JP2014175385A - Ito粒子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のITO粒子は、金を基準にして、ケルビン法で繰り返し測定した時に4.8〜5.3eVの範囲の仕事関数を有する。
【選択図】図1
Description
また本発明の第2の観点は、第1の観点のITO粒子を含むことを特徴とするITO導電膜塗料である。
また本発明の第3の観点は、第2の観点の方法で製造されたITO導電膜塗料を用いて透明導電膜を形成する方法である。
更に本発明の第4の観点は、第3の観点の方法で形成された透明導電膜を有する太陽電池の製造方法である。
本発明の第4の観点の太陽電池の製造方法は、ITO粒子を含むITO導電膜塗料により形成された透明導電膜を有することにより、発電層とITO粒子を主成分とする裏面電極との間の仕事関数の差を低減させて太陽電池の発電効率を向上させることができる。
3価インジウム化合物と2価又は4価の錫化合物は溶液中においてアルカリの存在下で沈殿し、インジウムと錫の共沈水酸化物を生成する。このとき、溶液のpHを4.0〜9.3、好ましくはpH6.0〜8.0、液温を5℃以上、好ましくは液温10℃〜80℃に調整することによって、インジウム錫の共沈水酸化物を沈澱させることができる。反応時の液性をpH4.0〜9.3に調整するには、例えば、3塩化インジウム(InCl3)と2塩化錫(SnCl2・2H2O)の混合水溶液を用い、この混合水溶液とアルカリ水溶液とを同時に水に滴下して上記pH範囲に調整することが好ましい。或いは、アルカリ水溶液に上記混合液を滴下する。アルカリ水溶液としてはアンモニア(NH3)水、炭酸水素アンモニウム(NH4HCO3)水などが用いられる。
紫外線を照射した後、スラリー状のインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で2〜24時間乾燥した後、大気中250〜800℃の範囲で0.5〜6時間焼成する。この焼成により形成された凝集体をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ITO粒子を得る。このITO粒子を50〜95質量部の無水エタノールと5〜50質量部の蒸留水を混合した液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、200〜400℃の範囲で0.5〜5時間加熱すると、本発明のITO粒子が得られる。このITO粒子の仕事関数は、上記紫外線の照射時間を変えることにより制御することができる。
第1の製造方法で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、管の長手方向を鉛直にして配置した、250〜800℃の範囲に加熱した管状炉の内部にキャリアガスであるN2ガスを流通させている状態で、スラリー状のインジウム錫水酸化物を40kHz〜2MHzの超音波によりガス化して流通しているN2ガスに噴霧する。超音波の周波数が下限値未満では、霧化されたインジウム錫水酸化物を含む液滴が大きく、液滴中のインジウム錫水酸化物の含有量が多いため、熱分解する際に、ITOが焼結し粗大化してしまう不具合があり、上限値を越えると霧化する効率が悪くなる不具合がある。これによりインジウム錫水酸化物が管状炉内で熱分解して管状炉の排出口より本発明のITO粒子が得られる。このITO粒子の仕事関数は、上記ガスの流速と炉内温度を変更することにより制御することができる。
第1の製造方法で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、このインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で2〜24時間乾燥してインジウム錫水酸化物粉末を得る。このインジウム錫水酸化物粉末の分散溶液にレーザー光を照射する。この方法で用いることのできるレーザーの種類は、高強度のパルス光を発生できるレーザーであればよく、例えば、Nd:YAGレーザー、エキシマレーザー、Tiサファイアレーザーを用いることができ、Nd:YAGレーザーが好ましい。レーザー光の照射強度は溶液中のインジウム錫水酸化物がレーザー光照射を受けてアブレーションができるのに十分に足りる強度があれば良く、1パルス当りの強度としては10mJ(10mJ/pulse)以上あれば十分であり、望ましくは50mJ/pulse〜500mJ/pulseである。また、レーザー光のパルス幅は限定されないが1nm〜20nsが好ましく、せん頭値(ピークパワー)は0.5〜500MWが好ましい。また、レーザーの発振周波数(パルス周期)は限定されないが、10〜60Hzが好ましく、平均パワーは、0.1〜30Wが好ましい。
