JP2014175899A - 圧電デバイス - Google Patents
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 146
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 123
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 123
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 72
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 13
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- -1 etc.) Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02023—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of quartz
Landscapes
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
【課題】引出電極の腐食等を防ぐことにより、破損の防止や、動作信頼性を確保することが可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】振動部131を囲んだ枠部132を有し、振動部131に設けられた励振電極134a、134bと電気的に接続された引出電極135a、135bを枠部に備える圧電振動片130と、圧電振動片130の表面に接合材141を介して接合されるリッド部110と、圧電振動片130の裏面に接合材142を介して接合され、引出電極135a、135bと電気的に接続される接続電極123を備えるベース部120と、を備え、枠部132の表面132a及び裏面132bの少なくとも一方であって引出電極135a、135bに対応する外周縁部分137、138に、不動態を形成可能な金属層151、152が設けられる。
【選択図】図1
【解決手段】振動部131を囲んだ枠部132を有し、振動部131に設けられた励振電極134a、134bと電気的に接続された引出電極135a、135bを枠部に備える圧電振動片130と、圧電振動片130の表面に接合材141を介して接合されるリッド部110と、圧電振動片130の裏面に接合材142を介して接合され、引出電極135a、135bと電気的に接続される接続電極123を備えるベース部120と、を備え、枠部132の表面132a及び裏面132bの少なくとも一方であって引出電極135a、135bに対応する外周縁部分137、138に、不動態を形成可能な金属層151、152が設けられる。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電デバイスに関する。
圧電デバイスとしては、水晶振動片などの圧電振動片の表面(一方の主面)に接合材を介してリッド部が接合されるとともに、裏面(他方の主面)に同じく接合材を介してベース部が接合されたタイプが知られている。このタイプで用いられる圧電振動片は、所定の振動数で振動する振動部と、振動部を囲むように形成される枠部と、振動部及び枠部を連結する連結部と、を有している。また、圧電振動片の振動部の表面及び裏面にはそれぞれ励振電極が形成され、各励振電極から枠部までそれぞれ引出電極が形成されるとともに、この引出電極がベース部の外部電極に電気的に接続されている。
例えば、特許文献1には、励振電極から枠部に引き出された引出電極を備える圧電振動片をリッド部及びベース部で挟んだ圧電デバイスが開示されている。そして、この圧電振動片に備える引出電極は、枠部の最外周まで形成されており、圧電振動片にリッド部やベース部を接合した状態(すなわち圧電デバイスとして完成した状態)であっても引出電極の側面が外部に露出した状態となっている。
特許文献1に示される圧電デバイスは、引出電極の側面が外部に露出しているため、外気に晒された状態となっており、引出電極に用いた金属が大気中の水分によって腐食(溶解)する場合がある。この腐食に起因して、圧電振動片に対するリッド部やベース部の接合強度が低下し、リッド部やベース部が圧電振動片から剥離する等、圧電デバイスの破損を招くおそれがある。また、一般に圧電デバイスの内部空間(振動部を保持している空間)内は真空等の所定雰囲気で形成されているが、腐食した引出電極を介して外気が内部空間に入り込み、振動数の変動や励振電極の破損等を引き起こすといった、圧電デバイスの信頼性の低下に繋がるおそれがある。
以上のような事情に鑑み、本発明では、引出電極の腐食等を防ぐことにより、破損の防止や、動作信頼性を確保することが可能な圧電デバイスを提供することを目的とする。
本発明では、振動部を囲んだ枠部を有し、振動部に設けられた励振電極と電気的に接続された引出電極を枠部に備える圧電振動片と、圧電振動片の表面に接合されるリッド部と、圧電振動片の裏面に接合され、引出電極と電気的に接続される外部電極を備えるベース部と、を備え、枠部の表面及び裏面の少なくとも一方であって引出電極に対応する外周縁部分に、不動態を形成可能な金属層が設けられる。
また、金属層は、枠部と引出電極との間に積層状態で配置されてもよい。また、引出電極は、枠部の外周縁から離間して形成され、金属層は、引出電極の端部を覆った状態で形成されてもよい。また、引出電極は、枠部の外周縁から離間して形成され、金属層は、枠部の外周縁と、引出電極の端部との間に配置されてもよい。また、引出電極は、枠部の外周縁から離間して形成され、ベース部は、外部電極から引出電極に接続する接続配線を形成するための切り欠きが四隅に形成され、金属層は、切り欠きによって露出する引出電極に対応して形成されてもよい。また、金属層は、外周縁部分を含み、かつ励振電極を除いた引出電極に対応して形成されてもよい。
本発明によれば、引出電極の外周縁部分において金属層により不動態を形成するため、不動態の被膜によって大気中の水分から保護されることにより引出電極の腐食等が抑制される。これにより、リッド部等の接合不良といった圧電デバイスの破損を防止するとともに、接合部分のシールを維持するので内部空間の雰囲気が保持され、動作信頼性を確保することができる。
