JP2014187386A - 半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置 - Google Patents
半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014187386A JP2014187386A JP2014117523A JP2014117523A JP2014187386A JP 2014187386 A JP2014187386 A JP 2014187386A JP 2014117523 A JP2014117523 A JP 2014117523A JP 2014117523 A JP2014117523 A JP 2014117523A JP 2014187386 A JP2014187386 A JP 2014187386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- hemt
- substrate
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【課題】寄生容量が低減された半導体基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11と、基板11上に形成されるバッファ層14とを備える半導体基板であって、バッファ層14は、第1のバンドギャップを有する第1の窒化物系化合物半導体層12と第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の窒化物系化合物半導体層13とを交互に積層して形成され、少なくとも第2の窒化物系化合物半導体層13は、遷移元素及び炭素を含有する。
【選択図】図1
【解決手段】基板11と、基板11上に形成されるバッファ層14とを備える半導体基板であって、バッファ層14は、第1のバンドギャップを有する第1の窒化物系化合物半導体層12と第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の窒化物系化合物半導体層13とを交互に積層して形成され、少なくとも第2の窒化物系化合物半導体層13は、遷移元素及び炭素を含有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、積層構造を有する半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置に関する。
炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)等を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)等の化合物半導体装置は、その特性から、高電圧を高速でスイッチング制御するスイッチング素子として、電源装置への応用が検討されている。化合物半導体装置は、GaN、サファイア、SiC又は珪素(Si)等から成る基板とこの上にエピタキシャル成長された複数の化合物半導体層とから構成される。但し、GaN基板、サファイア基板は、基板自体が高価である。そのため、安価なSi基板或いはSiC基板上に化合物半導体層及び化合物半導体装置を形成する方法が望まれていた。
特許文献1に示される従来の方法は、Si基板と化合物半導体層との間に、組成が異なる第1の半導体層と第2の半導体層とを交互に積層して形成される周期性積層構造のバッファ層を介在させるものである。
図5は、従来の方法により形成されたHEMTの構造を示す断面図である。
従来のHEMT200は、Siから構成される基板21と、基板21上に形成され、第1の半導体層22と第2の半導体層23とを交互に積層して形成されるバッファ層24と、バッファ層24上に形成され、GaNから構成されるチャネル層25と、チャネル層25上に形成され、AlGaNから構成されるバリア層26と、バリア層26上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜28と、絶縁膜28の開口を介してバリア層26上に形成されるゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dと、を備える。チャネル層25とバリア層26とはヘテロ接合され、チャネル層25は、ヘテロ接合に基づき二次元電子ガス
(2DEG)を生じている。
(2DEG)を生じている。
従来の方法によれば、Si基板21上に形成されるチャネル層の平坦性即ち品質が改善される。そのため、耐圧や利得といった電気特性に優れたHEMTを安価に提供することができる。
しかしながら、従来の方法により形成される化合物半導体装置は、耐圧や利得といった電気特性が改善される反面、以下のような問題点があった。
HEMT200において、例えば、第1の半導体層22は、窒化アルミニウム(AlN)から構成され、第2の半導体層23は、GaNから構成される。AlNは、GaNと比して相対的に大きなバンドギャップを有するため、第1の半導体層22に挟まれた第2の半導体層23は、ピエゾ電界や結晶内に生じる窒素空孔等によりキャリアを生じやすくなる。そのため、第1の半導体層22は電気絶縁性が高い一方、キャリアが生じた第2の半導体層23は電気絶縁性が低くなりやすい。従って、従来のバッファ層24は、等価的に見て、キャパシタを縦方向に直列接続して成る寄生容量を有していると言える。
