JP2014183170A - 積層セラミックコンデンサおよびその実装構造体 - Google Patents
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Abstract
【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ101は、内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体21と、前記2つの端面の各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、積層体21を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極25a,25bとを備え、内部電極22同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部を有し、前記切欠き部の少なくとも一部は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に位置する。
【選択図】図3
【解決手段】積層セラミックコンデンサ101は、内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体21と、前記2つの端面の各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、積層体21を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極25a,25bとを備え、内部電極22同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部を有し、前記切欠き部の少なくとも一部は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に位置する。
【選択図】図3
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその実装構造体に関するものである。
近年、電子機器の高性能化が急速に進み、これに対応して積層セラミックコンデンサの大容量化が進んでいる。大容量の積層セラミックコンデンサにおいては、誘電体を構成する材料として、チタン酸バリウムなどの高誘電率のセラミックスが使用されている。
これらの高誘電率のセラミックスは、圧電性および電歪性を有する。このため、高誘電率のセラミックスからなる誘電体を含む積層セラミックコンデンサは、電圧または電界が印加された際に機械的な歪みを生じる。
よって、これらの積層セラミックコンデンサに交流電圧、または交流成分が重畳された直流電圧が印加されると、機械的な歪みに起因する振動が発生する。積層セラミックコンデンサが回路基板に接続されている場合、この振動は、回路基板に伝播し、回路基板が振動することとなる。
こうして引き起こされる回路基板の周辺の空気の振動が、可聴周波数域である20Hz〜20kHzの範囲内であると、不快音として人の耳に聞こえる。この発音現象は「鳴き(acoustic noise)」と呼ばれている。
このような鳴きを防止、抑制するために従来いくつかの提案がなされている。鳴きを低減させるための技術の一例が特開2000−232030号公報(特許文献1)に記載されている。
特許文献1に記載された積層セラミックコンデンサの回路基板実装方法においては、回路基板の表裏両面のほぼ面対称な位置に互いに導通するコンデンサ実装用のランドを形成し、これらのランドの各々に積層セラミックコンデンサを配置して導電接続することとしている。この技術では、一方の積層セラミックコンデンサから回路基板に伝達した振動と他方の積層セラミックコンデンサから回路基板に伝達した振動とが打ち消し合い、鳴きの発生を抑制することが期待されている。
上記特許文献1に記載の発明によれば、実質的には、同等仕様の2つの積層セラミックコンデンサを回路基板の表裏両面に実装する必要があるので、回路基板の設計の自由度が失われるという問題があった。
そこで、本発明は、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる積層セラミックコンデンサおよびその実装構造体を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づく積層セラミックコンデンサは、内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体と、上記2つの端面の各々において上記端面の一部のみを覆うことによって、上記積層体を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極とを備え、上記内部電極同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部を有し、上記切欠き部の少なくとも一部は、上記外部電極によって挟まれた領域内に位置する。
本発明によれば、内部電極同士の重なり部分の切欠き部の少なくとも一部は、互いに対向する外部電極同士によって挟まれた領域内に位置するので、歪みが大きく発生する内部電極同士の重なり部分を、外部電極同士によって挟まれた領域内から減らすことができ、その結果、歪みが外部電極に伝わる度合いを低減することができる。したがって、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
(実施の形態1)
(構成)
