JP2014146663A - 冷却装置の製造方法、冷却装置及びこれを備えた電子部品パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】冷却装置の製造方法は、内部に冷媒の流通経路が形成された一体成形の冷却装置の製造方法であって、複数の櫛歯状部が設けられた流路形成板と天板及び底板を重ね合わせ、積層配置する工程と、積層配置された前記流路形成板と前記天板及び前記底板を拡散接合して一体化する工程と、を含む。前記溝形成工程において、前記冷媒の流通経路となる複数の溝を形成し、並列した複数の櫛歯状部と前記溝と交差する方向に延び、前記複数の櫛歯状部を接続する接続部を形成する。
【選択図】図3
Description
図1(A)は第1実施形態の冷却装置1を天板2側から観た斜視図であり、図1(B)は、第1実施形態の冷却装置1を底板5側から観た斜視図である。図2は第1実施形態の冷却装置1を備えた電子部品パッケージ100の図1におけるA−A線断面図である。
つぎに、第2実施形態について図10、図11を参照しつつ説明する。図10は第2実施形態の冷却装置30を示す斜視図である。図11は図10におけるB−B線断面図である。冷却装置30が第1実施形態の冷却装置1と異なる点は、冷却装置30が、天板32側と底板35側にそれぞれ凹部32a、35aと備えている点である。凹部32a、35aには、それぞれ、基板10に実装されたLSI11が収納される。これにより、冷却装置30は、複数の面に基板10を装備した電子部品パッケージ110を形成することができる。冷却装置30と基板10との接合には、従来公知の接合方法を採用することができる。冷却装置30は、内部に冷媒36の流通経路36を備え、また、接続部37a〜37fを備えている。
つぎに、第3実施形態について、図12乃至図15を参照しつつ説明する。図12を参照すると、冷却装置40は、第1実施形態の冷却装置1と同様に、冷媒導入口42、冷媒排出口43及び冷媒の流通経路41を備える。また、基板10に実装されたLSI11を収納する凹部44を備えている。冷却装置40は、基板10に装着されることにより、第1実施形態と同様に電子部品パッケージ120を形成する。ただし、冷却装置40は、第1実施形態の冷却装置1と異なり、接続部を備えていない。このように、接続部を備えていない冷却装置1は、以下に説明する方法によって製造することができる。以下、図13に示すフロー図に従って、その製造方法について説明する。
2 天板
3 冷媒導入口
4 冷媒排出口
5 底板
5a 凹部
6、7、8 流路形成板
6a、6b、7a、7b、8a、8b 空間
6c、7c、8c 溝
6d、7d、8d 櫛歯状部
6e、7e、8e 接続部
10 基板
11 LSI(電子部品)
12 TIM
13 アンダーフィル
15 流路
16a〜c、37a〜f 接続部
17 フィン(櫛板状部)
100、110、120 電子部品パッケージ
Claims (7)
- 内部に冷媒の流通経路が形成された一体成形の冷却装置の製造方法であって、
複数の櫛歯状部が設けられた流路形成板と天板及び底板を重ね合わせ、積層配置する工程と、
積層配置された前記流路形成板と前記天板及び前記底板を拡散接合して一体化する工程と、
を含む冷却装置の製造方法。 - 前記流路形成板は、前記複数の櫛歯状部と交差する方向に延び、前記複数の櫛歯状部を接続する接続部を有する請求項1に記載の冷却装置の製造方法。
- 前記積層配置する工程において、前記天板と前記底板との間に、前記接続部の形成位置が前記冷媒の流通方向に沿って異なる複数の前記流路形成板を配置する請求項2に記載の冷却装置の製造方法。
- 前記前記流路形成板の櫛歯状部と前記接続部は同じ厚さである請求項2又は3に記載の冷却装置の製造方法。
- 内部に冷媒の流通経路が形成された一体成形の冷却装置の製造方法であって、
型枠内に前記流通経路を形成する中子と、母材を副材によってコーティングした粉末材料を配置する工程と、
前記粉末材料を加熱して前記母材と前記副材を前記中子の融点よりも高い融点を有する合金に変化させるとともに焼結する工程と、
前記中子を溶融して排出する工程と、
を含む冷却装置の製造方法。 - 内部に複数の櫛板状部で区画された冷媒の流通経路が形成され、前記冷媒の流通方向を横切る方向に延び、前記複数の櫛板状部を接続する接続部を備えた同一材料による同一体構造を有する冷却装置。
- 内部に複数の櫛板状部で区画された冷媒の流通経路が形成され、前記冷媒の流通方向を横切る方向に延び、前記複数の櫛板状部を接続する接続部を備えた同一材料による同一体構造を有する冷却装置と、
電子部品を実装し、前記冷却装置が装着された基板と、
を備える電子部品パッケージ。
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---|---|---|---|---|
US10763186B2 (en) * | 2018-12-31 | 2020-09-01 | Micron Technology, Inc. | Package cooling by coil cavity |
US11915996B2 (en) * | 2019-05-09 | 2024-02-27 | Intel Corporation | Microelectronics assembly including top and bottom packages in stacked configuration with shared cooling |
EP3886146A1 (en) * | 2020-03-23 | 2021-09-29 | Arrival Limited | Heat sink |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053206A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | マルチチップモジュールの冷却装置 |
JP2001308246A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2004095599A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Denso Corp | 積層冷却器 |
