JP2014186844A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014186844A
JP2014186844A JP2013060351A JP2013060351A JP2014186844A JP 2014186844 A JP2014186844 A JP 2014186844A JP 2013060351 A JP2013060351 A JP 2013060351A JP 2013060351 A JP2013060351 A JP 2013060351A JP 2014186844 A JP2014186844 A JP 2014186844A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic electroluminescence
bank
display device
black matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013060351A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014186844A5 (ja
JP5991490B2 (ja
Inventor
Hiroshi Ooka
浩 大岡
Mitsuhide Miyamoto
光秀 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2013060351A priority Critical patent/JP5991490B2/ja
Priority to US14/207,765 priority patent/US9231036B2/en
Publication of JP2014186844A publication Critical patent/JP2014186844A/ja
Priority to US14/800,031 priority patent/US9397148B2/en
Publication of JP2014186844A5 publication Critical patent/JP2014186844A5/ja
Priority to US15/171,754 priority patent/US20160276420A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5991490B2 publication Critical patent/JP5991490B2/ja
Priority to US15/585,292 priority patent/US10236336B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】高い光透過性と高い導電性を両立させることを目的とする。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、画素電極３２の中央部を囲むように設けられたバンク３６と、画素電極３２上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層３８と、有機エレクトロルミネッセンス層３８上からバンク３６上に至るように形成された共通電極４２と、有機エレクトロルミネッセンス層３８に重なるカラーフィルタ層４６と、バンク３６に重なるブラックマトリクス層５０と、ブラックマトリクス層５０に設けられたスペーサ５２と、スペーサ５２に載るようにブラックマトリクス層５０に設けられた配線５４と、を有する。ブラックマトリクス層５０は、スペーサ５２を介してバンク３６上に配置される。配線５４は、スペーサ５２に載ることで凸部５６が形成され、凸部５６がバンク３６の上方で共通電極４２と電気的に接続する。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、陰極から光を取り出すようになっているため、光の取り出し効率を向上させるという観点から、陰極には高い光透過性が求められる。一方で、低消費電力化の観点から陰極には高い導電性も求められる。
陰極として透明酸化物半導体膜を一般的に用いるが、シート抵抗を低減するためには厚膜化が必須であり、透過率が低下する。光透過率と導電率はトレードオフの関係にあり、両者を両立させることが困難である。
透明酸化物半導体膜に導電率の高い金属薄膜を組み合わせて使用すると、金属薄膜の反射による光干渉効果の影響が大きく、発光色の調整が困難になる。
導電率の高い金属膜を非発光領域に形成すれば、画素開口は小さくならないが、画素開口よりもさらに高い成膜精度が要求されるので、生産での適用が困難である。例えば、透明導電膜上にシャドウマスクを用いて微細な補助配線を蒸着法により形成することは可能であるが、画素よりも成膜領域が狭くなるため、高精度のマスク製作技術と成膜技術が必要とされ、実用化は困難であった。
特開２００２−３３１９８号公報 特開２００６−２７８２４１号公報 特開２００９−１２８６７２号公報
