JP2014175679A - 発振回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】発振周波数を可変とし、かつ、周波数可変幅を良好に保つ。
【解決手段】発振回路100は、水晶振動子1と、水晶振動子1の第1端子とグランドとの間に設けられ、制御電圧VCの制御により容量値が変化する可変容量素子2と、水晶振動子1の第2端子にベースが接続されたトランジスタ31と、トランジスタ31のエミッタとコレクタとの間に設けられたキャパシタ4と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】発振回路100は、水晶振動子1と、水晶振動子1の第1端子とグランドとの間に設けられ、制御電圧VCの制御により容量値が変化する可変容量素子2と、水晶振動子1の第2端子にベースが接続されたトランジスタ31と、トランジスタ31のエミッタとコレクタとの間に設けられたキャパシタ4と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、発振回路に関するものである。
従来、発振周波数を調整できる発振回路が知られている(例えば、特許文献1参照)。図6は、従来の発振回路500の構成例を示す。発振回路500は、振動子201と、可変容量素子202と、回路部203と、キャパシタ204と、キャパシタ206と、キャパシタ207と、抵抗208と、インダクタ209とを有する。
振動子201は、一端が、インダクタ209、キャパシタ206及びキャパシタ207を介して可変容量素子202に接続され、他端が発振段の回路部203に接続されている。可変容量素子202は、キャパシタ206及びキャパシタ207とグランドとの間に設けられている。回路部203は、振動子201と接続されることでコルピッツ型発振回路を構成する。
発振回路500の発振周波数は、可変容量素子202の容量値、キャパシタ206及びキャパシタ207の容量値、及びインダクタ209のインダクタンス値に基づいて定まる。制御電圧VCを変化させて可変容量素子202の容量値を変化させることにより、発振回路500の発振周波数を変化させることができる。
図7は、従来の発振回路600の構成例を示す。発振回路600は、発振回路500におけるキャパシタ235の代わりに、可変容量素子238が設けられている。発振回路600においては、可変容量素子238に印加する電圧に応じて、発振周波数を変化させることができる。
ところで、図6の発振回路500の回路全体の負荷容量CLは、以下の(1)式で表される。ここで、Dは可変容量素子202の容量、Ctはキャパシタ206の容量、Ctaはキャパシタ207の容量、C1はキャパシタ234の容量、C2はキャパシタ235の容量である。また、CLLは、インダクタ209のインダクタンス値をL1とした場合のインピーダンス、−(1/ω2L1)を表した値である。
CL=1/[1/D+(Ct+Cta)+1/C1+1/C2]+CLL・・・(1)
CL=1/[1/D+(Ct+Cta)+1/C1+1/C2]+CLL・・・(1)
発振回路500において、例えばキャパシタ206の容量を調整することによって発振周波数を変化させることができる。しかし、可変容量素子202の容量が比較的小さい場合には、この容量が発振回路500の回路全体の負荷容量CLに大きく影響するため、キャパシタ206の容量を調整したとしても発振回路500の発振周波数を十分に変化させることが困難である。
また、インダクタ209のインダクタンス値を大きくすることにより、発振回路500の発振周波数を低下させることができる。しかし、インダクタ209のインダクタンス値を大きくすると、大きな実装面積を要するとともに、周波数可変幅が変化するという問題がある。
図7の発振回路600においては、可変容量素子238に印加する電圧を変化させて可変容量素子238の容量を変化させると、回路部203の負性抵抗が小さくなり、発振マージンが小さくなるという問題が生じる。
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、発振周波数を変化させることが可能であり、かつ、周波数可変幅を良好に保つことができる発振回路を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様においては、振動子と、振動子の第1端子とグランドとの間に設けられた第1可変容量素子と、振動子の第2端子にベースが接続されたトランジスタと、トランジスタのエミッタとコレクタとの間に設けられた第1容量素子と、を備える発振回路を提供する。
