JP2014189468A - シリコン単結晶製造装置およびこれを用いたシリコン単結晶製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CZシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶製造装置であって、ガス整流筒17の原料融液面3’側にはリング状の熱遮蔽板19が配設されており、該リング状の熱遮蔽板19は、径方向に沿って上方に向かって傾斜する底面20を有し、該底面20は、囲繞するシリコン単結晶側の内周傾斜面21と、外周傾斜面22とを有しており、内周傾斜面21の傾斜角αは水平方向に対し0°以上30°以下であり、外周傾斜面22の傾斜角βは水平方向に対し5°より大きく40°以下であり、かつ傾斜角α<傾斜角βであり、石英ルツボ5の下方にはさらに下部断熱板が配設されているシリコン単結晶製造装置。
【選択図】図2
Description
これらはウエーハ内部の重金属などの汚染原子を捕獲してデバイス特性を向上させるIG能力を有することが知られており、ウエーハのバルク部の酸素析出量やBMD密度が高くなるほど高性能かつ信頼性の高いデバイスを得ることができる。
そのような技術の前進は、CPUメモリーや撮像素子のみならず、太陽電池向け材料の特性の向上に貢献するため、極めて応用範囲が広く、前述の如く電気特性の向上や、デバイスプロセス中のウエーハの反りやスリップ転位の発生を防止するなどの効果がある。
したがって、特許文献1の技術だけではBMDの密度のミリメートルオーダーの周期的な変動を精密に抑制するのには不十分である。
例えば、従来の装置で得られた単結晶では、結晶面内において酸素濃度が変動しており、面内における酸素析出量の最大値と最小値の格差が大きく、その結晶を用いて撮像素子を作製した場合、画像ムラが生じてしまうことがあった。しかし、本発明のシリコン単結晶製造装置であれば、より確実に酸素等を面内均一に結晶中に導入することができ、その結果、撮像素子の画像ムラの発生を抑制することができる。
このようなものであれば、より一層効果的に、原料融液面や原料融液の内部の温度勾配を小さくすることができ、格子間酸素等をシリコン単結晶の固液界面において面内均一に導入することができ、BMD密度、さらにはゲッタリング能力の面内分布が均一なシリコン単結晶ウエーハを得ることができる。
図1は、本発明のシリコン単結晶製造装置の一例である。
シリコン単結晶製造装置1のメインチャンバー2内には、溶融された原料融液3を収容するためのルツボ4(石英ルツボ5と、該石英ルツボ5を支持する黒鉛ルツボ6)が設けられている。また、該メインチャンバー2上に連設された引上げチャンバー7の上部には、育成されたシリコン単結晶を引上げる引上げ機構(図示せず)が設けられている。
また、チャンバー2、7には、ガス導入口15、ガス流出口16が設けられており、チャンバー2、7内部にアルゴンガス等を導入し、排出できるようになっている。
さらに、ガス整流筒17の原料融液面側にはリング状の熱遮蔽板19が設けられている。
メインチャンバー2内におけるホットゾーンの最適構造や原料融液面3’、加熱ヒーター12の発熱中心の位置関係などの最適条件は、熱数値解析シュミレーションソフトFEMAGの計算により算出して設定することができる。
図2に熱遮蔽板19の一部を示す。図2に示すように、ガス整流筒17の先端に、ガス整流筒17の内側(囲繞するシリコン単結晶10側)および外側(石英ルツボ5側)に突き出るように取り付けられている。そして熱遮蔽板19の底面20は、熱遮蔽板19の径方向に沿って上方に向かって傾斜しており、特には2段階の傾斜面を有している。囲繞するシリコン単結晶10側に位置する内周面(内周傾斜面21)と、その外側に位置する石英ルツボ5側の外周面(外周傾斜面22)とに分かれている。
傾斜角αはシリコン単結晶から至近領域の部位にあたる領域の傾斜角であるため、加熱ヒーターからシリコン単結晶に輻射熱が過剰に照射しないよう、傾斜角αの許容範囲を傾斜角βの許容範囲より小さく設計している。
したがって、格子間酸素、空孔、格子間シリコン等を固液界面において面内均一に導入しながらシリコン単結晶を引上げることができる。そしてこのようなシリコン単結晶から切り出したウエーハは、デバイスプロセスなど熱処理を施した際にBMDを面内均一に形成することができ、面内均一なゲッタリング能力を備えることができる。撮像素子などにおいては、従来生じていた画像ムラの発生を抑制することもできる。
このように、CPUメモリーや撮像素子などの半導体デバイス又は太陽電池の電気的特性を阻害しない優れたシリコン単結晶ウエーハを得ることが可能になる。
このようなものであれば、格子間酸素等をシリコン単結晶の固液界面において面内均一に導入することができ、ひいてはBMD密度、さらにはゲッタリング能力の面内分布が均一なシリコン単結晶ウエーハを得ることができる。
本発明の製造方法では、図1に示すような、熱遮蔽板19や下部断熱板14を備えたシリコン単結晶製造装置1を用いる。まず、シリコン単結晶製造装置1の石英ルツボ5内に多結晶原料を投入して充填する。この時シリコン単結晶の抵抗率を決定するリン、ホウ素、砒素、アンチモン、ガリウム、ゲルマニウム、アルミニウムなど所望の抵抗率制御用のドーパントも添加する。抵抗率制御用のドーパント以外に用途に応じて窒素や炭素をドープする場合もある。
真空ポンプを稼動させてガス流出口16から排気しながら、ガス導入口15からArガスを流入し、装置内部をAr雰囲気に置換する。そして、加熱ヒーター12で原料を加熱溶融して原料融液3を得る。
次に、該原料融液3に種結晶9を浸漬した後引上げ、CZ法により、棒状のシリコン単結晶10を引上げて製造する。
このシリコン単結晶引上げ中の原料融液面3’の温度制御としては、例えば、その最高温度をシリコンの融点よりも10℃〜55℃の範囲で高温になるよう制御することができる。シリコンの融点よりも55℃以下の範囲で高温に制御すれば、シリコン単結晶中に取り込まれる格子間酸素濃度の面内分布を著しく均一に近づけることができる。一方、シリコンの融点よりも10℃以上高温に制御すれば、原料融液の冷却により固化が生じるのを防ぐことができる。
(実施例1)
本発明のシリコン単結晶製造装置を用いてCZシリコン単結晶を製造した後、ウエーハ状に切り出し、該シリコン単結晶ウエーハについて面内の初期酸素濃度分布を調査した。
