する。これにより、透明絶縁層１０の一面上に複数の接触検出パターン２１および配線パターン２２を有する透明電極２０が複数形成される。また、透明絶縁層１０の他面上に複数の接触検出パターン３１および配線パターン３２を有する透明電極３０が複数形成される。

最後に、図７（ｂ）に示すように、複数の透明電極２０からエッチングレジストパターン２４ａを除去するとともに、複数の透明電極３０からエッチングレジストパターン３４ａを除去する。これにより、透明導電性フィルム１００が完成する。

（３）レジスト膜および露光光の特性
図５（ｂ）の工程において、レジスト膜２４の吸収波長分布のピーク波長とレジスト膜３４の吸収波長分布のピーク波長とは互いに異なる。本例では、レジスト膜２４の吸収波長分布のピーク波長は３６５ｎｍである。一方、レジスト膜３４の吸収波長分布のピーク波長は４３６ｎｍである。

また、図６（ａ）の工程において、露光光２５のピーク波長と露光光３５のピーク波長とは互いに異なる。本例では、露光光２５はｉ線（ピーク波長３６５ｎｍ）である。一方、露光光３５はｇ線（ピーク波長４３６ｎｍ）である。露光光２５，３５は、例えばレーザー光源により発生される。あるいは、露光光２５，３５は、例えばショートアークランプからの光を通過波長３６５ｎｍ付近および４３６ｎｍ付近の帯域通過フィルタをそれぞれ通過させることにより発生されてもよい。

この構成によれば、図６（ａ）の工程において、レジスト膜２４に照射した露光光２５がレジスト膜２４、透明導体層２０ａ、透明絶縁層１０および透明導体層３０ａを透過した場合でも、露光光２５によりレジスト膜３４が感光されにくい。同様に、レジスト膜３４に照射した露光光３５がレジスト膜３４、透明導体層３０ａ、透明絶縁層１０および透明導体層２０ａを透過した場合でも、露光光３５によりレジスト膜２４が感光されにくい。

露光光２５のピーク波長に対するレジスト膜２４の吸収率をｘ１［％］とし、露光光３５のピーク波長に対するレジスト膜２４の吸収率をｘ２［％］とする。露光光３５のピーク波長に対するレジスト膜３４の吸収率をｘ３［％］とし、露光光２５のピーク波長に対するレジスト膜３４の吸収率をｘ４［％］とする。

この場合、吸収率ｘ１からの吸収率ｘ２の差（以下、第１の吸収率差（ｘ１−ｘ２）と呼ぶ）が１５％以上であることが好ましい。また、吸収率ｘ３からの吸収率ｘ４の差（以下、第２の吸収率差（ｘ３−ｘ４）と呼ぶ）が１５％以上であることが好ましい。

すなわち、レジスト膜２４においては、露光光２５のピーク波長に対する吸収率が露光光３５のピーク波長に対する吸収率よりも１５％以上大きいことが好ましい。また、レジスト膜３４においては、露光光３５のピーク波長に対する吸収率が露光光２５のピーク波長に対する吸収率よりも１５％以上大きいことが好ましい。さらに、レジスト膜２４，３４の吸収率に関連する指標ＸをＸ＝（ｘ１−ｘ２）＋（ｘ３−ｘ４）と定義した場合、指標Ｘは６０％より大きいことがより好ましい。

レジスト膜２４に照射される露光光２５の光量をｙ１［ｍＪ／ｃｍ^２］とし、レジスト膜３４、透明導体層３０ａ、透明絶縁層１０および透明導体層２０ａを透過してレジスト膜２４に照射される露光光３５の光量をｙ２［ｍＪ／ｃｍ^２］とする。レジスト膜３４に照射される露光光３５の光量をｙ３［ｍＪ／ｃｍ^２］とし、レジスト膜２４、透明導体層２０ａ、透明絶縁層１０および透明導体層３０ａを透過してレジスト膜３４に照射される露光光２５の光量をｙ４［ｍＪ／ｃｍ^２］とする。