特許文献１又は特許文献２には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板に有機層及び陰極を形成し、有機層を封止するための封止基板に接着層を形成してその上に補助配線を形成し、陰極に補助配線が対向するように、封止基板をＴＦＴ基板に貼り合わせることが開示されている。なお、接着層に補助配線を押し込むことで、補助配線と陰極が接触する。この例では、補助配線は、接着層上に形成するので、熱硬化なしで形成しなければならないなどの理由で材料が制限されるという問題がある。
特許文献３には、封止基板に透明導電膜を形成し、封止基板をＴＦＴ基板に貼り合わせて、透明導電膜をＴＦＴ基板上の陰極と接触させることが開示されている。しかし、透明導電膜は発光領域を覆うので、光透過率の低下は避けられない。
本発明は、高い光透過性と高い導電性を両立させることを目的とする。
（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素電極と、それぞれの前記画素電極の少なくとも中央部を囲むように設けられたバンクと、前記複数の画素電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上から前記バンク上に至るように形成された光透過性の共通電極と、前記バンクに重なるブラックマトリクス層と、前記ブラックマトリクス層に設けられたスペーサと、前記スペーサに載るように前記ブラックマトリクス層に設けられた配線と、を有し、前記ブラックマトリクス層は、前記スペーサを介して前記バンク上に配置され、前記配線は、前記スペーサに載ることで凸部が形成され、前記凸部が前記バンクの上方で前記共通電極と電気的に接続することを特徴とする。本発明によれば、相互に電気的に接続する配線及び共通電極の全体の導電性は、共通電極自体の導電性よりも高くなっている。また、配線は、ブラックマトリクス層に重なるように形成されるので、光の透過を妨げないようになっている。したがって、高い光透過性と高い導電性を両立させることができる。
（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記複数の画素電極の下にある絶縁層と、前記絶縁層の下にある複数の薄膜トランジスタと、前記バンクの下方で、前記絶縁層を貫通して、前記画素電極を前記薄膜トランジスタに電気的に接続するコンタクトと、をさらに有し、隣同士の２つ以上の前記画素電極にそれぞれが接続する２つ以上の前記コンタクトは、隣り合うように配置され、前記バンクは、前記２つ以上の前記コンタクトを連続的に覆う被覆部を有し、前記被覆部上に前記スペーサが位置し、前記被覆部上で前記配線の前記凸部が前記共通電極と電気的に接続することを特徴としてもよい。
（３）（１）又は（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス層は、白色光を発するように構成されていることを特徴としてもよい。
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス層に重なるカラーフィルタ層をさらに有することを特徴としてもよい。
（５）（４）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス層と前記カラーフィルタ層との間にスペースが形成されていることを特徴としてもよい。
本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 画素電極を示す図である。 ブラックマトリクス層を示す図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の平面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラスなどからなる光透過性の第１基板１０を有する。第１基板１０の上に半導体層１２が形成されている。半導体層１２を覆ってゲート絶縁膜１４が形成されている。ゲート絶縁膜１４の上にはゲート電極１６が形成され、ゲート電極１６を覆って層間絶縁膜１８が形成されている。層間絶縁膜１８を貫通して、半導体層１２に至るようにソース電極２０及びドレイン電極２２が設けられている。半導体層１２、ソース電極２０及びドレイン電極２２並びにゲート電極１６は、薄膜トランジスタ２４の構成要素となっている。
ソース電極２０及びドレイン電極２２を覆うように、層間絶縁膜１８上にパッシベーション膜２６が形成され、その上に絶縁層２８が設けられている。絶縁層２８上に、光を反射するための光反射層３０が形成されている。
光反射層３０の上に画素電極３２（例えば陽極）が設けられている。画素電極３２は、絶縁層２８を貫通して、ソース電極２０及びドレイン電極２２の一方に電気的に接続されている。複数の画素電極３２の下に絶縁層２８があり、絶縁層２８の下に複数の薄膜トランジスタ２４がある。
図２は、画素電極３２を示す図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、相互に分離された複数の画素電極３２を有する。絶縁層２８を貫通するコンタクト３４によって、それぞれの画素電極３２は、いずれかの薄膜トランジスタ２４に電気的に接続されている。隣同士の２つ以上の画素電極３２にそれぞれが接続する２つ以上のコンタクト３４は、隣り合うように配置されている。つまり、複数のコンタクト３４が一か所に集まるようになっている。