そして、MCZ法を用い、中心磁場強度3000ガウスの水平磁場を印加しながら、直径300mm、直胴長さ140cmのP型シリコン単結晶を育成した。
また石英ルツボ内の原料融液面の最高温度とシリコンの融点との温度差(ΔT2)が52℃であった。このときの石英ルツボの径方向における原料融液面の温度分布のイメージを図3に示す。縦軸が原料融液面の温度であり、横軸が融点(シリコン単結晶)からの、ルツボ径方向における距離である。
そして、上記のようにして設定した区間ごとに、区間の起点の酸素濃度[Oi]0[ppma]と終点の酸素濃度[Oi]1[ppma]との差Δ[Oi]を区間サイズΔx[mm]で割った酸素濃度勾配Δ[Oi]/Δx[ppma/mm]の絶対値を算出する。この酸素濃度勾配の平均値、すなわち全ての上記算出値の平均値を初期酸素変動の代表値として、ウエーハ面内酸素濃度の均一性を評価した。
なお、この平均値であるが、数値が小さいほど結果が良好であることを意味する。
またそのウエーハによるデバイスプロセス後の撮像素子デバイスには画像ムラはなかった。これは、シリコン単結晶中に酸素が面内均一に導入され、素子形成の際のプロセスによる酸素析出物の密度の面内分布が均一であるためと考えられる。
熱遮蔽板における傾斜角αが25°、傾斜角βが35°であり、肉厚が60mmの下部断熱板を装着する以外は実施例1と同様にしてシリコン単結晶を引上げて製造し、同様にして酸素濃度勾配の平均値を測定した。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.010[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには画像ムラはなかった。
熱遮蔽板における傾斜角αが0°、傾斜角βが7°である以外は実施例1と同様にしてシリコン単結晶を引上げて製造し、同様にして酸素濃度勾配の平均値を測定した。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.038[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには画像ムラはなかった。
熱遮蔽板における傾斜角αが30°、傾斜角βが40°である以外は実施例1と同様にしてシリコン単結晶を引上げて製造し、同様にして酸素濃度勾配の平均値を測定した。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.027[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには画像ムラはなかった。
従来のシリコン単結晶製造装置を用意した。この装置は、図1のシリコン単結晶製造装置とは熱遮蔽板が異なっている。
そして、実施例1と同様の手順でシリコン単結晶を引上げて製造し、酸素濃度勾配の平均値を測定した。
なお、熱遮蔽板は、傾斜角αが35°、傾斜角βが45°のものを用いた。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.045[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには強い画像ムラが確認された。これは、シリコン単結晶中に酸素が面内不均一に導入され、素子形成の際のプロセスによる酸素析出物の密度の面内分布が不均一であるためと考えられる。
熱遮蔽板における傾斜角αが−5°、傾斜角βが−5°である以外は比較例1と同様にしてシリコン単結晶を引上げて製造し、同様にして酸素濃度勾配の平均値を測定した。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.055[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには強い画像ムラが確認された。
熱遮蔽板における傾斜角αが25°、傾斜角βが50°である以外は比較例1と同様にしてシリコン単結晶を引上げて製造し、同様にして酸素濃度勾配の平均値を測定した。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.034[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには強い画像ムラが確認された。
熱遮蔽板における傾斜角αが30°、傾斜角βが7°である以外は比較例1と同様にしてシリコン単結晶を引上げて製造し、同様にして酸素濃度勾配の平均値を測定した。
また酸素濃度勾配の平均値を測定したところ、0.049[ppma/mm]であった。またそのウエーハによるプロセス後の撮像素子デバイスには強い画像ムラが確認された。
3’…原料融液面、 4…ルツボ、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、
7…引上げチャンバー、 8…引上げワイヤ、 9…種結晶、
10…シリコン単結晶、 11…支持軸、 12…加熱ヒーター、
13…周辺部断熱部材、 14…下部断熱板、 15…ガス導入口、
16…ガス流出口、 17…ガス整流筒、 18…冷却筒、 19…熱遮蔽板、
20…底面、 21…内周傾斜面、 22…外周傾斜面、 23…磁場印加装置。
Claims (4)
- 原料融液を収容する石英ルツボと、該石英ルツボを格納するメインチャンバーとを具備し、チョクラルスキー法によって前記原料融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶製造装置であって、
前記メインチャンバーに導入されるガスの流れを整えるための円筒形状のガス整流筒が前記引上げるシリコン単結晶を囲繞するように原料融液面の上方に配設されており、該ガス整流筒の原料融液面側にはリング状の熱遮蔽板が配設されており、
該リング状の熱遮蔽板は、径方向に沿って上方に向かって傾斜する底面を有しており、該底面は、前記囲繞するシリコン単結晶側の内周傾斜面と、該内周傾斜面よりも外側に位置する外周傾斜面とを有しており、
前記内周傾斜面の傾斜角αは水平方向に対し0°以上30°以下であり、前記外周傾斜面の傾斜角βは水平方向に対し5°より大きく40°以下であり、かつ傾斜角α<傾斜角βであり、
