JP2014170966A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、前記周辺回路領域のMOSトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成し(図2(C))、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する(図2(D))。前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成し(図2(D))、異なるタイミングで、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する(図3(A))。後で形成されるコンタクトホールに先立って、先に形成されるコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する(図3(A))。
【選択図】図3
Description
図1〜図3は本発明の第1の実施形態における光電変換装置の製造方法を説明するための、光電変換装置の画素領域及び周辺回路領域の断面図である。本第1の実施形態は、周辺回路領域に高融点金属化合物層(シリサイド層)を有する構成に関するものである。以下、本第1の実施形態では、CMOS型の光電変換装置について説明を行うが、光電変換装置の種類はこれに限ったものではない。
次に、第2の実施形態における光電変換装置の製造方法を図2(C)、図2(D)及び図4を参照して説明する。本第2の実施形態の製造方法では、画素領域101のコンタクトホールを形成後、コンタクトプラグの形成を行わず、周辺回路領域102のコンタクトホールを形成する。以下、第1の実施形態と同様な構成及び製造方法については説明を省略する。
本第3の実施形態は、電子シャッター機能を有する、つまり電荷保持部を有するCMOS型光電変換装置である。図5は第3の実施形態における光電変換装置の単位画素の平面レイアウト模式図である。図5において、203は光電変換部、204は光電変換部203で変換された電荷をある程度の時間保持しておく電荷保持部である。206は電荷保持部204の上部に配置され、電荷保持部204のポテンシャルを制御する制御電極、1207は電荷保持部204からフローティングディフュージョン部1203へ電荷を転送する転送用のMOSトランジスタのゲート電極である。制御電極206は光電変換部203から電荷保持部204へ転送する動作も制御しうる。1204はフローティングディフュージョン部1203の電圧を初期化するためのリセット用のMOSトランジスタ、1205はフローティングディフュージョン部1203の電圧を読み出すためのソースフォロア回路を形成する増幅用のMOSトランジスタである。これらの構成要素は半導体基板に備えられている。
次に、図9を参照して、第4の実施形態における光電変換装置の製造方法について説明する。本第4の実施形態の光電変換装置の製造方法は第3の実施形態と同様に電荷保持部を有する光電変換装置の製造方法に関するものである。本第4の実施形態では、ゲート電極上コンタクトホール222と拡散層上コンタクトホール221のみエッチングにより形成後、コンタクトプラグの形成を行わずに、遮光膜上コンタクトホール223を形成する製造方法について説明する。以下、第3の実施形態と同様の構成および製造方法については説明を省略する。
図10を用いて、第5の実施形態における光電変換装置の製造方法を説明する。本第5の実施形態は、第1及び第2の実施形態と同様にCMOS型光電変換装置の製造方法に関するものであるが、高融点金属化合物層が画素領域にも設けられている場合における製造方法に関する。
Claims (1)
- 画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記周辺回路領域のMOSトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成する工程と、
前記半導体化合物層の形成工程の後、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する工程と、
前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する第1のコンタクトホール形成工程と、
前記第1のコンタクトホール形成工程と異なるタイミングで実施され、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する第2のコンタクトホール形成工程と、
前記第1のコンタクトホール形成工程と前記第2のコンタクトホール形成工程の内、後に実行される工程に先立って、先に実行される工程で形成されたコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する工程と、
を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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