JP2014154863A - 強誘電体膜の形成方法、強誘電体膜、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド、及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前駆体溶液を塗布する塗布工程と、乾燥温度まで10℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱して前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度まで20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する熱分解第一の加熱工程と、所定の熱分解温度まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する熱分解第二の加熱工程と、強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第一の加熱工程と、所定の熱分解温度まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第二の加熱工程と、所定の結晶化温度までまで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第三の加熱工程とを有する強誘電体膜の形成方法である。
【選択図】図4
Description
しかし、特に数十℃/sec程度以上の速い速度で加熱及び昇温させて強誘電体膜を形成させると、その特性が良好になる一方で、高速で加熱及び昇温させたが故に、加熱前に残留していた前駆体液の溶媒が突沸するという問題があった。また、有機物が急速に燃焼してガス化した痕跡が空隙となって多数、膜中に残留し、これが欠陥となって形成した強誘電体膜をさらに加工して得られる圧電素子等のデバイスの歩留まりを低下させる問題があった。
一方、低速の昇温速度にて加熱処理を行う条件にてPZT膜(強誘電体膜)を形成すると、強誘電体膜中にパイロクロア相が発生し、強誘電体膜としての特性が劣化するという問題があった。
(1)強誘電体膜の原料である前駆体溶液を塗布して前駆体膜を成膜する塗布工程と、
(2)所定の乾燥温度(T0)まで、10℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱して前記前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、
(3)強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T11)まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する熱分解第一の加熱工程と、
(4)前記熱分解第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T12)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する熱分解第二の加熱工程と、
(5)前記(1)乃至(4)の工程を少なくとも1回繰り返し、所望する膜厚の非晶質の強誘電体膜を形成する第一の積層工程と、
(6)強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T21)まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第一の加熱工程と、
(7)前記結晶化第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T22)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第二の加熱工程と、
(8)前記結晶化第二の加熱工程に続いて、所定の結晶化温度まで(T3)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第三の加熱工程と、
(9)前記(1)乃至(8)の工程を少なくとも1回繰り返し、所望する膜厚の結晶質の強誘電体膜を形成する第二の積層工程と、
を含むことを特徴とするものである。
また、強誘電体膜は、図4に示すフローチャートの各工程を担当する自動成膜装置10内の各装置間を流動させて形成する。塗布工程は上記スピナー塗布装置14において行い、乾燥工程は上記ホットプレート15において行い、熱分解工程および結晶化工程は上記RTA装置16において行い、冷却工程は上記冷却ステージ17で行う。なお、本実施形態では、熱分解工程と結晶化工程とを共通のRTA装置1台で行っているが、熱分解工程と結晶化工程とをそれぞれ別にした2台のRTA装置で行う構成としても良い。あるいは熱分解工程をホットプレートで行い、さらに結晶化工程をRTA装置で行う構成でも良い。
