JP2014148475A - 光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２−アリールピリジニウム塩を直接不斉水素化反応して、高い収率かつ高い光学収率で光学活性２−アリールピペリジニウム塩を直接得ることができる方法の提供。
【解決手段】、下記一般式（１）

で表される光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法であって、対応する２−アリールピリジニウム塩を、特定のイリジウム錯体、及び水素の存在下において、不斉水素化することを含む製造方法の提供。
【選択図】なし

Description

本発明は光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、医薬、農薬、香料、あるいはその合成中間体等として有用な、光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法に関するものである。

置換基を有するピペリジン誘導体において光学活性を有することは、医薬、農薬、香料、あるいはその合成中間体等として有用であり、高い光学活性を示すピペリジン類の製造が望まれていた。
通常は、アキラルなパラジウム触媒などを用いて対応するピペリジンへ水素化（Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｏｕｓ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃｓ Ｃｈｅｍｉｓｔ，１９９６，第１７章，４２１−４２４、特開平７−２４２６３０号公報及び欧州特許第３５０７３３号明細書（６５頁及び６６頁））し、さらに光学分割を行うことで精製する必要がある。このことは、他方の光学活性体が副生成物として取り除かれることを意味しており、このような精製に関連する費用の他に、生成物の損失も不利益である。
Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，２０１２，１１２，２５５７２５９０には、ピリジン環以外の窒素ヘテロ環化合物（キノリン、キノキサリン環、イソキノリン環など）の不斉水素化が記載されているが、２５７３頁に記載されているようにピリジン誘導体の不斉水素化反応によるピペリジン誘導体合成の公知技術は少ない。光学活性ピペリジン誘導体を製造する公知技術としては、２５７４頁に記載されているように、（１）ロジウム触媒を用いる不斉水素化、（２）イリジウム触媒を用いた不斉水素化、（３）不斉ブレンステッド酸による不斉水素移動反応などがある。
（１）ロジウム触媒を用いる不斉水素化では、光学活性が低い、あるいは高い光学純度を示すには多段階の反応（エナミン、置換工程及び水素化）が必要である。
（２）イリジウム触媒を用いた不斉水素化においては、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ，２００８，７６，１２７１−１２８３に記載されているように、Ｎ-イミノピリジニウムイリドによるイリジウム触媒を用いて不斉水素化する方法、またはＳｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ：Ａｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ｆｏｒ Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１２，４２，１１３７−１１４５及びＡｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ２０１２，５１，１−５に記載のＮ−ベンジルピリジニウムイリドによるイリジウム触媒を用いて不斉水素化する方法がある。しかし、これらの従来技術では、１−置換ピペリジン誘導体から、１−無置換ピペリジン誘導体を得るには、１（Ｎ)位の保護基の脱離工程が必要となるため、汎用性の高い製造法とは言いがたい。
（３）Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，２０１２，１１２，２５５７２５９０の２５７５頁に記載の不斉ブレンステッド酸による不斉水素移動反応においては、ハンチュ（Ｈａｎｔｚｓｃｈ）エステルを水素源として用いることから、過剰な（４等量）ハンチュ（Ｈａｎｔｚｓｃｈ）エステルを含み、精製によって分離することが必要となる。
上記のように、未だ高収率及び高光学純度で、光学活性ピペリジン誘導体を工業的に製造できる簡便な方法は存在しない。すなわち、２−アリールピペリジン誘導体を直接不斉水素化反応して、高い収率かつ高い光学収率で光学活性ピペリジン誘導体を直接得ることは困難であった。

特開平７−２４２６３０ 欧州特許第３５０７３３号明細書

Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｏｕｓ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃｓ Ｃｈｅｍｉｓｔ，１９９６，第１７章，４２１−４２４ Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，２０１２，１１２，２５５７２５９０ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ，２００８，７６，１２７１−１２８３ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ：Ａｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｊｏｕｒｎａｌ ｆｏｒ Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１２，４２，１１３７−１１４５ Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｄｉｔｉｏｎ ２０１２，５１，１−５

本発明は、２−アリールピペリジニウム塩を直接不斉水素化反応して、高い収率かつ高い光学収率で光学活性２−アリールピペリジニウム塩を直接得ることができる方法を提供することを目的とする。

本発明者等は、光学活性なイリジウム触媒を用いたピリジンの環の不斉水素化反応による光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造開発について鋭意検討した結果、一般式（３）もしくは一般式（４）で示されるイリジウム錯体を用いて２−アリールピリジニウム塩を不斉水素化反応することで、高収率で不斉誘起が可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は、以下の［１］〜［５］の内容を含むものである。
［１］下記一般式（１）

（式中、Ｒ¹は置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²は水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。ＨＸは酸を表す。＊は不斉炭素原子を表す。ｍは１から４までの整数を示す。ただし、Ｒ²は２位に結合しない。）
で表される光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法であって、下記一般式（２）

（式中、Ｒ¹は置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²は水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。ＨＸは酸を表す。ｍは１から４までの整数を示す。）
で示されるピリジニウム塩を、下記一般式（３）
ＩｒＨ（Ｚ）（Ｑ）（ＰＰ＊） （３）
（式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ＰＰ＊光学活性ビスホスフィンを示し、Ｑはカルボキシル基を示す。）
又は下記一般式（４）
[｛ＩｒＨ（ＰＰ＊）｝₂（μ−Ｚ）₃]Ｚ （４）
（式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ＰＰ＊は光学活性ビスホスフィンを示す。）
で表されるイリジウム錯体、及び水素の存在下において、不斉水素化することを含む製造方法。
［２］光学活性ビスホスフィンが下記一般式（５）

（式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立して、アルキル基及びアルコキシ基
から選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示す。）
又は下記一般式（６）

（式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、それぞれ独立して、アルキル基及びアルコキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示す。Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、同一であっても又は異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ²⁰とＲ²¹及びＲ²²とＲ²³とで置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ²¹とＲ²²とで置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。ただし、Ｒ²¹とＲ²²は水素原子ではない。）
で表される光学活性ビスホスフィンである、前記［１］に記載の製造方法。
［３］一般式（３）で表されるイリジウム錯体の光学活性ビスホスフィンが光学活性ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳであり、一般式（４）で表されるイリジウム錯体の光学活性ビスホスフィンが光学活性ＤＩＦＬＵＯＲＰＨＯＳである、前記［１］又は［２］に記載の製造方法。
［４］イリジウム錯体が一般式（３）で表される錯体である、前記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］ＨＸが臭化水素又はヨウ化水素である、前記［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法。

本発明で規定するイリジウム錯体を触媒とした不斉水素化反応において、高収率及び高立体選択的な２−アリールピペリジン誘導体を得ることができる。これら光学活性化合物は様々な化合物の合成中間体として有用である。

以下、本発明について説明する。
本発明の下記一般式（１）

（式中、Ｒ¹は置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²は水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。ＨＸは酸を表す。＊は不斉炭素原子を表す。ｍは１から４までの整数を示す。ただし、Ｒ²は２位に結合しない。）
で表される光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法は、下記一般式（２）

（式中、Ｒ¹は置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²は水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。ＨＸは酸を表す。ｍは１から4までの整数を示す。）
で示されるピリジニウム塩を、下記一般式（３）
ＩｒＨ（Ｚ）（Ｑ）（ＰＰ＊） （３）
（式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ＰＰ＊光学活性ビスホスフィンを示し、Ｑはカルボキシル基を示す。）
又は下記一般式（４）
[｛ＩｒＨ（ＰＰ＊）｝₂（μ−Ｚ）₃]Ｚ （４）
（式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ＰＰ＊は光学活性ビスホスフィンを示す。）
で表されるイリジウム錯体、及び水素の存在下において、不斉水素化することを含む。

一般式（２）のＲ¹およびＲ²おける炭素数６〜２０のアリール基としては、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられる。前記アリール基は置換基を有してもよい。置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。具体的なアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びシクロヘキシル基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。具体的なアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、例えば直鎖又は分岐状の炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基が挙げられ、好ましくはパーフルオロアルキル基であり、例えばトリフルオロメチル基及びペンタフルオロエチル基等が挙げられる。ジアルキルアミノ基としては、例えばそのアルキル基が直鎖又は分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基であるジアルキルアミノ基であり、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基が挙げられる。アルキレンジオキシ基としては、例えばそのアルキレン基が炭素数１〜１０のアルキレン基であるアルキレンジオキシ基であり、例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基及びイソプロピリデンジオキシ基等が挙げられる。

一般式（２）のＲ¹およびＲ²おける炭素数３〜２０のヘテロアリール基としては、具体的にはフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。前記ヘテロアリール基は置換基を有してもよい。置換基としては、前述のアリール基と同様のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。
一般式（２）のＲ²における炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状又は分岐状でもよい、好ましくは炭素数１〜１５、より好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基が挙げられる。前記アルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、前述のアリール基と同様のアルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。

一般式（２）のＲ²における炭素数３〜２０のシクロアルキル基としては、具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロペンチル基及びメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。前記シクロアルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、前述のアリール基と同様のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。
一般式（２）のＲ²における炭素数２〜２０のアルケニル基としては、炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１０、より好ましくは炭素数２〜６の直鎖状又は分枝状のアルケニル基が挙げられる。具体的には、エテニル基、ｎ−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、１−ブテン−２−イル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。前記アルケニル基は置換基を有してもよい。置換基としては、前述のアリール基と同様のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。

一般式（２）のＲ²における炭素数７〜２１のアラルキル基としては、炭素数６〜２０、好ましくは炭素数６〜１４の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基に、炭素数１〜１５のアルキル基が結合した、炭素数７〜２０、好ましくは炭素数７〜１５、炭素数７〜１０のアラルキル基が挙げられる。例えば、ベンジル基、α−メチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基等が挙げられる。前記アラルキル基は置換基を有してもよい。置換基としては、前述のアリール基と同様のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。
一般式（２）のｍは、１から４、好ましくは１から２までの整数を示す。

２−アリールピリジンと塩を形成する酸（ＨＸ）としては、例えばフッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸等の無機酸；蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、ピバル酸、クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、シュウ酸、Ｌ−酒石酸、Ｄ−酒石酸、マンデル酸等のカルボン酸；メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファースルホン酸等のスルホン酸が挙げられる。好ましくは、塩化水素、臭化水素、硫酸、酢酸、ピバル酸、シュウ酸、Ｌ−酒石酸、Ｄ−酒石酸、マンデル酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、又はカンファースルホン酸であり、より好ましくは臭化水素、ヨウ化水素である。

不斉水素化は、一般式（２）で示される２−アリールピリジンと酸（ＨＸ）からなるピリジニウム塩を、不斉水素化反応を阻害しない溶媒に溶解し、イリジウム触媒を加えて行われる。
前記溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール溶媒やジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、塩化メチレン、アセトン、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリルなどの溶媒、又はこれらの混合溶媒などが挙げられる。前記イリジウム触媒は、前記ピリジニウム塩に対して、好ましくは１／１０〜１／１０，０００モル当量、より好ましくは約１／５０〜１／３，０００モル当量で用いられる。不斉水素化反応における水素圧は、好ましくは約１〜１５ＭＰａ、より好ましくは約３〜１０ＭＰａである。不斉水素化反応における温度は、好ましくは約−２０〜１２０℃、より好ましくは約２０〜１００℃である。不斉水素化反応は、好ましくは約５〜３０時間、より好ましくは約１０〜２０時間行われる。
なお、本発明においては、予めイリジウム錯体を合成することなく、一般式（５）又は一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィン、及びイリジウム前駆体を加えることで、一般式（３）で示されるイリジウム錯体を系内で形成させて、同時に加えた前記ピリジニウム塩の不斉水素化を行うこともできる。

不斉水素化が行われた後、存在する反応混合物は、例えば濾過で触媒を取り除くことにより後処理できる。そしてその後、例えば適当な場合には塩基処理により生じたピペリジン誘導体を減圧下で蒸留することにより、溶存した触媒を取り除くことで後処理できる。取り除かれた触媒は再利用できる。
また、光学活性２−アリールピペリジニウム塩は、更に水酸化アルカリ金属等の塩基で処理することにより、光学活性２−アリールピペリジン誘導体を遊離させ、抽出・濃縮等の操作を行うことにより、化学純度の向上した光学活性２−アリールピペリジン誘導体として取得することもできる。
このようにして得られた目的物は、後続工程に使用できる十分な純度を有しているが、後続工程の収率、若しくは後続工程で得られる化合物の純度をさらに高める目的で、晶析、分別蒸留、カラムクロマトグラフィー等の一般的な精製手法により、さらに純度を高めてもよい。又は、光学活性２−アリールピペリジン誘導体と酸から塩を形成させて溶媒から晶析することにより、化学純度又は光学純度を高めてもよい。

一般式（３）のＺで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。好ましくは、Ｚは塩素原子又は臭素原子である。
一般式（３）のＰＰ＊で表される光学活性ビスホスフィンとしては、例えば下記一般式（７）で表される光学活性ビスホスフィンが挙げられる。
Ｒ^P1Ｒ^P2Ｐ−Ｑ¹−ＰＲ^P3Ｒ^P4 （７）
（式中、Ｒ^P1、Ｒ^P2、Ｒ^P3及びＲ^P4は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基又は複素環基を表し、Ｑ¹は光学活性を有する二価基を表す。）
一般式（７）で表されるビスホスフィンのＲ^P1、Ｒ^P2、Ｒ^P3及びＲ^P4におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状でもよい、例えば炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−３−イル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロペンチル基及びメチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

また、一般式（７）で表されるビスホスフィンのＲ^P1、Ｒ^P2、Ｒ^P3及びＲ^P4におけるアリール基としては、例えば炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ビフェニル基等が挙げられる。これらアリール基は置換基を有してもよい。ここで、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基又はアルキレンジオキシ基等が挙げられる。具体的なアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びシクロヘキシル基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、例えば直鎖又は分岐状の炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基が挙げられ、好ましくはパーフルオロアルキル基であり、例えばトリフルオロメチル基及びペンタフルオロエチル基等が挙げられる。ジアルキルアミノ基としては、例えばそのアルキル基が直鎖又は分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基であるジアルキルアミノ基であり、例えばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基が挙げられる。アルキレンジオキシ基としては、例えばそのアルキレン基が炭素数１〜１０のアルキレン基であるアルキレンジオキシ基であり、例えばメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基及びイソプロピリデンジオキシ基等が挙げられる。

また、一般式（７）で表されるビスホスフィンのＲ^P1、Ｒ^P2、Ｒ^P3及びＲ^P4における複素環基としては、脂肪族又は芳香族複素環基が挙げられる。脂肪族複素環基としては、例えば炭素数２〜１４で、異種原子として少なくとも１個のヘテロ原子（例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等）を含んでいる単環の脂肪族複素環基（好ましくは５〜８員、より好ましくは５又は６員）、又は多環若しくは縮合環の脂肪族複素環基（好ましくは５〜８員、より好ましくは５〜６員）が挙げられる。脂肪族複素環基の具体例としては、例えばピロリジル−２−オン基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、モルホリノ基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチエニル基等が挙げられる。芳香族複素環基としては、例えば炭素数２〜１５で、異種原子として少なくとも１個のヘテロ原子（例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等）を含んでいる単環式ヘテロアリール基（好ましくは５〜８員、より好ましくは５又は６員）、又は多環式若しくは縮合環式のヘテロアリール基（好ましくは５〜１４員、より好ましくは５〜６員）が挙げられる。芳香族複素環基の具体例としては、例えばフリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、ピリダジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フタラジル基、キナゾリル基、ナフチリジル基、シンノリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。

また、一般式（７）で表されるビスホスフィンのＱ¹における二価基としては、アルキレン基、フェニレン基、ビフェニルジイル基及びビナフタレンジイル基等が挙げられる。アルキレン基としては、例えば炭素数１〜６のアルキレン基、具体的にはメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基が挙げられ、これらのアルキレン基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等の前記したような直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、ナフチル基等の前記したような炭素数６〜１４のアリール基、又はピペリジノ基、モルホリノ基、フリル基、ピリジル基等の前記したような５〜６員の複素環基で置換されてもよい。フェニレン基としては、ｏ、ｍ又はｐ−フェニレン基であり、該フェニレン基はメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等の前記したような直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の前記したような直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルコキシ基、水酸基、アミノ基、又はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基（そのアルキル基は直鎖又は分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基である）等で置換されていてもよい。ビフェニルジイル基及びビナフタレンジイル基としては、１，１’−ビアリール−２，２’−ジイル型の構造を有するものが好ましく、該ビフェニルジイル基及びビナフタレンジイル基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等の前記したような直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の前記したような炭素数１〜１０のアルコキシ基、アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の炭素数２〜２０のアシルオキシ基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等の炭素数１〜１０のハロアルキル基、水酸基、アミノ基、又はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基（そのアルキル基は直鎖又は分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基である）等で置換されてもよい。

一般式（７）で表される光学活性ビスホスフィンとしては、例えば本出願前公知の光学活性ビスホスフィンが挙げられ、その一つとして好ましくは一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィンが挙げられる。

（式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立して、アルキル基及びアルコキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示す。）

一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びシクロヘキシル基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴におけるアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。
一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィンの具体例としては、２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ＢＩＮＡＰ（登録商標）という）、２，２’−ビス−（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰという）、２，２’−ビス−（ジ−ｍ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ＤＭ−ＢＩＮＡＰという）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ターシャリーブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−クロロフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｃｐ−ＢＩＮＡＰ）、２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｃｙ−ＢＩＮＡＰ）等が挙げられる。

さらに、本発明で用いられる好ましい光学活性ビスホスフィンの一つとしては下記一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンが挙げられる。

（式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、それぞれ独立して、アルキル基及びアルコキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示す。Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、同一又は異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ²⁰とＲ²¹及びＲ²²とＲ²³とで置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ²¹とＲ²²とで置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。ただし、Ｒ²¹とＲ²²は水素原子ではない。）

一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸におけるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びシクロヘキシル基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられる。また、一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸におけるアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等の直鎖又は分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。
一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴におけるアルキル基及びアルコキシ基は、それぞれ一般式（５）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴におけるアルキル基及びアルコキシ基と同義である。また、一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴におけるアシルオキシ基としては、例えばアセトキシ基、プロパノイルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられ、ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子等が挙げられ、ハロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基等の炭素数１〜４のハロアルキル基が挙げられ、ジアルキルアミノ基としては例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等が挙げられる。

一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ²⁰とＲ²¹及びＲ²²とＲ²³が形成してもよいメチレン鎖としては、炭素数３〜５のメチレン鎖が好ましく、具体的にはトリメチレン基、テトラメチレン基及びペンタメチレン基が挙げられる。また、該メチレン鎖が有していてもよい置換基としては、アルキル基及びハロゲン原子等が挙げられ、これらアルキル基及びハロゲン原子の具体例としては、炭素数１〜６の前記したようなアルキル基及びフッ素原子等が挙げられる。また、一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ²⁰とＲ²¹及びＲ²²とＲ²³が形成してもよい（ポリ）メチレンジオキシ基のメチレン鎖としては、炭素数１〜３のメチレン鎖が好ましく、具体的にはメチレン基、エチレン基及びトリメチレン基が挙げられる。また、該（ポリ）メチレンジオキシ基が有してもよい置換基としては、アルキル基及びハロゲン原子等が挙げられ、これらアルキル基及びハロゲン原子の具体例としては炭素数１〜６の前記したようなアルキル基及びフッ素原子等が挙げられる。
一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ²¹とＲ²²が形成してもよいメチレン鎖としては、炭素数３〜５のメチレン鎖が好ましく、具体的にはトリメチレン基、テトラメチレン基及びペンタメチレン基が挙げられる。また、該メチレン鎖が有していてもよい置換基としては、アルキル基及びハロゲン原子等が挙げられ、これらアルキル基及びハロゲン原子の具体例としては、炭素数１〜６の前記したようなアルキル基及びフッ素原子等が挙げられる。また、一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンのＲ²⁰とＲ²¹及びＲ²²とＲ²³が形成してもよい（ポリ）メチレンジオキシ基のメチレン鎖としては、炭素数１〜３のメチレン鎖が好ましく、具体的にはメチレン基、エチレン基及びトリメチレン基が挙げられる。また、該（ポリ）メチレンジオキシ基が有してもよい置換基としては、アルキル基及びハロゲン原子等が挙げられ、これらアルキル基及びハロゲン原子の具体例としては炭素数１〜６の前記したようなアルキル基及びフッ素原子等が挙げられる。

一般式（６）で表される光学活性ビスホスフィンの具体例としては、例えば、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１、１’−ビナフチル（以下、Ｈ₈−ＢＩＮＡＰという）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｍ−トリルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１、１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１、１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−ターシャリーブチルフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−クロロフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビナフチル、（４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（ＳＥＧＰＨＯＳ）、４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ビス（３，５−キシリル）ホスフィン（ＤＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン（ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、（４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ジシクロヘキシルホスフィン（Ｃｙ−ＳＥＧＰＨＯＳ）、（４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィン、４，４’‐ビ（２，２−ジフルオロ−１．３−ベンゾジオキソール）−５、５’−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（ＤＩＦＬＵＯＲＰＨＯＳ）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’，６，６’−テトラメチル−５，５’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−４，４’，６，６’−テトラメチル−５，５’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’，６，６’−テトラ（トリフルオロメチル）−５，５’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，６−ジ（トリフルオロメチル）−４’，６’−ジメチル−５’−メトキシ−１，１’−ビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−ジフェニルホスフィノ−４，４’，６，６’−テトラメチル−５，５’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−３，３’，６，６’−テトラメチル−１，１’−ビフェニル）、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ジフルオロ−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジ−ｏ−トリルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、１，１１−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，７−ジヒドロベンゾ［ｃ，ｅ］オキセピン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’−テトラメトキシ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−６，６’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’，５，５’，６，６’−ヘキサメトキシ−１，１’−ビフェニル等が挙げられる。

さらに用いることのできる他の光学活性ビスホスフィンとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス｛（ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ｝エタン、１，２−ビス（２，５−ジアルキルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジアルキルホスホラノ）エタン、１−（２，５−ジアルキルホスホラノ）−２−（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン、１−（２，５−ジアルキルホスホラノ）−２−（ジ（アルキルフェニル）ホスフィノ）ベンゼン、５，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−フェニルエチル）エチレンジアミン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等が挙げられる。しかしながら、もちろん本発明に用いることができる光学活性ビスホスフィンはこれらに何ら限定されるものではない。

一般式（３）で表されるイリジウム錯体を形成するために用いることができるイリジウム前駆体化合物としては、例えばジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）二イリジウム（［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）₂］₂）、ジ−μ−ブロモテトラキス（シクロオクテン）二イリジウム（［ＩｒＢｒ（ｃｏｅ）₂］₂）、ジ−μ−ヨードテトラキス（シクロオクテン）二イリジウム（［ＩｒＩ（ｃｏｅ）₂］₂）、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（［ＩｒＣｌ（ｃｏｄ）］₂）、ジ−μ−ブロモビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（［ＩｒＢｒ（ｃｏｄ）］₂）、ジ−μ−ヨードビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（［ＩｒＩ（ｃｏｄ）］₂）、ジ−μ−クロロビス（ビシクロ［２，２，１］ヘプタ−２，５−ジエン）二イリジウム（［ＩｒＣｌ（ｎｂｄ）］₂）、ジ−μ−ブロモビス（ビシクロ［２，２，１］ヘプタ−２，５−ジエン）二イリジウム （［ＩｒＢｒ（ｎｂｄ）］₂）及びジ−μ−ヨードビス（ビシクロ［２，２，１］ヘプタ−２，５−ジエン）二イリジウム（［ＩｒＩ（ｎｂｄ）］₂）等が挙げられる。

一般式（３）で表されるイリジウム錯体は、上記のイリジウム前駆体化合物と一般式（５）又は（６）、あるいは一般式（７）で示される光学活性なビスホスフィンを反応させ、次いでカルボキシキル酸と反応させることにより調製できる。
一般式（４）で表されるイリジウム錯体は、国際公開第２００６／０２２０２０号パンフレットに記載の方法によって合成することができる。すなわち、上記のイリジウム前駆体化合物と一般式（５）又は（６）、あるいは一般式（７）で示される光学活性なビスホスフィンを反応させ、次いでハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸と反応させることにより調製できる。光学活性なビスホスフィンは、イリジウム前駆体のイリジウム原子に対してほぼ等モル量で使用される。

以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、実施例中において下記の分析機器を用いた。
核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）；ＭＥＲＣＵＲＹ３００−Ｃ／Ｈ（ＶＡＲＩＡＮ）
質量分析（ＭＳ）；ＬＣＭＳ−ＩＴ−ＴＯＦ（Ｓｈｉｍａｄｚｕ Ｃｏｒｐ．）
ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）；ＧＣ−１４Ａ（Ｓｈｉｍａｄｚｕ Ｃｏｒｐ．）
ＧＣ（化学純度)；キャピラリー ＨＰ−１
注入温度 ２２０℃，検出温度 ２５０℃
１００℃（０分）−１０℃／分−２５０℃（５ｍｉｎ）
ＧＣ（光学純度)；キャピラリー ＣＰ−ＣＨＩＲＡＳＩＬ−ＤＥＸ−ＣＢ
注入温度 ２５０℃，検出温度 ２５０℃
１３０℃（３０ｍｉｎ）
ＨＰＬＣ（光学純度）；カラム Ｄａｉｓｅｌ ＡＤ−Ｈ
カラム温度 ３０℃、検出波長 ２１５ｎｍ、Ｈｅｘ/ＩＰＡ＝９７/３

（ＩｒＨＣｌ（ＯＡｃ）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）の合成）
窒素置換したシュレンク管に［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）₂］₂１００ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ２８０ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、トルエン３ｍｌを加え、室温下１時間攪拌した。続いて、酢酸１３８μｌ（２．４ｍｍｏｌ）を加えて２時間攪拌後、反応液を濃縮して表題錯体３１６ｍｇを得た。収率９６％。
¹H NMR (CD₂Cl₂): δ -26.8 (t, J = 21.4 Hz, 1H), 1.31 (s, 36H), 1.32(s, 9H), 1.34(s, 9H), 1.35(s, 36H), 1.37(s, 9H), 2.33(s, 3H), 3.61(s, 3H), 3.63(s, 3H), 3.69(s, 3H), 3.70(s, 3H), 5.62(m, 4H), 6.24(dd, J = 8.2, 12.1 Hz, 1H), 6.34 (dd, J = 1.1, 8.2 Hz, 1H), 6.54 (dd, J = 1.1, 8.2 Hz, 1H), 6.84(dd, J=8.2, 11.9 Hz, 1H), 7.09-7.39(m, 8H)
³¹P NMR (CD₂Cl₂): δ -0.55 (br), -4.98 (br)
HRMS (ESI): m/z calced for C₇₆H₁₀₄O₁₀P₂ClIr [M-H]⁺ 1465.6339; m/z found 1465.6289

