JP2014142486A - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
【課題】RF駆動電圧とともにDCバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とDCバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部における凹部とDCバイアス用相互作用部における凹部とは略同じ深さで形成され、DCバイアス用相互作用部には、バイアス電極が形成されたリッジ部の間の凹部に少なくとも1つの副リッジ部を設け、DCバイアスの電気力線が当該副リッジ部を通過するようにした。
【選択図】図2
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とDCバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部における凹部とDCバイアス用相互作用部における凹部とは略同じ深さで形成され、DCバイアス用相互作用部には、バイアス電極が形成されたリッジ部の間の凹部に少なくとも1つの副リッジ部を設け、DCバイアスの電気力線が当該副リッジ部を通過するようにした。
【選択図】図2
Description
本発明は、電気光学効果を利用して、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射し、RF駆動電圧とともにDCバイアス電圧が小さい光変調器に関する。
近年、高速、大容量の光通信システムが実用化されている。このような高速、大容量の光通信システムに組込むための高速、小型、低価格、かつ高安定な光変調器の開発が求められている。
このような要望に応える光変調器として、リチウムナイオベート(LiNbO3)のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板(以下、LN基板と略す)に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器(以下、LN光変調器と略す)がある。このLN光変調器は、その優れたチャーピング特性から2.5Gbit/s、10Gbit/sの大容量光通信システムに適用されている。最近はさらに40Gbit/sの超大容量光通信システムにも適用が検討されている。
以下、従来、実用化され、又は提唱されてきたリチウムナイオベートの電気光学効果を利用したLN光変調器について説明する。
(第1の従来技術)
特許文献1に開示された、z−カットLN基板を用いて構成した、いわゆるリッジ型LN光変調器を第1の従来技術の光変調器として図6に、その概略斜視図を示す。ここで、図7は図6の概略上面図であり、図8は図6と図7のA−A´線における概略断面図である。
特許文献1に開示された、z−カットLN基板を用いて構成した、いわゆるリッジ型LN光変調器を第1の従来技術の光変調器として図6に、その概略斜視図を示す。ここで、図7は図6の概略上面図であり、図8は図6と図7のA−A´線における概略断面図である。
z−カットLN基板1上に光導波路3が形成されている。この光導波路3は、金属Tiを1050℃で約10時間熱拡散して形成した光導波路であり、マッハツェンダ干渉系(あるいは、マッハツェンダ光導波路)を構成している。したがって、光導波路3の電気信号と光が相互作用する部位(相互作用部と言う)には2本の相互作用光導波路3a、3b、つまりマッハツェンダ光導波路の2本のアームが形成されている。
この光導波路3の上面にSiO2バッファ層2が形成され、このSiO2バッファ層2の上面に進行波電極4が形成されている。進行波電極4としては、1つの中心導体4aと2つの接地導体4b、4cを有するコプレーナウェーブガイド(CPW)を用いている。なお、通常、進行波電極4は貴金属材料であるAuにより形成されている。5はz−カットLN基板1を用いて製作したLN光変調器に特有の焦電効果に起因する温度ドリフトを抑圧するための導電層であり、通常はSi導電層を用いる。中心導体4aの幅は各種の値をとるが、多くの場合7μm程度であり、中心導体4aと接地導体4b、4cの間のギャップも各種の値をとるが、15μm〜60μm程度であることが多い。なお、説明を簡単にするために、図6では図示した温度ドリフト抑圧のためのSi導電層5を、図7や図8においては省略している。また、以下においてもSi導電層5は省略して議論する。6は高周波電気信号(あるいは、マイクロ波)の給電線であり、高周波コネクタやマイクロ波線路である。7は高周波電気信号の出力線路であり、通常電気的終端が使われるが、高周波コネクタやマイクロ波線路でも良い。
また、図7のIとして示された領域では中心導体4aと接地導体4b、4cとを伝搬する高周波電気信号と2本の相互作用光導波路3a、3bを伝搬する光とが相互作用するので高周波電気信号用相互作用部(あるいは簡単に相互作用部)と呼ばれる。
この第1の従来技術では、図8に示すように、z−カットLN基板1をエッチングなどで掘り込むことにより、凹部9a、9b、及び9c(あるいは、リッジ部8a、8bとも言える)を形成している。