上記の発振回路は、上記の第1容量素子として、トランジスタのエミッタとコレクタとの間に設けられた第2可変容量素子を備えてもよい。また、上記の発振回路は、第2可変容量素子と並列に設けられた第2容量素子をさらに備えてもよい。また、上記の発振回路は、第1可変容量素子に印加される電圧を分圧した分圧電圧を第2可変容量素子に印加する分圧部をさらに備えてもよい。
本発明に係る発振回路によれば、発振周波数を変化させることが可能であり、かつ、周波数可変幅を良好に保つことができるという効果を奏する。
<第1の実施形態>
[発振回路100の回路構成]
図1は、第1の実施形態に係る発振回路100の構成例を示す。
発振回路100は、水晶振動子1と、可変容量素子2と、回路部3と、キャパシタ4と、キャパシタ5と、互いに並列に接続されたキャパシタ6及びキャパシタ7と、抵抗8と、インダクタ9とを有する。
[発振回路100の回路構成]
図1は、第1の実施形態に係る発振回路100の構成例を示す。
発振回路100は、水晶振動子1と、可変容量素子2と、回路部3と、キャパシタ4と、キャパシタ5と、互いに並列に接続されたキャパシタ6及びキャパシタ7と、抵抗8と、インダクタ9とを有する。
水晶振動子1は、例えば、ATカット水晶片を用いた水晶振動子である。水晶振動子1の第1端子は、キャパシタ6、キャパシタ7及びインダクタ9を介して可変容量素子2に接続されている。水晶振動子1の第2端子は、回路部3に接続されている。
可変容量素子2は、例えば、バリキャップダイオードである。可変容量素子2は、水晶振動子1の第1端子とグランドとの間に設けられている。可変容量素子2は、入力端子T1に印加される制御電圧VC1に応じてインピーダンスが変化する。可変容量素子2のインピーダンスが変化することにより、発振回路100の発振周波数が変化する。具体的には、制御電圧VC1が大きくなると可変容量素子2の容量が小さくなるので、発振周波数が高くなる。制御電圧VC1が小さくなると可変容量素子2の容量が大きくなるので、発振周波数が低くなる。
回路部3は、水晶振動子1と接続することでコルピッツ発振回路を形成する発振段の回路である。回路部3は、トランジスタ31と、抵抗32と、抵抗33と、キャパシタ34と、キャパシタ35と、抵抗36と、抵抗37とを備える。
トランジスタ31は、例えばNPN型トランジスタである。トランジスタ31のベースは、水晶振動子1の第2端子に接続されている。また、トランジスタ31のベースは、抵抗32、抵抗33及びキャパシタ34に接続されている。
抵抗32及び抵抗33は、トランジスタ31のバイアス電圧を定めるための抵抗である。抵抗32は、トランジスタ31のベースと水晶振動子1との接続点と、電源Vccとの間に設けられている。抵抗33は、トランジスタ31のベースと水晶振動子1との接続点と、グランドとの間に設けられている。
トランジスタ31のエミッタとグランドとの間には、抵抗36が設けられている。また、トランジスタ31のエミッタは、キャパシタ34とキャパシタ35との接続点に接続されている。トランジスタ31のコレクタは、抵抗37を介して電源Vccに接続されている。トランジスタ31のコレクタは、キャパシタ5及び出力端子T2を介して、発振信号を外部に出力する。
トランジスタ31のエミッタとコレクタとの間には、第1容量素子としてのキャパシタ4が設けられている。トランジスタ31のエミッタとコレクタとの間にキャパシタ4が設けられていることにより、発振回路100は、キャパシタ4が設けられていない場合の発振周波数と異なる周波数で発振することができる。具体的には、発振回路100の発振周波数は、キャパシタ4が設けられることによって低下し、キャパシタ4の容量値に応じて発振周波数が定められる。
[シミュレーション結果]
図2は、発振回路100のキャパシタ4の容量値を変化させた場合の発振周波数の偏移量及び発振周波数の可変範囲のシミュレーション結果を示す。図2には、キャパシタ4を設けていない状態、キャパシタ4の容量値Cceを1pFとした場合、キャパシタ4の容量値Cceを2pFとした場合のそれぞれにおける、発振回路100の発振周波数の偏移量、発振周波数の下限値、発振周波数の上限値、及び発振周波数の可変範囲のシミュレーション結果が示されている。