以下、実施形態に係る圧電デバイスについて図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではない。また、以下の実施形態では、図面においては実施形態を説明するため、一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。また、図1(a)、図3(a)、図4(a)、図5(a)、図6(a)、及び図7(a)などの断面図を除いた図面において、ハッチングした部分は導電性の膜を表している。
<第1実施形態>
図1(a)及び図2に示すように、圧電デバイス100は、リッド部110と、ベース部120と、圧電振動片130とを備えている。なお、図1(a)は、図2におけるA−A断面に沿った構成を示している。以下の説明では、圧電デバイス100の長辺方向をX軸方向とし、圧電デバイス100の高さ方向をY軸方向とし、X軸方向及びY軸方向に垂直な方向をZ軸方向として説明する。
図1(a)及び図2に示すように、圧電デバイス100は、リッド部110と、ベース部120と、圧電振動片130とを備えている。なお、図1(a)は、図2におけるA−A断面に沿った構成を示している。以下の説明では、圧電デバイス100の長辺方向をX軸方向とし、圧電デバイス100の高さ方向をY軸方向とし、X軸方向及びY軸方向に垂直な方向をZ軸方向として説明する。
圧電振動片130、リッド部110及びベース部120には、例えばATカットの水晶材が用いられている。ATカットは、広い温度範囲で安定した周波数特性が得られる等の利点があり、人工水晶の3つの結晶軸である電気軸、機械軸及び光学軸のうち、光学軸に対して結晶軸周りに35°15′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。
圧電振動片130は、所定の振動数で振動する振動部131と、振動部131を囲む枠部132と、振動部131と枠部132とを連結する連結部133と、を有している。振動部131の表面(+Y側の面)131a及び裏面(−Y側の面)131bには、それぞれ励振電極134a、134bが形成されている。励振電極134a、134bからは、連結部133の表面(+Y側の面)133a及び裏面(−Y側の面)133bを介して、枠部132の表面132a及び裏面132bに、それぞれ引出電極135a、135bが形成されている。振動部131と枠部132との間であって連結部133を除いた部分には、圧電振動片130をY軸方向に貫通する貫通穴136が形成されている。
ベース部120は、図1(a)及び図2に示すように、矩形の板状に形成されており、表面(+Y側の面)に形成された凹部121と、凹部121を囲む接合面122と、接合面122の4つの角部のうち対角となる2つの角部に設けられた接続電極123と、を有している。接合面122は、接合材142を介して、圧電振動片130の枠部132の裏面132bに接合されている。
ベース部120の裏面(−Y側の面)には、一対の実装端子としての外部電極124がそれぞれ設けられている。ベース部120の4つの角部の側面には、キャスタレーション(切り欠き部)126が形成されている。4つのキャスタレーション126のうち、接続電極123が設けられた2つには、それぞれキャスタレーション電極125が形成されている。キャスタレーション電極125は、接続電極123と外部電極124とを電気的に接続する。2つの接続電極123のうち一方は、圧電振動片130の引出電極135aに電気的に接続される。接続電極123のうち他方は、圧電振動片130の引出電極135bに電気的に接続される。
リッド部110は、図1(a)及び図2に示すように、矩形の板状に形成されており、裏面(−Y側の面)に形成された凹部111と、凹部111を囲む接合面112とを有している。接合面112は、接合材141を介して、圧電振動片130の枠部132の表面132aに接合されている。
このように、圧電デバイス100は、圧電振動片130の表面側にリッド部110が配置され、裏面側にベース部120が配置されている。圧電デバイス100の内部には、リッド部110の凹部111及びベース部120の凹部121により、キャビティ140が形成されている。キャビティ140には、圧電振動片130の振動部131が配置される。キャビティ140は、リッド部110の接合面112と枠部132の表面132aとの間に配置された接合材141と、ベース部120の接合面122と枠部132の裏面132bとの間に配置された接合材142とによってシールされており、例えば真空雰囲気や窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気などに設定されている。
また、ベース部120を圧電振動片130に接合した際、枠部132に形成される引出電極135a、135bがベース部120に形成された2つの接続電極123にそれぞれ電気的に接続される。従って、励振電極134a、134bのそれぞれは、接続電極123及びキャスタレーション電極125を介して外部電極124のそれぞれと電気的に接続されている。接続電極123及びキャスタレーション電極125は、励振電極134a、134bと外部電極124とを接続する接続配線である。
圧電振動片130に形成される各電極は、圧電振動片130を構成する水晶片の表面に形成される第1金属層と、この第1金属層の表面に形成される第2金属層と、を有する二層構造となっている。第1金属層は、圧電振動片130を構成する水晶片に対する各電極の密着性を向上させる役割を有するものであり、例えばニッケルタングステン(NiW)などを用いて形成されている。なお、第1金属層としては、ニッケルタングステン以外に、ニッケル(Ni)を含む他の合金(例えばニッケルとチタン(Ti)の合金や、ニッケルと銅(Cu)の合金など)の他に、ニッケル単体が用いられてもよい。また、このような第1金属層は、第1実施形態以外に、後述する他の第2実施形態〜第6実施形態においても適用可能である。第2金属層は、導電性を確保しつつ、電極を保護する役割を有するものであり、例えば金(Au)などを用いて形成されている。金(Au)は、化学的に安定であるため、各電極を腐食等から保護する。
