JP2014160531A - ポリマー材料中に埋め込まれたナノ粒子から形成されたテンプレート層を備えた垂直磁気記録ディスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 垂直磁気記録ディスクは、RuまたはRu合金下地層の下にテンプレート層を含み、粒状Co合金記録層が下地層上に形成されている。テンプレート層は、ポリマー材料内に間隔を空けて部分的に埋め込まれたナノ粒子を含み、ナノ粒子は、ポリマー材料の表面上部に突出している。シード層は、ポリマー材料の表面および突出したナノ粒子を覆い、RuまたはRu合金の下地層は、シード層を覆う。突出したナノ粒子は、RuまたはRu合金原子の制御された核形成場所として機能する。ナノ粒子間距離は、テンプレート層の形成時に制御することができる。これにより、Co合金粒径分布並びに粒子間距離分布の制御が可能となる。
【選択図】図3
Description
本出願は、「ポリマー材料中に埋め込まれたナノ粒子から形成されたテンプレート層を備えた垂直磁気記録ディスクの製造方法」(代理人整理番号PA14-097)という名称の同時に提出された出願に関連する。
10 ナノ粒子
20 ポリマー材料
SL シード層
UL 下地層
RL 記録層
SL1 第1のシード層
SL2 第2のシード層
40 Co合金粒子
SUL 軟透磁性下地層
Claims (23)
- 垂直磁気記録ディスクであって、
基板と、
前記基板上のテンプレート層であって、前記テンプレート層は、ポリマー材料によって間隔を空けられ、その内部に埋め込まれたナノ粒子を含み、前記ナノ粒子は、前記ポリマー材料の表面において突出特徴を提供するテンプレート層と、
前記ポリマー材料および前記ナノ粒子を覆うシード層と、
前記シード層上のRuおよびRu合金から選択される下地層と、
前記下地層上の、粒状強磁性Co合金およびSi、Ta、Ti、Nb、B、C、およびWの内の1つまたは複数から成る1つまたは複数の酸化物の層を含む、垂直磁気記録層と、
を含む垂直磁気記録ディスク。 - 前記ナノ粒子は、Fe3O4ナノ粒子であり、前記ポリマー材料は、機能性末端基を有するポリスチレンを含む、請求項1に記載のディスク。
- 前記シード層は、アモルファスNiTa合金およびアモルファスCoFeTaZr合金から選択される、請求項1に記載のディスク。
- 前記シード層は、1nm以上かつ5nm以下の厚さを有する、請求項1に記載のディスク。
- 前記シード層は第1のシード層であり、前記第1のシード層上に接触した第2のシード層をさらに含み、前記下地層は、前記第2のシード層上に接触している、請求項1に記載のディスク。
- 前記第1のシード層は、NiTa合金を含み、前記第2のシード層は、NiW合金を含む、請求項5に記載のディスク。
- 前記ナノ粒子は、前記ポリマー材料内に部分的に埋め込まれ、それによって、前記ナノ粒子は、前記ポリマー材料の前記表面上部に突出し、前記ポリマー材料によって覆われていない表面を有する、請求項1に記載のディスク。
- 前記ナノ粒子の直径の35〜75パーセントが、前記ポリマー材料の前記表面より上部にある、請求項7に記載のディスク。
- 前記ナノ粒子は、短距離秩序化を有する概ね均一なパターンで配列される、請求項1に記載のディスク。
- ナノ粒子間距離の分布が5%以上かつ10%以下である、請求項1に記載のディスク。
- ナノ粒子間距離の分布が10%以上かつ15%以下である、請求項1に記載のディスク。
- 前記粒状強磁性Co合金は、10%以上かつ15%以下の粒径分布を持つ粒子を含む、請求項1に記載のディスク。
- 前記基板と前記テンプレート層との間に軟磁性の透磁性下地層(SUL)をさらに含む、請求項1に記載のディスク。
- 垂直磁気記録ディスクであって、
基板と、
前記基板上のテンプレート層であって、前記テンプレート層は、機能性末端基を有するポリスチレンを含むポリマー材料によって間隔を空けられ、その内部に部分的に埋め込まれたFe3O4ナノ粒子を含み、前記ナノ粒子は、前記ポリマー材料の表面上部に突出し、前記ポリマー材料によって覆われていない表面を有する、テンプレート層と、
前記ポリマー材料の前記表面および前記ナノ粒子の前記表面を覆う、アモルファスNiTa合金およびアモルファスCoFeTaZr合金から選択されるシード層と、
前記シード層上のRuおよびRu合金から選択される下地層と、
前記下地層上の、粒状強磁性Co合金およびSi、Ta、Ti、Nb、B、C、およびWの内の1つまたは複数から成る1つまたは複数の酸化物の層を含む、垂直磁気記録層と、
を含む垂直磁気記録ディスク。 - 前記シード層は、1nm以上かつ5nm以下の厚さを有する、請求項14に記載のディスク。
- 前記シード層は第1のシード層であり、前記第1のシード層上に接触した第2のシード層をさらに含み、前記下地層は、前記第2のシード層上に接触している、請求項14に記載のディスク。
- 前記第1のシード層は、NiTa合金を含み、前記第2のシード層は、NiW合金を含む、請求項16に記載のディスク。
- 前記ナノ粒子の直径の35〜75パーセントが、前記ポリマー材料の前記表面より上部にある、請求項14に記載のディスク。
- 前記ナノ粒子は、短距離秩序化を有する概ね均一なパターンで配列される、請求項14に記載のディスク。
- ナノ粒子間距離の分布が5%以上かつ10%以下である、請求項14に記載のディスク。
- ナノ粒子間距離の分布が10%以上かつ15%以下である、請求項14に記載のディスク。
- 前記粒状強磁性Co合金は、10%以上かつ15%以下の粒径分布を持つ粒子を含む、請求項14に記載のディスク。
- 前記基板と前記テンプレート層との間に軟磁性の透磁性下地層(SUL)をさらに含む、請求項14に記載のディスク。
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