JP2005019905A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 冷却装置 |
JP2006294943A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sony Corp | 半導体レーザ装置及びヒートシンク |
JP2007012719A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Honda Motor Co Ltd | 冷却器およびその製造方法 |
JP2012013249A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | T Rad Co Ltd | プレート積層型ヒートシンク |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4749032A (en) * | 1979-10-01 | 1988-06-07 | Rockwell International Corporation | Internally manifolded unibody plate for a plate/fin-type heat exchanger |
US4651811A (en) * | 1982-02-27 | 1987-03-24 | Kraftanlagen Ag | Heat exchanging body |
US5125451A (en) * | 1991-04-02 | 1992-06-30 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Heat exchanger for solid-state electronic devices |
JPH06265284A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-09-20 | Nippondenso Co Ltd | 熱交換器 |
US20010030043A1 (en) * | 1999-05-11 | 2001-10-18 | William T. Gleisle | Brazed plate heat exchanger utilizing metal gaskets and method for making same |
JP2003008273A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Fanuc Ltd | 冷却装置及び光源装置 |
US6989134B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-24 | Velocys Inc. | Microchannel apparatus, methods of making microchannel apparatus, and processes of conducting unit operations |
US9157687B2 (en) * | 2007-12-28 | 2015-10-13 | Qcip Holdings, Llc | Heat pipes incorporating microchannel heat exchangers |
EP2349392B1 (en) * | 2008-10-10 | 2016-05-18 | Gambro Lundia AB | Heat exchanger and method for heat exchanging |
WO2010069874A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Swep International Ab | Reinforced heat exchanger |
US9163882B2 (en) * | 2011-04-25 | 2015-10-20 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Plate heat exchanger with channels for ‘leaking fluid’ |
US8544294B2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-10-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Plate-based adsorption chiller subassembly |
-
2013
- 2013-01-28 JP JP2013013678A patent/JP2014146663A/ja active Pending
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053206A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Hitachi Ltd | マルチチップモジュールの冷却装置 |
JP2001308246A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2004095599A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Denso Corp | 積層冷却器 |
JP2005019905A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 冷却装置 |
JP2006294943A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sony Corp | 半導体レーザ装置及びヒートシンク |
JP2007012719A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Honda Motor Co Ltd | 冷却器およびその製造方法 |
JP2012013249A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | T Rad Co Ltd | プレート積層型ヒートシンク |
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