また、HEMT200は、ゲート電極Gの電位をソース電極Sの電位以下にすることでオフ動作し、ゲート電極Gの電位をソース電極Sの電位以上にすることで、オン動作させることができ、図6のような電源装置のスイッチング素子として使用される。電源装置は、例えば、交流電源ACと、ダイオードブリッジDBと、リアクトルLとスイッチング素子HEMTとダイオードDiと出力コンデンサCoとが構成する昇圧チョッパ回路と、から構成される。スイッチング素子HEMTが制御回路によってオンオフ制御され、交流電源ACから入力する交流電流が整流及び昇圧されて出力される。このとき、高周波領域においてHEMT200の動作が、制御回路からゲート電極Gに印加されるゲート駆動信号に対して遅れることがあった。これは、オンオフ動作時において、ゲート駆動信号に基づく電流が、ゲート電極Gと寄生容量と基板21とから成る経路を流れてしまうためである。
このように、従来のバッファ層は、寄生容量を有しているという問題点があった。また、従来のHEMTは、バッファ層が有する寄生容量のために、スイッチングスピード等のスイッチング特性及び最高発振周波数等の高周波特性が低いという問題点があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、寄生容量が低減された半導体基板及び半導体装置を提供することである。
上記のような課題を解決するために、請求項1記載の発明は、基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、を備える半導体基板であって、前記バッファ層は、第1のバンドギャップを有する第1の窒化物系化合物半導体層と前記第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の窒化物系化合物半導体層とを交互に積層して形成され、少なくとも前記第2の窒化物系化合物半導体層は、遷移元素及び炭素を含有することを特徴とする。
本発明によれば、寄生容量が低減された半導体基板及び半導体装置を提供することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施形態に係るHEMTを説明する。
以下に示す実施の形態はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
(第1の実施例)
図1に示す本発明の実施例1に係るHEMT100は、Siから構成される基板11と、基板11上に形成され、AlNから構成される第1の半導体層12とGaNから構成され鉄(Fe)がドーピングされた第2の半導体層13とを交互に積層して形成されるバッファ層14(積層構造体)と、バッファ層14上に形成され、GaNから構成される本発明の第1の成長層としてのチャネル層15と、チャネル層15上に形成され、AlGaNから構成される本発明の第2の成長層としてのバリア層16と、バリア層16上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜18と、絶縁膜18の開口を介してバリア層16上に形成
されるゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dと、を備える。チャネル層15とバリア層16とはヘテロ接合され、チャネル層15におけるバリア層16に近い領域は、ヘテロ接合に基づき二次元電子ガス(2DEG)を生じている。本実施例において、チャネル層15とバリア層16とを併せて、本発明の主半導体領域17と換言できる。但し、AlGaNから構成されるスペーサ層が、チャネル層15とバリア層16との間に形成されても良い。その場合はスペーサ層を含めて本発明の主半導体領域17と換言できる。
図1に示す本発明の実施例1に係るHEMT100は、Siから構成される基板11と、基板11上に形成され、AlNから構成される第1の半導体層12とGaNから構成され鉄(Fe)がドーピングされた第2の半導体層13とを交互に積層して形成されるバッファ層14(積層構造体)と、バッファ層14上に形成され、GaNから構成される本発明の第1の成長層としてのチャネル層15と、チャネル層15上に形成され、AlGaNから構成される本発明の第2の成長層としてのバリア層16と、バリア層16上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜18と、絶縁膜18の開口を介してバリア層16上に形成
されるゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dと、を備える。チャネル層15とバリア層16とはヘテロ接合され、チャネル層15におけるバリア層16に近い領域は、ヘテロ接合に基づき二次元電子ガス(2DEG)を生じている。本実施例において、チャネル層15とバリア層16とを併せて、本発明の主半導体領域17と換言できる。但し、AlGaNから構成されるスペーサ層が、チャネル層15とバリア層16との間に形成されても良い。その場合はスペーサ層を含めて本発明の主半導体領域17と換言できる。
即ち、本実施例に係るHEMT100は、バッファ層14を構成する第2の半導体層15がFeを含有している点で従来のHEMT100と異なり、その他は同一に構成される。
本実施例に係るHEMT100の製造方法を説明する。
図2は、HEMT100の製造方法を示す工程断面図である。
まず、Siから構成される基板11上に、バッファ層14が、周知の有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって形成される。即ち、AlNから構成される第1の半導体層12は、反応炉内に配置した基板11に対しトリメチルアルミニウム(TMA)とアンモニア(NH3)との気相を供給して10nm程度の厚さに形成される。次いで、GaNから構成される第2の半導体層13は、トリメチルガリウム(TMG)とNH3とフェロセン(Cp2Fe)との気相を供給して5×1017〜1020cm−3の不純物濃度と30nm程度の厚さを有するように形成される(図2a)。基板11は、SiCから構成される基板でも良い。また、エピタキシャル成長は、MOCVD法に代わり、周知の分子線