<(1)塗布工程>
収納部材11に収納されたウェハ18は、搬送装置12により、アライナー13に投入され、ウェハの位置決め及び芯だしが成された後、スピナー塗布装置14に投入される。スピナー塗布装置14により、ウェハ18表面を洗浄後、下部電極上に強誘電体膜の原料である前駆体溶液であるゾルゲル液が塗布される。
ウェハとして、下部電極(例えば、白金族下部電極等)が成膜されたウェハ18(例えば、シリコンウェハ等)を用いることができる。
複合酸化物としては、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)や、化学式ABO3(A=Pb、Ba、Srから選択される元素、B=Ti、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg、Nbから選択される元素を主成分とする)で記述される材料が挙げられる。その具体的な記述例として、例えば、(Pb1−x,Bax)(Zr1−y,Tiy)O3、(Pb1−x,Srx)(Zr1−y,Tiy)O3などが挙げられる。これらは、一般式ABO3におけるAサイトのPbを一部BaやSrで置換した場合である。このような置換は2価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示すことがわかっている。
PZT以外の複合酸化物としてはチタン酸バリウムなどが挙げられ、この場合はバリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することも可能である。
すなわち、前記前駆体溶液は、主成分が化学式ABO3で記述される前記複合酸化物を形成することが可能な前駆体を共通溶媒に溶解させたものである。
基板上に設けられた電極上に塗布するPZT前駆体溶液の合成は、例えば、出発材料として酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムを用いることができる。ここで、酢酸鉛の結晶水はメトキシエタノールに溶解後、脱水する。化学量論組成に対し鉛量を10モル%過剰にすることが好ましく、これにより熱処理中のいわゆる鉛抜けによる結晶性低下を防ぐことができる。
イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウムをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進め、上記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することでPZT前駆体溶液を合成することができる。
金属アルコキシド化合物は大気中の水分により容易に加水分解してしまうので、前駆体溶液に安定剤としてアセチルアセトン、酢酸、ジエタノールアミンなどの安定化剤を適量、添加してもよい。
スピナー塗布装置14によって前駆体溶液を塗布されたウェハ18は、搬送装置12によってホットプレート15に投入され、塗布された前駆体膜を加熱して乾燥処理を行う。搬送装置12によってウェハ18がホットプレート15に投入される際の受け渡し状態及び昇温方法について、図2及び図3を参照して説明する。
図2に示すように、ホットプレート15の温度は予め所定の乾燥温度(T0)に保持されている。このホットプレート15にはリフトピン19が設けられている。リフトピン19は搬送装置12からウェハ18を受けた際には、ホットプレート表面より高さH0だけ突出した状態にある。図3に示すように、ウェハ18は、ホットプレートから高さH0分離れているので、ウェハ温度は乾燥温度T0より低い温度(室温)であるが、リフトピン19が下降するに従って、ウェハ温度は上昇し、ウェハ18がホットプレート15上に載せ置かれたとき、ウェハ温度が所定の乾燥温度T0となる。このリフトピン19の下降速度を制御することにより、ウェハの乾燥工程における昇温速度を制御している。
乾燥工程における昇温速度は、前駆体膜の溶媒が急激な蒸発あるいは突沸が生じない程度に遅い速度の10℃/秒以下とする。ウェハ温度の昇温速度は、単位時間あたりのウェハ温度変化、すなわち〔ウェハ温度の変化量(ΔT)〕/〔変化に要した時間(Δt)〕で規定される。
乾燥工程をホットプレートで行う場合、図3に示したリフトピン19の突き出し高さによるウェハ18の保持位置とウェハ温度の関係を利用し、昇温速度はリフトピン19の下降速度を制御することによって調整および制御される。
