CN117157753A - 具有冷却体和至少一个半导体模块的半导体模块组件 - Google Patents

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CN117157753A CN202280026960.8A CN202280026960A CN117157753A CN 117157753 A CN117157753 A CN 117157753A CN 202280026960 A CN202280026960 A CN 202280026960A CN 117157753 A CN117157753 A CN 117157753A
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Abstract

本发明涉及一种半导体模块组件(2),其具有冷却体(4)和至少一个接触到冷却体(4)上的半导体模块(6)。为了实现与现有技术相比更有效的散热和成本更适宜的制造,本发明提出:冷却体(4)包括冷却体主体(8)和冷却体附件(10),冷却体附件(10)在第一表面(12)上具有通道结构体(14),在通道结构体中设有热传输流体(38),冷却体主体(8)具有冷却体主体表面(16),通道结构体(14)通过与冷却体主体(8)的冷却体主体表面(16)的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件(10)和冷却体主体(8)与热传输流体(38)直接接触,气密封闭的通道结构体(14)和热传输流体(38)构成与半导体模块(6)导热地连接的脉动热管。

Description

具有冷却体和至少一个半导体模块的半导体模块组件
技术领域
本发明涉及一种半导体模块组件,其具有冷却体和至少一个半导体模块。
本发明还涉及一种具有至少一个这种半导体模块组件的功率转换器。
背景技术
这种半导体模块组件通常用在功率转换器中。例如,功率转换器应被理解为整流器、逆变器、转换器或直流电压变换器。
随着例如通过平面结构和连接技术实现的结构和连接技术中的进一步小型化,半导体模块中的功率密度增加。为了避免由于热过载导致的电子故障,因此需要将更有效的和成本更适宜的设计用于半导体元件散热。
专利文献DE 10 2013 207 804 B4描述一种功率模块,其具有带电绝缘元件的基底,该基底具有第一金属覆层侧和相对置的第二金属覆层侧以及一个或多个半导体芯片,半导体芯片固定在基底的第一金属覆层侧处。多个导热结构在侧向上彼此间隔开并且各自直接固定在基底的第二金属化侧处,使得多个导热结构从第二金属化侧向外伸出。
专利文献US10,665,525B2描述一种具有包括半导体芯片的模块的设备。该设备可以包括与模块耦接并且具有基底和多个凸起的冷却体。该设备可以包括带有通道的覆盖件,冷却体的多个凸起设置在该通道内并且可以包括设置在覆盖件和模块之间的密封机构。
公开文献DE 10 2018 206 020 A1描述一种具有负载电路板的装置,在负载电路板上设置有至少一个电气/电子器件。在负载电路板中构造有至少一个热管。
发明内容
在此背景下,本发明的基本目的是提出一种半导体模块组件,其与现有技术相比实现更有效的散热和成本更适宜的制造。
根据本发明,该目的通过一种半导体模块组件实现,该半导体模块组件具有冷却体和至少一个半导体模块,半导体模块接触到冷却体上,其中,冷却体包括冷却体主体和冷却体附件,其中,冷却体附件在第一表面上具有通道结构体,在该通道结构体中设置有热传输流体,其中,冷却体主体具有冷却体主体表面,其中,通道结构体通过与冷却体主体的冷却体主体表面的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件和冷却体主体与热传输流体直接接触,其中,由气密封闭的通道结构体和热传输流体构成脉动热管,该脉动热管与半导体模块导热地连接。
根据本发明,该目的还通过一种半导体模块组件实现,其具有冷却体和至少一个半导体模块,该半导体模块接触到冷却体上,其中,冷却体包括冷却体主体和冷却体附件,其中,冷却体主体具有冷却体主体表面,其中,在冷却体主体表面上构成通道结构体,在该通道结构体中设置有热传输流体,其中,冷却体附件具有第一表面,其中,通道结构体通过与冷却体附件的第一表面的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件和冷却体主体与热传输流体直接接触,其中,由气密封闭的通道结构体和热传输流体构成脉动热管,该脉动热管与半导体模块导热地连接。