図1〜図3を参照して、本発明に基づく実施の形態1における積層セラミックコンデンサについて説明する。積層セラミックコンデンサを基材1の上面に実装した様子を、図1に示す。図1におけるII−II線に関する矢視断面図を図2に示す。積層セラミックコンデンサは、直方体の積層体21の両端面に外部電極25a,25bを設けた構造となっている。外部電極25a,25bは各端面の全面を覆うのではなく、端面を上下方向に完全に横切る一直線上に設けられている。基材1の上面には2つのランド2が設けられており、外部電極の各々は、ランド2に載るように配置されている。図1ではハンダを図示省略しているが、実際には図2に示すようにランド2上にはハンダ3が付けられている。積層セラミックコンデンサ101を平面的に見て内部電極を透視したところを図3に示す。内部電極の重なり部分については、説明の便宜のために、重なる内部電極22を模式的にわずかにずらして表示している。
(構成)
図1〜図3を参照して、本発明に基づく実施の形態1における積層セラミックコンデンサについて説明する。積層セラミックコンデンサを基材1の上面に実装した様子を、図1に示す。図1におけるII−II線に関する矢視断面図を図2に示す。積層セラミックコンデンサは、直方体の積層体21の両端面に外部電極25a,25bを設けた構造となっている。外部電極25a,25bは各端面の全面を覆うのではなく、端面を上下方向に完全に横切る一直線上に設けられている。基材1の上面には2つのランド2が設けられており、外部電極の各々は、ランド2に載るように配置されている。図1ではハンダを図示省略しているが、実際には図2に示すようにランド2上にはハンダ3が付けられている。積層セラミックコンデンサ101を平面的に見て内部電極を透視したところを図3に示す。内部電極の重なり部分については、説明の便宜のために、重なる内部電極22を模式的にわずかにずらして表示している。
積層セラミックコンデンサ101は、図1および図2に示すように、内部電極22と誘電体層23とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面21a,21bを有する直方体状の積層体21と、2つの端面21a,21bの各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、積層体21を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極25a,25bとを備える。図3に示すように、内部電極22同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部31を有し、切欠き部31の少なくとも一部は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に位置する。
なお、「内部電極22同士の重なり部分」とは、外部電極25aに接続する内部電極22と、外部電極25bに接続する内部電極22とが重なり合っている部分を意味する。「内部電極同士の重なり部分」が「切欠き部」を有するといった場合、一方の端の外部電極に接続する内部電極と、他方の端の外部電極に接続する内部電極との両方とも同じように切欠きを有する構成は当然該当するが、これに限らない。たとえば、一方の端の外部電極に接続する内部電極と、他方の端の外部電極に接続する内部電極とのうちのいずれか一方のみが切欠きを有する構成であってもよい。なぜなら、一方の内部電極が切欠きとなっている部分は、たとえ他方の内部電極が存在していても、もはや「内部電極同士の重なり部分」とはいえないので、「内部電極同士の重なり部分」にとって切欠きに該当し、その結果、平面的に見たときには「内部電極同士の重なり部分」が「切欠き部」を有するといえるからである。
(作用・効果)
そもそも鳴きの原因となる歪みは、内部電極の重なり部分に存在する誘電体層において圧電効果によって生じるものであり、互いに対向する外部電極同士によって挟まれた領域内にそのような内部電極の重なり部分が多く存在すればするほど外部電極に歪みが多く伝わる。これに対して、本実施の形態では、内部電極22同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部31を有し、切欠き部31の少なくとも一部は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に位置するので、歪みが大きく発生する内部電極22同士の重なり部分を、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内から減らすことができている。したがって、歪みが外部電極25a,25bに伝わる度合いを低減することができ、その結果、回路基板に伝わる振動を積層セラミックコンデンサ単体で低減できるため、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
そもそも鳴きの原因となる歪みは、内部電極の重なり部分に存在する誘電体層において圧電効果によって生じるものであり、互いに対向する外部電極同士によって挟まれた領域内にそのような内部電極の重なり部分が多く存在すればするほど外部電極に歪みが多く伝わる。これに対して、本実施の形態では、内部電極22同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部31を有し、切欠き部31の少なくとも一部は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に位置するので、歪みが大きく発生する内部電極22同士の重なり部分を、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内から減らすことができている。したがって、歪みが外部電極25a,25bに伝わる度合いを低減することができ、その結果、回路基板に伝わる振動を積層セラミックコンデンサ単体で低減できるため、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