熱分解工程では、乾燥された前駆体膜中の有機物成分を熱分解して非晶質の強誘電体膜を形成する。乾燥工程を終えたウェハ18は、図1に示すように、搬送装置12によってRTA装置16に投入され、乾燥された前駆体膜の加熱および熱分解処理を行う。前述のRTA装置16は、高出力のハロゲンランプで被加熱物を照射することでごく短時間で高い温度まで加熱する能力を有すると共に、その昇温速度ならびに昇温後の保持温度と時間、またこれらのパラメーターを多段階に組み合わせた任意の加熱プロファイルを設定し、設定したプロファイルに従った被加熱物の加熱制御が可能な装置である。
熱分解工程における熱分解第一の加熱工程は、強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度温度(T11)までの低温領域で、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する工程である。これにより、乾燥させた前駆体膜中に残留した溶媒の突沸や有機物成分の急速な燃焼及び分解によるガスの発生を回避することが可能である。
この熱分解第一の加熱工程の昇温速度は、前駆体膜中の有機物成分の急激な分解及び燃焼ガスの発生が生じない程度に遅い速度、20℃/秒以下の昇温速度あることが好ましく、より好ましくは、10℃/秒以下である。このような昇温速度にすることにより、乾燥された前駆体膜中に残留した溶媒の突沸や有機物成分の急速な燃焼及び分解によるガスの発生を回避することができる。
熱分解第二の加熱工程は、上記熱分解第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T12)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する工程である。
所定の熱分解温度(T12)は、前駆体膜を構成する有機成分が燃焼されて熱分解される温度により決定される。概ね400℃〜500℃の範囲である。
また、この熱分解第二の加熱工程の昇温速度は、設定温度まで常誘電体相のパイロクロア相が発生しない程度に速い昇温速度の50℃/秒以上である。より好ましくは50℃/秒〜75℃/秒の範囲である。これにより、パイロクロア相の発生を防止することができ、良好な特性の強誘電体膜を得ることが可能である。
このようなRTA装置を用いて熱分解を行う場合、上記のようなRTA装置の有する昇温速度制御性を活用し、熱分解工程における2段階の昇温制御を行う。
一方、熱分解工程に前述の乾燥工程のようにホットプレート15とリフトピン19を用いた加熱処理を行う場合は、図3に示したリフトピン19の突き出し高さによるウェハ18の保持位置とウェハ温度の関係を利用し、ホットプレート15を熱分解温度(T12)に設定し、リフトピンの下降速度を温度T11を境に2段階で制御することによって、2段階の昇温制御を行うことが可能である。この場合の昇温速度は、上記乾燥工程においてホットプレートで行う場合の昇温速度と同様に規定される。
続いてウェハ18は、搬送装置12により冷却ステージ17に移動される。ウェハ温度は冷却ステージ17上に一定時間留め置かれることにより室温まで冷却される。
続いて、図4に示すように、前述の塗布工程〜冷却工程を所定回数(X回)繰り返すことにより、所望の膜厚の非晶質の酸化物膜(アモルファス膜)を形成する。
結晶化工程では、上記熱分解工程を終えた非晶質の酸化物膜(アモルファス膜)が形成されたウェハをRTA装置16でさらに高温で加熱して、結晶質の強誘電体膜を形成する。
結晶化工程は、以下の結晶化第一の加熱工程、結晶化第二の加熱工程、および結晶化第三の加熱工程を含むものである。すなわち、強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T21)まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第一の加熱工程と、該結晶化第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T22)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第二の加熱工程と、該結晶化第二の加熱工程に続いて、所定の結晶化温度まで(T3)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第三の加熱工程とを含むものである。この結晶化工程においても、RTA装置16の能力を活用し、昇温速度と、加熱温度を多段階で制御することができる。
結晶化第一の加熱工程は、強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T21)まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する工程である。これにより、乾燥させた前駆体膜中に残留した溶媒の突沸や有機物成分の急速な燃焼及び分解によるガスの発生を回避することが可能である。