（ＩｒＨＣｌ（ＣＦ₃ＣＯ₂）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）の合成）
窒素置換したシュレンク管に［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）₂］₂１００ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ２８０ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、トルエン３ｍｌを加え、室温下１時間攪拌した。続いて、トリフルオロ酢酸１３８μｌ（２．４ｍｍｏｌ）を加えて２時間攪拌後、反応液を濃縮して表題錯体３２８ｍｇを得た。収率９８％。
³¹P NMR (C₆D₆): δ-0.88 (br), -4.62 (br)

（ＩｒＨＣｌ（Ｃ₆Ｈ₅ＣＯ₂）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）の合成）
窒素置換したシュレンク管に［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）₂］₂１００ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ２８０ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、トルエン３ｍｌを加え、室温下１時間攪拌した。続いて、安息香酸１３０ｍｇ（０．９６ｍｍｏｌ）を加えて２時間攪拌後、反応液を濃縮して表題錯体３２３ｍｇを得た。収率９５％。
³¹P NMR (C₆D₆): δ-1.09(br), -4.48 (br)

（［｛ＩｒＨ（（Ｓ）−ＤＩＦＬＵＯＲＰＨＯＳ）｝₂（μ−Ｃｌ）₃］Ｃｌの合成）
窒素置換したシュレンク管に［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）₂］₂３２８ｍｇ（０．３６ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ＤＩＦＬＵＯＲＰＨＯＳ５１２ｍｇ（０．７２ｍｍｏｌ）、トルエン３ｍｌを加え、室温下１６時間攪拌した。続いて、濃塩酸０．４ｍｌを加えて２時間攪拌後、反応液を濃縮して得られた固体を少量の塩化メチレンに溶かし、ヘキサンを加えて得られた固体をろ別し、乾燥して、表題錯体６２１ｍｇを得た。収率９０％。
HRMS (ESI): m/z calced for C₇₆H₅₀O₄P₂Cl₃Ir₂ [M-Cl]⁺ 1857.0600; m/z found 1857.0939

（［｛ＩｒＨ（（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ）｝₂（μ−Ｃｌ）₃］Ｃｌの合成）
窒素置換したシュレンク管に［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）₂］₂３１１ｍｇ（０．３５ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ４３４ｍｇ（０．７０ｍｍｏｌ）、トルエン３ｍｌを加え、室温下１６時間攪拌した。続いて、濃塩酸０．４ｍｌを加えて２時間攪拌後、析出した固体をろ別し、乾燥して、表題錯体５５１ｍｇを得た。収率９０％。

（実施例１）２−フェニルピリジニウムブロマイドの不斉水素化反応
１００ｍｌステンレス製オートクレーブにＩｒＨＣｌ（ＯＡｃ）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）１４．６ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジニウムブロマイド１１８ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素置換後、テトラヒドロフラン２．０ｍｌを加えた。続いて、１０．０ＭＰａの圧力で水素を導入し、８０℃にて１６時間攪拌した。冷却後、反応物をＧＣにて分析したところ、転化率は９１％、不斉収率は５２％ｅｅであった。

（実施例２）２−フェニルピリジニウムブロマイドの不斉水素化反応
１００ｍｌステンレス製オートクレーブにＩｒＨＣｌ（ＣＦ₃ＣＯ₂）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）７．６ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジニウムブロマイド１１８ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素置換後、テトラヒドロフラン２．０ｍｌを加えた。続いて、５．０ＭＰａの圧力で水素を導入し、８０℃にて１６時間攪拌した。冷却後、反応物をＧＣにて分析したところ、転化率は５３％、不斉収率は５６％ｅｅであった。

（実施例３）２−フェニルピリジニウムブロマイドの不斉水素化反応
１００ｍｌステンレス製オートクレーブにＩｒＨＣｌ（Ｃ₆Ｈ₅ＣＯ₂）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）７．７ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジニウムブロマイド１１８ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素置換後、テトラヒドロフラン２．０ｍｌを加えた。続いて、５．０ＭＰａの圧力で水素を導入し、８０℃にて１６時間攪拌した。冷却後、反応物をＧＣにて分析したところ、転化率は３８％、不斉収率は５３％ｅｅであった。