それぞれの画素電極３２の少なくとも中央部を囲むように、樹脂などの絶縁体からバンク３６が設けられている。バンク３６に囲まれた画素電極３２上に、図１に示すように有機エレクトロルミネッセンス層３８が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層３８の一部はバンク３６にも載るようになっている。バンク３６は、図２に示すように、隣り合う２つ以上のコンタクト３４を連続的に覆う被覆部４０を有する。
有機エレクトロルミネッセンス層３８は、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含む。有機エレクトロルミネッセンス層３８を構成する少なくとも一層は有機材料からなる。有機エレクトロルミネッセンス層３８は、蒸着又はスパッタリングによって形成する。有機エレクトロルミネッセンス層３８は、異なる色を発する複数の発光層を重ねて、混色により白色光を発するように構成されている。
有機エレクトロルミネッセンス層３８上からバンク３６上に至るように光透過性の共通電極４２が形成されている。共通電極４２は、全ての画素電極３２の全体を覆うように形成されている。画素電極３２と共通電極４２の間に有機エレクトロルミネッセンス層３８が配置されている。画素電極３２及び共通電極４２に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機エレクトロルミネッセンス層３８に注入する。注入された正孔と電子が発光層で結合して光を発する。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラスなどからなる光透過性の第２基板４４を有する。第２基板４４は、第１基板１０と間隔をあけて対向するように配置されている。第２基板４４の第１基板１０側の面には、カラーフィルタ層４６が設けられている。カラーフィルタ層４６が、有機エレクトロルミネッセンス層３８に重なる。有機エレクトロルミネッセンス層３８とカラーフィルタ層４６との間には、スペース４８が形成されている。つまり、中空封止が適用されている。変形例として樹脂をスペース４８に充填してもよい。第２基板４４の第１基板１０側の面には、ブラックマトリクス層５０が形成されている。
図３は、ブラックマトリクス層５０を示す図である。ブラックマトリクス層５０にスペーサ５２が設けられている。ブラックマトリクス層５０には、スペーサ５２に載るように配線５４が設けられている。配線５４は、スペーサ５２に載ることで、凸部５６が形成されている。配線５４は、第２基板４４上のブラックマトリクス層５０上に形成するので、フォトプロセスや焼成プロセスを適用することが可能であり、材料選択の幅が広い。
製造プロセスでは、第２基板４４の一方の面にブラックマトリクス層５０を形成し、同じ面にブラックマトリクス層５０を形成し、同じ側でブラックマトリクス層５０にスペーサ５２を設け、配線５４を形成するという順序で行う。
ブラックマトリクス層５０は、図１及び図２に示すようにバンク３６に重なる。ブラックマトリクス層５０は、スペーサ５２を介してバンク３６上に配置されている。スペーサ５２があることでブラックマトリクス層５０とバンク３６のギャップが形成されるが、そのギャップの大きさは均一化される。また、スペーサ５２があることで、有機エレクトロルミネッセンス層３８とカラーフィルタ層４６との間に異物があっても、ギャップが大きくなるので、有機エレクトロルミネッセンス層３８を押しつぶさないようになる。
配線５４の凸部５６がバンク３６の上方で共通電極４２と電気的に接続する。凸部５６があることで、配線５４と共通電極４２を安定的に接触させることができる。変形例として、図１に示すスペース４８に樹脂を充填する場合、その樹脂が共通電極４２の上面を覆ってしまうとしても、凸部５６を樹脂に押し込んでこれを共通電極４２に接触させる。バンク３６の被覆部４０は、２つ以上のコンタクト３４を連続的に覆うことから広くなっているので、その上にスペーサ５２が位置する。被覆部４０上で配線５４の凸部５６が共通電極４２と電気的に接続する。
本実施形態によれば、相互に電気的に接続する配線５４及び共通電極４２の全体の導電性は、共通電極４２自体の導電性よりも高くなっている。また、配線５４は、ブラックマトリクス層５０に重なるように、かつ、はみ出さないように形成されるので、光の透過を妨げないようになっている。したがって、高い光透過性と高い導電性を両立させることができる。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
１０ 第１基板、１２ 半導体層、１４ ゲート絶縁膜、１６ ゲート電極、１８ 層間絶縁膜、２０ ソース電極、２２ ドレイン電極、２４ 薄膜トランジスタ、２６ パッシベーション膜、２８ 絶縁層、３０ 光反射層、３２ 画素電極、３４ コンタクト、３６ バンク、３８ 有機エレクトロルミネッセンス層、４０ 被覆部、４２ 共通電極、４４ 第２基板、４６ カラーフィルタ層、４８ スペース、５０ ブラックマトリクス層、５２ スペーサ、５４ 配線、５６ 凸部。

Claims (5)

  1. 複数の画素電極と、
    それぞれの前記画素電極の少なくとも中央部を囲むように設けられたバンクと、
    前記複数の画素電極上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス層と、
    前記有機エレクトロルミネッセンス層上から前記バンク上に至るように形成された光透過性の共通電極と、
    前記バンクに重なるブラックマトリクス層と、
    前記ブラックマトリクス層に設けられたスペーサと、
    前記スペーサに載るように前記ブラックマトリクス層に設けられた配線と、
    を有し、
    前記ブラックマトリクス層は、前記スペーサを介して前記バンク上に配置され、
    前記配線は、前記スペーサに載ることで凸部が形成され、前記凸部が前記バンクの上方で前記共通電極と電気的に接続することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  2. 請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
    前記複数の画素電極の下にある絶縁層と、
    前記絶縁層の下にある複数の薄膜トランジスタと、
    前記バンクの下方で、前記絶縁層を貫通して、前記画素電極を前記薄膜トランジスタに電気的に接続するコンタクトと、
    をさらに有し、
    隣同士の２つ以上の前記画素電極にそれぞれが接続する２つ以上の前記コンタクトは、隣り合うように配置され、
    前記バンクは、前記２つ以上の前記コンタクトを連続的に覆う被覆部を有し、
    前記被覆部上に前記スペーサが位置し、前記被覆部上で前記配線の前記凸部が前記共通電極と電気的に接続することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  3. 請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
    前記有機エレクトロルミネッセンス層は、白色光を発するように構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  4. 請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
    前記有機エレクトロルミネッセンス層に重なるカラーフィルタ層をさらに有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  5. 請求項４に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
    前記有機エレクトロルミネッセンス層と前記カラーフィルタ層との間にスペースが形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
JP2013060351A 2013-03-22 2013-03-22 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 Active JP5991490B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013060351A JP5991490B2 (ja) 2013-03-22 2013-03-22 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US14/207,765 US9231036B2 (en) 2013-03-22 2014-03-13 Organic electroluminescence display device
US14/800,031 US9397148B2 (en) 2013-03-22 2015-07-15 Organic electroluminescence display device
US15/171,754 US20160276420A1 (en) 2013-03-22 2016-06-02 Organic electroluminescence display device
US15/585,292 US10236336B2 (en) 2013-03-22 2017-05-03 Organic electroluminescence display device with spacers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013060351A JP5991490B2 (ja) 2013-03-22 2013-03-22 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014186844A true JP2014186844A (ja) 2014-10-02
JP2014186844A5 JP2014186844A5 (ja) 2015-08-13
JP5991490B2 JP5991490B2 (ja) 2016-09-14