根据本发明,该目的还通过一种具有至少一个这种半导体模块组件的功率转换器来实现。
下面列出的与半导体模块组件相关的优点和优选设计方案可以转用于功率转换器。
本发明基于如下考虑:经由具有脉动热管的冷却体来成本适宜地对半导体模块组件的至少一个半导体模块进行散热。脉动热管(pulsating heat pipe,PHP)又称振荡热管(oscillating heat pipe,OHP),是一种具有闭合的通道结构体的用于热传递的设备,在该设备中设有热传输介质,热传输介质沿着通道结构体通过热传输介质的表面张力交替地形成蒸汽段和液体段。蒸汽段和液体段通过温度梯度激励进行脉动或振荡。在热源处,蒸汽段由于温度较高而膨胀;液体的热传输介质还在该处沸腾并在此吸收潜热。在热沉处,蒸汽段由于气态热传输介质的冷凝而收缩并在此释放潜热。局部温度和压力差驱动蒸汽段和液体段的持续脉动或振荡。
这种脉动热管的成本适宜的实现方式如下地实施,即冷却体包括冷却体主体和冷却体附件,至少一个半导体模块接触到冷却体上。半导体模块可以通过熔焊、焊接、烧结或通过机械压制、例如借助旋拧接合来接触,并且可选地例如借助密封环来密封。在冷却体附件的背离至少一个半导体模块的一侧上接入用于接收热传输流体的通道结构体,热传输流体例如包含水、丙酮或甲醇,其中该通道结构体通过冷却体附件与冷却体主体的冷却体主体表面的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件和冷却体主体与热传输流体直接接触。整体连接例如借助粘接、焊接、熔焊或烧结来建立。当热传输流体与冷却体附件和冷却体主体直接接触并且在其之间不存在部件时处于接触时,在此存在直接接触。通过包含热传输流体的气密封闭的通道结构体构成脉动热管,该脉动热管与半导体模块导热地连接。
可替代地,用于接纳热传输流体的通道结构体构成在冷却体主体的冷却体主体表面上,其中通道结构体通过冷却体主体的冷却体主体表面与冷却体附件的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件和冷却体主体均与热传输流体直接接触。
这种半导体模块组件实现了使用例如挤压形成的标准冷却体作为冷却体主体,从而实现好的成本定位。冷却体附件例如可以借助于压铸来成本适宜地制造。不需要脉动热管作为专用的附加构件。用热传输流体填充脉动热管可以根据标准工艺进行。此外,通过脉动热管实现有效的散热,使得例如对于至少一个半导体模块不需要铜底板。
冷却体附件具有中间件和设置在两侧的端部件,其中,中间件包括通道结构体的基本上平行设置的通道,并且其中,设置在两侧的端部件各自具有通道结构体的偏转通道,其中,偏转通道设置成使得偏转通道在中间件的基本上平行的通道之间建立流体连接。偏转通道例如设计成槽。特别地,端部件分别与中间件进行整体连接。例如,相应的端部件和中间件之间的整体连接被气密密封以防止热传输流体逸出。冷却体附件的中间件和端部件例如由金属材料制成,尤其由铝或铝合金制成。由于通道结构体的平行设置的通道,可以例如通过挤压简单且便宜地制造中间件。
另一个实施方式提出:冷却体主体在背离冷却体附件的一侧上具有多个冷却翅片,其中,中间件的基本上平行的通道设置成横向于冷却翅片延伸。通过这种沿对角线设置实现改进的温度分布,从而实现更有效的散热。
另一个实施方式提出:至少一个半导体模块包括基底,基底包括至少一个半导体元件和设置在背离半导体元件的一侧上的金属化部,其中,基底的金属化部直接与冷却体附件连接。特别地,基底的金属化部和冷却体附件的至少一部分可以一件式地构成。在本文中可将直接连接理解为如下的直接连接,其包括用于建立直接连接的连接件、例如粘合剂、焊接剂或烧结剂,但不包括附加连接元件、例如间隔件或底板。由于省略了这种附加连接元件,实现了半导体模块的改进的热连接,从而改进散热。
另一个实施方式提出:冷却体附件在第二表面上具有腔体,半导体模块在该腔体中与冷却体附件接触。例如具有矩形外轮廓的腔体特别通过切削加工、例如铣削来置入。通过腔体,半导体模块可以设置得更靠近脉动热管,这导致散热的改进。
另一个实施方式提出:腔体设计成使得半导体模块与热传输流体直接接触。如果热传输流体与半导体模块的部分直接并且在中间没有部件的情况下接触,则在本文中存在直接接触。例如,腔体的深度被选择成至少大至使得腔体的深度和通道的第二深度相加形成冷却体附件的总厚度。通过这种直接接触降低了接触热阻。
另一个实施方式提出:至少冷却体附件的中间件例如借助于挤压由铝或铝合金制成。例如,与铸造的冷却体附件相比,挤压的冷却体附件可以由硅份额较低(例如0.5%)的铝合金制成,从而实现改进的导热性。尤其与由塑料制成的冷却体附件相比,这种由铝或铝合金制成的冷却体附件改进半导体模块的热连接。
另一个实施方式提出:冷却体附件由介电材料制成,该介电材料尤其完全利用金属材料覆层,其中,半导体模块通过焊接与冷却体附件连接。介电材料例如是陶瓷材料或塑料。由塑料制成的冷却体附件轻并且可以例如通过铸造被成本适宜地制造。可以通过电镀、热喷涂方法或者特别是化学或物理气相沉积来成本适宜并且可靠地用金属材料、例如铜尤其完整地进行覆层。例如,通过金属覆层实现改进的气密性。
另一个实施方式提出:冷却体附件由介电材料制成,半导体模块通过粘接与冷却体附件连接。特别地,冷却体附件充当绝缘体。介电材料例如是陶瓷材料或塑料。由塑料制成的冷却体附件轻且例如通过铸造、特别是注射成型可成本适宜地制造。由陶瓷材料制成的冷却体附件具有几乎最佳的绝缘特性和良好的导热性。
另一个实施方式提出:半导体模块的至少一个半导体元件直接接触到金属化部上,其中,介电材料设计成电绝缘的,其中,半导体模块的金属化部直接粘接在由介电材料制成的冷却体附件上。因此省略了基底的介电材料层,从而通过这种直接接触减少了接触热阻。
附图说明
下面根据附图中示出的实施例更详细地描述和解释本发明。
附图示出:
图1示出半导体模块组件的第一设计方案的三维示意图,
图2示出半导体模块组件的第二设计方案的横截面的示意图,
图3示出半导体模块组件的第三设计方案的纵向截面的示意图,
图4示出半导体模块组件的第一设计方案的局部的三维示意图,
图5示出半导体模块组件的第四设计方案的横截面的示意图,
图6示出半导体模块组件的第四设计方案的纵向截面的示意图,
图7示出半导体模块组件的第五设计方案的局部的横截面的示意图,
图8示出半导体模块组件的第六设计方案的局部的横截面的示意图,
图9示出半导体模块组件的第七设计方案的横截面的示意图,
图10示出半导体模块组件的第八设计方案的横截面的示意图,
图11示出功率转换器的示意图。
具体实施方式
在实施例中,实施方式的所描述的部件分别是本发明的各个可彼此独立考虑的特征,这些特征分别也彼此独立地改进本发明进而也可单独地或以与所示组合不同的组合视作为本发明的组成部分。此外,所描述的实施方式也可以通过本发明的已经描述的特征中的其他特征来补充。
相同的附图标记在不同的附图中具有相同的含义。
图1示出半导体模块组件2的第一设计方案的三维示意图。半导体模块组件2具有冷却体4和例如两个半导体模块6,半导体模块接触到冷却体4上。冷却体4具有冷却体主体8和冷却体附件10,其中冷却体附件10在第一表面12上具有通道结构体14,在该通道结构体中设置有热传输流体、例如水、丙酮或甲醇。冷却体主体8例如由铝或铝合金借助于挤压制成并且具有冷却体主体表面16。冷却体附件10与冷却体主体8的冷却体主体表面16进行整体连接。例如借助于粘接、焊接、熔焊或烧结来建立整体连接。经由整体连接将通道结构体14气密封闭,其中冷却体附件10和冷却体主体8与热传输流体直接接触。由气密封闭的通道结构体14和热传输流体构成脉动热管,该脉动热管与半导体模块6导热连接。
冷却体附件10具有中间件18和设置在两侧的两个端部件20,端部件与中间件18进行整体连接。相应的端部件20和中间件18之间的整体连接是气密密封的,以防止热传输流体逸出。冷却体附件10的中间件18和端部件20例如由金属材料、特别是铝或铝合金制成。中间件18包括通道结构体14的基本上平行设置的通道22,使得中间件可以借助于挤压来制造。设置在两侧的端部件20包括通道结构体14的偏转通道24,其中偏转通道24连接中间件18的基本上平行设置的通道22,进而在基本上平行设置的通道22之间建立流体连接。例如,偏转通道24设计成端部件20中的槽。
冷却体主体8在背离冷却体附件10的一侧上具有多个冷却翅片26,中间件18的基本上平行设置的通道22设置成横向于冷却翅片26延伸。
图2示出半导体模块组件2的第二设计方案的横截面的示意图,其中示例性的半导体模块6包括基底28。基底28具有厚度为25μm至400μm、特别是50μm至250μm的介电材料层30,介电材料层包含陶瓷材料、例如氮化铝或氧化铝或者包含有机材料、例如聚酰胺。基底28还具有金属化部32,金属化部设置在背离半导体元件30的一侧上并且例如包含铜。特别地,基底28的金属化部32和冷却体附件10的至少一部分、例如中间件18可以一件式地构成。半导体元件36接触到基底28的铜包覆件34上。半导体元件6例如包括晶体管T和二极管D,晶体管特别设计成绝缘栅双极晶体管(IGBT),二极管反并联连接于晶体管T。晶体管T可替代地设计成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或设计成双极晶体管。附加地或可替代地,半导体元件6包括数字逻辑模块、特别是现场可编程门阵列(FPGA)或其他半导体。特别地,晶体管T的面积至少为10mm2。基底28经由金属化部32与冷却体附件10直接整体连接。可将直接整体连接理解为如下的直接连接,其包括用于建立整体连接的连接件、例如粘合剂、焊接剂、烧结剂等,但不包括附加连接元件、例如附加导体、键合线、间隔件、底板等。
气密封闭的通道结构体14和热传输流体38构成与半导体模块6导热连接的脉动热管。气密封闭的通道结构体14的基本上平行设置的通道22具有尤其相同的矩形或梯形的横截面。图2中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图1中的设计方案。
图3示出半导体模块组件2的第三设计方案的纵向截面的示意图。通道结构体14具有蜿蜒形状的部分,其中通过基本平行设置的通道22和将通道连接的偏转通道24形成蜿蜒形状。可封闭的开口40设计用于输送热传输流体38。图3中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图2中的设计方案。
图4示出半导体模块组件2的第一设计方案的局部的三维示意图,其中示出冷却体附件10的中间件18,例如两个半导体模块6接触到中间件上。此外可见冷却体附件10的基本上平行设置的通道22,通道具有尤其相同的矩形横截面。图4中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图3中的设计方案。
图5示出半导体模块组件2的第四设计方案的横截面的示意图,其中冷却体附件10被一件式构成。一件式构成的冷却体附件10例如由铝或铝合金尤其借助于铸造方法制成并且与冷却体主体8进行整体连接,其中通道结构体14通过整体连接被气密封闭。例如通过焊接、熔焊或烧结来建立整体连接。
可替代地,一件式构成的冷却体附件10由介电材料制成,特别是借助于铸造方法制成,并且通过粘接与冷却体主体8进行整体连接,其中通道结构体14通过粘连被气密地封闭。介电材料例如是诸如氧化铝的陶瓷材料或尤其导热的塑料。在这种情况下,半导体模块6尤其借助导热粘合剂粘接在冷却体附件10上。可选地,一件式构成的并且由介电材料制成的冷却体附件10尤其完全借助金属材料进行覆层,并且例如通过焊接与冷却体主体8连接。在这种情况下,半导体模块6也可以粘接、烧结或焊接在冷却体附件10上。图5中的半导体模块组件2的其他的设计方案对应于图4中的设计方案。
图6示出半导体模块组件2的第四设计方案的纵向截面的示意图。一件式构成的冷却体附件10的通道结构体14具有蜿蜒形状的部分,其中通过基本平行设置的通道22和连接该通道的偏转通道24形成蜿蜒形状。可封闭的开口40设计用于输送热传输流体38。图6中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图5中的设计方案。
图7示出半导体模块组件的第五设计方案的局部的横截面的示意图,其中冷却体附件10在第二表面42上具有腔体44,半导体模块6在该腔体中与冷却体附件10接触。其中具有例如矩形外轮廓的腔体44的第一深度t1的尺寸被设计成使得半导体模块6的金属化层32与热传输流体38直接接触。如果热传输流体38与半导体模块6的金属化部32的部分直接并且在其中间没有部件的情况下接触,则在本文中存在直接接触。特别地,腔体44的第一深度t1和通道22的第二深度t2相加形成冷却体附件10的厚度d。腔体44例如通过铣削来制造。半导体模块6整体地、特别通过粘接或焊接与冷却体附件10连接。
由于脉动热管,围绕通道结构体14的材料的良好的导热性仅需要用于热量输入和热量输出。热量经由半导体模块6的金属化部32输入并且热量散发至冷却体主体8的冷却体主体表面16。因为脉动热管内的流动可以是绝热的,所以冷却体附件10可以由具有低导热率的塑料制成。图7中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图2或图5中的设计方案。
图8示出半导体模块组件2的第六设计方案的局部的横截面的示意图,其中冷却体附件10由塑料制成。半导体模块6包括直接在金属化部32上接触的半导体元件36。在本文中可将直接接触理解为如下的直接接触,其包括用于建立接触的连接件、例如粘合剂、焊接剂、烧结剂等,但不包括附加连接元件、例如附加导体、间隔件、底板等。半导体模块6的金属化部32直接粘接在由塑料制成的冷却体附件10上。图8中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图7中的设计方案。