このリッジ構造を採ることにより、高周波電気信号(あるいは、マイクロ波)の実効屈折率(あるいは、マイクロ波実効屈折率)、特性インピーダンス、変調帯域、駆動電圧などにおいて優れた特性を実現することができる。なお、図8では凹部9a、9b、及び9cの深さ(あるいはリッジ部8a、8bの高さ)を強調して描いているが、実際には数μm程度の深さであり、中心導体4aや接地導体4b、4cの厚みである数十μmに比較すると、その値は小さい。
次に、この第1の従来技術であるLN光変調器の動作について説明する。このLN光変調器を動作させるには、中心導体4aと接地導体4b、4c間にDCバイアス電圧と高周波電気信号とを印加する必要がある。
図9に示す電圧−光出力特性はLN光変調器の電圧−光出力特性であり、Vbはその際のDCバイアス電圧である。この図9に示すように、通常、DCバイアス電圧Vbは光出力特性の山と底の中点に設定される。この第1の従来技術では、高周波電気信号と光とが相互作用する相互作用部IにDCバイアス電圧も印加するので、高周波電気信号の出力部に設ける不図示の電気的終端にコンデンサーを具備させることによりバイアスTの機能を持たせる必要があり、構造が複雑となってしまう。
(第2の従来技術)
図10は第2の従来技術の上面図であって、第1の従来技術において必要であったバイアスTを無くすために、不図示の電気的終端を抵抗のみとし、DCバイアスを新たに設けたDCバイアス部IIに印加する構造とした、いわゆるバイアス分離型構造の光変調器である。この構造では、高周波電気信号が相互作用光導波路3a、3bと相互作用する高周波電気信号用相互作用部Iと、DCバイアス電圧が相互作用光導波路3a、3bに印加されるDCバイアス用相互作用部IIを具備している。その一例が特許文献2に開示されている。
図10は第2の従来技術の上面図であって、第1の従来技術において必要であったバイアスTを無くすために、不図示の電気的終端を抵抗のみとし、DCバイアスを新たに設けたDCバイアス部IIに印加する構造とした、いわゆるバイアス分離型構造の光変調器である。この構造では、高周波電気信号が相互作用光導波路3a、3bと相互作用する高周波電気信号用相互作用部Iと、DCバイアス電圧が相互作用光導波路3a、3bに印加されるDCバイアス用相互作用部IIを具備している。その一例が特許文献2に開示されている。
図10のB−B´線とC−C´線における断面図を、各々図11(a)と(b)に示す。ここで、4a´は中心導体、4b´と4c´は接地導体である。9a´、9b´、及び9c´はDCバイアス用相互作用部の凹部であり、リッジ部8a´、8b´を形成している。11aと11bはDCバイアス電極である。
ここで、図10と図11に示した第2の従来技術の問題点について考察する。これまで、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bとDCバイアス用相互作用部IIのリッジ部8a´、8b´はドライエッチングにより同時に形成されて来た。そのため、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiとDCバイアス用相互作用部IIのリッジ部8a´、8b´の高さHB´は同じ高さ、
Hi = HB´ (1)
である。つまり、一般的には、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部の高さHiとDCバイアス用相互作用部のリッジ部の高さHB´とを同じ高さに設定することが、高周波電気信号の電圧(つまり、RF駆動電圧、あるいはRFVπ)とDCバイアス電圧(あるいはDCVπ)の面から最も好適であると考えられていた。
Hi = HB´ (1)
である。つまり、一般的には、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部の高さHiとDCバイアス用相互作用部のリッジ部の高さHB´とを同じ高さに設定することが、高周波電気信号の電圧(つまり、RF駆動電圧、あるいはRFVπ)とDCバイアス電圧(あるいはDCVπ)の面から最も好適であると考えられていた。
ところが、本出願人は詳細なシミュレーションの結果、一般に高周波電気信号用相互作用部Iに要求される最適リッジ部の高さHi,optとDCバイアス用相互作用部IIに要求される最適リッジ部の高さHB,optとは異なっていることを見出した。従って、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiとDCバイアス用相互作用部IIのリッジ部8a´、8b´の高さHBとを同じ高さに設定する第2の従来技術では、RFVπとDCVπとを同時に低減することはできないことがわかった。
(第3の従来技術)
この問題を解決するために、本出願人は第3の従来技術(特許文献3)を提案した。図12にその第3の従来技術の上面図を示す。また図12のB−B´線とD−D´線における断面図を各々図13(a)と(b)に示す。第2の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部IとDCバイアス用相互作用部IIIとを備えるバイアス分離型の光変調器である。
この問題を解決するために、本出願人は第3の従来技術(特許文献3)を提案した。図12にその第3の従来技術の上面図を示す。また図12のB−B´線とD−D´線における断面図を各々図13(a)と(b)に示す。第2の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部IとDCバイアス用相互作用部IIIとを備えるバイアス分離型の光変調器である。