エピタキシャル成長(MBE)法で行うことができる。
エピタキシャル成長(MBE)法で行うことができる。
次に、バッファ層14は、第1の半導体層12と第2の半導体層13とを形成する工程を繰り返し、2μm程度の厚さに形成される(図2b)。
次に、バッファ層14上に、主半導体領域17が、MOCVD法によって形成される。即ち、GaNから構成されるチャネル層15は、バッファ層14が形成された基板11に対しTMGとNH3との気相を供給して、半導体不純物を含まない非ドープGaNを成長させることで、0.5〜3μm程度の厚さに形成される。次いで、AlGaNから構成されるバリア層16は、TMAとTMGとNH3とシラン(SiH4)との気相を供給して、10nm程度の厚さに形成される。そして、SiO2から構成される絶縁膜18は、プラズマCVD法により、バリア層16上に100nm程度の厚さに形成される(図2c)。
次に、所定の開口部が、反応性イオンエッチング(RIE)法等により絶縁膜18に形成される。そして、ソース電極Sとドレイン電極Dとは、絶縁膜18の開口部において、周知の方法によって、バリア層16上に例えばチタン(Ti)及びAlを蒸着させて形成される。また、ゲート電極Gは、絶縁膜18の開口部において、バリア層16上にニッケル(Ni)及び金(Au)を蒸着させて形成される(図2d)。
本実施例に係るHEMT100によれば、次の効果が得られる。
(1)GaN層にドーピングされたFeイオンは、Gaサイトの一部を占有し、深い準位を形成するため、キャリアをトラッピングしやすくなる。本実施例に係る第2の半導体層15は、1×105Ω・cm程度の抵抗性を示し、電気絶縁性を有する半絶縁層と言える。従って、Feを含有する第2の半導体層15を備えるバッファ層14は、寄生容量が低減されると共に高耐圧化される。
(2)バッファ層14を形成することにより、Siから構成される基板11とGaNを含む主半導体領域17との間に作用する応力が良好に緩和される。即ち、安価なSi基板11上に化合物半導体材料から構成されるHEMT100が形成される。このため、主半導体領域17を備えるHEMT100のコストが低減される。
(3)高い電気絶縁性を有するバッファ層14上に形成される主半導体領域17を備えるHEMT100は、寄生容量が低減されるため、スイッチングスピードや損失といったスイッチング特性及び高周波特性が改善される。さらに、HEMT100は、高い電気絶縁性を有するバッファ層14上に形成されるため、高耐圧化される。
(4)優れたスイッチング特性及び高周波特性を有するHEMT100をスイッチング素子として用いた電源装置は、高周波化が可能となる。そのため、リアクトルLを小型化することができるため、電源装置が小型化又は薄型化される。
(1)GaN層にドーピングされたFeイオンは、Gaサイトの一部を占有し、深い準位を形成するため、キャリアをトラッピングしやすくなる。本実施例に係る第2の半導体層15は、1×105Ω・cm程度の抵抗性を示し、電気絶縁性を有する半絶縁層と言える。従って、Feを含有する第2の半導体層15を備えるバッファ層14は、寄生容量が低減されると共に高耐圧化される。
(2)バッファ層14を形成することにより、Siから構成される基板11とGaNを含む主半導体領域17との間に作用する応力が良好に緩和される。即ち、安価なSi基板11上に化合物半導体材料から構成されるHEMT100が形成される。このため、主半導体領域17を備えるHEMT100のコストが低減される。
(3)高い電気絶縁性を有するバッファ層14上に形成される主半導体領域17を備えるHEMT100は、寄生容量が低減されるため、スイッチングスピードや損失といったスイッチング特性及び高周波特性が改善される。さらに、HEMT100は、高い電気絶縁性を有するバッファ層14上に形成されるため、高耐圧化される。
(4)優れたスイッチング特性及び高周波特性を有するHEMT100をスイッチング素子として用いた電源装置は、高周波化が可能となる。そのため、リアクトルLを小型化することができるため、電源装置が小型化又は薄型化される。
なお、本発明の実施例1に係るHEMT100において、第2の半導体層13に加え、第1の半導体層12が、全体的或いは局所的にFeを含有するように形成されても良い。
実施例1における第1の半導体層12の製造過程において、TMAとNH3に加え、Cp2Feの気相を供給することで、Feを含有する第1の半導体層12が形成される。Feが第1の半導体層12の導電性に与える影響は小さいため、第1の半導体層12は、高い電気絶縁性を維持する。従って、このように形成されたHEMTは、実施例1と同様の効果を得ることができる。
実施例1における第1の半導体層12の製造過程において、TMAとNH3に加え、Cp2Feの気相を供給することで、Feを含有する第1の半導体層12が形成される。Feが第1の半導体層12の導電性に与える影響は小さいため、第1の半導体層12は、高い電気絶縁性を維持する。従って、このように形成されたHEMTは、実施例1と同様の効果を得ることができる。
(第2の実施例)
図3に示す本発明の実施例2に係るHEMT101について説明する。但し、図3において図1と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図3に示す本発明の実施例2に係るHEMT101について説明する。但し、図3において図1と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
