CN113597825B - 基于焊接技术构造的电子转换器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种变流器(10)，其包括冷却壳体(12)和至少一个半导体模块(11)，其中，所述至少一个半导体模块(11)包括半导体芯片(13)、具有第一侧(15)和第二侧(16)的基底(14)、具有第一侧面(18)和第二侧面(19)的基板(17)和模塑材料(20)，其中，半导体芯片(13)与基底(14)的第一侧(15)连接，其中，基底(14)的第二侧(16)与基板(17)的第一侧(18)连接，其中，基板(17)的第二侧面(19)具有第一区域(21)和第二区域(22)，其中，第一区域(21)具有散热结构(23)形式的表面扩展部(23)，其中，第一区域(21)利用表面扩展部(23)在工作状态下与冷却液直接接触，其中，第二区域(22)形成围绕第一区域(21)的闭合路径，其中，冷却壳体(12)具有带至少一个缺口(25)的板(24)，其中，该板(24)围绕缺口(25)与基板(17)的第二区域(22)通过焊接连接。此外本发明涉及一种用于制造上述变流器的方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种变流器，其包括半导体模块和冷却壳体，其中半导体模块包括半导体芯片、具有第一侧和第二侧的基底、具有第一侧面和第二侧面的基板和模塑材料。
背景技术
现有技术中已知了将以树脂包覆的模块被钎焊接到公共的基板或公共的冷却器中。
文献US 6,594,149 B2公开了一种液体冷却的电路装置，所述电路装置具有模块，该模块带有电路元件和模块基板，电路元件安装在模块基板表面上，电路装置还具有用于接纳模块的电路壳体和与模块的模块基板的背侧接触的、用于冷却液流动的冷却液腔。模块的模块基板被装配在开口中并且被无间隙地焊接，该开口被设计在形成冷却液腔的元件中。
从文献US 6,473,303 B2中已知一种用于高功率半导体模块的冷却装置，所述冷却装置具有冷却器下部和冷却器上部，其中，冷却器上部通过材料锁合的连接方式与冷却器下部连接。冷却器上部具有由金属基复合材料制成的冷却板，至少一个半导体构件可以被安装在该冷却板上。在冷却板上成形有金属边缘，以便能够实现冷却器上部和冷却器下部之间的材料锁合的连接。
由文献DE 10 2006 009 978 B4公知，提供一种功率半导体模块，其具有至少一个半导体单元和作为载体的底板。各个半导体单元包括具有上侧和下侧的基底。在基底的上侧上设置至少一个半导体单元。底板本身具有上侧，各相应半导体单元以其下侧、即以半导体单元的相应基底的下侧安装在底板的上侧上。
发明内容
本发明的目的是提供一种装置，该装置能够实现将成型和烧结的紧凑半桥模块以六只装(Sixpack)构型的形式安置在封闭的冷却器中。
该目的通过具有权利要求1的特征的变流器以及通过具有权利要求5的特征的方法来实现。有利的改进方案和实施方式是说明书和附图说明的主题。
本发明的主题是一种变流器，其包括至少一个半导体模块和冷却壳体，其中，所述至少一个半导体模块包括半导体芯片、具有第一侧和第二侧的基底、具有第一侧面和第二侧面的基板以及模塑材料或灌封料(mold compound)。
根据本发明，半导体芯片与基底的第一侧连接，其中，基底的第二侧与基板的第一侧面连接，其中，基板的第二侧面具有第一区域和第二区域，其中，第一区域具有例如通过冷却肋和/或冷却针实现的、散热结构形式的表面扩展部，其中，第一区域利用表面扩展部在运行状态中与流过散热结构的冷却液直接接触，其中，第二区域形成围绕第一区域的闭合路径，其中，冷却壳体具有带有至少一个孔的板，其中，该板与基板的第二区域围绕孔通过焊接相连接。
本发明使得能够通过焊接技术将三个半导体模块、尤其是单半桥模块集成到公共的板中并焊接上盖，从而建立冷却路径或流体池。焊接工艺不会影响半导体模块的功能性，并且允许在不使用O形环或螺栓的情况下制造密封容器。由此可以实现具有高可靠性和高耐温性的紧凑的解决方案。
通常对基底进行烧结。基底被设置用于接纳基板。
半导体模块的基板被设置和构造成能够与板、尤其是金属板焊接。在改进方案中，板具有六只装(Six-Pack)构型，其具有由总共六个半导体开关(组装成)的三个半桥模块。包括至少一个半导体模块的板被设置成能够被盖封闭。盖和包括至少一个半导体模块的板被设置用于在接合状态下构成冷却路径。冷却路径设置用于引导冷却流体。通常，根据本发明的变流器包括三个半导体模块、尤其是半桥模块。
