JP2014185054A - セラミックス結晶粒子、セラミックス焼結体およびそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、主として立方晶AlCrNを含む最外層と、主として六方晶AlNを含むコアとを有するセラミックス結晶粒子である。
【選択図】図1
Description
周期律表の第4A族元素、第5A族元素および第6A族元素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移金属元素と、炭素、窒素および酸素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素とからなる少なくとも1種の結合材化合物、
前記結合材化合物の固溶体、
鉄、コバルト、ニッケル、チタンおよびアルミニウムよりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、ならびに、
前記金属間の化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましい。
六方晶AlN粉末を撹拌しながら、コアとなる該六方晶AlN粉末を構成する各粒子の表面に、主として立方晶AlCrNを含む最外層を気相合成する工程を含み、
前記気相合成において、AlおよびAlNよりなる群から選ばれる少なくとも1種と、Cr、Cr2NおよびCrNよりなる群から選ばれる少なくとも1種とを混合してなるターゲットを用いる、製造方法にも関する。
Al粉末およびAlN粉末よりなる群から選ばれる少なくとも1種と、Cr粉末、Cr2N粉末およびCrN粉末よりなる群から選ばれる少なくとも1種とを混合して第1混合粉末を得る工程と、
前記第1混合粉末を加熱加圧処理する工程とを含む、製造方法にも関する。
前記加熱加圧処理は、10kPa以上12MPa以下の圧力下および600℃以上3500℃以下の温度で実施されることが好ましい。
前記セラミックス結晶粒子と前記結合材とを混合して第2混合粉末を得る工程と、
前記第2混合粉末を加熱加圧処理する工程とを含む、製造方法にも関する。
前記加熱加圧処理は、10kPa以上15GPa以下の圧力および800℃以上1900℃以下の温度で実施されることが好ましい。
本発明のセラミックス結晶粒子は、主として立方晶AlCrNを含む最外層と、主として六方晶AlNを含むコアとを有することを特徴とする。
[第1の実施形態]
第1の実施形態のセラミックス結晶粒子の製造方法は、上記のセラミックス結晶粒子を製造するための方法であって、
六方晶AlN粉末を撹拌しながら、該六方晶AlN粉末を構成する各粒子の表面に、主として立方晶AlCrNを含む最外層を気相合成する工程を含み、
前記気相合成において、AlおよびAlNよりなる群から選ばれる少なくとも1種と、Cr、Cr2NおよびCrNよりなる群から選ばれる少なくとも1種とを混合してなるターゲットを用いることを特徴とする。以下、詳細について説明する。
第2の実施形態のセラミックス結晶粒子の製造方法は、上記のセラミックス結晶粒子を製造するための方法である点で、第1の実施形態と同様であるが、
Al粉末およびAlN粉末よりなる群から選ばれる少なくとも1種と、Cr粉末、Cr2N粉末およびCrN粉末よりなる群から選ばれる少なくとも1種とを混合して第1混合粉末を得る工程(以下、「第1工程」ともいう)と、第1混合粉末を加熱加圧処理する工程(以下、「第2工程」ともいう)とを含む点で、第1の実施形態とは異なる。
まず、Al粉末、Cr粉末、AlN(六方晶AlN)粉末、Cr2N(六方晶Cr2N)粉末およびCrN粉末を混合して第1混合粉末を得る。
次に、上記第1混合粉末を、所定圧力および所定温度で加熱加圧処理する。
本発明のセラミックス焼結体は、上記セラミックス結晶粒子を用いて製造され、好ましくは、上記セラミックス結晶粒子と結合材とを用いて製造される。
本発明の一実施の形態において、セラミックス焼結体の製造方法は、
セラミックス結晶粒子と結合材とを混合して第2混合粉末を得る工程(以下、「第3工程」ともいう)と、
第2混合粉末を加熱加圧処理する工程(以下、「第4工程」ともいう)とを含む。以下、本発明のセラミックス焼結体の製造方法の一例について説明する。
本工程では、セラミックス結晶粒子と結合材とを混合して第2混合粉末を得る。結合材としては、上述のセラミックス焼結体に含まれているものと同様のものを使用することができる。
次に、上記第2混合粉末を10kPa以上15GPa以下の圧力および800℃以上1900℃以下の温度で加熱加圧処理して、焼結体を得る。第4工程は、非酸化雰囲気中で実施されることが好ましく、特に真空中、または窒素雰囲気下で実施されることが好ましい。焼結方法としては、特に限定されないが、放電プラズマ焼結(SPS)、ホットプレス、超高圧プレスなどを用いることができる。
(セラミックス結晶粒子の作製)
本実施例では、粒径0.5μmの六方晶AlN粉末を用意し、アークイオンプレーティングにより、この六方晶AlN粉末の表面に、立方晶AlCrNを主成分とするコーティング膜(最外層)を形成した。
得られたセラミックス結晶粒子について、TEMを用いた電子線回折法で分析すると、セラミックス結晶粒子の中心部に六方晶AlNが存在し、外周部に立方晶AlCrNが存在することが分かった。結果を表1〜3の「セラミックス結晶粒子のX線回折強度比(%)」欄に示す。なお、実施例1−5では、遷移金属元素の窒化物(TiN)に対応するX線回折線のピークが同定された。
次に、セラミックス結晶粒子と結合材の粉末とをボールミルで混合して混合粉末を得た。各実施例で用いた結合材の種類および混合粉末中の結合材の量(vol%)を表1〜3の「結合材」の欄に示す。該混合粉末を乾燥させた後、タンタル製のカプセルに充填し、プレス機を用いて、圧力5000MPa、温度1300℃の焼結条件で、加熱加圧処理し、焼結体を作製した。
得られた結晶体中の立方晶AlCrNを、TEM−EDXを用いて、AlxCr1−xNy(0<x<1、0.7≦y≦1)で表わされる場合の各元素の価数を測定した。結果を表1〜3の「立方晶AlCrNの価数」欄に示す。また、透過電子線回折により、焼結体中のセラミックス結晶粒子が、六方晶AlNの外周に立方晶AlCrNが存在するコアシェル構造となっていることを確認した。
得られた焼結体を、レーザにより切断して仕上げ加工し、先端ノーズR0.8mmの切削工具を作製した。
比較例として、超硬合金(組成:WC/Co=50体積%/50体積%、比較例1)またはアルミナセラミックス(組成:Al2O3/Y2O3=95体積%/5体積%、比較例2)を用いて上記実施例と同様の切削工具を作製した。
上記実施例1−1〜1−50および比較例1、2で得られた切削工具について、以下の切削条件で鋼(S45C)の切削試験を行い、1km切削後の各切削工具の逃げ面の摩耗量(μm)を測定した。
切込み量:0.2mm
送り量:0.1mm/rev
切削油:なし
測定の結果を表1〜3に示す。
市販の金属Al粉末(平均粒径1μm)、金属Cr粉末(平均粒径10μm)、六方晶AlN粉末(平均粒径1μm)、六方晶Cr2N粉末(平均粒径5μm)および遷移金属元素からなる粉末(平均粒径5μm)を表4〜7の「原料の組成(vol%)」欄に記載の割合となるように秤量した。これらをビーズミルで粉砕、混合処理して、均一に混合されたスラリーを作り、該スラリーを乾燥させることで混合粉末を準備した。
得られたセラミックス結晶粒子について、TEMを用いた電子線回折法で分析すると、セラミックス結晶粒子の中心部に六方晶AlNが存在し、外周部に立方晶AlCrNが存在することが分かった。さらに、実施例2−6〜2−10では、遷移金属元素の窒化物及び炭化物(TiN、TiC)に対応するX線回折線のピークが同定された。
次にセラミックス結晶粒子と結合材の粉末とをボールミルで混合して混合粉末を得た。各実施例で用いた結合材の種類および混合粉末中の結合材の量(vol%)を表4〜7の「結合材」の欄に示す。該混合粉末を乾燥させた後、タンタル製のカプセルに充填し、プレス機を用いて、表4〜7に示す「焼結条件」欄に記載の圧力および温度で処理して焼結体を作製した。
得られた結晶体中の立方晶AlCrNを、TEM−EDXを用いて、AlxCr1−xNy(0<x<1、0.7≦y≦1)で表わされる場合の各元素の価数を測定した。結果を表4〜7の「立方晶AlCrNの価数」欄に示す。また、透過電子線回折により、焼結体中のセラミックス結晶粒子が、六方晶AlNの外周に立方晶AlCrNが存在するコアシェル構造となっていることを確認した。
得られた焼結体を、レーザにより切断して仕上げ加工し、先端ノーズR0.8mmの切削工具を作製した。
得られた切削工具を用いて、以下の切削条件で鋼(S45C)の切削試験を行い、1km切削後の各切削工具の逃げ面の摩耗量(μm)を測定した。
切込み量:0.2mm
送り量:0.1mm/rev
切削油:なし
測定の結果を表4〜7に示す。
Claims (18)
- 主として立方晶AlCrNを含む最外層と、主として六方晶AlNを含むコアとを有するセラミックス結晶粒子。
- 前記最外層中に含まれるアルミニウムの量の原子分率が、前記最外層中に含まれるアルミニウムおよびクロムの総量に対して、0.35以上0.99以下である、請求項1に記載のセラミックス結晶粒子。
- 前記立方晶AlCrNが、一般式AlxCr1−xNy(0<x<1、0.7≦y≦1)で表わされる、請求項1または2に記載のセラミックス結晶粒子。
- 前記最外層は、さらに、周期律表の第4A族元素、第5A族元素および第6A族元素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移金属元素を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミックス結晶粒子。
- 前記最外層の総量に対する前記遷移金属元素の総量は、1at%以上30at%以下である、請求項4に記載のセラミックス結晶粒子。
- 前記最外層において、前記遷移金属元素は前記立方晶AlCrNに固溶して、一般式AlACrBMCNy(Mは遷移金属元素、A+B+C=1、0.7≦y≦1)で表わされる固溶体を形成している、請求項4または5に記載のセラミックス結晶粒子。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミックス結晶粒子を含むセラミックス焼結体。
- さらに結合材を含む、請求項7に記載のセラミックス焼結体。
- 前記結合材は、
周期律表の第4A族元素、第5A族元素、第6A族元素およびアルミニウムよりなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移金属元素と、炭素、窒素および酸素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素とからなる少なくとも1種の結合材化合物、
前記結合材化合物の固溶体、
鉄、コバルト、ニッケル、チタンおよびアルミニウムよりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、ならびに、
前記金属間の化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む、
請求項8に記載のセラミックス焼結体。 - 前記セラミックス焼結体中の前記結合材の配合率は、5体積%以上60体積%以下である、請求項8または9に記載のセラミックス焼結体。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミックス結晶粒子の製造方法であって、
六方晶AlN粉末を撹拌しながら、該六方晶AlN粉末を構成する各粒子の表面に、前記最外層を気相合成する工程を含み、
前記気相合成において、AlおよびAlNよりなる群から選ばれる少なくとも1種と、Cr、Cr2NおよびCrNよりなる群から選ばれる少なくとも1種とを混合してなるターゲットを用いる、製造方法。 - 前記気相合成は、アルゴンガスおよび窒素ガスの混合ガス雰囲気中で実施される、請求項11に記載の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミックス結晶粒子の製造方法であって、
Al粉末およびAlN粉末よりなる群から選ばれる少なくとも1種と、Cr粉末、Cr2N粉末およびCrN粉末よりなる群から選ばれる少なくとも1種とを混合して第1混合粉末を得る工程と、
前記第1混合粉末を加熱加圧処理する工程とを含む、製造方法。 - 前記加熱加圧処理は窒素雰囲気中で実施される、請求項13に記載の製造方法。
- 前記加熱加圧処理は、10kPa以上12MPa以下の圧力下および600℃以上3500℃以下の温度で実施される、請求項13または14に記載の製造方法。
- 請求項8〜10のいずれか1項に記載のセラミックス焼結体の製造方法であって、
前記セラミックス結晶粒子と前記結合材とを混合して第2混合粉末を得る工程と、
前記第2混合粉末を加熱加圧処理する工程とを含む、製造方法。 - 前記加熱加圧処理は非酸化雰囲気中で実施される、請求項16に記載の製造方法。
- 前記加熱加圧処理は、10kPa以上15GPa以下の圧力および800℃以上1900℃以下の温度で実施される、請求項16または17に記載の製造方法。
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