結晶化第二の加熱工程は、上記結晶化第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T22)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する工程である。
所定の熱分解温度(T22)は、前駆体膜を構成する有機成分が燃焼されて熱分解される温度により決定される。概ね400℃〜500℃の範囲である。
この結晶化第二の加熱工程の昇温速度は、設定温度まで常誘電体相のパイロクロア相が発生しない程度に速い昇温速度の50℃/秒以上である。より好ましくは50℃/秒〜75℃/秒の範囲である。これにより、パイロクロア相の発生を防止することができ、良好な特性の強誘電体膜を得ることが可能である。
結晶化第三の加熱工程は、上記結晶化第二の加熱工程に続いて、所定の結晶化温度まで(T3)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する工程である。
結晶化第二の加熱工程に続いて、さらに結晶化温度(T3)まで、50℃/秒以上の昇温速度にて昇温しながら加熱する。ウェハ上に成膜された非晶質の強誘電体膜を高温加熱して結晶化を行い、強誘電体薄膜を形成させる。
結晶化温度は、所望の結晶配向が得られる温度に設定され、概ね650℃〜750℃の範囲である。
結晶化第三の加熱工程における昇温速度は、上記結晶化第二の加熱工程と同様、設定温度まで常誘電体相のパイロクロア相が発生しない程度に速い昇温速度の50℃/秒以上である。より好ましくは70℃/秒〜150℃/秒の範囲である。これにより、パイロクロア相の発生を防止することができ、良好な特性の強誘電体膜を得ることが可能である。
次に、図4に示すように、前述の塗布工程〜結晶化工程を所定回数(Y回)繰り返すことによって、所望の膜厚を持った結晶質の強誘電体膜を形成する。
次に、第2の実施形態である電気機械変換素子の一例である圧電素子について図11を参照して説明する。本実施形態の圧電素子の強誘電体膜は、上記第1の実施形態により形成されたものを備える。第1の実施形態と同様の構成要素については同符号を付し説明を省略する。図11に本発明の圧電素子を備えた液滴吐出ヘッドの一例の構造の概略断面図を示す。
本実施形態の圧電素子27は、圧力室30の一部を構成する振動板22上に密着層23を介して、下部電極24、強誘電体膜25、および上部電極26が順次積層されてなるものである。なお、圧力室30は、振動板22とシリコン基板21の一部とノズル孔29が設けられたノズル板28とにより構成される。
図11に示すように、基板21となるシリコンウェハに、熱酸化によりシリコン酸化膜からなる振動板22を形成し(例えば、膜厚1μm)、その上に、密着層23としてチタン膜(例えば、膜厚50nm)をスパッタ成膜する。引き続き密着層23上に白金膜(例えば、膜厚200nm)からなる下部電極24をスパッタ成膜する。
次に、PZT強誘電体膜25を形成する。上記下部電極24までが形成されたウェハを強誘電体膜の原料となる前駆体溶液を下部電極24上に塗布する。強誘電体膜25は上記第1の実施形態による本発明の強誘電体膜の形成方法により形成される。
次に、強誘電体膜25上に、上部電極16をスパッタ成膜した後、リソグラフィ技術によりパターニングを行い、圧電素子27を得る。
(基板)
基板21としては、シリコン単結晶基板を用いることが好ましく、通常600μm〜800μmの厚みを持つことが好ましい。面方位としては、(100)、(110)、(111)と3種あるが、本構成においては、主に(111)の面方位を持つ単結晶基板を主に使用した。
また、図11に示すような圧力室を作製する場合、例えば、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工することができる。この場合のエッチング方法としては、異方性エッチングを用いることが一般的である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。
シリコン基板21上に配置する振動板22は、厚さが数ミクロンでシリコン酸化膜や、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、およびこれら各膜を積層した膜でもよい。また、熱膨張差を考慮した酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜などのセラミック膜でもよい。これら材料は絶縁体である。
シリコン系絶縁膜は熱酸化膜、CVD堆積膜を用い、金属酸化膜はスパッタリング法で成膜することができる。