本実施の形態では、図3に示すように、外部電極25a,25bによって挟まれた領域からの内部電極22同士の重なりのずれ量Dは、外部電極25a,25bによって挟まれた領域の幅W以上であるが、図4に示す積層セラミックコンデンサ102のように、ずれ量Dが幅Wに比べて小さな構成であってもよい。外部電極に伝わる歪みの影響をなるべく小さくするためには、図3に示した程度にずれ量Dが大きい方が好ましいが、図4に示した程度の構成であっても、ある程度の効果を得ることはできる。
さらに、本実施の形態で図3または図4に示したように、平面的に見て、外部電極25a,25bによって挟まれた領域の外側に、内部電極22同士の重なり部分の少なくとも一部が存在することが好ましい。この構成を採用することにより、外部電極25a,25bによって挟まれた領域の内部で切欠き部を設けたことによって減った「内部電極22同士の重なり部分」の面積を、他の領域で代わりに確保することができる。
(積層セラミックコンデンサの実装構造体)
次に、本発明に基づく実施の形態1における積層セラミックコンデンサの実装構造体について説明する。ここでいう「積層セラミックコンデンサの実装構造体」とは、積層セラミックコンデンサを何らかの基材に実装したものである。
次に、本発明に基づく実施の形態1における積層セラミックコンデンサの実装構造体について説明する。ここでいう「積層セラミックコンデンサの実装構造体」とは、積層セラミックコンデンサを何らかの基材に実装したものである。
図1および図2に示したように、本実施の形態における積層セラミックコンデンサの実装構造体201は、基材1と、基材1に配置されたランド2と、積層セラミックコンデンサ101とを備える。積層セラミックコンデンサ101は、ランド2と外部電極25a,25bとを電気的に接続するようにして基材1に実装されている。
本実施の形態における積層セラミックコンデンサの実装構造体では、積層セラミックコンデンサの内部で、歪みが大きく発生する内部電極同士の重なり部分を、外部電極によって挟まれた領域内から減らすことができているので、歪みが外部電極に伝わる度合いを低減することができている。ここで示す積層セラミックコンデンサの実装構造体は、このような積層セラミックコンデンサを基材に対して実装したものであるので、全体としては、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
ここでは、実装構造体に含まれる積層セラミックコンデンサとして積層セラミックコンデンサ101を例にとって説明したが、積層セラミックコンデンサ101に代えて、積層セラミックコンデンサ102であってもよく、あるいは、以下の実施の形態で説明するいずれかの積層セラミックコンデンサを用いてもよい。
(実施の形態2)
(構成)
図5を参照して、本発明に基づく実施の形態2における積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施の形態における積層セラミックコンデンサ103は、基本的な構成については実施の形態1で説明したものと共通する。この積層セラミックコンデンサを平面的に見て内部電極を透視したところを図5に示す。
(構成)
図5を参照して、本発明に基づく実施の形態2における積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施の形態における積層セラミックコンデンサ103は、基本的な構成については実施の形態1で説明したものと共通する。この積層セラミックコンデンサを平面的に見て内部電極を透視したところを図5に示す。
本実施の形態では、内部電極22同士の重なり部分は、平面的に見て環状部32を含み、前記切欠き部は、環状部32の内側の開口部としての切欠き部31iである。
(作用・効果)
本実施の形態では、内部電極22の重なり部分は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に環状部32の内側の開口部という形の切欠き部31iを有するので、歪みが大きく発生する内部電極22同士の重なり部分を、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内から減らすことができている。したがって、歪みが外部電極25a,25bに伝わる度合いを低減することができ、その結果、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
本実施の形態では、内部電極22の重なり部分は、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内に環状部32の内側の開口部という形の切欠き部31iを有するので、歪みが大きく発生する内部電極22同士の重なり部分を、外部電極25a,25bによって挟まれた領域内から減らすことができている。したがって、歪みが外部電極25a,25bに伝わる度合いを低減することができ、その結果、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
図5では、開口部としての切欠き部31iの幅Eは、外部電極25a,25bによって挟まれた領域の幅Wより小さくなっているが、幅Eが幅Wより大きくなっていれば、歪みが外部電極に伝わる度合いをさらに減らすことができるのでより好ましい。
(実施の形態3)
(構成)
図6〜図7を参照して、本発明に基づく実施の形態3における積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施の形態における積層セラミックコンデンサ104は、基本的な構成については実施の形態1で説明したものと共通する。積層セラミックコンデンサ104を平面的に見て内部電極を透視したところを図7に示す。
(構成)
図6〜図7を参照して、本発明に基づく実施の形態3における積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施の形態における積層セラミックコンデンサ104は、基本的な構成については実施の形態1で説明したものと共通する。積層セラミックコンデンサ104を平面的に見て内部電極を透視したところを図7に示す。
本実施の形態では、外部電極25a,25bは、平面的に見て前記端面の中央部を避けて積層体21の角部の近傍に配置されている。外部電極25aは、外部電極25a1,25a2を含み、外部電極25bは、外部電極25b1,25b2を含む。外部電極25a1と外部電極25b1とが互いに対向している。外部電極25a2と外部電極25b2とが互いに対向している。
(作用・効果)
内部電極の重なり部分に存在する誘電体層において圧電効果による変形があったときには、平面的に見て、積層体の各辺がたわむように変形するので、各辺の中央部は大きく変位するのに対して、積層体の角部は変位量が小さい傾向がある。本実施の形態では、実施の形態1または2で述べたような効果を奏し、なおかつ、外部電極が積層体21の端面の中央部を避けて角部に配置されているので、外部電極に対して歪みが伝わる度合いを低減することができ、その結果、回路基板に伝わる振動を積層セラミックコンデンサ単体で低減できるため、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
内部電極の重なり部分に存在する誘電体層において圧電効果による変形があったときには、平面的に見て、積層体の各辺がたわむように変形するので、各辺の中央部は大きく変位するのに対して、積層体の角部は変位量が小さい傾向がある。本実施の形態では、実施の形態1または2で述べたような効果を奏し、なおかつ、外部電極が積層体21の端面の中央部を避けて角部に配置されているので、外部電極に対して歪みが伝わる度合いを低減することができ、その結果、回路基板に伝わる振動を積層セラミックコンデンサ単体で低減できるため、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
(実施の形態4)
(構成)
図8を参照して、本発明に基づく実施の形態4における積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施の形態における積層セラミックコンデンサ151は、内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体21と、前記2つの端面の各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、積層体21を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極25a1,25b1,25a2,25b2とを備える。外部電極25a1,25b1,25a2,25b2は、平面的に見て前記端面の中央部を避けて前記積層体の角部の近傍に配置されている。
(構成)
図8を参照して、本発明に基づく実施の形態4における積層セラミックコンデンサについて説明する。本実施の形態における積層セラミックコンデンサ151は、内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体21と、前記2つの端面の各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、積層体21を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極25a1,25b1,25a2,25b2とを備える。外部電極25a1,25b1,25a2,25b2は、平面的に見て前記端面の中央部を避けて前記積層体の角部の近傍に配置されている。
(作用・効果)
本実施の形態では、外部電極が積層体21の端面の中央部を避けて角部に配置されているので、外部電極に対して歪みが伝わる度合いを低減することができる。したがって、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
本実施の形態では、外部電極が積層体21の端面の中央部を避けて角部に配置されているので、外部電極に対して歪みが伝わる度合いを低減することができる。したがって、回路基板の設計の自由度を保ちつつ、鳴きを低減することができる。
(鳴きの音圧レベルの測定方法)
鳴きの音圧レベルの測定方法について、図9を参照して説明する。たとえば積層セラミックコンデンサ101がもたらす音圧レベルを測定しようとする場合、音圧レベルは、以下のようにして測定することができる。
鳴きの音圧レベルの測定方法について、図9を参照して説明する。たとえば積層セラミックコンデンサ101がもたらす音圧レベルを測定しようとする場合、音圧レベルは、以下のようにして測定することができる。