また、引出電極135aは、図1(b)に示すように、励振電極134aと電気的に接続された状態で、圧電振動片130の表面において+Z側かつ−X側に寄った矩形の領域(図1(b)では左下の領域)に形成されている。この領域には、貫通穴136の一部も含んでいる。この引出電極135aは、励振電極134aから帯状に引き出され、振動部131の表面131aの一部、連結部133の表面133aの一部、枠部132の表面132aの一部にわたって形成されている。
さらに、引出電極135aは、振動部131のうち+Z側の端面131cの一部領域131d、振動部131のうち−X側の端面131e、連結部133のうち+Z側の端面133c、枠部132の内側の側面132cのうち一部領域131d及び端面131eに対向する対向領域132dにおいてもそれぞれ形成されている。また、引出電極135aは、枠部132の裏面132bの一部領域にも形成されている(図1(c)参照)。枠部132の表面132a及び裏面132bに設けられた引出電極135aは、一部領域131d等を介して電気的に接続されている。なお、引出電極135aは、枠部132の表面132a等に設けられた領域と、裏面132bに設けられた領域とが、励振電極134aから延びる帯状部分を除いて、Y方向から見たときにほぼ重なっている。また、この引出電極135aは、圧電振動片130の裏面に設けられる励振電極134b及び引出電極135bと電気的に接続されない。
一方、引出電極135bは、図1(c)に示すように、励振電極134bと電気的に接続された状態で、圧電振動片130の裏面において−Z側の領域(図1(c)では上側の領域)に形成されている。この引出電極135bは、振動部131の裏面131bの一部、連結部133の裏面133bの一部、枠部132の裏面132bの一部にわたってされている。
さらに、引出電極135bは、励振電極134bの−X側の辺から−X方向に向けて帯状に形成され、枠部132に沿って−Z方向から+X方向、続けて+Z方向に折り返されるように形成されている。引出電極135bは、圧電振動片130の裏面のみに形成されており、表面には形成されていない。なお、上述したように、この引出電極135bは、励振電極134a及び引出電極135aと電気的に接続されない。
また、図1(b)及び図1(c)に示すように、引出電極135a、135bは、それぞれ表面132a及び裏面132bにおいて枠部132の幅W1、W2、W3のほぼ全体にわたって形成されている。幅W1は、枠部132のうち−X側の部分においてX方向の長さで表しており、幅W2は、枠部132のうち+Z側の部分においてZ方向の長さで表しており、幅W3は、−Z側の部分においてZ方向の長さで表している。このように広い領域を用いることから、引出電極135a、135bに起因する電気抵抗の上昇が抑えられており、圧電振動片130のクリスタルインピーダンス値の上昇が抑えられている。
圧電振動片130の外周縁には、図1(a)に示すように、枠部132の表面132a及び裏面132bと引出電極135a、135bとの間に、例えばクロム(Cr)など不動態を形成可能な金属材料によって金属層151、152がそれぞれ形成されている。金属層151、152を構成する金属材料としては、クロム(Cr)の他に、例えばアルミニウム(Al)やチタン(Ti)、またはそれらの合金などを用いることができる。
金属層151は、枠部132の表面132a及び裏面132bのうち引出電極135aに対応する外周縁部分137に形成されている。金属層151が外周縁部分137に形成されるメリットは次のとおりである。金属層151に用いられるクロムは、金などと比べて抵抗値が大きく、さらにニッケルタングステンや金へ拡散する性質がある。このため、例えばクロムが励振電極134aや引出電極135a、135bの下面全体に形成されると、電極全体としての抵抗値が大きくなり、CI値の上昇を招いてしまう。一方、クロムが外周縁部分137のみに形成されることにより、クロムの使用量を減らすことができ、電極全体の抵抗値が大きくなることを回避し、CIの劣化が防止される。
外周縁部分137は、表側領域137aと裏側領域137bとを有している。表側領域137aには、図1(b)に示すように、表面132aのうち−X側の辺に沿って+Z方向に角部まで延びる帯状の領域と、この角部から+Z側の辺に沿って+X方向に途中まで延びる帯状の領域とが含まれる。また、裏側領域137bには、図1(c)に示すように、裏面132bのうち−X側の辺に沿って+Z方向に角部まで延びる帯状の領域と、この角部から+Z側の辺に沿って+X方向に延びる帯状の領域とが含まれる。なお、表側領域137aと裏側領域137bとは、Y方向から見たときに重なるように配置されている。
金属層152は、枠部132の裏面132bのうち引出電極135bに対応する外周縁部分138に形成されている。この外周縁部分138は、裏面132bのうち−X側の辺に沿って−Z方向に角部まで延びる帯状の領域と、この角部から−Z側の辺に沿って+X方向に角部まで延びる帯状の領域と、当該角部から+X側端辺に沿って+Z方向に途中まで延びる帯状の領域とが含まれる。このように、金属層151、152は、枠部132の外周縁部分137、138に配置されているため、例えば図1(a)に示すように、引出電極135a、135bとともに端面が圧電デバイス100の外側面100aに露出している。
金属層151、152と引出電極135a、135bとは、外周縁部分137、138において積層されていることから、金属層151、152を構成する金属原子(例、クロム原子)の一部は、時間の経過と共に引出電極135a、135bの内部に拡散する(特に第1金属層のNiW中に拡散する)。その後、引出電極135a、135bの内部に拡散した金属原子の一部は、圧電デバイス100の側面100aに達することにより外気に触れて酸化被膜を形成する。これにより、引出電極135a、135bの外側の端面には、腐食作用等に抵抗する酸化被膜が生じた状態すなわち不動態が形成された状態となり、引出電極135a、135bの端面(特にNiW等の第1金属層の端面)は不動態によって外気から被覆されることになる。
以上のように、第1実施形態によれば、引出電極135a、135bの外周縁部分137、138に形成された金属層151、152が、引出電極135a、135bの端面で不動態を形成するため、引出電極135a、135b(特にNiW等の第1金属層)の腐食等が抑制される。これにより、リッド部110やベース部120の接合不良といった圧電デバイス100の破損を防止するとともに、接合部分のシールを維持するのでキャビティ140内の雰囲気が保持され、圧電デバイス100の動作信頼性を確保することができる。