振動板22は、図11に示すように、強誘電体膜25によって発生した力を受けて変形変位して、圧力室30内のインクを吐出させる。そのため、下地としては所定の強度を有したものであることが好ましい。例えば、圧力室基板21を構成するために用いられるシリコン基板を熱酸化して形成した膜(SiO2)などが用いられる。
特に、強誘電体膜25の材料としてジルコン酸チタン酸鉛(PZT)が使用される場合には、PZTの線膨張係数8×10−6(1/K)に近い線膨張係数として、5×10−6〜10×10−6(1/K)程度の線膨張係数を有する材料が好ましい。
本発明における下部電極24として、後述のように白金族電極が好ましく用いられるが、電極に白金を用いる場合、下地(振動板)、特にSiO2との密着性が悪いため、密着層を設ける必要がある。
密着層23としては、チタン、タンタル等の金属材料や、酸化チタン、酸化タンタル、窒化チタン、窒化タンタルやこれら積層膜が有効であるが、導電性酸化物の場合には、振動板が同じ酸化物(シリコン酸化物)であるため、これら密着層を配置しなくても十分な膜密着力が得られる。白金族電極を用いる場合には密着層に、例えば、チタン(Ti)膜を設けている。
ここで、密着層の膜厚としては、20nm〜70nmが好ましい。この範囲より膜厚が薄い場合には、密着性に懸念があり、この範囲より膜厚が厚い場合には、密着層上に形成する下部電極24に影響が出てくる。
下部電極24は、強誘電体膜に信号入力する際の共通電極として電気的接続をするので、その下にある振動板22は絶縁体か、もしくは導体であれば絶縁処理を施して用いることになる。
下部電極24としては、高い耐熱性と低い反応性を有する白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム等の単金属からなる白金族電極や、白金−ロジウムなどの白金を主成分とした他の白金族元素との合金材料からなる電極を用いることができる。本発明では導電性酸化物膜の上に堆積させた形態でもよい。
なお、強誘電体膜にPZTを用いた場合、PZTに含有される鉛(Pb)に対して、白金電極では十分なバリア性を有するとはいえない場合があるので、必要に応じて上記他の白金族からなる電極を用いることができる。また、白金電極表面に、鉛(Pb)に対してバリア性を有する導電性材料膜(例えば、導電性酸化物)を設けてもよい。このような方法により、下部電極に白金を用い、強誘電体膜にPZTを用いた場合でも金属電極の特性が劣化することは回避される。振動板(例えば、シリコン基板上に形成されたSiO2膜)上に密着層23を形成しているため、下部電極24に白金を使用する場合においても、振動板22との密着性を良好に維持することができる。
下部電極24の電極の作製方法としては、一般的なスパッタ法や真空蒸着等の真空成膜が適用できる。下部電極24の膜厚としては、100nm〜300nm程度が好ましい。
上部電極26としては、前記下部電極24と同様の材料(白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム等の単金属からなる白金族電極や、白金−ロジウムなどの合金膜からなる電極)を用いることができる。
また、前述のように強誘電体膜として、鉛を含む複合酸化物(PZT)を使用する場合、鉛と上部電極(金属)との反応、もしくは上部電極への拡散が生じて圧電特性を劣化させる場合があるので、必要に応じて鉛(Pb)に対してバリア性を有する導電性材料(例えば、導電性酸化物)を用いることもできる。
次に、本発明の第3の実施の形態である液滴吐出ヘッドについて説明する。図11に、本発明の液滴吐出ヘッドの一例の構造を示す模式図を示し、図12に、本発明の液滴吐出ヘッドが複数個配置された液滴吐出ヘッド20の断面図を示す。
本発明の液滴吐出ヘッド20は、液滴を吐出する液滴吐出ノズル孔29と、液滴吐出ノズル孔が連通する加圧室30と、加圧室内部に収容された液体を加圧する圧力発生手段とからなり、圧力発生手段は、前記加圧室に設けられた振動板22と、振動板22上に設けられた本発明の圧電素子27とからなるものであり、圧電素子を駆動させて記振動板22を変形変位させることにより、加圧室内部に収容された液体を加圧して液体を加圧室30外部に吐出する。
加圧室30は、シリコン基板21の一部を裏面からリソグラフィ法により除去し、ノズル孔29を有するノズル板28を接合して製造される。その後保護基板(図示せず)で圧電素子27を覆うように接合して液滴吐出ヘッド20を製造する。これによれば圧電素子を簡便な製造工程(バルクセラミックスと同等の性能を持つ)で形成することができる。この液滴吐出ヘッドには、加圧室30へ液体を供給する液体供給手段(図示せず)、流路(図示せず)および流体抵抗(図示せず)が設けられている。