为了将基板和板连接，所述焊接可以是激光焊接。由此限制最高温度和由温度引起的机械应力。为了将板与盖连接，焊接可以是激光焊接、摩擦搅拌焊接或电弧焊接、特别是CMT焊接。CMT表示Cold Metal Transfer(冷金属过渡)并且是一种特殊的电弧焊接方法。
通常，基板和板具有相同的材料，其中，可使用的焊接技术可以是不同的。可选地，基板和板可包括不同铝合金。激光焊接提供的优点是无压力并且非常快速，并且不具有高的焊接温度。激光焊接对于将半导体模块连接到板上特别有利。
摩擦搅拌焊接和CMT焊接对于板与盖的连接是特别有利的，这是因为对最大温度和机械应力的要求低于在将半导体模块与板连接时的要求。
基板通常具有可以在所选择的焊接技术之一中使用的材料，以便获得对于冷却液所需的密封性。该材料应提供在热性能、可靠性、耐腐蚀性和可焊性之间的尽可能最佳的折衷。
通常，基板具有表面结构，当基板布置在冷却回路中时，该表面结构不需要用于电腐蚀防护的涂层(例如镍)。例如，基板被构造为铜/铝板。在此，基板具有铝覆层的区域，该区域设置用于与冷却介质、尤其冷却流体接触或建立接触。由铝构成的或者在与冷却流体接触的区域中利用铝覆层的基板提供如下优点，即，该基板通常不需要表面改善或者不需要其它涂层作为腐蚀防护。相反，为与冷却流体接触，铜通常涂覆有镍。可选地，基板由AlSiC制成，其中，基板在焊接区域中具有富含铝的区域。
盖包括至少一个出入口，以形成冷却通路。
在本发明的一个改进方案中，板由铝或铝基合金构成。
在该结构中，基板由在第二区域上带有富含铝的区段的AlSiC构成，由此可便于使用。可替代地，基板由铝覆层的铜制成。
在一种改进方案中，基板的第二侧面具有边缘，第二区域形成边缘的头部或突出部。边缘提供的优点是，提高了焊缝或焊缝的至少一个焊点与半导体芯片之间的间距。焊接和半导体芯片之间的较大距离在焊接技术的选择上提供了更大的灵活性。焊接技术可以是激光焊接或摩擦搅拌焊接，也可以叠加地或组合地实施。激光焊接设备或摩擦搅拌焊接设备必须穿透板厚度，以实现板与基板之间的连接部位。替代地，作为焊接技术可以使用电弧焊接、尤其是CMT焊接，其方式是，将连接材料施加到板与基板之间的连接部位上。
在一个改进方案中，边缘被构造为肩部，其中，在基板的第二侧面的相应的第二区域中分别构造有肩部，其中，至少一个肩部被构造为铝覆层的。基板的材料通常设置为可焊接的。为了防止产生脆性的金属间相，基板在焊点或各个焊点处的材料是铝。
在一个实施方式中，半导体芯片和基底借助环氧树脂被封装在模塑材料中。
本发明的主题还包括一种用于制造前述变流器的方法，该变流器包括冷却壳体和至少一个半导体模块，其中，所述至少一个半导体模块包括半导体芯片、具有第一侧和第二侧的基底、具有第一侧面和第二侧面的基板和模塑材料。
根据本发明，在第一步骤中，将至少一个半导体模块引入到板中。半导体模块是单半桥模块。通常，三个半导体模块被引入到一个公共的板中。
在另一步骤中，将至少一个半导体模块的基板的第二侧面与板焊接。通常，将三个具有烧结的基底的注塑包封的半导体模块焊接到一个公共的板、尤其铝板上。焊接在此从冷却介质的一侧、即基板的第二侧面开始实施，这是因为基板的第一侧面由于模塑材料而无法触及/进入。
在另一步骤中，将盖施加到板上。将盖焊接到板。
接着将盖与板焊接并且形成冷却路径。冷却流体通过至少一个出入流过冷却路径。
附图说明
借助于实施方式在附图中示意性地示出并且参考附图进一步描述本发明，其中，相同的部件用相同的附图标记表示。在此示出：
图1a示出根据本发明的半导体模块的一个实施方式的透视图，该半导体模块被设计为单半桥模块，
图1b示出根据本发明的变流器的一个实施方式的冷却壳体的板的透视图，
图2a示出焊接在一个公共的板上的三个单半桥模块的俯视图，
图2b示出焊接在一个公共的板上的三个单桥模块的在图2a中示出的布置结构的剖视图，
图3a示出根据本发明的具有肩部基板的单半桥模块的一个实施方式，
图3b示出根据本发明的布置结构的俯视图，其中将三个具有肩部基板的单半桥模块焊接在一个公共的板上，
图3c示出在图3b中示出的将三个单半桥模块布置在一个公共的板上的布置结构的横剖图，
图4a示出根据本发明的变流器的一个实施方式的冷却壳体的盖，其具有用于形成冷却路径的入口和出口。