この場合、光量ｙ１に対する光量ｙ２の比（以下、第１の光量比（ｙ２／ｙ１）と呼ぶ）が２０％以下であることが好ましい。また、光量ｙ３に対する光量ｙ４の比（以下、第２の光量比（ｙ４／ｙ３）と呼ぶ）が２０％以下であることが好ましい。

すなわち、レジスト膜２４に照射される露光光３５の光量はレジスト膜２４に照射される露光光２５の光量の２０％以下であることが好ましい。また、レジスト膜３４に照射される露光光２５の光量はレジスト膜３４に照射される露光光３５の光量の２０％以下であることが好ましい。さらに、露光光２５，３５の光量に関連する指標ＹをＹ＝（ｙ２／ｙ１＋ｙ４／ｙ３）×１００と定義した場合、指標Ｙは２５より小さいことがより好ましい。

レジスト膜２４，３４の吸収波長分布におけるピーク波長は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。レジスト膜２４，３４の吸収波長分布におけるピーク波長が３００ｎｍ以上である場合、エッチングレジストパターン２４ａ，３４ａを高精度でかつ容易に形成することができる。レジスト膜２４，３４の吸収波長分布におけるピーク波長が５００ｎｍ以下である場合、周囲の可視光によるレジスト膜２４，３４の感光を抑制することができる。

（４）透明導電性フィルムを用いたタッチパネル
次に、上記の透明導電性フィルム１００を用いたタッチパネルについて説明する。図８は、透明導電性フィルム１００を用いたタッチパネルの模式図である。タッチパネル２００は、テレビ、携帯電話機、携帯情報端末またはその他の光学的表示装置の表示画面ＤＰに重なるように設けられる。なお、図８の例においては、タッチパネル２００は静電容量方式のタッチパネルである。

図８に示すように、タッチパネル２００は、図１の透明導電性フィルム１００に加えて、ＦＰＣ基板１１０、接着層１２０，１３０、保護層１４０，１５０および検出回路１６０を含む。接着層１２０，１３０は、光学用透明接着剤（ＯＣＡ）を含む。透明導電性フィルム１００は、接着層１２０を介して表示画面ＤＰに接着される。本例においては、透明導電性フィルム１００の透明絶縁層１０の他面（図３）が接着層１２０を介して表示画面ＤＰに接着される。

保護層１４０は、例えばカバーガラスを含む。保護層１４０は、接着層１３０を介して透明導電性フィルム１００に接着される。本例においては、保護層１４０は、接着層１３０を介して透明導電性フィルム１００の透明絶縁層１０の一面（図２）に接着される。保護層１５０は、例えば反射防止膜を含む。保護層１５０は、保護層１４０上に設けられる。保護層１４０は、ＯＣＡを介して保護層１５０に接着されてもよい。

検出回路１６０は、例えば集積回路（ＩＣ）により構成される。ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性フィルム１００の複数の透明電極２０（図２）および複数の透明電極３０（図３）に接続される。ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性フィルム１００の縁を通って透明導電性フィルム１００の外部に引き出され、検出回路１６０に接続される。検出回路１６０は、透明導電性フィルム１００上に設けられてもよい。この場合、ＦＰＣ基板１１０は、透明導電性フィルム１００の外部に引き出されず、透明導電性フィルム１００の縁を通って透明導電性フィルム１００上の検出回路１６０に接続される。

使用者は、指またはタッチペン（図８の例では指）でタッチパネル２００の保護層１５０の任意の位置を接触する。この場合、透明導電性フィルム１００の複数の透明電極２０のうち、接触された保護層１５０の位置に重なる位置付近の複数の透明電極２０間の静電容量が変化する。同様に、透明導電性フィルム１００の複数の透明電極３０のうち、接触された保護層１５０の位置に重なる位置付近の複数の透明電極３０間の静電容量が変化する。