次に、本発明の第4の実施の形態である画像形成装置の一例であるインクジェット記録装置について図13及び図14を参照しながら説明する。図13に、液滴吐出ヘッドを備えたインクジェット記録装置の斜視図を示し、図14にインクジェット記録装置の機構部の側面図を示す。
また、キャリッジ(93)には液滴吐出ヘッド(94)に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ(95)を交換可能に装着している。
インクカートリッジ(95)は上方に大気と連通する大気口、下方にはインクジェットヘッドへインクを供給する供給口を、内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力により液滴吐出ヘッド(94)へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、記録ヘッドとしてここでは各色の液滴吐出ヘッド(94)を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する1個のヘッドでもよい。
以下、本発明の強誘電体膜の形成方法について一実施例を説明する。本実施例の強誘電体膜の形成方法には上記実施形態において記載した自動成膜装置を用いる。上記実施形態と同様の構成要素については同符号を付して説明を省略する。
シリコンウェハ18は下部電極として白金膜(膜厚250nm)、SrRuO3膜(膜厚50nm)を成膜したものを用いる。強誘電体前駆体溶液として、2−メトキシエタノール(沸点:125℃)を主溶媒とし、Pb:Zr:Ti=110:53:47の組成比で調合されたPZT前駆体溶液を準備した。このシリコンウェハと前駆体溶液を用いて、自動成膜装置において図4に示すフローチャートのごとく強誘電体膜の形成を実施した。
収納部材11に収納されたウェハは、搬送装置12により、まず始めにアライナー13によってウェハの位置決め及び芯だしが成された後、スピンコート装置14に投入され、強誘電体前駆体液の塗膜をウェハ上に形成した。
次に、ウェハ18は、搬送装置12により、ホットプレート15に投入される。ホットプレート15は、主溶媒の沸点より高い乾燥温度(T0)である140℃に加熱されている。ウェハ18は、搬送装置12から高さ30mm(H0)だけ突出した状態にあるリフトピン19に受け渡される。続いてリフトピン19が受け渡し位置(高さ30mm)から1分間かけて下降し、ウェハをホットプレート15上に載せ置くことにより、主溶媒の沸点より高い乾燥温度(T0)である140℃までウェハの昇温速度を2℃/秒にてウェハ温度が上昇する。その後、ウェハはホットプレート15上に1分間載置され、前駆体膜の乾燥を行った。
熱分解工程は、以下の熱分解第一の加熱工程および熱分解第二の加熱工程を有するものである。
次にウェハは、搬送装置12によってRTA装置16に投入され、強誘電体膜特性に影響を与えない温度(T11)250℃まで、昇温速度15℃/秒にて、ウェハ温度を上昇させた。
熱分解第一の加熱工程に続いて、昇温速度60℃/秒にて熱分解温度(T12)550℃までウェハ温度を上昇させた。この温度を5分間保持し、強誘電体前駆体の乾燥膜中の有機物成分を分解させ、一層目のアモルファス(非晶質)膜を得た。
続いてウェハは、搬送装置12により冷却ステージ17に移動し、冷却ステージ17上に2分間以上留め置かれることによりウェハ温度を室温まで冷却した。
そして、前述の塗布工程〜冷却工程までのプロセスを3度繰り返して3層積層したアモルファス(非晶質)膜を得た。
結晶化工程は、以下の結晶化第一の加熱工程、結晶化第二の加熱工程および結晶化第三の加熱工程を有するものである。
ウェハ18は、ふたたび搬送装置12によってRTA装置16に投入され、強誘電体膜特性に影響を与えない温度(T21)250℃まで昇温速度15℃/秒にて、ウェハ温度を上昇させた。
結晶化第一の加熱工程に続いて、昇温速度60℃/秒にて熱分解温度(T22)550℃までウェハ温度を上昇させた。そして、この温度を1分間保持した。
その後、結晶化第二の加熱工程に続いて、結晶化温度(T3)750℃まで昇温速度80℃/秒にてウェハ温度を上昇させて、この温度を6分間保持して3層積層したアモルファスの強誘電体膜を結晶化した。厚さ200nmの強誘電体結晶膜を得た。
そしてさらに、図4に示す塗布工程から結晶化工程までのプロセスを10回繰り返すことで厚さ約2μmの結晶質の強誘電体結晶膜を得た。
図5に示すように、強誘電体膜の表面は高い均一性が得られている。また、図6に示すように、強誘電体膜の断面は、欠陥となる空隙が発生しておらず緻密な結晶が得られている。また、図7に示すように、ZRDの評価結果のグラフにおいて、パイロクロア相のピークは見られず、PZT(111)のシャープなピークが得られている。