（実施例４）２−フェニルピリジニウムヨージドの不斉水素化反応
１００ｍｌステンレス製オートクレーブにＩｒＨＣｌ（ＯＡｃ）（（Ｒ）−ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳ）１４．６ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジニウムヨージド１４１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素置換後、テトラヒドロフラン２．０ｍｌを加えた。続いて、５．０ＭＰａの圧力で水素を導入し、８０℃にて１６時間攪拌した。冷却後、反応物をＧＣにて分析したところ、転化率は２７％、不斉収率は６５％ｅｅであった。

（実施例５）２−メチル−６−フェニルピリジニウムブロマイドの不斉水素化反応
１００ｍｌステンレス製オートクレーブに［｛ＩｒＨ（（Ｓ）−ＤＩＦＬＵＯＲＰＨＯＳ）｝₂（μ−Ｃｌ）₃］Ｃｌ２３．７ｍｇ（０．０１２５ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジニウムブロマイド６３ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン置換後、ジオキサン３．０ｍｌを加えた。続いて、１．０ＭＰａの圧力で水素を導入し、１００℃にて２０時間攪拌した。冷却後、反応物をＮＭＲ、ＨＰＬＣにて分析したところ、転化率は４４％、不斉収率は７５％ｅｅであった。

（実施例６）２−メチル−６−フェニルピリジニウムブロマイドの不斉水素化反応
１００ｍｌステンレス製オートクレーブに［｛ＩｒＨ（（Ｓ）−ＳＥＧＰＨＯＳ）｝₂（μ−Ｃｌ）₃］Ｃｌ２１．９ｍｇ（０．０１２５ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジニウムブロマイド６３ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン置換後、ジオキサン３．０ｍｌを加えた。続いて、１．０ＭＰａの圧力で水素を導入し、１００℃にて２０時間攪拌した。冷却後、反応物をＮＭＲ、ＨＰＬＣにて分析したところ、転化率は９１％、不斉収率は６７％ｅｅであった。

Claims (5)

1. 下記一般式（１）
   

   

   （式中、Ｒ¹は置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²は水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。ＨＸは酸を表す。＊は不斉炭素原子を表す。ｍは１から４までの整数を示す。ただし、Ｒ²は２位に結合しない。）
   で表される光学活性２−アリールピペリジニウム塩の製造方法であって、下記一般式（２）
   

   

   （式中、Ｒ¹は置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ²は水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数７〜２０のアラルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。ＨＸは酸を表す。ｍは１から４までの整数を示す。）
   で示されるピリジニウム塩を、下記一般式（３）
   ＩｒＨ（Ｚ）（Ｑ）（ＰＰ＊） （３）
   （式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ＰＰ＊光学活性ビスホスフィンを示し、Ｑはカルボキシル基を示す。）
   又は下記一般式（４）
   [｛ＩｒＨ（ＰＰ＊）｝₂（μ−Ｚ）₃]Ｚ （４）
   （式中、Ｚはハロゲン原子を示し、ＰＰ＊は光学活性ビスホスフィンを示す。）
   で表されるイリジウム錯体、及び水素の存在下において、不斉水素化することを含む製造方法。
2. 光学活性ビスホスフィンが下記一般式（５）
   

   

   （式中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴は、それぞれ独立して、アルキル基及びアルコキシ基
   から選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示す。）
   又は下記一般式（６）
   

   

   （式中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸は、それぞれ独立して、アルキル基及びアルコキシ基から選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示す。Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、同一であっても又は異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ²⁰とＲ²¹及びＲ²²とＲ²³とで置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ²¹とＲ²²とで置換基を有していてもよいメチレン鎖又は置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。ただし、Ｒ²¹とＲ²²は水素原子ではない。）
   で表される光学活性ビスホスフィンである、請求項１に記載の製造方法。
3. 一般式（３）で表されるイリジウム錯体の光学活性ビスホスフィンが光学活性ＤＴＢＭ−ＳＥＧＰＨＯＳであり、一般式（４）で表されるイリジウム錯体の光学活性ビスホスフィンが光学活性ＤＩＦＬＵＯＲＰＨＯＳである、請求項１又は２に記載の製造方法。
4. イリジウム錯体が一般式（３）で表される錯体である、請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
5. ＨＸが臭化水素又はヨウ化水素である、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。