第1の方法で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、このインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で2〜24時間乾燥した後、大気中250〜800℃の範囲で0.5〜6時間焼成する。この焼成により形成された凝集体をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ITO粒子を得る。このITO粒子をジェットミルを用いて、粉砕処理を行い、平均粒径を5〜15nmの範囲にする。以下、第1の方法と同様に、このITO粒子を無水エタノールと蒸留水とを混合した液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、加熱すると、本発明のITO粒子が得られる。このITO粒子の仕事関数は、上記処理の時間や温度を変更することにより制御することができる。
なお、本明細書におけるITO粒子の平均粒径とは、個数分布に基づく平均粒径をいう。また本発明においては、200個の平均径である。
先ず、In金属18gを含有する塩化インジウム(InCl3)水溶液50mLと、二塩化錫(SnCl2・2H2O)0.36gとを混合し、この混合水溶液とアンモニア(NH3)水溶液を水500mLに同時に滴下し、pH7に調整した。液温を30℃にした状態で30分間反応させた。生成したインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物をイオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の抵抗率が50000Ω・cm以上になったところで、上記沈殿物の上澄み液を捨て、粘度の高いスラリー状にして、このスラリーを撹拌しながら、紫外線照射装置(ウシオ電機製 スポットキュア SP−9)を用いて、DeepUVタイプを選択し、照射液面の中心照度が50mW/cm2以上になるようにして、紫外線を5時間照射した。その後、スラリー状のインジウム錫水酸化物を大気中、110℃で一晩乾燥した後、大気中550℃で3時間焼成し、凝集体を粉砕してほぐし、ITO粉末約25gを得た。このITO粉末25gを無水エタノールと蒸留水を混合した液(混合比率はエタノール95質量部に対して蒸留水5質量部)に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、330℃にて2時間加熱して本発明のITO粒子を得た。
実施例1の、インジウム錫共沈水酸化物スラリーに紫外線を照射するときの集光ミラーを、標準タイプに設定した以外、実施例1と同様の方法で行って本発明のITO粒子を得た。
In金属18gを含有する塩化インジウム(InCl3)水溶液50mLと、二塩化錫(SnCl2・2H2O)0.6gとを混合し、この混合水溶液とアンモニア(NH3)水溶液を水500mLに同時に滴下し、pH7に調整した。液温を30℃にした状態で30分間反応させた。生成したインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物をイオン交換水によって繰り返し傾斜洗浄を行った。上澄み液の抵抗率が50000Ω・cm以上になったところで、沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た。このスラリーを、固形分が1.0%となるように無水エタノールで希釈し、管の長手方向を鉛直にして配置した、管状炉内を窒素で十分に置換した後、600℃に加熱し、管状炉の内部にキャリアガスであるN2ガスを流通させている状態で、スラリー状のインジウム錫水酸化物を100kHzの超音波により霧化して流通しているN2ガスに噴霧した。このときの流通ガスの流速は0.5m/sとした。これによりインジウム錫水酸化物が管状炉内で熱分解して管状炉の排出口より本発明のITO粒子を得た。
実施例2で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、このインジウム錫水酸化物を大気中、好ましくは窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、100〜200℃の範囲で15時間乾燥したインジウム錫水酸化物粉末を得た。このインジウム錫水酸化物粉末をエタノール中に固形分1.0%で超音波分散した分散溶液を石英ガラス製の容器にいれ、マグネチックスターラーで拡販しながら、Nd:YAGレーザーにより発振した266nmのレーザー光を照射した。レーザー光は、1パルス当りの強度としては100mJ(100mJ/pulse)、レーザー光のパルス幅は20ns、せん頭値(ピークパワー)は100MW、レーザーの発振周波数(パルス周期)は30Hzとした。このレーザー照射後に得られたITOナノ粉末が分散した溶液を固液分離し、乾燥することにより、本発明のITO粒子を得た。
実施例2で得られたインジウム錫共沈水酸化物である沈殿物の上澄み液を捨ててスラリー状のインジウム錫水酸化物を得た後、このインジウム錫水酸化物を大気中、110℃で15時間乾燥した後、大気中600℃で3時間焼成した。この焼成により形成された凝集体をハンマーミルやボールミルなどを用いて粉砕してほぐし、ITO粒子を得た。このITO粒子をジェットミルを用いて、粉砕処理を行い、平均粒径を5〜15nmの範囲にする。以下、第1の方法と同様に、このITO粒子を無水エタノールと蒸留水とを混合した液に入れて含浸させた後、ガラスシャーレに入れて窒素ガス雰囲気下、400℃で、5時間加熱して本発明のITO粒子を得た。