検出回路１６０は、複数の透明電極２０間の静電容量の変化を検出することにより、使用者が接触したタッチパネル２００のＸ方向の位置を算出する。また、検出回路１６０は、複数の透明電極３０間の静電容量の変化を検出することにより、使用者が接触したタッチパネル２００のＹ方向の位置を算出する。これらの結果、検出回路１６０は、使用者が接触したタッチパネル２００の二次元的な位置を検出することができる。

（５）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、入力装置の一例として静電容量方式のタッチパネルについて説明したが、これに限定されない。本発明は、抵抗膜方式のタッチパネル等の種々の入力装置にも適用可能である。

（ｂ）上記実施の形態の図５（ｂ）の工程において、レジスト膜２４，３４は透明導体層２０ａ，３０ａ上に同時に形成されるが、これに限定されない。レジスト膜２４が透明導体層２０ａ上に形成された後にレジスト膜３４が透明導体層３０ａ上に形成されてもよいし、レジスト膜３４が透明導体層３０ａ上に形成された後にレジスト膜２４が透明導体層２０ａ上に形成されてもよい。

（ｃ）上記実施の形態の図６（ａ）の工程において、レジスト膜２４，３４は同時に露光される。これにより、図６（ｂ）の工程において、エッチングレジストパターン２４ａ，３４ａが同時に形成されるが、これに限定されない。レジスト膜２４が露光された後にレジスト膜３４が露光されてもよい。この場合、エッチングレジストパターン２４ａが形成された後に、エッチングレジストパターン３４ａが形成される。一方、レジスト膜３４が露光された後にレジスト膜２４が露光されてもよい。この場合、エッチングレジストパターン３４ａが形成された後に、エッチングレジストパターン２４ａが形成される。

（ｄ）上記実施の形態の図７（ａ）の工程において、エッチングレジストパターン２４ａ，３４ａから露出した透明導体層２０ａ，３０ａの部分が同時に除去される。これにより、複数の透明電極２０，３０が同時に形成されるが、これに限定されない。エッチングレジストパターン２４ａから露出した透明導体層２０ａの部分が除去された後に、エッチングレジストパターン３４ａから露出した透明導体層３０ａの部分が除去されてもよい。この場合、複数の透明電極２０が形成された後に、複数の透明電極３０が形成される。一方、エッチングレジストパターン３４ａから露出した透明導体層３０ａの部分が除去された後に、エッチングレジストパターン２４ａから露出した透明導体層２０ａの部分が除去されてもよい。この場合、複数の透明電極３０が形成された後に、複数の透明電極２０が形成される。

（ｅ）上記実施の形態の図７（ｂ）の工程において、エッチングレジストパターン２４ａ，２４ｂが同時に除去されるが、これに限定されない。エッチングレジストパターン２４ａが除去された後にエッチングレジストパターン３４ａが除去されてもよいし、エッチングレジストパターン３４ａが除去された後にエッチングレジストパターン２４ａが除去されてもよい。

（６）効果
本実施の形態に係る透明導電性フィルム１００の製造方法においては、レジスト膜２４，３４が、透明絶縁層１０の一面の透明導体層２０ａ上および他面の透明導体層３０ａ上にそれぞれ形成される。レジスト膜２４，３４は、それぞれ異なる感光波長分布を有する。露光光２５，３５がレジスト膜２４，３４にそれぞれ照射される。露光光２５，３５は、それぞれ異なる強度分布を有する。

レジスト膜２４，３４が現像されることによりエッチングレジストパターン２４ａ，３４ａがそれぞれ形成される。エッチングレジストパターン２４ａ，３４ａを除く透明導体層２０ａ，３０ａの領域が除去されることにより、透明電極２０，３０がそれぞれ形成される。

ここで、レジスト膜２４，３４の感光波長分布は、それぞれ３６５ｎｍおよび４３６ｎｍの波長を有するピークを含む。レジスト膜２４の感光波長分布における３６５ｎｍの波長に対する感光性は４３６ｎｍの波長に対する感光性よりも高い。また、レジスト膜３４の感光波長分布における４３６ｎｍの波長に対する感光性は３６５ｎｍの波長に対する感光性よりも高い。