Family

ID=51568468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013060351A Active JP5991490B2 (ja) 2013-03-22 2013-03-22 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (4) US9231036B2 (ja)
JP (1) JP5991490B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017103227A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2018106698A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド タッチスクリーン一体型表示装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103151369B (zh) * 2013-02-06 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其制作方法
CN104752476B (zh) * 2013-12-31 2018-05-22 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
KR102205401B1 (ko) * 2014-01-14 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
DE102014100770A1 (de) * 2014-01-23 2015-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements
JP6220300B2 (ja) * 2014-03-20 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置
US10719585B2 (en) * 2014-07-08 2020-07-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Composite document access
JP6487173B2 (ja) * 2014-10-08 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR20160071581A (ko) 2014-12-11 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2016190648A1 (en) 2015-05-27 2016-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
KR102429283B1 (ko) * 2015-05-27 2022-08-05 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
JP2017003849A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10196919B2 (en) 2015-06-29 2019-02-05 Rolls-Royce North American Technologies Inc. Turbine shroud segment with load distribution springs
US10094234B2 (en) 2015-06-29 2018-10-09 Rolls-Royce North America Technologies Inc. Turbine shroud segment with buffer air seal system
JP6685675B2 (ja) 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR20170040425A (ko) * 2015-10-02 2017-04-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102508727B1 (ko) * 2015-11-19 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102416470B1 (ko) * 2015-12-21 2022-07-04 엘지디스플레이 주식회사 광효율 향상을 위한 표시패널, 표시장치 및 표시패널을 제조하는 방법
US10020351B2 (en) * 2016-06-24 2018-07-10 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescence display device
KR20180068552A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
CN107634012B (zh) * 2017-09-13 2021-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种封装基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN107706218A (zh) * 2017-09-25 2018-02-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机电致发光显示装置
CN107681063A (zh) * 2017-10-11 2018-02-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN109671738B (zh) * 2017-10-13 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制作方法和显示装置
CN108022961A (zh) * 2017-11-09 2018-05-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN109638177B (zh) * 2019-01-18 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板
CN110112194A (zh) * 2019-04-30 2019-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法
KR20220096188A (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2005268062A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007265756A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Seiko Epson Corp 発光装置、その製造方法および電子機器
WO2013062059A1 (ja) * 2011-10-26 2013-05-02 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0895219B1 (en) * 1997-02-17 2010-06-16 Seiko Epson Corporation Display device
US6277679B1 (en) * 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6608449B2 (en) 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP4713010B2 (ja) 2000-05-08 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6630785B1 (en) * 2000-05-30 2003-10-07 Ritdisplay Corporation Surface treatment process for fabricating a panel of an organic light emitting device
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4216008B2 (ja) * 2002-06-27 2009-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
JP2006278241A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル及びその製造方法
JP2007287354A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2009128671A (ja) 2007-11-26 2009-06-11 Canon Inc 有機ｅｌ表示素子及び有機ｅｌ表示素子の製造方法
TWI406031B (zh) * 2008-07-08 2013-08-21 Casio Computer Co Ltd 顯示裝置
US7999454B2 (en) * 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
JP2012042490A (ja) * 2008-12-16 2012-03-01 Sharp Corp 液晶表示用パネル及び液晶表示装置
KR101795691B1 (ko) * 2010-11-11 2017-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR101845332B1 (ko) * 2011-06-13 2018-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130060131A (ko) * 2011-11-29 2013-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9153628B2 (en) * 2012-02-08 2015-10-06 Joled Inc. Display panel having an inter-layer insulation layer with planar and protruding regions
JP6302186B2 (ja) * 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2014024815A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 シャープ株式会社 光拡散タッチパネルおよびその製造方法、表示装置
KR101927334B1 (ko) * 2012-09-10 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
JP6077279B2 (ja) * 2012-11-20 2017-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102022394B1 (ko) * 2013-02-12 2019-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI538191B (zh) * 2013-03-04 2016-06-11 群創光電股份有限公司 彩色有機發光二極體顯示裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP2005268062A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007265756A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Seiko Epson Corp 発光装置、その製造方法および電子機器
WO2013062059A1 (ja) * 2011-10-26 2013-05-02 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017103227A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2018106698A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド タッチスクリーン一体型表示装置
US10310650B2 (en) 2016-12-26 2019-06-04 Lg Display Co., Ltd. Display device with integrated touch screen
US10409411B2 (en) 2016-12-26 2019-09-10 Lg Display Co., Ltd. Display device with integrated touch screen

Also Published As

Publication number Publication date
US9231036B2 (en) 2016-01-05
US10236336B2 (en) 2019-03-19
JP5991490B2 (ja) 2016-09-14
US20150325629A1 (en) 2015-11-12
US20140284572A1 (en) 2014-09-25
US20160276420A1 (en) 2016-09-22
US20170236893A1 (en) 2017-08-17
US9397148B2 (en) 2016-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5991490B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20180342563A1 (en) Oled display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display apparatus
US11164918B2 (en) Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof
US8890151B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
CN108110037B (zh) 柔性显示屏
JP2008135325A (ja) 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
KR20150005264A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2018146903A1 (ja) タッチセンサ内蔵表示装置
JP6199056B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN110071154B (zh) 彩膜基板、显示面板和显示装置
TWI470849B (zh) 發光元件
CN103839965A (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
JP2015103427A (ja) 表示装置の製造方法
JP2014192149A (ja) Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
JP6223070B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2018205587A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109166902A (zh) 有机发光显示器
KR20120136697A (ko) 뉴턴 링 현상을 줄이기 위한 유기 발광표시소자
KR20160047052A (ko) 대면적 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치
KR20160069289A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이를 제조하기 위한 박막 증착용 마스크
JP2015069806A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US20220173348A1 (en) Display device
KR20140109153A (ko) 유기전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5058690B2 (ja) 有機発光装置
KR20150107646A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160627

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160726

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160802

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5991490

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250