JP2014156654A - Cvdリアクタ用ガス分配器 - Google Patents
Cvdリアクタ用ガス分配器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014156654A JP2014156654A JP2014025000A JP2014025000A JP2014156654A JP 2014156654 A JP2014156654 A JP 2014156654A JP 2014025000 A JP2014025000 A JP 2014025000A JP 2014025000 A JP2014025000 A JP 2014025000A JP 2014156654 A JP2014156654 A JP 2014156654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- distribution
- tunnel
- gas distributor
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 189
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 47
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 47
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 47
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 231
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
Abstract
【解決手段】供給開口(2、3)を介して、それぞれにプロセスガスを供給可能な、相互に分離された少なくとも2つのガス分配室(10、20)を有し、上段に配置されたガス分配装置が下段に配置された結合チャネル(13、23)とそれぞれ流動結合され、異なるガス分配室に付属する結合チャネルが交互に並列に位置し且つプロセスガスを流出させるためのガス流出開口(14、24)を有する。少なくとも2つのガス分配装置の各々が1つの分配セクション(12、22)を有し、分配セクションがそれぞれ複数の分配サブセクション(11、21)と流動結合され、結合チャネルがそれぞれ複数の分配サブセクションと相互に異なる位置において流動結合され、相互に異なるガス分配室の分配サブセクションが交互に並列に位置し且つ隔壁(9)により相互に分離されている。
【選択図】図4
Description
2 供給開口
3 供給開口
4 内側
5 カバー
6 カバー
7 ガス流出面
8 ガス流出板
9 隔壁
10 ガス分配容積、ガス分配室
11 分配サブセクション
12 分配セクション、リングチャネル
13 結合チャネル
14 ガス流出開口
15 トンネル要素
16 トンネル中間空間
17 側壁
18 結合壁
19 流入開口
20 ガス分配容積、ガス分配室
21 分配サブセクション
22 分配セクション、リングチャネル
23 結合チャネル
24 ガス流出開口
25 トンネル要素
26 トンネル中間空間
27 側壁
28 結合壁
29 流入開口
30 隔壁
31 Uプロフィル要素
31′ 側壁
31′′ 端縁
32 Uプロフィル要素
32′ 側壁
32′′ 端縁
33 窓
34 窓
34′′ 端縁
Claims (17)
- 供給開口(2、3)を介して、それぞれにプロセスガスを供給可能な、相互に分離された少なくとも2つのガス分配室(10、20)を有する、CVDリアクタ用ガス分配器であって、この場合、
上段レベル内に配置されたガス分配装置が下段レベル内に配置された結合チャネル(13、23)とそれぞれ流動結合され、
異なるガス分配室(10、20)に付属する結合チャネル(13、23)が交互に並列に位置し且つプロセスガスを流出させるためのガス流出開口(14、24)を有する、該CVDリアクタ用ガス分配器において、
少なくとも2つのガス分配装置の各々が1つの分配セクション(12、22)を有し、分配セクション(12、22)がそれぞれ複数の分配サブセクション(11、21)と流動結合され、この場合、
結合チャネル(13、23)がそれぞれ複数の分配サブセクション(11、21)と相互に異なる位置において流動結合され、
相互に異なるガス分配室(10、20)の分配サブセクション(11、21)が交互に並列に位置し且つ隔壁(9)により相互に分離されている、ことを特徴とするCVDリアクタ用ガス分配器。 - 結合チャネル(13、23)がトンネル要素(15、25)から形成されていることを特徴とする請求項1に記載のガス分配器。
- トンネル要素(15、25)がU形状断面を有し且つU開口をガス流出板(8)の方向に向け、トンネル要素(15、25)のU脚がガス流出板(8)と結合されていることを特徴とする請求項2に記載のガス分配器。
- 並列に位置する2つのトンネル要素(15、25)の間にそれぞれ、トンネル壁により側面が形成されたトンネル中間空間(16、26)が伸長し、トンネル中間空間(16、26)内に、他方のガス分配容積に付属する、ガス流出板(8)のガス流出開口(14、24)が存在することを特徴とする請求項2または3に記載のガス分配器。
- 相互に同一線上にある2つのトンネル要素(15、25)の正面開口の間に、同じガス分配容積に付属するガス流出開口(14、24)を有するトンネル中間空間(16、26)が存在することを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記載のガス分配器。
- 両方のガス分配室(10、20)が櫛歯状に相互にかみ合う室セクション(11、21)を形成することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載のガス分配器。
- 室セクション(11、21)が蛇行状に伸長する隔壁(9)により相互に分離されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載のガス分配器。
- 分配セクション(12、22)が相互に向かい合って上段レベル内に配置されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載のガス分配器。
- 相互に異なるガス分配室(10、20)の分配サブセクション(11、21)が共通の隔壁(9)により相互に分離されていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載のガス分配器。
- 隔壁(9)がトンネル要素(15、25)のUウェブに隣接し且つトンネル要素(15、25)の正面開口の高さで伸長することを特徴とする請求項2ないし9のいずれかに記載のガス分配器。