この構成によれば、レジスト膜２４に照射された露光光２５がレジスト膜２４、透明導体層２０ａ、透明絶縁層１０および透明導体層３０ａを透過した場合でも、露光光２５によりレジスト膜３４が感光されにくい。同様に、レジスト膜３４に照射された露光光３５がレジスト膜３４、透明導体層３０ａ、透明絶縁層１０および透明導体層２０ａを透過した場合でも、露光光３５によりレジスト膜２４が感光されにくい。

これにより、透明絶縁層１０の一面上に透明電極２０を高い精度で形成することができるとともに、透明絶縁層１０の他面上に透明電極３０を高い精度で形成することができる。その結果、透明導電性フィルム１００およびタッチパネル２００の信頼性を向上させることができる。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、透明絶縁層１０が透明絶縁層の例であり、透明導体層２０ａ，３０ａがそれぞれ第１および第２の導体層の例であり、積層体１００ａが積層体の例であり、レジスト膜２４，３４がそれぞれ第１および第２のレジスト膜の例である。露光光２５，３５がそれぞれ第１および第２の露光光の例であり、エッチングレジストパターン２４ａ，３４ａがそれぞれ第１および第２のレジストパターンの例であり、透明電極２０，３０がそれぞれ第１および第２の透明導体パターンの例である。透明導電性フィルム１００が透明導電性フィルムの例であり、検出回路１６０が検出回路の例であり、タッチパネル２００が入力装置の例であり、ＦＰＣ基板１１０が配線回路基板の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

（８）実施例
（ａ）透明導電性フィルムの構成
実施例１〜３および比較例１，２として、以下の透明導電性フィルムを作製した。図９は、実施例１〜３および比較例１，２に係る透明導電性フィルムの斜視図である。図９に示すように、透明導電性フィルム１００ｂにおいては、透明絶縁層１０の一面に複数の透明電極２０ｂが設けられ、透明絶縁層１０の他面に複数の透明電極３０ｂが設けられる。

各透明電極２０ｂは帯状を有する。複数の透明電極２０ｂは、Ｙ方向に平行に延びかつＸ方向に並ぶように透明絶縁層１０の一面に配置される。各透明電極２０ｂの幅は２０μｍであり、隣接する２つの透明電極２０ｂ間の間隔は２０μｍである。各透明電極３０ｂは帯状を有する。複数の透明電極３０ｂは、Ｘ方向に平行に延びかつＹ方向に並ぶように透明絶縁層１０の他面に配置される。各透明電極３０ｂの幅は２０μｍであり、隣接する２つの透明電極３０ｂ間の間隔は２０μｍである。

透明導電性フィルム１００ｂの製造方法は、複数の透明電極２０，３０に代えて複数の透明電極２０ｂ，３０ｂを形成する点を除いて、透明導電性フィルム１００の製造方法（図５〜図７）と同様である。ここで、図５（ｂ）の工程においては、温度９０℃、圧力０．４ＭＰａおよび速度０．４ｍ／ｍｉｎの条件でレジスト膜２４，３４を透明導体層２０ａ，３０ａ上にそれぞれ形成した。

図６（ａ）の工程において、ショートアークランプからの光を帯域通過フィルタを通過させることにより露光光２５，３５を発生させた。また、レジスト膜３４の露光においては、マスクＭ１をＺ方向を中心に９０°回転させたマスクＭ２を用いた。図６（ｂ）の工程において、現像液として炭酸ナトリウム（Ｎａ_２ＣＯ_３）溶液を用いた。レジスト膜２４，３４を温度２３℃の現像液中に７０秒間浸漬させることにより現像した。

実施例１〜３および比較例１，２に係る透明導電性フィルム１００ｂの個別の製造方法について、以下に示す。

（ｂ）実施例１
実施例１の図５（ｂ）の工程においては、第１の吸収波長分布特性を有するドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン株式会社製ＮＴＤ８３４）がレジスト膜２４として透明導体層２０ａ上に形成された。また、同時に、第２の吸収波長分布特性を有するドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン株式会社製ＮＴＤ８０２）がレジスト膜３４として透明導体層３０ａ上に形成された。