高周波電気信号用相互作用部Iに対応する図13(a)からわかるように、第1の従来技術や第2の従来技術と同様に、中心導体4a´と接地導体4b´、4c´とからなる進行波電極を伝搬する高周波電気信号の実効屈折率が高周波電気信号用相互作用光導波路3bを伝搬する光の等価屈折率に近くなるように、リッジ部8a、8bの高さHiは従来技術と同じ高さに設定されている。
一方、図13(b)からわかるように、DCバイアス用相互作用部IIIにおけるリッジ部8a´、8b´の高さHBは高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiよりも低く設定されている。つまり、
Hi > HB (2)
としている。
Hi > HB (2)
としている。
次に、この第3の従来技術の原理について説明する。図14には、図13におけるリッジ部8a´、8b´の高さHBを変数とした際のDCVπを左縦軸に、またリッジ部8a、8bの高さHiを変数とした際のRFVπを右縦軸にとったグラフを示す。図に示すように、DCVπが最小となるリッジ部8a´、8b´の高さHB,optと、RFVπが最小となるリッジ部8a、8bの高さHi,optとは値が異なり、(2)式が成り立っていることがわかる。
この第3の従来技術は、RFVπとDCVπとを独立に制御できるので光変調器を高性能化する上で重要な技術となる。しかしながら、DCバイアス用相互作用部IIIにおけるリッジ部8a´、8b´の高さHBを高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiよりも低くする必要があるために、製作工程がやや複雑となる。
つまり、DCバイアス用相互作用部IIIのリッジ部8a´、8b´と高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bとを別々に形成する。あるいは、DCバイアス用相互作用部IIIのリッジ部8a´、8b´と高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bとを同時にドライエッチングにより形成しつつ、DCバイアス用相互作用部IIIのリッジ部8a´、8b´の形成が終わった時点で一旦ドライエッチングを停止する。そして再度フォトレジスト工程によりDCバイアス用相互作用部IIIをレジストでカバーした後にドライエッチングを再開して、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiがDCバイアス用相互作用部IIIにおけるリッジ部8a´、8b´の高さHBよりも高くなるようにドライエッチングを継続する。これにより、高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bを完成させる。
以上のように、従来技術では高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さとDCバイアス用相互作用部のリッジ部の高さとを同じ高さに設定していたので、高周波電気信号の電圧とDCバイアス電圧とを同時に充分に低減することはできなかった。また、高周波電気信号の電圧とDCバイアス電圧とを同時に充分に低減するために、高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さとDCバイアス用相互作用部のリッジ部の高さを異ならしめる構造においては製作が複雑になるという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、簡単な製作工程により高周波電気信号の電圧とDCバイアス電圧とを同時に充分に低減した光変調器を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも2本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、前記高周波電気信号用相互作用部と前記DCバイアス用相互作用部の両方において前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記DCバイアス用相互作用部における前記凹部とは、略同じ深さで形成され、前記DCバイアス用相互作用部では、前記リッジ部の上方に前記バイアス電極が形成され、当該バイアス電極が形成された前記リッジ部の間の前記凹部に少なくとも1つの副リッジ部を設けたことを特徴としている。
本発明の請求項2に記載の光変調器は、請求項1に記載の光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記DCバイアス用相互作用部における前記凹部とは、ドライエッチングにより同時に前記略同じ深さで形成されることを特徴としている。
本発明の請求項3に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記副リッジ部が存在することにより、前記DCバイアス用相互作用部に印加する前記バイアス電圧値が前記副リッジ部が存在しない場合よりも低くなることを特徴としている。
本発明の請求項4に記載の光変調器は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器において、前記基板がz−カットLN基板であることを特徴としている。