图4b示出在图4a中示出的用于遮盖板的盖，该盖包括处于安放到所述板上的状态中的单半桥模块，
图5a示出根据本发明的变流器的基板的一个实施方式，
图5b示出根据本发明的变流器的基板的另一实施方式，
图5c示出根据本发明的变流器的基板的又一实施方式，
图6示出根据本发明的基板的结构的一个实施方式。
具体实施方式
图1a示出了根据本发明的构造为单半桥模块11的半导体模块的一个实施方式的透视图。该半导体模块包括半导体芯片13、具有第一侧15和第二侧16的基底14、具有第一侧面18(在此不可见)和第二侧面19的基板17以及模塑材料20。
半导体芯片13被连接至基底14的第一侧15，其中，基底14的第二侧16被连接至基板17的第一侧面18。
基板17的第二侧面19具有第一区域21和第二区域22。第一区域21具有冷却肋23形式的表面扩展部。第一区域21利用表面扩展部在运行状态中与冷却液直接接触，其中，第二区域22在变流器中形成在闭合状态下围绕第一区域21的闭合路径。
图1b示出根据本发明的变流器的一个实施方式的冷却壳体12的板24的透视图。板24具有三个缺口25，这些缺口分别被设立用于接纳在图1a中示出的半导体模块。板24由铝或铝基合金构成，其中，板24在与半导体模块相接合的状态中围绕缺口25通过焊接与基板17的第二区域22连接。
图2a示出了变流器10的焊接在一个公共的板24上的三个单半桥模块11的俯视图。在此示出了板24的三个缺口25，单半桥模块11被容纳在缺口中。单半桥模块11与一个公共的板24焊接。由此提供一种基于三个单独的半桥模块的六只装布置结构，其中，每个单独的半桥模块分别具有两个半导体开关，所述半导体开关具有注塑成型的和烧结的基底。
图2b示出焊接在一个公共的板24上的三个单半桥模块11的——在图2a中示出的——布置结构的剖面图。在此，冷却肋23伸入到板24的缺口25中。
图3a示出了根据本发明的具有肩部基板27的单半桥模块11。肩部基板27构造在基板17的第二侧面19上。肩部基板27具有边缘28。该边缘构造在基板17的第二侧面19上，并且基板17的第二侧面19的第二区域22形成边缘的突出部或头部。在本实施例中，边缘28被设计为肩部，该肩部被设计成从第二区域22出发与冷却肋23相同地取向。肩部28围绕冷却肋23环绕地构造。
图3b示出根据本发明的——在图3a中示出的——具有肩部基板27的三个单半桥模块11焊接在一个公共的板24上的布置结构的俯视图。
图3c示出了将三个单半桥模块11布置在一个公共的板24上的——在图3b中示出的——布置结构的横剖图。在此示出了具有肩部28的肩部基板27。此外示出了焊缝，三个单半桥模块11沿着该焊缝与板24焊接。
图4a示出了根据本发明的变流器的冷却壳体12的盖26，该盖具有两个出入口29。当冷却壳体12的盖26封闭时，借助于出入口29形成冷却路径。盖26在板24上与单半桥模块焊接。
图4b示出了——图4a中所示的——用于遮盖板24的盖26，该盖包括处于安装在板24上的状态和焊接状态下的单半桥模块1。
图5a示出根据本发明的变流器的基板17的一个实施方式。基板17具有第一侧面18和第二侧面19。基板17的第二侧面19在第一区域21中具有例如一体地从第二侧面19伸出的、冷却肋23形式的表面扩展部以及具有包围第一区域21的第二区域22。基板17的第一侧面18由铜构成。基板17的第二侧面19与表面扩展部、即在此与冷却肋23一起由铝构成。因此，基板17可以设计为具有冷却肋的、以铝覆层的铜基板。
图5b示出根据本发明的变流器的基板17的另一实施方式。基板17具有第一侧面18和第二侧面19。基板17的第二侧面19在第一区域21中具有从第二侧面19一体地伸出的表面扩展部，该表面扩展部具有在此例如为由铝制成的冷却肋23形式的散热结构，基板17的第二侧面19在第二区域22中具有带由铝制成的肩部28的肩部基板27。基板17的第一侧面18由铜构成。基板17的第二侧面19与散热结构、即在此与冷却肋23以及与肩部28一起由铝构成。
在本实施例中，肩部基板27直接集成到基板17中。肩部基板27在基板17的第二区域22中具有以铝覆层的肩部28。因此，基板17的一个实施例可以被设计成以铝覆层的铜基板，该铜基板具有冷却肋和以铝覆层的肩部28。