次に、上記のように構成された圧電デバイス100の製造方法を説明する。
圧電振動片130を製造する場合、例えば人工水晶をATカットして作成されたウエハから個々の圧電振動片130を切り出す多面取りが行われる。このとき、圧電振動片130を構成する振動部131が所望の周波数特性を備えるように、ウエハの厚さが調整される。この厚さ調整は、例えば、ウエハのうち振動部131を含んだ領域をエッチングすること等により行うことができる。その後、フォトリソグラフィ法及びエッチングによって、振動部131、枠部132及び連結部133をウエハに形成する。
圧電振動片130を製造する場合、例えば人工水晶をATカットして作成されたウエハから個々の圧電振動片130を切り出す多面取りが行われる。このとき、圧電振動片130を構成する振動部131が所望の周波数特性を備えるように、ウエハの厚さが調整される。この厚さ調整は、例えば、ウエハのうち振動部131を含んだ領域をエッチングすること等により行うことができる。その後、フォトリソグラフィ法及びエッチングによって、振動部131、枠部132及び連結部133をウエハに形成する。
続いて、振動部131、枠部132及び連結部133に対して、励振電極134a、134b、引出電極135a、135b、金属層151、152が形成される。まず、枠部132の表面132a及び裏面132bにクロム(Cr)による層を形成し、フォトリソグラフィ法によって金属層151、152が形成されるようにパターニングする。その後、振動部131、枠部132及び連結部133に例えば導電性膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって表面側及び裏面側のそれぞれに導電性膜が形成されるようにパターニングする。この導電性膜として、下層側にニッケルタングステン(NiW)による第1金属層が配置され、上層側に金(Au)による第2金属層が配置された二層構造とする。この導電性膜は、例えばウエハの表面及び裏面側から蒸着あるいはスパッタリングにより形成する。なお、予めウエハに溝や切り込みなどが形成されているので、例えば連結部133の側面等にも導電性膜が形成される。
圧電振動片130の製造と並行して、リッド部110及びベース部120も製造される。これらリッド部110及びベース部120においても、圧電振動片130と同様にそれぞれのウエハから個々を切り出す多面取りが行われる。リッド部110では、ウエハの裏面に、フォトリソグラフィ法及びエッチングによって凹部111が形成される。ベース部120では、ウエハの表面に、フォトリソグラフィ法及びエッチングによって凹部121及びキャスタレーション(切り欠き部)126が形成されるとともに、所定箇所に接続電極123、外部電極124、キャスタレーション電極125がそれぞれ形成される。
続いて、真空雰囲気下において、圧電振動片130を形成したウエハの表面にリッド部110を形成したウエハを接合材141を介して接合させ、圧電振動片130を形成したウエハの裏面にベース部120を形成したウエハを接合材142を介して接合させる。その後、予め設定されたスクライブラインに沿って切断することにより、個々の圧電デバイス100が完成する。なお、圧電デバイス100の製造方法としては、以上の方法に限定されず、種々の手法が用いられる。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る圧電デバイス200について説明する。以下の説明において、第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
次に、第2実施形態に係る圧電デバイス200について説明する。以下の説明において、第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図3(a)〜(c)に示すように、圧電デバイス200は、圧電振動片230に形成される引出電極235a、235bが枠部132の外周縁まで形成されておらず、これら引出電極235a、235bの外周縁が、表面132a及び裏面132bにおいていずれも枠部132の外周縁から離間して形成されている。金属層251、252は、枠部132の表面132a及び裏面132bの外周縁部分237、238に形成されている。金属層251、252の外周縁は、枠部132の外周縁まで形成されるとともに、それぞれの内側部分253、254は、引出電極235a、235bの外周縁を覆って形成される。なお、引出電極235a、235bは、枠部132の外周縁付近の形状を除いて、第1実施形態に示す引出電極135a、135bと同様である。
なお、外周縁部分237は、第1実施形態と同様に、表側領域237aと裏側領域237bとを有しており、この表側領域237a及び裏側領域237bの双方に金属層251が形成されている。また、金属層251、252の内側部分253、254は、引出電極235a、235bと積層した状態となっている。なお、金属層251、252は、第1実施形態の金属層151、152と同様の金属材料が用いられる。また、金属層251、252は、圧電デバイス200の側面200aにおいて露出しており、大気中の水分によって露出表面が酸化し、不動態の被膜を形成する。
このように、第2実施形態によれば、引出電極235a、235bの外周縁が枠部132の外周縁から離間し、かつ金属層251、252によって覆われるため、引出電極235a、235bの腐食等が抑制される。また、金属層251、252の露出面には不動態の被膜が形成されるため、より一層外気による影響を低減でき、引出電極235a、235bの腐食等を抑制できる。これにより、第1実施形態と同様、リッド部110等の接合不良を防止するとともに、接合部分のシールを維持することができる。
この圧電デバイス200の製造方法は、引出電極235a、235b及び金属層251、252の形成を除いて、第1実施形態とほぼ同様である。圧電振動片230の作成に際して、先ず、振動部131、枠部132、連結部133を形成する点は第1実施形態と同様である。次に、引出電極235a、235bが、励振電極134a、134bとともにパターニングされ、次いで、金属層251、252が外周縁部分237、238に形成される。その後、圧電振動片230にリッド部110及びベース部120が接合材141、142を介して接合される点や、スクライブラインに沿って切断される点は第1実施形態と同様である。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態に係る圧電デバイス300について説明する。以下の説明において、第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