本発明に係る光変調器では、高周波電気信号用相互作用部のリッジ部とDCバイアス用相互作用部のリッジ部とを1回のドライエッチング工程により形成でき、かつ電気力線にとってDCバイアス用相互作用部のリッジ部を高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さよりも等価的に低く感じるように設定できる。これを換言すると、高周波電気信号用相互作用部とDCバイアス用相互作用部の各々におけるリッジ部の高さを独立に制御できると表現できる。よって、高周波電気信号の電圧(RFVπ)を充分低くした場合においても、同時にDCバイアス電圧(DCVπ)を充分に低減することが可能となるという優れた利点がある。
以下、本発明の実施形態について説明するが、図6から図14に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。
(実施形態)
図1は本発明における実施形態の上面図である。図1のB−B´線とE−E´線における断面図を各々図2(a)と(b)に示す。第2の従来技術や第3の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部IとDCバイアス用相互作用部IVとを備えるバイアス分離型の光変調器である。
図1は本発明における実施形態の上面図である。図1のB−B´線とE−E´線における断面図を各々図2(a)と(b)に示す。第2の従来技術や第3の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部IとDCバイアス用相互作用部IVとを備えるバイアス分離型の光変調器である。
高周波電気信号用相互作用部Iに対応する図2(a)からわかるように、第1の従来技術から第3の従来技術と同様に、中心導体4a´と接地導体4b´、4c´とからなる進行波電極を伝搬する高周波電気信号の実効屈折率が高周波電気信号用相互作用光導波路3bを伝搬する光の等価屈折率に近くなるように、リッジ部8a、8bの高さHiは従来技術と同じ高さに設定されている。
そして、本実施形態では、DCバイアス用相互作用部IVにおけるリッジ部8a´´、8b´´近傍に分布するDCバイアスの電気力線にとって、リッジ部8a´´、8b´´の高さHB´´が高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiよりも等価的に低くなるように、つまり電気力線にとって等価的に
Hi > HB (3)
と感じるように工夫をしている。
Hi > HB (3)
と感じるように工夫をしている。
これを実現するために、図2(b)に示すように、DCバイアス用相互作用部IVの凹部である9a´´、9b´´、9c´´に新たなリッジ部8c、8d、8e(副リッジ部)を形成している。
ここで、本実施形態では、図12と図13(a)、(b)に示した第3の従来技術と異なり、DCバイアス用相互作用部IVにおけるリッジ部8a´´、8b´´の高さHB´´を高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bの高さHiと同じ、つまり
Hi = HB´´ (4)
で構成している。このことは、本実施形態ではDCバイアス用相互作用部IVにおけるリッジ部8a´´、8b´´と高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bとを1回のドライエッチングで形成でき、本実施形態による光変調器の製作性に極めて優れることを意味している。
Hi = HB´´ (4)
で構成している。このことは、本実施形態ではDCバイアス用相互作用部IVにおけるリッジ部8a´´、8b´´と高周波電気信号用相互作用部Iのリッジ部8a、8bとを1回のドライエッチングで形成でき、本実施形態による光変調器の製作性に極めて優れることを意味している。
次に、図3と図4を用いて本発明の原理を説明する。図3は図2(b)と同じ断面図であり、200はDCバイアスの電気力線である。また、参考のために、図4には第3の従来技術である図13(b)と同じ断面図を示し、201はDCバイアスの電気力線を示している。
図4に示した第3の従来技術では、一部の電気力線201が適量のz−カットLN基板1を通過するようにしてDCVπが最も低くなるようにしていた。一方、本実施形態ではDCバイアス用相互作用部IVに新たなリッジ部8c、8d、8eを設けることにより、DCバイアスの電気力線200に適度にz−カットLN基板1を通過させ(つまり新たなリッジ部8c、8d、8eを通過させ)、その結果、DCバイアスの電気力線200と光導波路3a、3bを伝搬する不図示の導波光との相互作用の効率を高めてDCVπを最も低くなるようにしている。つまり、第3の従来技術と本発明とは製作過程は異なるものの、得られる作用効果は同じであると言える。
図5は図2(b)の新たに設けたリッジ8d(あるいは、8cや8e)の幅WRとリッジ間のギャップGとの比R(R=WR/G)を横軸に、DCVπを縦軸に示す。R=0は図10と図11に示した第2の従来技術に、またR=1はリッジ構造を有しない所謂プレーナ構造に対応する。図5からわかるように、RにはDCVπが最も低くなる最適点Roptがあることがわかる。