图5c示出根据本发明的变流器的基板17的又一实施方式。基板17具有第一侧面18和第二侧面19。基板17的第二侧面19在第一区域21中具有集成在基板中的或者从基板中伸出的表面扩展部，该表面扩展部形成散热结构并在此例如为冷却肋23形式。基板17由AlSiC(铝碳化硅)构成。在图5c中示出的实施方式在焊接不为处在第二侧面19的第二区域22中具有富含铝的区域，其通过窄阴影线表示。通过将焊接部位设计在基板17第二侧面19的由铝制成的第二区域22中，防止出现脆性的金属间相。
图6示出根据本发明的基板17的结构的一个实施方式。基板17具有第一侧面18和第二侧面19。在第二侧面19上，在第一区域21中布置有施加到第二侧面19上的或布置在第二侧面19上的表面扩展部，该表面扩展部为冷却肋23的形式。基板17的第二侧面19在第二区域22中具有铝覆层，如通过窄的阴影线示出的那样。
附图标记列表：
10 变流器
11 单半桥模块
12 冷却壳体
13 半导体芯片
14 基底
15 基底的第一侧
16 基底的第二侧
17 基板
18 基板的第一侧面
19 基板的第二侧面
20 模塑材料
21 基板的第二侧面19的第一区域
22 基板的第二侧面19的第二区域
23 冷却肋
24 板、金属板
25 缺口
26 盖
27 肩部基板
28 边缘/肩部
29 出入口。
Claims (6)
1.一种变流器(10)，包括冷却壳体(12)和至少一个半导体模块，其中，所述至少一个半导体模块包括半导体芯片(13)、具有第一侧(15)和第二侧(16)的基底(14)、具有第一侧面(18)和第二侧面(19)的基板(17)和模塑材料(20)，其中，所述半导体芯片(13)与所述基底(14)的第一侧(15)连接，其中，所述基底(14)的第二侧(16)与所述基板(17)的第一侧面(18)连接，其中，所述基板(17)的第二侧面(19)具有第一区域(21)和第二区域(22)，其中，所述第一区域(21)具有散热结构形式的表面扩展部，其中，所述第一区域(21)利用表面扩展部在工作状态下与冷却液直接接触，其中，所述第二区域(22)形成围绕第一区域(21)的闭合路径，其中，冷却壳体(12)具有带至少一个缺口(25)的板(24)，其中，该板(24)围绕缺口(25)与基板(17)的第二区域(22)通过焊接相连接，其特征在于，所述基板(17)由带有在第二区域(22)上富含铝的区段的铝碳化硅AlSiC构成。
2.根据权利要求1所述的变流器(10)，其特征在于，所述板(24)由铝或铝基合金构成。
3.根据权利要求1所述的变流器(10)，其特征在于，所述基板(17)的第二侧面(19)具有边缘(28)，所述第二区域(22)是该边缘(28)的突出部。
4.根据权利要求3所述的变流器，其特征在于，所述边缘(28)被构造为肩部，其中，在基板(17)的第二侧面(19)的相应的第二区域(22)中分别构造有肩部，其中，至少一个肩部被设计为铝覆层的。
5.根据权利要求1所述的变流器(10)，其特征在于，半导体芯片(13)和基底(14)借助环氧树脂被封装在模塑材料中。
6.一种用于制造根据权利要求1至5中任一项所述的变流器(10)的方法，所述变流器包括冷却壳体(12)和至少一个半导体模块，其中，所述至少一个半导体模块包括半导体芯片(13)、具有第一侧(15)和第二侧(16)的基底(14)、具有第一侧面(18)和第二侧面(19)的基板(17)和模塑材料(20)，所述方法包括以下步骤：
a)将所述至少一个半导体模块引入到板中，
b)将所述至少一个半导体模块的基板的第二侧面与所述板焊接，
c)将盖施加到所述板上，
d)将所述盖与所述板焊接，从而形成冷却路径。
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN104425406A (zh) * | 2013-09-03 | 2015-03-18 | 赛米控电子股份有限公司 | 功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法 |
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| DE10006215A1 (de) * | 2000-02-11 | 2001-08-16 | Abb Semiconductors Ag Baden | Kühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul |
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