図１０は、実施例１におけるレジスト膜２４，３４の吸収波長分布（波長依存性）を示す図である。図１０の横軸はレジスト膜２４，３４に照射される光の波長を示し、縦軸はレジスト膜２４，３４の吸収率を示す。また、レジスト膜２４の吸収率を実線で示し、レジスト膜３４の吸収率を点線で示す。図１０に示すように、実施例１のレジスト膜２４においては、ｉ線（３６５ｎｍ）に対する吸収率はｈ線（４０５ｎｍ）およびｇ線（４３６ｎｍ）に対する吸収率よりも高い。一方、実施例１のレジスト膜３４においては、ｈ線およびｇ線に対する吸収率はｉ線に対する吸収率よりも高い。

実施例１の図６（ａ）の工程においては、露光光２５としてｉ線がレジスト膜２４に照射され、露光光３５としてｈ線がレジスト膜３４に照射された。この場合、吸収率ｘ１は８６％であり、吸収率ｘ２は５１％であり、吸収率ｘ３は６３％であり、吸収率ｘ４は３７％である。第１の吸収率差（ｘ１−ｘ２）は３５％であり、第２の吸収率差（ｘ３−ｘ４）は２６％であり、指標Ｘは６１％である。

また、光量ｙ１は６５ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ２は１０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ３は４０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ４は５ｍＪ／ｃｍ^２であった。この場合、第１の光量比（ｙ２／ｙ１）は１５％であり、第２の光量比（ｙ４／ｙ３）は１３％であり、指標Ｙは２８である。

（ｃ）実施例２
実施例２の図５（ｂ）の工程においては、第３の吸収波長分布特性を有するドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン株式会社製ＮＴＤ８３５）がレジスト膜２４として透明導体層２０ａ上に形成された。また、同時に、第４の吸収波長分布特性を有するドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン株式会社製ＮＴＤ８０３）がレジスト膜３４として透明導体層３０ａ上に形成された。

図１１は、実施例２におけるレジスト膜２４，３４の吸収波長分布（波長依存性）を示す図である。図１１の横軸はレジスト膜２４，３４に照射される光の波長を示し、縦軸はレジスト膜２４，３４の吸収率を示す。また、レジスト膜２４の吸収率を実線で示し、レジスト膜３４の吸収率を点線で示す。図１１に示すように、実施例２のレジスト膜２４においては、ｉ線に対する吸収率はｈ線およびｇ線に対する吸収率よりも高い。一方、実施例２のレジスト膜３４においては、ｈ線およびｇ線に対する吸収率はｉ線に対する吸収率よりも高い。

実施例２の図６（ａ）の工程においては、露光光２５としてｉ線がレジスト膜２４に照射され、露光光３５としてｈ線がレジスト膜３４に照射された。この場合、吸収率ｘ１は９１％であり、吸収率ｘ２は５８％であり、吸収率ｘ３は６７％であり、吸収率ｘ４は３９％である。第１の吸収率差（ｘ１−ｘ２）は３３％であり、第２の吸収率差（ｘ３−ｘ４）は２８％であり、指標Ｘは６１％である。

また、光量ｙ１は４０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ２は７ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ３は３０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ４は２ｍＪ／ｃｍ^２であった。この場合、第１の光量比（ｙ２／ｙ１）は１８％であり、第２の光量比（ｙ４／ｙ３）は７％であり、指標Ｙは２４である。

（ｄ）実施例３
実施例３の図５（ｂ）の工程においては、実施例２のレジスト膜２４と同一のドライフィルムレジストがレジスト膜２４として透明導体層２０ａ上に形成された。同時に、実施例２のレジスト膜３４と同一のドライフィルムレジストがレジスト膜３４として透明導体層３０ａ上に形成された。

実施例３の図６（ａ）の工程においては、露光光２５としてｉ線がレジスト膜２４に照射され、露光光３５としてｇ線がレジスト膜３４に照射された。この場合、吸収率ｘ１は９１％であり、吸収率ｘ２は１５％であり、吸収率ｘ３は６７％であり、吸収率ｘ４は３９％である。第１の吸収率差（ｘ１−ｘ２）は７６％であり、第２の吸収率差（ｘ３−ｘ４）は２８％であり、指標Ｘは１０４％である。

また、光量ｙ１は４０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ２は７ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ３は３０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ４は２ｍＪ／ｃｍ^２であった。この場合、第１の光量比（ｙ２／ｙ１）は１８％であり、第２の光量比（ｙ４／ｙ３）は７％であり、指標Ｙは２４である。

（ｅ）比較例１
比較例１の図５（ｂ）の工程においては、第５の吸収波長分布特性を有するドライフィルムレジスト（ニチゴー・モートン株式会社製ＮＩＴ９１５）がレジスト膜２４として透明導体層２０ａ上に形成された。また、同時に、レジスト膜２４と同一のドライフィルムレジストがレジスト膜３４として透明導体層３０ａ上に形成された。

図１２は、比較例１におけるレジスト膜２４，３４の吸収波長分布（波長依存性）を示す図である。図１２の横軸はレジスト膜２４，３４に照射される光の波長を示し、縦軸はレジスト膜２４，３４の吸収率を示す。また、レジスト膜２４，３４の吸収率を実線で示す。図１２に示すように、比較例１のレジスト膜２４，３４においては、ｉ線に対する吸収率はｈ線およびｇ線に対する吸収率よりも高い。

比較例１の図６（ａ）の工程においては、露光光２５としてｉ線がレジスト膜２４に照射され、露光光３５としてｉ線がレジスト膜３４に照射された。この場合、吸収率ｘ１は５５％であり、吸収率ｘ２は５５％であり、吸収率ｘ３は５５％であり、吸収率ｘ４は５５％である。第１の吸収率差（ｘ１−ｘ２）は０％であり、第２の吸収率差（ｘ３−ｘ４）は０％であり、指標Ｘは０％である。

また、光量ｙ１は５５ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ２は１７ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ３は５５ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ４は１７ｍＪ／ｃｍ^２であった。この場合、第１の光量比（ｙ２／ｙ１）は３１％であり、第２の光量比（ｙ４／ｙ３）は３１％であり、指標Ｙは６２である。

（ｆ）比較例２
比較例２の図５（ｂ）の工程においては、比較例１のレジスト膜２４と同一のドライフィルムレジストがレジスト膜２４として透明導体層２０ａ上に形成された。同時に、レジスト膜２４と同一のドライフィルムレジストがレジスト膜３４として透明導体層３０ａ上に形成された。

比較例２の図６（ａ）の工程においては、露光光２５としてｉ線がレジスト膜２４に照射され、露光光３５としてｈ線がレジスト膜３４に照射された。この場合、吸収率ｘ１は５５％であり、吸収率ｘ２は２７％であり、吸収率ｘ３は２７％であり、吸収率ｘ４は５５％である。第１の吸収率差（ｘ１−ｘ２）は２８％であり、第２の吸収率差（ｘ３−ｘ４）は−２８％であり、指標Ｘは０％である。

また、光量ｙ１は５５ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ２は６０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ３は１１０ｍＪ／ｃｍ^２であり、光量ｙ４は１０ｍＪ／ｃｍ^２であった。この場合、第１の光量比（ｙ２／ｙ１）は１０９％であり、第２の光量比（ｙ４／ｙ３）は９％であり、指標Ｙは１１８である。

（ｇ）透明導電性フィルムの信頼性の評価
１０倍の対物レンズおよび１０倍の接眼レンズを有する顕微鏡を用いて、作製された実施例１〜３および比較例１，２に係る透明導電性フィルム１００ｂの１０ｍｍ×１０ｍｍの部分を拡大観察した。拡大観察された透明導電性フィルム１００ｂの画像に基づいて、透明導電性フィルム１００ｂの信頼性を評価した。透明導電性フィルム１００ｂの信頼性の評価の結果を表１に示す。