なお、新たに設けるリッジ部8c、8d、8eはDCバイアス電極11aや11bの間にあるギャップの中間位置に来るように設定する必要はないことは言うまでもない。さらに、これらの新たなリッジ部8c、8d、8eは必ずしも全てが必要というわけではないし、逆に数を増やしても良い。
(各実施形態)
以上の説明では、分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもない。また光導波路の形成法としてはTi熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてAl2O3等のSiO2以外の各種材料も適用できる。
以上の説明では、分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもない。また光導波路の形成法としてはTi熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてAl2O3等のSiO2以外の各種材料も適用できる。
また、本発明はDCバイアス用相互作用部の電極構造に依存せず、CPW構造や非対称コプレーナストリップ(ACPS)構造、あるいは対称コプレーナストリップ(CPS)構造など、各種の電極構造について成り立つことはいうまでもない。
また、図1と図2においては、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部のギャップとDCバイアス用相互作用部におけるリッジ部のギャップとを等しく図示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、本発明においては光導波路を形成した2つのリッジの間に新たにリッジを設けるものである。そのため、光導波路を形成したリッジ間の基板表面での距離が長くなっている。これにより、基板表面方向の抵抗が増したことになり、DCドリフトが小さくなるという利点もある。
1:z−カットLN基板(LN基板)
2:SiO2バッファ層(バッファ層)
3:マッハツェンダ光導波路(光導波路)
3a、3b:マッハツェンダ光導波路を構成する相互作用光導波路
4:進行波電極
4a、4a´:中心導体
4b、4b´、4c、4c´:接地導体
5:Si導電層
6:高周波電気信号給電線
7:高周波電気信号出力線
8a、8a´、8a´´、8b、8b´、8b´´:リッジ部
8c、8d、8e:新たなリッジ部(副リッジ部)
9a、9a´、9a´´、9b、9b´、9b´´、9c、9c´、9c´´:凹部
11a、11b:DCバイアス電極
I:高周波電気信号用相互作用部
II、III、IV:DCバイアス用相互作用部
2:SiO2バッファ層(バッファ層)
3:マッハツェンダ光導波路(光導波路)
3a、3b:マッハツェンダ光導波路を構成する相互作用光導波路
4:進行波電極
4a、4a´:中心導体
4b、4b´、4c、4c´:接地導体
5:Si導電層
6:高周波電気信号給電線
7:高周波電気信号出力線
8a、8a´、8a´´、8b、8b´、8b´´:リッジ部
8c、8d、8e:新たなリッジ部(副リッジ部)
9a、9a´、9a´´、9b、9b´、9b´´、9c、9c´、9c´´:凹部
11a、11b:DCバイアス電極
I:高周波電気信号用相互作用部
II、III、IV:DCバイアス用相互作用部
Claims (4)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも2本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、
前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、
前記高周波電気信号用相互作用部と前記DCバイアス用相互作用部の両方において前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、
前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記DCバイアス用相互作用部における前記凹部とは、略同じ深さで形成され、
前記DCバイアス用相互作用部では、前記リッジ部の上方に前記バイアス電極が形成され、当該バイアス電極が形成された前記リッジ部の間の前記凹部に少なくとも1つの副リッジ部を設けたことを特徴とする光変調器。 - 前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記DCバイアス用相互作用部における前記凹部とは、ドライエッチングにより同時に前記略同じ深さで形成されることを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
- 前記副リッジ部が存在することにより、前記DCバイアス用相互作用部に印加する前記バイアス電圧値が前記副リッジ部が存在しない場合よりも低くなることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。
- 前記基板がz−カットLN基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器。
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