HEMT101は、Siから構成される基板11と、基板11上に形成され、AlNから構成される第1の半導体層12とGaNから構成されFeがドーピングされた第2の半導体層13とを交互に積層して形成されるバッファ層14と、バッファ層14上に形成され、GaNから構成されFeが高濃度にドーピングされた第1のチャネル層15aと、第1のチャネル層15a上に形成され、GaNから構成される第2のチャネル層15bと、第2のチャネル層15b上に形成され、AlGaNから構成されるバリア層16と、バリア層16上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜18と、絶縁膜18の開口を介してバリア層16上に形成されるゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dと、を備える。本実施例において、第1のチャネル層15aと第2のチャネル層15bとを併せてチャネル層或いは本発明の第1の成長層と換言することができ、また、第1のチャネル層15a、第2のチャネル層15b及びバリア層16を併せて主半導体領域17aと換言できる。
即ち、本実施例に係るHEMT101は、主半導体領域17aが、第1のチャネル層15a及び第2のチャネル層15bを備える点で従来のHEMT100と異なり、その他は同一に構成される。
本実施例に係るHEMT101の製造方法において、第1のチャネル層15aは、バッファ層14が形成された基板11に対しTMGとNH3に加え、Cp2Feの気相を供給することで形成される。本実施例における第1のチャネル層15aは、1×1017cm−3以上の不純物濃度と0.3〜1μm程度の厚さを有するように形成される。
次に、第1のチャネル層15bは、本発明の実施例1におけるチャネル層15と同様の手法によって、第1のチャネル層15a上に100〜200nm程度の厚さに形成される。
本実施例に係るHEMT101によれば、チャネル層におけるバッファ層14に近い領域が電気絶縁性を有する一方、バリア層16に近い領域が導電性を有するため、本発明の実施例1に係るHEMT100と同様の効果に加え、次の効果が得られる。
(1)HEMT101のオン動作時は、ソース電極Sとドレイン電極Dとの間を流れる電流が、チャネル層15におけるバリア層16に近い領域に形成される二次元キャリアガス層を流れる。また、HEMT101のオフ動作時は、ソース電極Sとドレイン電極Dとの間を流れる電流が、チャネル層15におけるバッファ層14に近い領域を流れにくくなる。従って、第1のチャネル層15a、第2のチャネル層15b及びバリア層16とから構成される主半導体領域17aが高耐圧化されるため、主半導体領域17aに形成されるHEMT101が高耐圧化されると共にHEMT101のリーク電流が低減される。
(2)HEMT101をスイッチング素子として用いた電源装置は、HEMT101のリーク電流が低減されるため、損失が低減され、高効率化される。
(1)HEMT101のオン動作時は、ソース電極Sとドレイン電極Dとの間を流れる電流が、チャネル層15におけるバリア層16に近い領域に形成される二次元キャリアガス層を流れる。また、HEMT101のオフ動作時は、ソース電極Sとドレイン電極Dとの間を流れる電流が、チャネル層15におけるバッファ層14に近い領域を流れにくくなる。従って、第1のチャネル層15a、第2のチャネル層15b及びバリア層16とから構成される主半導体領域17aが高耐圧化されるため、主半導体領域17aに形成されるHEMT101が高耐圧化されると共にHEMT101のリーク電流が低減される。
(2)HEMT101をスイッチング素子として用いた電源装置は、HEMT101のリーク電流が低減されるため、損失が低減され、高効率化される。
(第3の実施例)
図4に示す本発明の実施例3に係るHEMT102について説明する。但し、図4において図1と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図4に示す本発明の実施例3に係るHEMT102について説明する。但し、図4において図1と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
HEMT102は、Siから構成される基板11と、基板11上に形成され、AlNから構成される第1の半導体層12とGaNから構成されFeがドーピングされた第2の半導体層13とを交互に積層して形成され、且つ、GaNから構成され導電性を有する第3の半導体層13aを有するバッファ層14aと、バッファ層14a上に形成され、GaNから構成されるチャネル層15と、チャネル層15上に形成され、AlGaNから構成されるバリア層16と、バリア層16上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜18と、絶縁膜18の開口を介してバリア層16上に形成されるゲート電極G、ソース電極S及びドレイン電極Dと、を備える。第3の半導体層は、遷移元素及びCのうち少なくとも一種類の原子を前記第2の半導体層よりも低濃度で含有する。
即ち、本実施例に係るHEMT102は、バッファ層14aにおいて、複数の第2の半導体層13の少なくとも1つが、第3の半導体層13aに置換される点で従来のHEMT100と異なり、その他は同一に構成される。
本実施例に係るHEMT102の製造方法において、第3の半導体層13aは、TMGとNH3との気相を供給して30nm程度の厚さを有するように形成される。但し、第3の半導体層13aを形成する工程において、1×1016cm−3以下の不純物濃度を有するように形成しても良い。また、厚さは第2の半導体層13と異なっても良く、複数設けられても良く、不規則に設けられても良い。
本実施例に係るHEMT102によれば、バッファ層14aが導電性の層を有するため、バッファ層14aは寄生容量を有する反面、次の効果が得られる。
(1)HEMT102の動作時、第3の半導体層13aは、ゲート電極Gと略同電位となるため、ドレイン電極Dとゲート電極Gとの間に例えば600Vの電位差が生じたとき、ドレイン電極Dと第3の半導体層13aとの間にも約600Vの電位差が生じる。そのため、第3の半導体層13aは、ゲート電極Gの端部に集中する電界を緩和する、所謂裏面フィールドプレート効果を有する。従って、第3半導体層13aは、電界緩和による高耐圧化を実現すると共に、電流コラプスの発生を抑制することによる低オン抵抗化が達成される。寄生容量と裏面フィールドプレート効果とは、第3の半導体層13aの不純物濃度
及び形成位置等によって適宜設定することができる。
(2)HEMT102スイッチング素子として用いれば、HEMT102のオン抵抗が低減されるため、低損失で高効率な電源装置が得られる。
(1)HEMT102の動作時、第3の半導体層13aは、ゲート電極Gと略同電位となるため、ドレイン電極Dとゲート電極Gとの間に例えば600Vの電位差が生じたとき、ドレイン電極Dと第3の半導体層13aとの間にも約600Vの電位差が生じる。そのため、第3の半導体層13aは、ゲート電極Gの端部に集中する電界を緩和する、所謂裏面フィールドプレート効果を有する。従って、第3半導体層13aは、電界緩和による高耐圧化を実現すると共に、電流コラプスの発生を抑制することによる低オン抵抗化が達成される。寄生容量と裏面フィールドプレート効果とは、第3の半導体層13aの不純物濃度
及び形成位置等によって適宜設定することができる。
(2)HEMT102スイッチング素子として用いれば、HEMT102のオン抵抗が低減されるため、低損失で高効率な電源装置が得られる。
以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能であり、また各実施例或いは各変形例の組合せが可能である。
例えば、深い準位を形成するドーパントは、Feの他にニッケル(Ni)等の遷移元素及びCのうち少なくとも一種類の原子を、単独或いは組合せで用いることができ、半導体層ごとに組成を変えることができる。また、第1の半導体層12及び第2の半導体層13は、第2の半導体層13のバンドギャップが第1の半導体層12のバンドギャップよりも小さければ、上記組成の材料に限らず、AlxInyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で示される組成の材料で構成することができる。また、上記HEMTに限らず、化合物半導体材料で構成されるMOS或いはダイオード等の二端子素子を形成しても良く、チャネル層15及びバリア層16がそれぞれ多層構造を有しても良い。即ち、バッファ層14上に主電極を有する横型半導体装置は、本発明の実施形態に係る効果を享受できる。また、本発明の実施形態に係るHEMTは、絶縁型の電源装置或いは複数のスイッチング素子を有する電源装置にも用いることができる。
11、21 基板
12、22 第1の半導体層
13、23 第2の半導体層
14、24 バッファ層
15、25 チャネル層
16、26 バリア層
17 主半導体領域
18 絶縁膜
12、22 第1の半導体層
13、23 第2の半導体層
14、24 バッファ層
15、25 チャネル層
16、26 バリア層
17 主半導体領域
18 絶縁膜
Claims (4)
- 基板と、前記基板上に形成されるバッファ層と、を備える半導体基板であって、
前記バッファ層は、第1のバンドギャップを有する第1の窒化物系化合物半導体層と前記第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の窒化物系化合物半導体層とを交互に積層して形成され、
少なくとも前記第2の窒化物系化合物半導体層は、遷移元素及び炭素を含有することを特徴とする半導体基板。 - 前記バッファ層上に形成され且つ窒化物系化合物半導体層からなる主半導体領域を備え、
前記主半導体領域は、第1のチャネル層と、前記第1のチャネル層上に形成される第2のチャネル層とを有し、
前記第2のチャネル層は、遷移元素及び炭素を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。 - 前記第2の窒化物系化合物半導体層は、5×1017〜1020cm−3の不純物濃度を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板。
- 前記主半導体領域上に形成される第1の電極と、
前記主半導体領域上に前記第1の電極と離間して形成される第2の電極と、
前記請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体基板と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014117523A JP2014187386A (ja) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | 半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014117523A JP2014187386A (ja) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | 半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008295526A Division JP2010123725A (ja) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | 化合物半導体基板及び該化合物半導体基板を用いた半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187386A true JP2014187386A (ja) | 2014-10-02 |
Family
ID=51834566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014117523A Pending JP2014187386A (ja) | 2014-06-06 | 2014-06-06 | 半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014187386A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400087A (zh) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004970A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体薄膜の作製方法 |
JP2008171843A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2008277655A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ |
-
2014
- 2014-06-06 JP JP2014117523A patent/JP2014187386A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004970A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体薄膜の作製方法 |
JP2008171843A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2008277655A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400087A (zh) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法、结构及功率器件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010123725A (ja) | 化合物半導体基板及び該化合物半導体基板を用いた半導体装置 | |
JP5064824B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP4744109B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP6151487B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP5953706B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP6018360B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP5634681B2 (ja) | 半導体素子 | |
KR100967779B1 (ko) | 화합물 반도체 장치 및 그것을 이용한 도허티 증폭기 | |
KR101365302B1 (ko) | 화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2011071356A (ja) | 半導体装置 | |
JP5343910B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JP2013004750A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
WO2017002317A1 (ja) | 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法 | |
JP6604036B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP2023176028A (ja) | 電子濃度を低減するための構造および電子濃度を低減するためのプロセス | |
JP2018190959A (ja) | 半導体のヘテロ構造およびその形成方法 | |
JP2019134153A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2011187643A (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ | |
JP2013069772A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5707903B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007088252A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP2007088252A5 (ja) | ||
JP2016213507A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP2014187386A (ja) | 半導体基板及び該半導体基板を用いた半導体装置 | |
JP2008098298A (ja) | 化合物半導体デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150707 |