表１においては、複数の透明電極２０ｂ間に残存する透明導体層２０ａの部分が低減し、複数の透明電極３０ｂ間に残存する透明導体層３０ａの部分が低減した透明導電性フィルム１００ｂを○で示している。複数の透明電極２０ｂ間に透明導体層２０ａが残存せず、複数の透明電極３０ｂ間に透明導体層３０ａが残存しなかった透明導電性フィルム１００ｂを◎で示している。複数の透明電極２０ｂ間に残存する透明導体層２０ａが低減せず、複数の透明電極３０ｂ間に残存する透明導体層３０ａが低減しなかった透明導電性フィルム１００ｂを×で示している。

図１３は、顕微鏡を用いて撮影された透明導電性フィルム１００ｂの一部の拡大画像である。図１３（ａ）は、実施例１に係る透明導電性フィルム１００ｂを示す。図１３（ｂ）は、実施例２に係る透明導電性フィルム１００ｂを示す。図１３（ｃ）は、比較例１に係る透明導電性フィルム１００ｂを示す。実施例３に係る透明導電性フィルム１００ｂは、図１３（ｂ）に示す透明導電性フィルム１００ｂと同様である。比較例２に係る透明導電性フィルム１００ｂは、図１３（ｃ）に示す透明導電性フィルム１００ｂと同様である。

実施例１に係る透明導電性フィルム１００ｂにおいては、図１３（ａ）に示すように、透明絶縁層１０の一面上の複数の透明電極２０ｂ間に残存する透明導体層２０ａの部分が低減した。同様に、透明絶縁層１０の他面上の複数の透明電極３０ｂ間に残存する透明導体層３０ａの部分が低減した。

実施例２，３に係る透明導電性フィルム１００ｂにおいては、図１３（ｂ）に示すように、透明絶縁層１０の一面上の複数の透明電極２０ｂ間に透明導体層２０ａがほとんど残存しなかった。同様に、透明絶縁層１０の他面上の複数の透明電極３０ｂ間に透明導体層３０ａがほとんど残存しなかった。特に、実施例３に係る透明導電性フィルム１００ｂにおいては、複数の透明電極２０ｂ間に透明導体層２０ａが全く残存せず、複数の透明電極３０ｂ間に透明導体層３０ａが全く残存しなかった。

一方、比較例１，２に係る透明導電性フィルム１００ｂにおいては、図１３（ｃ）に示すように、透明絶縁層１０の一面上の複数の透明電極２０ｂ間に残存する透明導体層２０ａの部分が低減しなかった。同様に、透明絶縁層１０の他面上の複数の透明電極３０ｂ間に残存する透明導体層３０ａの部分が低減しなかった。

実施例１〜３と比較例１，２との比較から、吸収波長分布におけるピーク波長が互いに異なるレジスト膜２４，３４を用いることにより、透明電極間に残存する透明導体層の部分を低減できること確認された。特に、第１および第２の吸収率差がそれぞれ１５％以上であり、第１および第２の光量比がそれぞれ２０％以下である場合、透明電極間に残存する透明導体層の部分を十分に低減できること確認された。

また、実施例１と実施例２，３との比較から、指標Ｘが６０％以上であり、指標Ｙが２５以下である場合、透明電極間に透明導体層がほとんど残存しないことが確認された。さらに、実施例２と実施例３との比較から、レジスト膜２４，３４がそれぞれ波長３６５ｎｍ，４３６ｎｍ付近で高い吸収率を有し、露光光２５，３５がそれぞれｉ線およびｇ線である場合、透明電極間に透明導体層が全く残存しないことが確認された。

本発明は、表示画面を備えた種々の電子機器の入力装置に有効に利用することができる。

１０ 透明絶縁層
２０，２０ｂ，３０，３０ｂ 透明電極
２０ａ，３０ａ 透明導体層
２１，３１ 接触検出パターン
２２，３２ 配線パターン
２３，３３ 開口領域
２４，３４ レジスト膜
２４ａ，３４ａ エッチングレジストパターン
２５，３５ 露光光
１００，１００ｂ 透明導電性フィルム
１００ａ 積層体
１１０ ＦＰＣ基板
１２０，１３０ 接着層
１４０，１５０ 保護層
１６０ 検出回路
２００ タッチパネル
ＤＰ 表示画面
Ｍ１，Ｍ２ マスク

