JP2014146426A - アライメント測定装置およびアライメント測定方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】基板上に形成された複数レイヤーのうちのアライメント対象のパターンの位置に、基板を移動して位置づける移動手段と、位置づけた状態で、細く絞った電子線ビームを照射しつつ走査する走査手段と、走査手段で電子線ビームを照射しつつ走査した状態で、基板上に形成された複数レイヤーのうちの上層のパターンの画像を取得する上層画像取得手段と、走査手段で電子線ビームを照射しつつ走査した状態で、基板上に形成された複数レイヤーのうちの下層のパターンの画像を取得する下層画像取得手段と、取得した上層のパターンと上記下層のパターンとの位置ずれ量を測定する測定手段とを備える。
【選択図】 図1
Description
・第1層に第1絶縁層
・第2層に第2絶縁層と配線
・第3層に第3絶縁層とコンタクトホール(導体)
という順番に3層(3レイヤー)を作成した様子を模式的に表し、図5の(a)は断面図を示し、図5の(b)は上面図を示す。簡単のため配線部分だけを取り出して図示している。
・X方向シフト:
・Y方向シフト:
・方向(ベクトル差):
・シフト量:
・許容値:
・その他:
ここで、IDは、図7の(b)の配線パターン(点線の縦方向の帯状の配線パターン)とコンタクトホールの底部パターン(円状のパターン)との位置すれ量の測定データに対して付与した一意のIDである。X方向シフト、Y方向シフトは、IDで指定された例えば図7の(a),(b)の配線パターンとコンタクトホールの底部パターンとのX方向シフト量、Y方向シフト量である。方向(ベクトル差)は、X方向シフトとY方向シフトできまる方向(ベクトル差)である。シフト量は2つのパターンの一致した位置(最適な位置)からのシフト量である。許容量は、シフト量があっても許される許容量である。
Yシフト量=基準パターンの位置座標y1−ウェハー91のパターンの位置座標y2
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(式1)
図14は本発明の位置すれ量の表示例を示す。この図14は、層間パターンの位置すれ量の測定結果を模式的に表示したものである。図中の矢印は、図13の(式1)によって得られたアライメント(層間パターン)のズレ方向とその大きさである。この様に露光装置の最小プロセス単位である、ショット毎にアライメント方向を示すことによって、ショット毎にどちらの方向にどれだけ位置ズレが起こっているのかをひと目で確認することが出来る。正確なずれ値を知るために既述した図8の層間シフトテーブルに示すように数値で表示(記録)される。測定された層間シフトデータは露光装置が読めるフォーマットに変換した後、露光装置に送る。これらのアライメントずれ量は露光装置のショット間のズレの大きさと方向を示している。これらの情報を利用してずれ量が0になるようにアライメント情報を修正した後に露光装置に戻して再び露光を行うことにより、正常なアライメントがされた露光をウェハー91全体に得ることが出来る(図15参照)。
2:電子ビームコラム
3:電子ビーム
4:電子検出装置
5:真空チャンバー
6:XYステージ
7:ステージ制御装置
8:プレート
9:サンプル
90:薄膜
91:ウェハー
12:高圧電源
21、22:電流アンプ
23:AD
24:PC(パソコン)
25:移動手段
26:走査手段
27:画像取得手段
28:測定手段
29:評価手段
30:測定データ蓄積手段
31:CADデータ蓄積手段
32:露光装置
Claims (10)
- 基板上に形成された複数レイヤー上のパターン間のアライメントを測定するアライメント測定装置において、
前記基板上に形成された複数レイヤーのうちのアライメント対象のパターンの位置に、当該基板を移動して位置づける移動手段と、
前記位置づけた状態で、細く絞った電子線ビームを照射しつつ走査する走査手段と、
前記走査手段で電子線ビームを照射しつつ走査した状態で、前記基板上に形成された複数レイヤーのうちの上層のパターンの画像を取得する上層画像取得手段と、
前記走査手段で電子線ビームを照射しつつ走査した状態で、前記基板上に形成された複数レイヤーのうちの下層のパターンの画像を取得する下層画像取得手段と、
前記取得した上層のパターンと上記下層のパターンとの位置ずれ量を測定する測定手段と
を備えたことを特徴とするアライメント測定装置。 - 前記下層のパターンの画像として、細く絞った電子線ビームを照射しつつ走査したときに基板に流れる基板電流を検出して下層のパターンの画像を取得することを特徴とする請求項1記載のアライメント測定装置。
- 前記上層のパターンの画像として、細く絞った電子線ビームを照射しつつ走査したときに上層のパターンから放出される2次電子あるいは上層のパターンで反射した反射電子を検出して上層のパターンの画像を取得することを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載のアライメント測定装置。
- 前記取得した上層のパターンと上記下層のパターンとの位置ずれ量を測定し、予め設定した許容値と比較して許容値内のときにアライメントが良、許容値外のときにアライメントが不良と判定することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のアライメント測定装置。
- 請求項4でアライメント不良と判定された場合に、基板上の露光・現像済のレジストを剥離し、レジスト塗布、露光、現像をやり直す指示することを特徴とするアライメント測定装置。
- 前記上層のパターンと、前記下層のパターンとのサイズをそれぞれ測定して設計値とそれぞれ比較し、当該上層のパターンと下層のパターンとの露光装置の縮小率を算出あるいは両者の縮小率の誤差を算出することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のアライメント測定装置。
- 前記下層のパターンであるコンタクトあるいはビアホールのパターンの底から取得した当該コンタクトあるいはビアホールの底の下層画像と、前記上層のパターンであるコンタクトあるいはビアホールに接するように配置されたパターンの上層画像との位置関係を測定し、予め設定した許容値をもとにコンタクトホールあるいはビアホールのプロセスの良否を判定することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のアライメント測定装置。
- 前記上層のパターンと下層のパターンとの位置ずれ量は、露光装置で基板上に露光するショット毎の領域でそれぞれ測定したことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載のアライメント測定装置。
- 請求項2において、電子線ビームの加速電圧を可変し、最良のコントラストを有する下層のパターンの画像を取得することを特徴とするアライメント測定装置。
- 基板上に形成された複数レイヤー上のパターン間のアライメントを測定するアライメント測定方法において、
前記基板上に形成された複数レイヤーのうちのアライメント対象のパターンの位置に、当該基板を移動して位置づける移動ステップと、
前記位置づけた状態で、細く絞った電子線ビームを照射しつつ走査する走査ステップと、
前記走査手段で電子線ビームを照射しつつ走査した状態で、前記基板上に形成された複数レイヤーのうちの上層のパターンの画像を取得する上層画像取得ステップと、
前記走査手段で電子線ビームを照射しつつ走査した状態で、前記基板上に形成された複数レイヤーのうちの下層のパターンの画像を取得する下層画像取得ステップと、
前記取得した上層のパターンと上記下層のパターンとの位置ずれ量を測定する測定ステップと
を有することを特徴とするアライメント測定方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2018003288A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175300A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10106470A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写装置 |
JPH10281746A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Nec Corp | 位置検出装置および方法 |
JP2001194321A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウエハの検査装置 |
JP2002083849A (ja) * | 1999-11-05 | 2002-03-22 | Nec Corp | 半導体デバイス検査装置 |
JP2003007786A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体基板の検査方法およびその装置 |
JP2003247807A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 合わせ精度計測装置及びその方法並びに半導体装置の製造方法及びそのシステム |
JP2004071622A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Fab Solution Kk | 半導体装置製造工程管理方法および半導体装置製造工程管理システム |
JP2007019523A (ja) * | 2006-07-10 | 2007-01-25 | Hitachi Ltd | パターン評価方法及び装置 |
WO2007086400A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Ebara Corporation | 試料表面検査方法及び検査装置 |
WO2007102192A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Topcon Corporation | 半導体デバイス製造方法 |
JP2012118159A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Nsk Technology Co Ltd | 近接露光装置及び異物検出方法並びに基板の製造方法 |
JP2012160267A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
-
2013
- 2013-01-26 JP JP2013012724A patent/JP6362827B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05175300A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10106470A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Nikon Corp | 荷電粒子線転写装置 |
JPH10281746A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Nec Corp | 位置検出装置および方法 |
JP2002083849A (ja) * | 1999-11-05 | 2002-03-22 | Nec Corp | 半導体デバイス検査装置 |
JP2001194321A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウエハの検査装置 |
JP2003007786A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体基板の検査方法およびその装置 |
JP2003247807A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Hitachi Ltd | 合わせ精度計測装置及びその方法並びに半導体装置の製造方法及びそのシステム |
JP2004071622A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Fab Solution Kk | 半導体装置製造工程管理方法および半導体装置製造工程管理システム |
WO2007086400A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Ebara Corporation | 試料表面検査方法及び検査装置 |
WO2007102192A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Topcon Corporation | 半導体デバイス製造方法 |
JP2007019523A (ja) * | 2006-07-10 | 2007-01-25 | Hitachi Ltd | パターン評価方法及び装置 |
JP2012118159A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Nsk Technology Co Ltd | 近接露光装置及び異物検出方法並びに基板の製造方法 |
JP2012160267A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018003288A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US11373958B2 (en) | 2016-06-28 | 2022-06-28 | Sony Corporation | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method for prevention of metallic diffusion into a semiconductor substrate |
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