图9示出半导体模块组件2的第七设计方案的横截面的示意图。冷却体主体8具有冷却体主体表面16,冷却体主体表面包括通道结构体14,在通道结构体中设置有热传输流体38、例如水、丙酮或甲醇。通道结构体14借助于冷却体主体8与冷却体附件10的第一表面12的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件10和冷却体主体8与热传输流体38直接接触,并且气密封闭的通道结构体14和热传输流体38构成与半导体模块6导热连接的脉动热管。
冷却体主体8具有中间件18和设置在两侧的端部件20,其中,中间件18包括通道结构体14的基本上平行设置的通道22,并且其中,设置在两侧的端部件20各自具有通道结构体14的偏转通道24,其中,偏转通道24设置成使得中间件18的基本上平行设置的通道22处于流体连接。冷却体主体8在背离冷却体附件10的一侧上具有多个冷却翅片26,中间件18的基本上平行设置的通道22设置成平行于冷却翅片26延伸。例如由铝或铝合金制成的冷却体主体8可以简单地借助于挤压模制。图9中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图2中的设计方案。
图10示出半导体模块组件2的第八设计方案的横截面的示意图,其中冷却体附件10在第二表面42上具有连贯的腔体44,半导体模块6在该腔体中与冷却体主体8接触。特别地,基底28的金属化部32与冷却体主体8进行整体连接,使得半导体模块6与热传输流体38直接接触。图10中的半导体模块组件2的其他设计方案对应于图9中的设计方案。
图11示出具有半导体模块组件2的功率转换器46的示意图。功率转换器46可以包括多于一个半导体模块组件2。
综上所述,本发明涉及一种半导体模块组件2,其具有冷却体4和至少一个接触到冷却体4上的半导体模块6。为了实现与现有技术相比更有效的散热和成本更适宜的制造,本发明提出:冷却体4包括冷却体主体8和冷却体附件10,其中,冷却体附件10在第一表面12上具有通道结构体14,在通道结构体中设置有热传输流体38,其中,冷却体主体8具有冷却体主体表面16,其中,通道结构体14通过与冷却体主体8的冷却体主体表面16的整体连接被气密封闭,使得冷却体附件10和冷却体主体8与热传输流体38直接接触,其中,气密封闭的通道结构体14和热传输流体38构成脉动热管,该脉动热管与半导体模块6导热地连接。

Claims (18)

1.一种半导体模块组件(2),具有至少一个半导体模块(6)和冷却体(4),所述半导体模块接触到所述冷却体(4)上,
其中,所述冷却体(4)包括冷却体主体(8)和冷却体附件(10),其中,所述冷却体附件(10)在第一表面(12)上具有通道结构体(14),在所述通道结构体中设置有热传输流体(38),
其中,所述冷却体主体(8)具有冷却体主体表面(16),
其中,所述通道结构体(14)通过与所述冷却体主体(8)的所述冷却体主体表面(16)的整体连接被气密封闭,使得所述冷却体附件(10)和所述冷却体主体(8)与所述热传输流体(38)直接接触,
其中,由气密封闭的所述通道结构体(14)和所述热传输流体(38)构成脉动热管,所述脉动热管与所述半导体模块(6)导热地连接,
其中,所述冷却体附件(10)具有中间件(18)和设置在两侧的端部件(20),
其中,所述中间件(18)包括所述通道结构体(14)的基本上平行设置的通道(22),并且
其中,设置在两侧的所述端部件(20)各自具有所述通道结构体(14)的偏转通道(24),
其中,所述偏转通道(24)设置成使得所述偏转通道在所述中间件(18)的多个基本上平行设置的通道(22)之间建立流体连接。
2.根据权利要求1所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体主体(8)在背离所述冷却体附件(10)的一侧上具有多个冷却翅片(26),
其中,所述中间件(18)的基本上平行设置的通道(22)设置成横向于所述冷却翅片(26)延伸。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,至少一个所述半导体模块(6)包括基底(28),
所述基底包括至少一个半导体元件(36)和设置在背离所述半导体元件(36)的一侧上的金属化部(32),
其中,所述基底(28)的所述金属化部(32)直接与所述冷却体附件(10)连接。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体附件(10)在第二表面(42)上具有腔体(44),所述半导体模块(6)在所述腔体中与所述冷却体附件(10)接触。
5.根据权利要求4所述的半导体模块组件(2),
其中,所述腔体(44)设计成使得所述半导体模块(6)与所述热传输流体(38)直接接触。
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,至少所述冷却体附件(10)的所述中间件(18)由金属材料制成,尤其由铝或铝合金制成。
7.根据权利要求6所述的半导体模块组件(2),
其中,借助于挤压制造所述冷却体附件(10)的所述中间件(18)。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体附件(10)由介电材料制成,所述介电材料尤其完全利用金属材料覆层,
其中,所述半导体模块(6)通过焊接与所述冷却体附件(10)连接。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体附件(10)由介电材料制成,
其中,所述半导体模块(6)通过粘接与所述冷却体附件(10)连接。
10.根据权利要求8所述的半导体模块组件(2),
其中,所述半导体模块(6)的至少一个半导体元件(36)直接接触到金属化部(32)上,
其中,所述介电材料设计成电绝缘的,
其中,所述半导体模块(6)的所述金属化部(32)直接粘接至由介电材料制成的所述冷却体附件(10)。
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体主体(8)在背离所述冷却体附件(10)的一侧上具有多个冷却翅片(26),
其中,所述中间件(18)的基本上平行设置的通道(22)设置成横向于所述冷却翅片(26)延伸。
12.一种半导体模块组件(2),具有至少一个半导体模块(6)和冷却体(4),所述半导体模块接触到所述冷却体(4)上,
其中,所述冷却体(4)包括冷却体主体(8)和冷却体附件(10),其中,所述冷却体主体(8)具有冷却体主体表面(16),
其中,在所述冷却体主体表面(16)上构成通道结构体(14),在所述通道结构体中设置有热传输流体(38),
其中,所述冷却体附件(10)具有第一表面(12),
其中,所述通道结构体(14)通过整体连接被相对于所述冷却体附件(10)的所述第一表面(12)气密封闭,使得所述冷却体附件(10)和所述冷却体主体(8)与所述热传输流体(38)直接接触,其中,由气密封闭的所述通道结构体(14)和所述热传输流体(38)构成脉动热管,所述脉动热管与所述半导体模块(6)导热地连接,
其中,所述冷却体主体(8)具有中间件(18)和设置在两侧的端部件(20),
其中,所述中间件(18)包括所述通道结构体(14)的基本上平行设置的通道(22),并且
其中,设置在两侧的所述端部件(20)各自具有所述通道结构体(14)的偏转通道(24),
其中,所述偏转通道(24)设置成使得所述中间件(18)的基本上平行设置的通道(22)处于流体连接。
13.根据权利要求12所述的半导体模块组件(2),
其中,至少一个所述半导体模块(6)包括基底(28),
所述基底包括至少一个半导体元件(36)和设置在背离所述半导体元件(36)的一侧上的金属化部(32),
其中,所述基底(28)的所述金属化部(32)直接与所述冷却体(4)连接。
14.根据权利要求12至13中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体附件(10)在第二表面(42)上具有连贯的腔体(44),所述半导体模块(6)在所述腔体中与所述冷却体主体(8)接触,使得所述半导体模块(6)与所述热传输流体(38)直接接触。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,至少所述冷却体主体(8)的所述中间件(18)由金属材料制成,尤其由铝或铝合金制成。
16.根据权利要求15所述的半导体模块组件(2),
其中,借助于挤压制造所述冷却体主体(8)的所述中间件(18)。
17.根据权利要求12至15中任一项所述的半导体模块组件(2),
其中,所述冷却体主体(8)在背离所述冷却体附件(10)的一侧上具有多个冷却翅片(26),
其中,所述中间件(18)的基本上平行设置的通道(22)设置成平行于所述冷却翅片(26)延伸。
18.一种功率转换器(46),具有至少一个根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块组件(2)。
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