図2は、発振回路100のキャパシタ4の容量値を変化させた場合の発振周波数の偏移量及び発振周波数の可変範囲のシミュレーション結果を示す。図2には、キャパシタ4を設けていない状態、キャパシタ4の容量値Cceを1pFとした場合、キャパシタ4の容量値Cceを2pFとした場合のそれぞれにおける、発振回路100の発振周波数の偏移量、発振周波数の下限値、発振周波数の上限値、及び発振周波数の可変範囲のシミュレーション結果が示されている。
ここで、発振周波数の偏移量は、制御電圧VC1を電源電圧Vccの半分の大きさとしたときの水晶振動子1の発振周波数fcに対する偏移量である。発振周波数の下限値は、制御電圧VC1を最も小さくした状態における発振周波数のfcに対する偏移量である。発振周波数の上限値は、制御電圧VC1を最も大きくした状態における発振周波数のfcに対する偏移量である。発振周波数の可変範囲の大きさは、発振周波数の上限値と発振周波数の下限値との周波数差に等しい。
図2に示される発振周波数の偏移量から、キャパシタ4の容量値を調整することで、発振周波数が変化していることが確認できる。発振回路100においては、キャパシタ4の容量値が1pF変化するだけで、発振周波数が15ppm〜20ppm程度変化するので、図6に示した従来の発振回路500に比べて広い範囲で発振周波数を変化させることができる。また、図2から、キャパシタ4の容量値を変化させても発振周波数の可変範囲の大きさがほとんど変化していないことも確認できる。
以上のとおり、第1の実施形態によれば、コルピッツ型発振回路を構成するトランジスタ31のエミッタとコレクタとの間にキャパシタ4が設けられていることにより、発振周波数の可変範囲の大きさを維持しつつ、効果的に発振周波数を変化させることができる。
<第2の実施形態>
図3は、第2の実施形態に係る発振回路200の構成例を示す。第2の実施形態に係る発振回路200は、トランジスタ31のコレクタとエミッタとの間に、キャパシタ41と、可変容量素子42と、キャパシタ43と、抵抗44と、抵抗45とを備える点で図3に示した発振回路100と異なり、他の点で同じである。
図3は、第2の実施形態に係る発振回路200の構成例を示す。第2の実施形態に係る発振回路200は、トランジスタ31のコレクタとエミッタとの間に、キャパシタ41と、可変容量素子42と、キャパシタ43と、抵抗44と、抵抗45とを備える点で図3に示した発振回路100と異なり、他の点で同じである。
第2の実施形態において、キャパシタ41は、一端がトランジスタ31のコレクタに接続され、他端が可変容量素子42に接続されている。可変容量素子42は、一端がキャパシタ41に接続され、他端がキャパシタ43に接続されている。キャパシタ43は、一端が可変容量素子42に接続され、他端がトランジスタ31のエミッタに接続されている。すなわち、発振回路200においては、キャパシタ41と、可変容量素子42と、キャパシタ43とが、トランジスタ31のコレクタとエミッタとの間において直列に接続されている。
抵抗44は、キャパシタ41と可変容量素子42との接続点と、グランドとの間に設けられている。抵抗45は、キャパシタ43と可変容量素子42との接続点と、制御電圧VC2の入力端子T3との間に設けられている。
可変容量素子42の容量値は、制御電圧VC2に応じて変化する。したがって、制御電圧VC2を変化させることで、トランジスタ31のコレクタとエミッタとの間の容量の大きさが変化し、発振回路200の発振周波数を変化させることができる。具体的には、制御電圧VC2が大きくなると可変容量素子42の容量値が小さくなるので、発振周波数が高くなる。
発振回路200においては、制御電圧VC1及び制御電圧VC2を変化させることにより可変容量素子2及び可変容量素子42の容量値が変化するので、制御電圧VC1及び制御電圧VC2を用いて、より広い周波数範囲で発振周波数を変化させることができる。なお、入力端子T3に制御電圧VC1を入力してもよい。
<第3の実施形態>
図4は、第3の実施形態に係る発振回路300の構成例を示す。第3の実施形態に係る発振回路300は、図3に示した発振回路200における可変容量素子42と並列に設けられたキャパシタ46を備える点で図3に示した発振回路100とは異なる。また、可変容量素子42には、可変容量素子2に印加される制御電圧VC1が印加されている。