積層セラミックコンデンサ101が実装された回路基板50を準備し、無響箱73内に設置する。この状態で、積層電子部品101に評価用の周波数および1Vppの電圧を有する交流電圧を印加する。集音マイク74を回路基板50に対向するように配置して集音し、集音計76およびFFTアナライザ78で集音された音圧レベルを測定した。
(比較実験)
まず、本発明を適用しない積層セラミックコンデンサのシミュレーション・モデルを比較例として用意した。比較例としての積層セラミックコンデンサを平面的に見て内部電極を透視したところを図10に示す。積層体21の内部では、単純な短冊状の内部電極22が同一直線上で長手方向に交互に位置をずらしながら積層されて配置されている。積層体21の両端には外部電極26a,26bが設けられている。外部電極26a,26bは、これまで説明してきた外部電極25a,25bとは異なり、積層体21の端面において幅全体を覆うように形成されている。この比較例の構造を、以下「構造1」と呼ぶものとする。
まず、本発明を適用しない積層セラミックコンデンサのシミュレーション・モデルを比較例として用意した。比較例としての積層セラミックコンデンサを平面的に見て内部電極を透視したところを図10に示す。積層体21の内部では、単純な短冊状の内部電極22が同一直線上で長手方向に交互に位置をずらしながら積層されて配置されている。積層体21の両端には外部電極26a,26bが設けられている。外部電極26a,26bは、これまで説明してきた外部電極25a,25bとは異なり、積層体21の端面において幅全体を覆うように形成されている。この比較例の構造を、以下「構造1」と呼ぶものとする。
次に本発明を適用した積層セラミックコンデンサとして、図5を参照して実施の形態2で説明した積層セラミックコンデンサ103のシミュレーション・モデルを用意した。ただし、図5における幅EおよびWはいずれも0.4mmとした。この積層セラミックコンデンサ103の構造を、以下「構造3」と呼ぶものとする。
構造1と構造3とをそれぞれ回路基板50に実装したものとして、上述の測定方法によって測定される音圧レベルをシミュレーションによって求めた。
構造1および構造3における音圧レベルのシミュレーション結果をグラフにしたものを、図11に示す。なお、図11に表示されている「外部電極幅」は、図5における外部電極25a,25bの幅Wを意味し、「スリット幅」は、環状部32の内側の開口部としての切欠き部31iの幅Eを意味する。
図11に示すように、構造1に比べて構造3では音圧レベルが平均して7.2dB低下していた。これは鳴きが小さくなったことを意味する。このことから、積層セラミックコンデンサに本発明を適用することで、鳴きを低減できることが確認された。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
1 基材、2 ランド、3 ハンダ、21 積層体、21a,21b 端面、22 内部電極、23 誘電体層、25a,25a1,25a2,25b,25b1,25b2,26a,26b 外部電極、31,31i 切欠き部、32 環状部、50 回路基板、73 無響箱、74 集音マイク、76 集音計、78 FFTアナライザ、101,102,103,104,151 積層セラミックコンデンサ、201 積層セラミックコンデンサの実装構造体。
Claims (6)
- 内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体と、
前記2つの端面の各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、前記積層体を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極とを備え、
前記内部電極同士の重なり部分は、平面的に見て切欠き部を有し、前記切欠き部の少なくとも一部は、前記外部電極によって挟まれた領域内に位置する、積層セラミックコンデンサ。 - 平面的に見て、前記外部電極によって挟まれた領域の外側に、前記内部電極同士の重なり部分の少なくとも一部が存在する、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記内部電極同士の重なり部分は、平面的に見て環状部を含み、前記切欠き部は、前記環状部の内側の開口部である、請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記外部電極は、平面的に見て前記端面の中央部を避けて前記積層体の角部の近傍に配置されている、請求項1から3のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
- 内部電極と誘電体層とが交互に積層され、互いに対向する2つの端面を有する直方体状の積層体と、
前記2つの端面の各々において前記端面の一部のみを覆うことによって、前記積層体を挟んで互いに対向するように設けられた少なくとも1対の外部電極とを備え、
前記外部電極は、平面的に見て前記端面の中央部を避けて前記積層体の角部の近傍に配置されている、積層セラミックコンデンサ。 - 基材と、
前記基材に配置されたランドと、
請求項1から5のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサとを備え、
前記積層セラミックコンデンサは、前記ランドと前記外部電極とを電気的に接続するようにして前記基材に実装されている、積層セラミックコンデンサの実装構造体。
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