実施例5の製造方法のうち、加熱条件を250℃で1時間とした以外、実施例5と同様の方法で行って本発明のITO粒子を得た。
Inメタル:200gを、600cm3の12N−HClに加えて完全に溶解させ、塩化インジウム溶液を調製した。この塩化インジウム溶液に、33gのSnCl4の60質量%水溶液を加えて、InCl3−SnCl4(Sn/In比:0.05)混合溶液を調製した。次に、550gの炭酸アンモニウムをイオン交換水に溶解し、液量:4.5dm3、温度:30℃に調製した。この炭酸アンモニア水溶液に、InCl3−SnCl4液の全量を、約20分間攪拌しながら滴下して、共沈物を生成させ、更にそのまま30分間攪拌した。このとき反応液の最終pHは4.5であった。共沈物を回収し、遠心分離機で脱水した後にイオン交換水を加えて洗浄しながら遠心濾過を行い、濾液の比抵抗が5000Ω・cm以上に達したところで遠心濾過を終了した。次いで、この共沈物を、次いでこの沈殿物を100℃で一晩乾燥した後、600℃で3時間加熱分解し、粉砕して、比較例1の酸化インジウム錫粉末:213gを得た。
実施例1〜4及び比較例1で得られた各ITO粒子の仕事関数は、次の方法により測定した。先ずITO粒子を直径10mmで深さ1mmの平皿状のステンレス製の粒子ホルダに入れた後、ITO粒子が崩れないようにスライドグラスを使用してITO粒子を圧縮し、充填密度2〜3g/cm3になるように、粒子ホルダに充填した。これを60℃の乾燥機内で1時間以上乾燥しITO粒子から吸着した水分を除いた。水分率は0.8%であった。粒子ホルダからITO粒子の圧縮体を取り出し、5分間室温で放冷し、5分以内に接触電位差を測定した。測定にはケルビンプローブ(KP Technology社製;形式SKP 020)により、金めっきされたチップを用いて行い、50回積算する測定を3回繰り返し、そのチップにめっきした金との接触電位差の平均値を求め、この接触電位差の平均値と金の仕事関数(5.10eV)との和をITO粒子の仕事関数とした。その結果を次の表1に示す。
実施例1〜4及び比較例1で得られた各ITO粒子20gを、蒸留水(0.020g)、トリエチレングリコール−ジ−2−エチルヘキサノエート[3G](23.8g)、無水エタノール(2.1g)、リン酸ポリエステル(1.0g)、2−エチルヘキサン酸(2.0g)、2,4−ペンタンジオン(0.5g)の混合液に入れて分散させた。調製した分散液を無水エタノールで固形分であるITO粒子の含有量が10質量%になるまで希釈した。この希釈した分散液をスピンコーティングにより石英ガラス板に塗布して成膜し、厚さ0.2μmのITO透明導電膜を得た。
実施例1〜6及び比較例1で得られた各ITO粒子からITO導電膜塗料を調製し、この塗料を湿式塗工法によりスーパーストレート型薄膜太陽電池の光電変換層、即ち発電層上に塗布して透明導電膜を形成した。この太陽電池は透明なガラス基板上にFTO(フッ素ドープSnO2)からなる別の透明導電膜、光電変換層(発電層)、上記透明導電膜及び導電性反射膜により構成した。上に裏面電極として形成した。
上述した方法で得られた評価用の多接合型薄膜シリコン太陽電池の太陽電池セルのライン加工後の基板にリード線を配線し、ソーラシミュレータとデジタルソースメータを用いて、AM:1.5、100mW/cm2の光を照射したときのI−V(電流−電圧)曲線を得た。この曲線における最適動作点における電圧をVm、電流をImとして最大電力Vm×Imを求める一方、この曲線の電圧の最大値である開放電圧VOCと電流の最大値である短絡電流ISCを求め、(Vm×Im)/(VOC×ISC)から曲線因子を算出した。この曲線因子を表1及び図1に示す。
更に得られたI−V(電流−電圧)曲線における電流値(I)を薄膜太陽電池セルの表面積で除することによりJ−V(電流密度−電圧)曲線を求めた。このJ−V曲線において、電圧の軸と電流密度の軸を2辺とし、原点とJ−V曲線上の点を結んで描かれた長方形の面積が最大となったときの面積での出力を最高出力密度(mW/cm2)とし、[最高出力密度(mW/cm2)]/[100(mW/cm2)]×100を発電層の変換効率とした。実施例1〜6及び比較例1のITO粒子を含む透明導電膜に用いた太陽電池の発電層の変換効率を表1に示す。
表1から明らかなように、比較例1のITO粒子では、ITO粒子の仕事関数が5.33eVであったのに対して、実施例1〜6のITO粒子では、ITO粒子の仕事関数を4.80〜5.30の範囲に制御することができた。また太陽電池としての性能は、表1及び図1から明らかなように、比較例1に比べて実施例1〜6の曲線因子は高く、変換効率に優れていることが判った。
Claims (4)
- 金を基準にして、ケルビン法で繰り返し測定した時に4.8〜5.3eVの範囲の仕事関数を有することを特徴とするITO粒子。
- 請求項1記載のITO粒子を含むことを特徴とするITO導電膜塗料。
- 請求項2記載の方法で製造されたITO導電膜塗料を用いて透明導電膜を形成する方法。
- 請求項3記載の方法で形成された透明導電膜を有する太陽電池の製造方法。
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