このような強誘電体膜を備えた圧電素子等のデバイス特性は、良好となると同時に、その製造歩留まりを高く保つことができる。
なお、上記実施例に記載した乾燥温度(T0)、乾燥工程における昇温速度、熱分解工程における昇温速度、温度(T11)、熱分解温度(T12)、結晶化工程における昇温速度、温度(T21)、熱分解温度(T22)、および結晶化温度(T3)は、あくまで実施例の一例を示すものであり、必ずこれらの値に制限されるものではない。
以下に比較例としての、強誘電体膜の形成方法について説明する。
本比較例の強誘電体膜は、乾燥工程は、140℃で1分維持して前駆体膜を乾燥させ、熱分解工程は、550℃で5分維持して熱分解を行い、結晶化工程は、750℃で6分維持して結晶化を行ったことは、上記実施例と同様のプロセスによって形成した。
しかし、乾燥工程における昇温速度は30℃/秒と、上記実施例と比較して速く、一方、熱分解工程並びに結晶化工程における昇温速度は15℃/秒と、上記実施例と比較して遅い昇温制御を行った。
11 収納部材
12 搬送装置
13 アライナー
14 スピナー塗布装置
15 ホットプレート
16 RTA装置
17 冷却ステージ
18 ウェハ
19 リフトピン
20 液体吐出ヘッド
21 基板
22 振動板
23 密着層
24 下部電極
25 強誘電体層
26 上部電極
27 圧電素子
28 ノズル板
29 ノズル孔
30 圧力室
Claims (8)
- 強誘電体膜の形成方法であって、
(1)強誘電体膜の原料である前駆体溶液を塗布して前駆体膜を成膜する塗布工程と、
(2)所定の乾燥温度(T0)まで、10℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱して前記前駆体膜を乾燥する乾燥工程と、
(3)強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T11)まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する熱分解第一の加熱工程と、
(4)前記熱分解第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T12)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する熱分解第二の加熱工程と、
(5)前記(1)乃至(4)の工程を少なくとも1回繰り返し、所望する膜厚の非晶質の強誘電体膜を形成する第一の積層工程と、
(6)強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T21)まで、20℃/秒以下の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第一の加熱工程と、
(7)前記結晶化第一の加熱工程に続いて、所定の熱分解温度(T22)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第二の加熱工程と、
(8)前記結晶化第二の加熱工程に続いて、所定の結晶化温度まで(T3)まで、50℃/秒以上の昇温速度で昇温しながら加熱する結晶化第三の加熱工程と、
(9)前記(1)乃至(8)の工程を少なくとも1回繰り返し、所望する膜厚の結晶質の強誘電体膜を形成する第二の積層工程と、
を含むことを特徴とする強誘電体膜の形成方法。 - 前記強誘電体膜の強誘電体膜特性に影響を与えない所定の温度(T11)および(T21)は、300℃以下であることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体膜の形成方法。
- 前記強誘電体膜は、一般式ABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する複合酸化物からなり、AはPb、Ba、またはSrを主成分とし、BはTi、Zr、Sn、Ni、Zn、Mg、またはNbを主成分とすることを特徴とする請求項1または2に記載の強誘電体膜の形成方法。
- 前記強誘電体膜は、Pb(Zr,Ti)O3からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の強誘電体膜の形成方法。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の強誘電体膜の形成方法により形成された強誘電体膜。
- 請求項5に記載の強誘電体膜を備えた電気機械変換素子。
- 請求項6に記載の電気機械変換素子を備えた液滴吐出ヘッド。
- 請求項7に記載の液滴吐出ヘッドを備えた画像形成装置。
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