前記石英ルツボの下方にはさらに下部断熱板が配設されていることを特徴とするシリコン単結晶製造装置。 - 前記下部断熱板は肉厚が50mm以上であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶製造装置。
- 前記請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶製造方法であって、
前記原料融液面の最高温度をシリコンの融点よりも10℃〜55℃の範囲で高温になるよう制御しつつ、前記シリコン単結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶製造方法。 - 前記原料融液の内部の最高温度をシリコンの融点よりも40℃〜115℃の範囲で高温になるよう制御しつつ、前記シリコン単結晶を引上げることを特徴とする請求項3に記載のシリコン単結晶製造方法。
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---|---|
JP (1) | JP6107308B2 (ja) |
WO (1) | WO2014155985A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200399783A1 (en) * | 2018-02-28 | 2020-12-24 | Sumco Corporation | Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11824070B2 (en) * | 2019-11-26 | 2023-11-21 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal substrate and silicon epitaxial wafer for solid-state image sensor and solid-state image sensor |
JP7318518B2 (ja) * | 2019-11-26 | 2023-08-01 | 信越半導体株式会社 | 固体撮像素子用のシリコン単結晶基板及びシリコンエピタキシャルウェーハ、並びに固体撮像素子 |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02302389A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-14 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 単結晶育成法 |
JPH05294782A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-09 | Kawasaki Steel Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
JPH05330975A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
JPH07187899A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 酸素濃度の均一なシリコンウェーハ及びその製造方法 |
JPH1081593A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | Czシリコン単結晶製造方法及び装置 |
JPH10273392A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶製造方法 |
JP2000327481A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-28 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶製造方法およびその装置 |
JP2002047093A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
JP2003212691A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 |
JP2004107132A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 |
JP2004175620A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JP2004224577A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Pドープシリコン単結晶の製造方法及びpドープn型シリコン単結晶ウェーハ |
JP2004231474A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶の製造方法及びこの方法により製造されたシリコン単結晶 |
JP2004338979A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶 |
JP2005029467A (ja) * | 2004-07-12 | 2005-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの評価方法 |
JP2005060153A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
JP2005119964A (ja) * | 1998-06-04 | 2005-05-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
JP2005145742A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び黒鉛ヒーターならびに単結晶製造装置 |
JP2005306679A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Sumco Corp | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 |