図4は、第3の実施形態に係る発振回路300の構成例を示す。第3の実施形態に係る発振回路300は、図3に示した発振回路200における可変容量素子42と並列に設けられたキャパシタ46を備える点で図3に示した発振回路100とは異なる。また、可変容量素子42には、可変容量素子2に印加される制御電圧VC1が印加されている。
発振回路300において、キャパシタ46及び可変容量素子42は、トランジスタ31のコレクタ及びエミッタとの間に並列に接続されている。キャパシタ46が、可変容量素子42と並列に設けられていることにより、制御電圧VC1の変化量に対する、トランジスタ31のコレクタとエミッタとの間の容量値の変化量が小さくなる。すなわち、制御電圧VC1が変化した場合の発振周波数の変化量において可変容量素子42の容量値の変化が寄与する割合が小さくなる。したがって、例えば、発振回路300をPLL回路の電圧制御発振器として用いる場合に、可変容量素子42の容量値の変化により発振周波数を急激に変化させることなく、安定した動作を実現することができる。
<第4の実施形態>
図5は、第4の実施形態に係る発振回路400の構成例を示す。第4の実施形態に係る発振回路400は、抵抗51及び抵抗52から構成される分圧部を備え、制御電圧VC1を抵抗51及び抵抗52によって分圧した電圧が可変容量素子42に印加される点で、図3に示した発振回路200と異なり、他の点で同じである。
図5は、第4の実施形態に係る発振回路400の構成例を示す。第4の実施形態に係る発振回路400は、抵抗51及び抵抗52から構成される分圧部を備え、制御電圧VC1を抵抗51及び抵抗52によって分圧した電圧が可変容量素子42に印加される点で、図3に示した発振回路200と異なり、他の点で同じである。
発振回路400において、抵抗51は、入力端子T1と可変容量素子42との間に設けられている。抵抗52は、抵抗51及び可変容量素子42の接続点とグランドとの間に設けられている。
発振回路400においては、可変容量素子2に入力される制御電圧VC1を分圧した分圧電圧が可変容量素子42に印加される。したがって、制御電圧VC1の変化量に対する可変容量素子42に印加される電圧の変化量の割合が、抵抗51及び抵抗52が設けられていない場合に比べて小さくなる。その結果、発振回路300と同様に、PLL回路の電圧制御発振器として用いる場合に、可変容量素子42の容量値の変化により発振周波数を急激に変化させることなく、安定した動作を実現することができる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。例えば、上記の実施形態においては、トランジスタ31がバイポーラトランジスタであったが、トランジスタ31が電界効果トランジスタであってもよい。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
1・・・水晶振動子、2・・・可変容量素子、3・・・回路部、42・・・可変容量素子、100・・・発振回路
200・・・発振回路、201・・・振動子、202・・・可変容量素子、203・・・回路部、238・・・可変容量素子、300・・・発振回路、400・・・発振回路、500・・・発振回路、600・・・発振回路
200・・・発振回路、201・・・振動子、202・・・可変容量素子、203・・・回路部、238・・・可変容量素子、300・・・発振回路、400・・・発振回路、500・・・発振回路、600・・・発振回路
Claims (4)
- 振動子と、
前記振動子の第1端子とグランドとの間に設けられた第1可変容量素子と、
前記振動子の第2端子にベースが接続されたトランジスタと、
前記トランジスタのエミッタとコレクタとの間に設けられた第1容量素子と、
を備える発振回路。 - 前記第1容量素子として、前記トランジスタのエミッタとコレクタとの間に設けられた第2可変容量素子を備える、
請求項1に記載の発振回路。 - 前記第2可変容量素子と並列に設けられた第2容量素子をさらに備える、
請求項2に記載の発振回路。 - 前記第1可変容量素子に印加される電圧を分圧した分圧電圧を前記第2可変容量素子に印加する分圧部をさらに備える、
請求項2又は3に記載の発振回路。
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