次に、第3実施形態に係る圧電デバイス300について説明する。以下の説明において、第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図4(a)〜(c)に示すように、圧電デバイス300は、圧電振動片330に形成される引出電極335a、335bの外周縁が、第2実施形態と同様に、枠部132の外周縁から離間して形成されている。金属層351、352は、枠部132の表面132a及び裏面132bの外周縁部分337、338に形成されている。金属層351、352の外周縁は、枠部132の外周縁まで形成されるとともに、金属層351、352の内側端面は、引出電極335a、335bの外側端面335c、335dと接した状態で形成されている。ただし、金属層351、352の内側端面と、引出電極335a、335bの外側端面335c、335dとが接することに限定されず、両者が離れていてもよい。なお、引出電極335a、335bは、枠部132の外周縁付近の形状を除いて、第1実施形態に示す引出電極135a、135bと同様である。
なお、外周縁部分337は、第1実施形態と同様に、表側領域337aと裏側領域337bとを有しており、この表側領域337a及び裏側領域337bの双方に金属層351が形成されている。また、金属層351、352は、第1実施形態の金属層151、152と同様の金属材料が用いられる。また、引出電極335a、335bの膜厚と金属層351、352の膜厚とは同一に形成されているが、互いに異なってもよい。金属層351、352は、圧電デバイス300の側面300aにおいて露出しており、大気中の水分によって露出表面が酸化し、不動態の被膜を形成する。
このように、第3実施形態によれば、引出電極335a、335bの外周縁が枠部132の外周縁から離間し、かつこの離間した部分に金属層351、352が形成されるため、引出電極335a、335bの腐食等が抑制される。また、金属層351、352の露出面には不動態の被膜が形成されるため、より一層外気による影響を低減でき、引出電極335a、335bの腐食等を抑制できる。これにより、第1実施形態と同様、リッド部110等の接合不良を防止するとともに、接合部分のシールを維持することができる。
この圧電デバイス300の製造方法は、引出電極335a、335b及び金属層351、352の形成を除いて、第1実施形態とほぼ同様である。圧電振動片330の作成に際して、先ず、振動部131、枠部132、連結部133を形成する点は第1実施形態と同様である。次に、引出電極335a、335b(励振電極134a、134bを含む)、金属層351、352のうち、いずれか一方が形成された後に他方が形成される。その形成順序は特に限定されない。その後、圧電振動片330にリッド部110及びベース部120が接合材141、142を介して接合される点や、スクライブラインに沿って切断される点は第1実施形態と同様である。
<第4実施形態>
次に、第4実施形態に係る圧電デバイス400について説明する。以下の説明において、上記実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
次に、第4実施形態に係る圧電デバイス400について説明する。以下の説明において、上記実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図5(a)〜(c)に示すように、圧電デバイス400は、圧電振動片430に形成される引出電極435a、435bの外周縁が、第2実施形態と同様に、枠部132の外周縁から離間して形成されている。金属層451、452は、枠部132の表面132a及び裏面132bにおいて、枠部132の外周縁から離間しかつ枠部132の外周縁と並行する外周縁部分437、438に形成されている。金属層451、452は、枠部132の外周縁まで形成されておらず、枠部132と引出電極435a、435bとの間に挟まれている。すなわち、外周縁部分437、438において、引出電極435a、435bと金属層451、452とは積層した状態となっている。なお、金属層451と金属層452とは、Y方向から見たときに重なった状態となっている。また、引出電極435a、435bは、枠部132の外周縁付近の形状を除いて、第1実施形態に示す引出電極135a、135bと同様である。
なお、外周縁部分437は、第1実施形態と同様に、表側領域437aと裏側領域437bとを有しており、この表側領域437a及び裏側領域437bの双方に金属層451が形成されている。また、金属層451、452は、第1実施形態の金属層151、152と同様の金属材料が用いられる。金属層451、452の外周縁は、接合材141、142によって覆われており、圧電デバイス400の側面400aにおいて露出していない。なお、キャスタレーション126の部分では引出電極435a、435bが露出しているが(図5(a)参照)、第1実施形態で説明したように、金属層451、452を構成する金属原子が引出電極435a、435bの内部に拡散して、引出電極435a、435bの露出面に不動態を形成している。
このように、第4実施形態によれば、引出電極435a、435bの外周縁が枠部132の外周縁から離間し、かつ接合材141,142によって被覆されるため、引出電極435a、435bの腐食等が抑制される。また、接合材141,142によるシールが損なわれた場合でも、金属層451、452(もしくは引出電極435a、435bの表面まで拡散している金属層451、452を構成する金属原子)が外気と接触することにより酸化して不動態の被膜を形成するため、引出電極435a、435bの腐食等を抑制できる。これにより、第1実施形態と同様、リッド部110等の接合不良を防止するとともに、接合部分のシールを維持することができる。