Claims (9)

1. 透明絶縁層の一面および他面に第１の導体層および第２の導体層がそれぞれ形成された積層体を準備するステップと、
   第１の感光波長分布を有する第１のレジスト膜を前記第１の導体層上に形成し、前記第１の感光波長分布と異なる第２の感光波長分布を有する第２のレジスト膜を前記第２の導体層上に形成するステップと、
   第１の強度分布を有しかつ第１のパターンを有する第１の露光光を前記第１のレジスト膜に照射し、前記第１の強度分布と異なる第２の強度分布を有しかつ第２のパターンを有する第２の露光光を前記第２のレジスト膜に照射するステップと、
   前記第１のレジスト膜を現像することにより第１のレジストパターンを形成し、前記第２のレジスト膜を現像することにより第２のレジストパターンを形成するステップと、
   前記第１のレジストパターンを除く前記第１の導体層の領域を除去することにより第１の透明導体パターンを形成し、前記第２のレジストパターンを除く前記第２の導体層の領域を除去することにより第２の透明導体パターンを形成するステップと、
   前記第１のレジストパターンを除去し、前記第２のレジストパターンを除去するステップとを含み、
   前記第１の強度分布は第１の波長を有するピークを含み、前記第２の強度分布は前記第１の波長と異なる第２の波長を有するピークを含み、
   前記第１の感光波長分布における前記第１の波長に対する前記第１のレジスト膜の感光性は前記第２の波長に対する感光性よりも高く、
   前記第２の感光波長分布における前記第２の波長に対する前記第２のレジスト膜の感光性は前記第１の波長に対する感光性よりも高い、透明導電性フィルムの製造方法。
2. 前記第１の露光光の前記第１の波長に対する前記第１のレジスト膜の吸収率からの前記第２の露光光の前記第２の波長に対する前記第１のレジスト膜の吸収率の差を第１の吸収率差と定義し、
   前記第２の露光光の前記第２の波長に対する前記第２のレジスト膜の吸収率からの前記第１の露光光の前記第１の波長に対する前記第２のレジスト膜の吸収率の差を第２の吸収率差と定義した場合、
   前記第１の吸収率差が１５％以上であり、前記第２の吸収率差が１５％以上である、請求項１記載の透明導電性フィルムの製造方法。
3. 前記第１の吸収率差と前記第２の吸収率差との和が６０％以上である、請求項２記載の透明導電性フィルムの製造方法。
4. 前記第１のレジスト膜に照射される前記第１の露光光の光量に対する前記第２のレジスト膜、前記第２の導体層、前記透明絶縁層および前記第１の導体層を透過して前記第１のレジスト膜に照射される前記第２の露光光の光量の比を第１の光量比と定義し、
   前記第２のレジスト膜に照射される前記第２の露光光の光量に対する前記第１のレジスト膜、前記第１の導体層、前記透明絶縁層および前記第２の導体層を透過して前記第２のレジスト膜に照射される前記第１の露光光の光量の比を第２の光量比と定義した場合、
   前記第１の光量比が２０％以下であり、前記第２の光量比が２０％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
5. 前記第１の光量比と前記第２の光量比との和が２５％以下である、請求項４記載の透明導電性フィルムの製造方法。
6. 前記第１および第２の波長は３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
7. 前記第１の波長は３６５ｎｍを含み、前記第２の波長は４３６ｎｍを含む、請求項６記載の透明導電性フィルムの製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法により製造される、透明導電性フィルム。
9. 使用者により接触された位置を検出する検出回路に接続される入力装置であって、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法により製造される透明導電性フィルムと、
   前記透明導電性フィルムの前記第１および第２の透明導体パターンを前記検出回路に電気的に接続する配線回路基板とを備える、入力装置。

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