JP2007182355A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Sumco Corp | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 |
-
2013
- 2013-03-28 JP JP2013068130A patent/JP6107308B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-06 WO PCT/JP2014/001228 patent/WO2014155985A1/ja active Application Filing
Patent Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02302389A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-14 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 単結晶育成法 |
JPH05294782A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-09 | Kawasaki Steel Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
JPH05330975A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-14 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
JPH07187899A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 酸素濃度の均一なシリコンウェーハ及びその製造方法 |
JPH1081593A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-31 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | Czシリコン単結晶製造方法及び装置 |
JPH10273392A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶製造方法 |
JP2005119964A (ja) * | 1998-06-04 | 2005-05-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
JP2000327481A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-28 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶製造方法およびその装置 |
JP2002047093A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
JP2003212691A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 |
JP2004107132A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 |
JP2004175620A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JP2004224577A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Pドープシリコン単結晶の製造方法及びpドープn型シリコン単結晶ウェーハ |
JP2004231474A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶の製造方法及びこの方法により製造されたシリコン単結晶 |
JP2004338979A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び単結晶 |
JP2005060153A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ |
JP2005145742A (ja) * | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法及び黒鉛ヒーターならびに単結晶製造装置 |
JP2005306679A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Sumco Corp | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 |
JP2005029467A (ja) * | 2004-07-12 | 2005-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの評価方法 |
JP2007182355A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Sumco Corp | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200399783A1 (en) * | 2018-02-28 | 2020-12-24 | Sumco Corporation | Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals |
US11781242B2 (en) * | 2018-02-28 | 2023-10-10 | Sumco Corporation | Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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WO2014155985A1 (ja) | 2014-10-02 |
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