- トンネル要素(15、25)が異なるガス分配容積と線状に接触することを特徴とする請求項2ないし10のいずれかに記載のガス分配器。
- ガス流出板(8)のガス流出面(7)がガス流出開口(14、24)を有し、ガス流出開口(14、24)は列ごとに同じガス分配容積から供給され、この場合、異なるガス容積から供給されるガス流出開口(14、24)が列ごとに交互に位置することを特徴とする請求項3ないし11のいずれかに記載のガス分配器。
- ガス流出開口(14、24)が、列ごとに交互に、相互に異なるガス分配室(10、20)の結合チャネル(13、23)と結合され、この場合、並列に位置する複数の室セクション(11、21)が、結合チャネル(13、23)の断面積より大きい断面積を有することを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載のガス分配器。
- ガス流出板(8)がガス流出開口(14、24)を有し、ガス流出開口(14、24)は、相互に分離されたガス分配室(10、20)の室セクション(11、21)と流動結合されている結合チャネル(13、23)から出る、該ガス流出板(8)を有するCVDリアクタ用ガス分配器において、
結合チャネル(13、23)がほぼU形状のトンネル要素(15、25)から形成され、トンネル要素(15、25)の側壁(17、27)が、ガス流出板(8)の内側(4)と、および相互に1つの結合壁(18、28)と、結合されていることを特徴とするCVDリアクタ用ガス分配器。 - トンネル要素(15、25)が、特にUプロフィル要素または矩形プロフィル要素として形成されて相互に交差する第1および第2のプロフィル要素(31、32)から形成され、この場合、特に、プロフィル要素(31、32)が、交差領域内に配置された窓(33、34)を有することを特徴とする請求項14に記載のガス分配器。
- 第1のプロフィル要素(31)の側壁(31′)ないしは第2のプロフィル要素(32)の側壁(32′)が、相互に異なるガス容積(10、20)を相互に分離することを特徴とする請求項15に記載のガス分配器。
- 交差配置されたプロフィル要素(31、32)の側壁(31′、32′)の間を伸長する中間空間が一方の共通ガス分配容積(10)に割り当てられ、およびプロフィル要素(31、32)の外側を伸長する空間が他方のガス分配容積(20)に割り当てられている、ことを特徴とする請求項16に記載のガス分配器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013101534.4A DE102013101534A1 (de) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | Gasverteiler für einen CVD-Reaktor |
DE102013101534.4 | 2013-02-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014156654A true JP2014156654A (ja) | 2014-08-28 |
JP6457718B2 JP6457718B2 (ja) | 2019-01-23 |
Family
ID=51263739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014025000A Active JP6457718B2 (ja) | 2013-02-15 | 2014-02-13 | Cvdリアクタ用ガス分配器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10221482B2 (ja) |
JP (1) | JP6457718B2 (ja) |
KR (1) | KR102259833B1 (ja) |
CN (1) | CN104087912A (ja) |
DE (1) | DE102013101534A1 (ja) |
TW (1) | TWI678427B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015118765A1 (de) | 2014-11-20 | 2016-06-09 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Beschichten eines großflächigen Substrats |
DE102014116991A1 (de) | 2014-11-20 | 2016-05-25 | Aixtron Se | CVD- oder PVD-Reaktor zum Beschichten großflächiger Substrate |
DE102015110440A1 (de) | 2014-11-20 | 2016-05-25 | Aixtron Se | CVD- oder PVD-Reaktor zum Beschichten großflächiger Substrate |
DE102015101461A1 (de) | 2015-02-02 | 2016-08-04 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Beschichten eines großflächigen Substrats |
US20160325497A1 (en) * | 2015-05-04 | 2016-11-10 | Global Oled Technology Llc | Entwined manifolds for vapor deposition and fluid mixing |
DE102017105947A1 (de) * | 2017-03-20 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
KR102369676B1 (ko) | 2017-04-10 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
US20190032211A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Lam Research Corporation | Monolithic ceramic gas distribution plate |
DE112019001953T5 (de) * | 2018-04-13 | 2021-01-21 | Veeco Instruments Inc. | Vorrichtung zur chemischen gasphasenabscheidung mit mehrzonen-injektorblock |
