JP2014187169A - 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 195
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 112
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 72
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 26
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 541
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 21
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、2つの導電層17A,17B間に設けられ、磁化の向きが可変な第1の磁性層11と、2つの導電層17A,17B間に設けられ、磁化の向きが不変な第2の磁性層10と、第1及び第2の磁性層10,11間に設けられたトンネルバリア層12と、第1の磁性層10内に設けられ、トンネルバリア層12側の第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有し、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有する磁化膜110と、磁化膜110の第2の面側に設けられ、磁化膜110に対して界面磁気異方性を生じさせる非磁性膜130と、磁化膜110と導電層17Bとを導通させる導電層15と、を含む。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照しながら、本実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複する説明は必要に応じて行う。
図1を参照して、実施形態の磁気抵抗効果素子の基本構成について、説明する。
図2乃至6を参照して、第1の実施形態の磁気抵抗効果素子及びその製造方法について、説明する。
図2及び図3を用いて、第1の実施形態の磁気抵抗効果素子の構造について説明する。
記憶層11の磁化の向きが参照層10の磁化の向きと反平行(AP:Antiparallel)状態にされる場合、つまり、記憶層11の磁化の向きが参照層10の磁化の向きに対して反対にされる場合、参照層10から記憶層11に向かって流れる電流が、書き込み電流として、MTJ素子1Aに供給される。
図4乃至図6を用いて、第1の実施形態の磁気抵抗効果素子の製造方法について、説明する。
非磁性層12Zはストッパとして用いられ、記憶層11より下方(基板79側)の層は、加工されない。
図7乃至図10を参照して、第2の実施形態の磁気抵抗効果素子について、説明する。本実施形態の磁気抵抗効果素子において、第1の実施形態の磁気抵抗効果素子と実質的に同じ構成を有する構成に関しては同じ符号を付し、その構成の説明は、必要に応じて行う。
図7及び図8を用いて、第2の実施形態の磁気抵抗効果素子の構造について、説明する。
図9及び図10を用いて、第2の実施形態の磁気抵抗効果素子の製造方法について、説明する。尚、本実施形態において、第1の実施形態で述べた製造工程と実質的に同じ工程に関する説明は、省略する。
図11乃至図14を参照して、実施形態の磁気抵抗効果素子及びその製造方法の変形例について、説明する。尚、本変形例において、第1及び第2の実施形態で述べた構成要素、機能及び工程と、実質的に同じものに関する説明は、必要に応じて行う。
図11を用いて、実施形態の磁気抵抗効果素子の変形例の一例について、説明する。
図12を用いて、実施形態の磁気抵抗効果素子の変形例について、説明する。
図13を用いて、実施形態の磁気抵抗効果素子の製造方法の変形例について、説明する。図13は、実施形態の磁気抵抗効果素子の製造方法の変形例の一工程を示す断面工程図である。
図14を用いて、実施形態の磁気抵抗効果素子の製造方法の変形例について、説明する。図14は、実施形態の磁気抵抗効果素子の製造方法の変形例の一工程を示す断面工程図である。
その後、側壁導電膜を形成するための導電層15Zが、スパッタ法を用いて、加工された記憶層11及びハードマスク/キャップ層17B,14を覆うように、堆積される。これによって、導電層15Zが、ハードマスク17B、キャップ層14の側面上、異方性付与膜130の側面上、磁性膜110の側面上に堆積される。また、導電層15Zは、ハードマスク17Bの上面上及びトンネルバリア層12Zの上面上に、堆積される。
図15及び図16を参照して、実施形態の磁気抵抗効果素子の適用例について、説明する。尚、上述の実施形態で述べた構成と実質的に同じ構成に関しては、同じ符号を付し、その構成の説明は、必要に応じて行う。
上述の各実施形態の磁気抵抗効果素子は、MRAM以外の磁気メモリに適用されてもよい。実施形態で述べた磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリは、例えば、DRAM、SRAMなどの代替メモリとして、用いられる。
Claims (6)
- 第1及び第2の導電層と、
前記第1及び第2の導電層間において前記第1の導電層側に設けられ、磁化の向きが可変な第1の磁性層と、
前記第1及び第2の導電層間において前記第2の導電層側に設けられ、磁化の向きが不変な第2の磁性層と、
酸化マグネシウムを主成分として含み、前記第1及び第2の磁性層間に設けられたトンネルバリア層と、
前記第1の磁性層内に設けられ、前記トンネルバリア層側の第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有し、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有する第1の磁化膜と、
酸化マグネシウムを主成分として含み、前記第1の磁性層内において前記第1の磁化膜の前記第2の面側に設けられ、前記第1の磁化膜に対して界面磁気異方性を生じさせる第1の非磁性膜と、
前記第1の磁性層内において前記第1の導電層と前記第1の非磁性膜と間に設けられ、膜面に対して垂直な磁気異方性を有する第2の磁化膜と、
酸化マグネシウムを主成分として含み、前記第1の磁性層内において前記第2の磁化膜と前記第1の導電層との間に設けられ、前記第2の磁化膜に対して界面磁気異方性を生じさせる第2の非磁性膜と、
前記第1及び第2の磁化膜と前記第1の導電層とを導通させる第3の導電層と、
を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 第1及び第2の導電層と、
前記第1及び第2の導電層間において前記第1の導電層側に設けられ、磁化の向きが可変な第1の磁性層と、
前記第1及び第2の導電層間において前記第2の導電層側に設けられ、磁化の向きが不変な第2の磁性層と、
前記第1及び第2の磁性層間に設けられたトンネルバリア層と、
前記第1の磁性層内に設けられ、前記トンネルバリア層側の第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有し、膜面に対して垂直方向の磁気異方性を有する第1の磁化膜と、
前記第1の磁性層内において前記第1の磁化膜の前記第2の面側に設けられ、前記第1の磁化膜に対して界面磁気異方性を生じさせる第1の非磁性膜と、
前記第1の磁化膜と前記第1の導電層とを導通させる第3の導電層と、
を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記第1の磁性層は、
前記第1の導電層と前記第1の非磁性膜と間に設けられ、膜面に対して垂直な磁気異方性を有する第2の磁化膜と、
前記第2の磁化膜と前記第1の導電層との間に設けられ、前記第2の磁化膜に対して界面磁気異方性を生じさせる第2の非磁性膜と、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記トンネルバリア層及び前記第1の非磁性膜は、酸化マグネシウムを主成分とする絶縁膜である、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の磁性層は、前記第2の磁性層の上方に設けられ、
前記第3の導電層は、前記第1の磁性層が含む元素と同じ元素を含む、ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 磁化膜と非磁性膜とを含む第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1及び第2の磁性層間のトンネルバリア層と、前記第1の磁性層上の第1の導電層とを含み、前記磁化膜が前記トンネルバリア層と前記非磁性膜との間に挟まれる積層構造を、第2の導電層上に形成する工程と、
前記第1の導電層を、所定の形状に加工する工程と、
前記第1の導電層をマスクに用いて、前記第1の磁性層を加工し、前記第1の磁性層の加工によって発生した再付着物からなる第3の導電層を、前記磁化膜の側面上、前記非磁性膜の側面上及び前記第1の導電層の側面上に形成する工程と
前記加工された第1の磁性層の側面を覆うように、側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記側壁絶縁膜で覆われた前記第1の磁性層をマスクに用いて、前記トンネルバリア層、前記第2の磁性層及び前記第2の導電層を加工する工程と、
を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013060724A JP5865858B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US14/015,374 US9042166B2 (en) | 2013-03-22 | 2013-08-30 | Magnetoresistive effect element and method of manufacturing magnetoresistive effect element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013060724A JP5865858B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187169A true JP2014187169A (ja) | 2014-10-02 |
JP5865858B2 JP5865858B2 (ja) | 2016-02-17 |
Family
ID=51568553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013060724A Expired - Fee Related JP5865858B2 (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9042166B2 (ja) |
JP (1) | JP5865858B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170060284A (ko) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP2017126613A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US9935260B2 (en) | 2016-03-22 | 2018-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus |
WO2019049244A1 (ja) * | 2017-09-06 | 2019-03-14 | Tdk株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
WO2020045655A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 国立大学法人東北大学 | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法 |
WO2021251003A1 (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 磁気抵抗効果素子、半導体装置及び電子機器 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5680045B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2015-03-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
KR102067151B1 (ko) | 2013-07-25 | 2020-01-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
US9105572B2 (en) * | 2013-09-09 | 2015-08-11 | Hiroyuki Kanaya | Magnetic memory and manufacturing method thereof |
US9070869B2 (en) * | 2013-10-10 | 2015-06-30 | Avalanche Technology, Inc. | Fabrication method for high-density MRAM using thin hard mask |
JP6139444B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気メモリ |
US9525125B1 (en) * | 2015-08-20 | 2016-12-20 | International Business Machines Corporation | Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire |
US9711713B1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same |
US9704919B1 (en) | 2016-06-24 | 2017-07-11 | Qualcomm Incorporated | High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells |
CN107565015A (zh) * | 2016-07-06 | 2018-01-09 | 中电海康集团有限公司 | 一种基于金属孔的磁性随机存取存储器结构及其金属孔、金属层制造工艺 |
CN117479817A (zh) * | 2017-10-16 | 2024-01-30 | Tdk株式会社 | 隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器 |
WO2019108417A1 (en) | 2017-12-01 | 2019-06-06 | Everspin Technologies, Inc. | Spin transfer torque (stt) magnetic memory using spin-orbit torque (sot) |
US11723213B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and structures pertaining to improved ferroelectric random-access memory (FeRAM) |
US11195840B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and structures pertaining to improved ferroelectric random-access memory (FeRAM) |
US11646143B2 (en) * | 2019-05-21 | 2023-05-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic multi-layers containing MgO sublayers as perpendicularly magnetized magnetic electrodes for magnetic memory technology |
US11094878B2 (en) * | 2019-06-18 | 2021-08-17 | International Business Machines Corporation | Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions |
US11758821B2 (en) * | 2019-07-17 | 2023-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Magnetic memory structure |
JP2021044359A (ja) | 2019-09-10 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 磁気記憶装置 |
CN112531103B (zh) * | 2019-09-19 | 2023-05-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US12046315B2 (en) * | 2019-12-09 | 2024-07-23 | Siemens Industry Software Inc. | Memory built-in self-test with automated reference trim feedback for memory sensing |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100276768A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | International Business Machines Corporation | Sidewall coating for non-uniform spin momentum-transfer magnetic tunnel junction current flow |
WO2011088375A2 (en) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | Qualcomm Incorporated | Composite hardmask architecture and method of creating non-uniform current path for spin torque driven magnetic tunnel junction |
US20110235217A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Qualcomm Incorporated | Fabricating A Magnetic Tunnel Junction Storage Element |
US20120063221A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Sony Corporation | Memory element and memory device |
WO2012109519A2 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-16 | Magic Technologies, Inc. | Magnetic element with improved out-of-plane anisotropy for spintronic applications |
US20130001652A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-03 | Masatoshi Yoshikawa | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6956766B2 (en) | 2002-11-26 | 2005-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic cell and magnetic memory |
JP4264533B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2009-05-20 | ソニー株式会社 | 不揮発性磁気メモリ装置及びその製造方法 |
WO2005088745A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
KR100875707B1 (ko) | 2004-08-27 | 2008-12-23 | 도쿠리쓰교세이호징 가가쿠 기주쓰 신코 기코 | 자기저항소자 및 그 제조 방법 |
US20070187785A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-16 | Chien-Chung Hung | Magnetic memory cell and manufacturing method thereof |
JP2008218829A (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
US7919826B2 (en) | 2007-04-24 | 2011-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and manufacturing method thereof |
JP2008294420A (ja) | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
JP2009076778A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗デバイス |
JP2009094104A (ja) | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子 |
JP2010034153A (ja) | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリおよびその書き込み方法 |
JP2010097977A (ja) | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Fujitsu Ltd | トンネル磁気抵抗効果素子及びトンネルバリア層の製造方法 |
JP2010147213A (ja) | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気再生ヘッド、および情報記憶装置 |
US20100315869A1 (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-16 | Magic Technologies, Inc. | Spin torque transfer MRAM design with low switching current |
JP2012038815A (ja) | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
JP2013060724A (ja) | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Jfe Engineering Corp | ビル・マンション用緊急時電源・水源システム |
-
2013
- 2013-03-22 JP JP2013060724A patent/JP5865858B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-30 US US14/015,374 patent/US9042166B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100276768A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | International Business Machines Corporation | Sidewall coating for non-uniform spin momentum-transfer magnetic tunnel junction current flow |
JP2010263204A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気トンネル接合デバイスおよびこれを製造するための方法 |
WO2011088375A2 (en) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | Qualcomm Incorporated | Composite hardmask architecture and method of creating non-uniform current path for spin torque driven magnetic tunnel junction |
US20110235217A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-09-29 | Qualcomm Incorporated | Fabricating A Magnetic Tunnel Junction Storage Element |
WO2011123357A1 (en) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction storage element and method of fabricating the same |
JP2013524515A (ja) * | 2010-03-29 | 2013-06-17 | クアルコム,インコーポレイテッド | 磁気トンネル接合記憶素子の製造 |
US20120063221A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Sony Corporation | Memory element and memory device |
JP2012064625A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Sony Corp | 記憶素子、メモリ装置 |
WO2012109519A2 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-16 | Magic Technologies, Inc. | Magnetic element with improved out-of-plane anisotropy for spintronic applications |
US20130001652A1 (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-03 | Masatoshi Yoshikawa | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
JP2013016587A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170060284A (ko) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR102482373B1 (ko) | 2015-11-24 | 2022-12-29 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP2017126613A (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US9935260B2 (en) | 2016-03-22 | 2018-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory device and nonvolatile memory apparatus |
WO2019049244A1 (ja) * | 2017-09-06 | 2019-03-14 | Tdk株式会社 | トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
US11264290B2 (en) | 2017-09-06 | 2022-03-01 | Tdk Corporation | Tunnel magnetoresistive effect element and magnetic memory |
WO2020045655A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 国立大学法人東北大学 | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法 |
JPWO2020045655A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2021-10-14 | 国立大学法人東北大学 | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法 |
JP7497877B2 (ja) | 2018-08-30 | 2024-06-11 | 国立大学法人東北大学 | 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法 |
WO2021251003A1 (ja) * | 2020-06-10 | 2021-12-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 磁気抵抗効果素子、半導体装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5865858B2 (ja) | 2016-02-17 |
US9042166B2 (en) | 2015-05-26 |
US20140284736A1 (en) | 2014-09-25 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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