この圧電デバイス400の製造方法は、引出電極435a、435b及び金属層451、452の形成を除いて、第1実施形態とほぼ同様である。また、圧電振動片430にリッド部110及びベース部120が接合材141、142を介して接合される点や、スクライブラインに沿って切断される点は第1実施形態と同様である。なお、第4実施形態では、枠部132の外周縁から離間した位置に、引出電極435a、435bと金属層451、452とを積層しているが、これに代えて、同様の位置に、第2実施形態のような引出電極の外周縁を金属層で覆うものや、第3実施形態のような引出電極の外側端面に金属層が接するものであってもよい。
<第5実施形態>
次に、第5実施形態に係る圧電デバイス500について説明する。以下の説明において、上記実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
次に、第5実施形態に係る圧電デバイス500について説明する。以下の説明において、上記実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図6(a)〜(c)に示すように、圧電デバイス500は、圧電振動片530に形成される引出電極535a、535bの外周縁が、第2実施形態と同様に、枠部132の外周縁から離間して形成されている。金属層551、552は、枠部132の裏面132bにおいて、枠部132の外周縁から離間し、かつキャスタレーション126に対応する矩形の領域(外周縁部分)537、538に形成されている。なお、金属層551、552は、枠部132の外周縁まで形成されておらず、枠部132と引出電極535a、535bとの間に挟まれている。すなわち、領域537、538において、引出電極535a、535bと金属層551、552とは積層した状態となっている。なお、金属層551は枠部132の表面132aには形成されていない。また、引出電極535a、535bは、枠部132の外周縁付近の形状を除いて、第1実施形態に示す引出電極135a、135bと同様である。
また、金属層551、552は、第1実施形態の金属層151、152と同様の金属材料が用いられる。引出電極535a、535b及び金属層551、552の外周縁は、キャスタレーション126の部分を除いて接合材141、142によって覆われており、圧電デバイス500の側面500aにおいて露出していない。キャスタレーション126の部分では引出電極535a、535bが露出しているが(図6(a)参照)、第1実施形態で説明したように、金属層551、552を構成する金属原子が引出電極535a、535bの内部に拡散して、引出電極535a、535bの露出面に不動態を形成している。
このように、第5実施形態によれば、引出電極535a、535bの外周縁が枠部132の外周縁から離間し、かつ接合材141,142によって被覆されるため、引出電極535a、535bの腐食等が抑制される。また、キャスタレーション126の部分では引出電極535a、535bの表面に不動態の被膜が生じているため、引出電極435a、435bの腐食等を抑制できる。これにより、第1実施形態と同様、リッド部110等の接合不良を防止するとともに、接合部分のシールを維持することができる。なお、金属層551、552を形成する領域537、538が他の実施形態と比較して小さいため、金属層551、552に用いる金属の量を減少できる。また、領域537、538は、矩形状といった簡単な形状であるためパターニングが容易であり、容易に製造することができる。
この圧電デバイス500の製造方法は、引出電極535a、535b及び金属層551、552の形成を除いて、第1実施形態とほぼ同様である。圧電振動片530の作成に際して、先ず、振動部131、枠部132、連結部133を形成する点は第1実施形態と同様である。次に、金属層551、552が領域537、538に形成される。次いで、引出電極535a、535bが、励振電極134a、134bとともに形成される。その後、圧電振動片530にリッド部110及びベース部120が接合材141、142を介して接合される点や、スクライブラインに沿って切断される点は第1実施形態と同様である。なお、第5実施形態では、枠部132の外周縁から離間した位置に、引出電極535a、535bと金属層551、552とを積層しているが、これに代えて、同様の位置に、第2実施形態のような引出電極の外周縁を金属層で覆うものであってもよい。
<第6実施形態>
次に、第6実施形態に係る圧電デバイス600について説明する。以下の説明において、第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
次に、第6実施形態に係る圧電デバイス600について説明する。以下の説明において、第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。
図7(a)〜(c)に示すように、圧電デバイス600は、圧電振動片630に形成される引出電極635a、635bが、第1実施形態の圧電振動片130と同様に、枠部132の表面132a及び裏面132bにおいて、いずれも外周縁まで形成されている。これら引出電極635a、635bの形状は、第1実施形態に示す引出電極135a、135bと同様である。
金属層651、652は、励振電極134a、134bを除いて、引出電極635a、635bと同一の領域に形成されている。ずなわち、金属層651、652は、図7(b)及び(c)に示すように、振動部131の表面131a及び裏面131bの一部、連結部133の表面133a及び裏面133b、並びに枠部132の表面132a及び裏面132bにおいて形成され、この金属層651、652と引出電極635a、635bのそれぞれとが積層した状態となっている。従って、金属層651、652は、引出電極635a、635bの下地膜となっている。なお、この金属層651、652は、枠部132の外周縁部分637、638を含んで形成されている。
また、引出電極635aは、第1実施形態と同様に、振動部131の端面131cの一部領域131d、及び端面131e、連結部133の端面133c、枠部132の内側の側面132cの対向領域132dにおいてもそれぞれ形成されている。これら一部領域131d、端面131e、端面133c、及び対向領域132dにおいても、金属層651が下地膜として形成されている。なお、金属層651、652は、第1実施形態の金属層151、152と同様の金属材料が用いられる。
金属層651、652と引出電極635a、635bとが積層されているので、金属層651、652を構成する金属原子が引出電極635a、635bの内部に拡散する。その後、引出電極635a、635bの内部に拡散した金属原子の一部は、圧電デバイス600の側面600aに達することにより外気に触れて大気中の水分により酸化被膜を形成する。これにより、引出電極635a、635bの外側の端面には、腐食作用等に抵抗する酸化被膜が生じた状態すなわち不動態が形成された状態となり、引出電極635a、635bは不動態の膜によって外気から被覆される。
このように、第6実施形態によれば、第1実施形態と同様に、引出電極635a、635bの外周縁が不動態の膜で被覆されるため、引出電極635a、635bの腐食等が抑制される。また、金属層651、652が引出電極635a、635bの下地膜として広く形成されているため、引出電極635a、635bに十分に拡散させることができ、不動態の膜を確実に形成させることができる。なお、金属層651、652は励振電極134a、134bには形成されていないので、振動部131の振動特性に与える影響を小さくできる。
この圧電デバイス600の製造方法は、引出電極635a、635b及び金属層651、652の形成を除いて、第1実施形態とほぼ同様である。圧電振動片630の作成に際して、先ず、振動部131、枠部132、連結部133を形成する点は第1実施形態と同様である。次に、引出電極635a、635bが形成される領域に金属層651、652が形成される。次に、励振電極134a、134b及び引出電極635a、635bが形成される。このとき、引出電極635a、635bは、金属層651、652に積層した状態で形成される。なお、先に金属層651、652が形成され、次いで、励振電極134a、134b及び引出電極635a、635bが形成されることに限定されず、例えば、先ず励振電極134a、134bが形成され、次いで金属層651、652が形成され、その後、この金属層651、652に積層させるように引出電極635a、635bが形成されてもよい。この場合、金属層651、652と引出電極635a、635bとは同一の領域に形成されるので、同一のメタルマスクを用いたスパッタリングや蒸着により形成される。その後、圧電振動片630にリッド部110及びベース部120が接合材141、142を介して接合される点や、スクライブラインに沿って切断される点は第1実施形態と同様である。
以上、第1〜第6実施形態について説明したが、本発明は、上述した説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、第1〜第6実施形態で説明した内容を適宜組み合わせることも可能である。例えば、圧電振動片の表面に第1実施形態を適用するとともに、裏面に第2実施形態を適用してもよい。また、第1〜第6実施形態では、圧電振動片130、230、330、430、530、630とリッド部110またはベース部120との接合に、接合材141、142が用いられているが、これに限定されない。例えば、圧電振動片130等とリッド部110との間や、圧電振動片130等とベース部120との間が、接合材141、142を用いることなく、ガラス接合等により直接接合されたものでもよい。
また、上記した実施形態では、圧電デバイスとして水晶振動子(圧電振動子)を示しているが、発振器であってもよい。発振器の場合は、ベース部120にIC等が搭載され、圧電振動片130の引出電極135a等、及びベース部120の外部電極124がそれぞれICに接続される。また、上記した実施形態は、圧電振動片130として水晶振動片を用いているが、これに代えて、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等から形成された圧電振動片を用いてもよい。また、リッド部110及びベース部120として水晶材を用いているが、これに代えて、ガラスやセラミックス等を用いてもよい。
100、200、300、400、500、600…圧電デバイス
110…リッド部
120…ベース部
123…接続電極(接続配線)
125…キャスタレーション電極(接続配線)
126…キャスタレーション(切り欠き部)
130、230、330、430、530、630…圧電振動片
131…振動部
132…枠部
132a…表面
132b…裏面
133…連結部
134a、134b…励振電極
135a、135b、235a、235b、335a、335b、435a、435b、535a、535b、635a、635b…引出電極
136…貫通穴
137、138、237、238、337、338、437、438、637、638…外周縁部分
537、538…領域(外周縁部分)
151、152、251、252、351、352、451、452、551、552、651、652…金属層
110…リッド部
120…ベース部
123…接続電極(接続配線)
125…キャスタレーション電極(接続配線)
126…キャスタレーション(切り欠き部)
130、230、330、430、530、630…圧電振動片
131…振動部
132…枠部
132a…表面
132b…裏面
133…連結部
134a、134b…励振電極
135a、135b、235a、235b、335a、335b、435a、435b、535a、535b、635a、635b…引出電極
136…貫通穴
137、138、237、238、337、338、437、438、637、638…外周縁部分
537、538…領域(外周縁部分)
151、152、251、252、351、352、451、452、551、552、651、652…金属層
Claims (6)
- 振動部を囲んだ枠部を有し、前記振動部に設けられた励振電極と電気的に接続された引出電極を前記枠部に備える圧電振動片と、
前記圧電振動片の表面に接合されるリッド部と、
前記圧電振動片の裏面に接合され、前記引出電極と電気的に接続される外部電極を備えるベース部と、を備える圧電デバイスにおいて、
前記枠部の表面及び裏面の少なくとも一方であって前記引出電極に対応する外周縁部分に、不動態を形成可能な金属層が設けられる圧電デバイス。 - 前記金属層は、前記枠部と前記引出電極との間に積層状態で配置される請求項1記載の圧電デバイス。
- 前記引出電極は、前記枠部の外周縁から離間して形成され、
前記金属層は、前記引出電極の端部を覆った状態で形成される請求項1記載の圧電デバイス。 - 前記引出電極は、前記枠部の外周縁から離間して形成され、
前記金属層は、前記枠部の外周縁と、前記引出電極の端部との間に配置される請求項1記載の圧電デバイス。 - 前記引出電極は、前記枠部の外周縁から離間して形成され、
前記ベース部は、前記外部電極から前記引出電極に接続する接続配線を形成するための切り欠き部が四隅に形成され、
前記金属層は、前記切り欠き部によって露出する前記引出電極に対応して形成される請求項1記載の圧電デバイス。 - 前記金属層は、前記外周縁部分を含み、かつ前記励振電極を除いた前記引出電極に対応して形成される請求項1記載の圧電デバイス。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013047714A JP2014175899A (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 圧電デバイス |
US14/188,694 US20140252919A1 (en) | 2013-03-11 | 2014-02-25 | Piezoelectric device |
CN201410074988.6A CN104051605A (zh) | 2013-03-11 | 2014-03-03 | 压电元件 |
TW103107560A TW201436310A (zh) | 2013-03-11 | 2014-03-06 | 壓電元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013047714A JP2014175899A (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 圧電デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014175899A true JP2014175899A (ja) | 2014-09-22 |
Family
ID=51486993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013047714A Pending JP2014175899A (ja) | 2013-03-11 | 2013-03-11 | 圧電デバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140252919A1 (ja) |
JP (1) | JP2014175899A (ja) |
CN (1) | CN104051605A (ja) |
TW (1) | TW201436310A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6110112B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2017-04-05 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
CN106233619B (zh) * | 2014-04-25 | 2019-04-09 | 株式会社村田制作所 | 水晶振动装置 |
WO2020137265A1 (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社村田製作所 | 振動構造体 |
JP7367311B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動デバイス、発振器、電子機器および移動体 |
TWI787772B (zh) * | 2021-03-30 | 2022-12-21 | 台灣晶技股份有限公司 | 吸震式晶體振子封裝結構 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007060484A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動子、発振器及び電子機器 |
JP2013046120A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装型圧電デバイス |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007023685A1 (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corporation | 圧電デバイス |
JP5657400B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2015-01-21 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
-
2013
- 2013-03-11 JP JP2013047714A patent/JP2014175899A/ja active Pending
-
2014
- 2014-02-25 US US14/188,694 patent/US20140252919A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-03 CN CN201410074988.6A patent/CN104051605A/zh active Pending
- 2014-03-06 TW TW103107560A patent/TW201436310A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007060484A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Instruments Inc | 水晶振動子、発振器及び電子機器 |
JP2013046120A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装型圧電デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201436310A (zh) | 2014-09-16 |
CN104051605A (zh) | 2014-09-17 |
US20140252919A1 (en) | 2014-09-11 |
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