US10472716B1 (en) * | 2018-05-17 | 2019-11-12 | Lam Research Corporation | Showerhead with air-gapped plenums and overhead isolation gas distributor |
KR102576220B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2023-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법 |
US11166441B2 (en) * | 2018-07-13 | 2021-11-09 | Versum Materials Us, Llc | Vapor delivery container with flow distributor |
DE102019129789A1 (de) | 2019-11-05 | 2021-05-06 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden einer zweidimensionalen Schicht sowie CVD-Reaktor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH092896A (ja) * | 1995-04-20 | 1997-01-07 | Ebara Corp | 薄膜気相成長装置 |
JP2000306884A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2008528799A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-07-31 | アイクストロン、アーゲー | 平板内に設けられた予備室を有するガス分配装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3381114A (en) * | 1963-12-28 | 1968-04-30 | Nippon Electric Co | Device for manufacturing epitaxial crystals |
US5453124A (en) | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
GB9411911D0 (en) | 1994-06-14 | 1994-08-03 | Swan Thomas & Co Ltd | Improvements in or relating to chemical vapour deposition |
JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
KR100328820B1 (ko) * | 1999-02-25 | 2002-03-14 | 박종섭 | 화학기상증착 장비의 가스분사장치 |
JP2000290777A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6206972B1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
JP4487338B2 (ja) | 1999-08-31 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置及び成膜処理方法 |
AU2002241496A1 (en) | 2000-11-20 | 2002-06-18 | Applied Epi, Inc. | Surface sealing showerhead for vapor deposition reactor having integrated flow diverters |
WO2002058126A1 (fr) | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement |
US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
TW587139B (en) | 2002-10-18 | 2004-05-11 | Winbond Electronics Corp | Gas distribution system and method for the plasma gas in the chamber |
KR100509231B1 (ko) | 2003-01-03 | 2005-08-22 | 주식회사 아이피에스 | 박막증착용 반응용기 |
US7537662B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-05-26 | Asm International N.V. | Method and apparatus for depositing thin films on a surface |
US7601223B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
EP1629522A4 (en) | 2003-05-30 | 2008-07-23 | Aviza Tech Inc | GAS DISTRIBUTION SYSTEM |
US20050109280A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-05-26 | Chen Xiangqun S. | Rapid thermal chemical vapor deposition apparatus and method |
KR101063737B1 (ko) * | 2004-07-09 | 2011-09-08 | 주성엔지니어링(주) | 기판 제조장비의 샤워헤드 |
US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
DE102008026974A1 (de) * | 2008-06-03 | 2009-12-10 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene |
TWI437622B (zh) * | 2008-11-26 | 2014-05-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體噴灑模組 |
TWI385272B (zh) * | 2009-09-25 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體分佈板及其裝置 |
CN101949007B (zh) * | 2010-09-29 | 2012-01-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于均匀出气的气体分配器 |
TWI534291B (zh) * | 2011-03-18 | 2016-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 噴淋頭組件 |
CN203096167U (zh) * | 2013-02-19 | 2013-07-31 | 靖江先锋半导体科技有限公司 | 一种气体分配器 |
-
2013
- 2013-02-15 DE DE102013101534.4A patent/DE102013101534A1/de active Pending
-
2014
- 2014-02-13 TW TW103104695A patent/TWI678427B/zh active
- 2014-02-13 JP JP2014025000A patent/JP6457718B2/ja active Active
- 2014-02-14 KR KR1020140017266A patent/KR102259833B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-14 US US14/180,853 patent/US10221482B2/en active Active
- 2014-02-17 CN CN201410191366.1A patent/CN104087912A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH092896A (ja) * | 1995-04-20 | 1997-01-07 | Ebara Corp | 薄膜気相成長装置 |
JP2000306884A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2008528799A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-07-31 | アイクストロン、アーゲー | 平板内に設けられた予備室を有するガス分配装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102013101534A1 (de) | 2014-08-21 |
US20140231550A1 (en) | 2014-08-21 |
CN104087912A (zh) | 2014-10-08 |
KR20140103077A (ko) | 2014-08-25 |
TW201441415A (zh) | 2014-11-01 |
US10221482B2 (en) | 2019-03-05 |
TWI678427B (zh) | 2019-12-01 |
KR102259833B1 (ko) | 2021-06-01 |
JP6457718B2 (ja) | 2019-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6457718B2 (ja) | Cvdリアクタ用ガス分配器 | |
JP5863050B2 (ja) | ガスシャワーヘッド、その製造方法及び薄膜成長反応装置 | |
KR102243230B1 (ko) | 열전달 판 및 판 열교환기 | |
US9643288B2 (en) | Heat exchange reactor using thin plate provided with flow path therein and method of manufacturing the same | |
JP2017144699A5 (ja) | ||
JP2012533890A5 (ja) | ||
BRPI0618619A2 (pt) | método para a produção de um trocador de calor do tipo de placa e trocador de calor relacionado | |
EP3683531A1 (en) | Cross-flow heat exchanger | |
US6217208B1 (en) | Heatable static mixing device with undulating or zigzag bars | |
KR102217703B1 (ko) | 판형 열 교환기를 위한 열 교환 판 및 상기 열 교환 판을 구비한 판형 열 교환기 | |
RU2674957C2 (ru) | Коллектор для перемешивания жидкости и способ его применения | |
KR102240574B1 (ko) | 열 교환기용 헤더 및 열 교환기 | |
CN102345112A (zh) | 一种半导体处理设备及其气体喷淋头冷却板 | |
US9387414B2 (en) | Mass transfer tray | |
JP7035091B2 (ja) | バーナー及びバーナーを含むガス給湯器 | |
JP6923324B2 (ja) | 積層造形物および熱交換器 | |
WO2014174690A1 (ja) | フィルター用リテーナ及びそれを用いたフィルター | |
KR20160084841A (ko) | 반응기 및 열교환기용 체널형 스텍 및 그 제조 방법 | |
KR101550245B1 (ko) | 평판형 열교환 반응기 및 이의 제조방법 | |
US7754163B2 (en) | Pseudo-isothermal catalytic reactor | |
KR20220091587A (ko) | 격자형 프랙탈 분배기 또는 수집기 소자 | |
EA030173B1 (ru) | Каталитический реактор | |
RU2814365C1 (ru) | Сетчатый симметричный распределительный или коллекторный элемент | |
KR101384774B1 (ko) | 조립식 다중-마이크로채널 열교환기 및 그 제조방법 | |
RU2586037C1 (ru) | Регулярная насадка для осуществления процессов тепло- и массообмена |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171010 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6457718 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |