JP2014135385A

JP2014135385A - 配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハ

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Publication number: JP2014135385A
Application number: JP2013002618A
Authority: JP
Inventors: Akira Tsuchide; 暁土手
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2013-01-10
Filing date: 2013-01-10
Publication date: 2014-07-24

Abstract

【課題】配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハに関し、導電性残渣に影響されない信頼性の高い微細配線構造を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に密着層及びめっきシード層を介してＣｕを最大成分とするＣｕ系配線を電解めっきにより形成したのち、めっきシード層を除去する工程で発生した導電性残渣を、密着層の露出部を酸化する工程で酸化して、洗浄処理により除去する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハに関するものである。

近年、電子機器に対する小型化、高性能化及び低価格化等の要求に伴い、半導体チップの微細化や多端子化とともに、半導体チップを搭載する回路基板の微細化、多層化、及び回路基板上での電子部品の高密度実装化が進められている。そのため、半導体チップの多端子化、これら端子の狭ピッチ化に伴い、多層回路基板にも微細配線化が求められている。

また、回路基板においても品種の多様化、複雑化が進み、擬似ＳｏＣ（ＳｙｓｔｅｍｏｎＣｈｉｐ）技術に代表される様な、性質の異なる複数の半導体Ｃｈｉｐを樹脂で封止して形成した基板を用いて一体回路形成を行う手法も検討されてきている（例えば、特許文献２参照）。

図１１は、擬似ＳｏＣの概念的要部断面図であり、性質の異なる半導体チップ７１及び半導体チップ７２を感光性絶縁膜７５を介して半導体チップ７１，７２に設けたパッド７３，７４に対応するパターンを設けたガラス基板（図示は省略）に貼り付ける。次いで、モールド樹脂７６でモールドしたのち、ガラス基板側から光を照射して感光性絶縁膜７５を露光してパッド７３，７４に対するコンタクトホールを形成する。以降はプラグの形成、配線パターンの形成及び層間絶縁膜の形成を必要回数繰り返して多層配線構造７７を形成し、最上層にパッド７８，７９を形成する。次いで、表面にソルダーレジスト８０を設けた後、パッド７８，７９に対する開口部８１，８２を形成する。

このような、擬似ＳｏＣやプリント基板の高密度化に伴い配線の微細化が求められており、一般的にはＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−ＡｄｄｉｔｉｖｅＰｒｏｃｅｓｓ）と呼ばれる方法を用いてＣｕ配線を形成することが行われている。特に，線幅が１０μｍ程度以下の場合、樹脂中へＣｕが拡散すると配線抵抗の上昇や絶縁性の低下が無視できなくなる。

そこで、Ｃｕの拡散を防止するために、Ｃｕ配線の表面にＣｏＷＰやＮｉＰ等の導電性の対Ｃｕ拡散防止膜を無電解めっきによって形成する手法が行われている（例えば、特許文献３参照）。ここで、図１２及び図１３を参照してこの事情を説明する。

図１２及び図１３は、従来の配線形成方法の説明図であり、まず、図１２（ａ）に示すように、プラグ９１を設けた樹脂層９０上にスパッタ法を用いてＴｉ密着層９２及びＣｕめっきシード層９３を順次形成する。次いで、図１２（ｂ）に示すように、レジストをパターニングしてめっきフレーム９４を形成する。次いで、図１２（ｃ）に示すように、電解めっき法を用いてＣｕめっき層９５を析出させたのち、図１２（ｄ）に示すように、めっきフレーム９４を除去する。

次いで、図１３（ｅ）に示すように、硫酸系エッチング液を用いてＣｕめっきシード層９３の露出部を除去することにより、Ｃｕめっき層とＣｕめっきシード層からなるＣｕ配線９６を形成する。次いで、図１３（ｆ）に示すように、フッ酸系エッチング液を用いてＴｉ密着層９２の露出部をエッチング除去する。次いで、図１３（ｇ）に示すように、置換反応によりＣｕ配線９６の表面に選択的にＰｄ触媒を付着させたのち、無電解めっきで対Ｃｕ拡散防止膜９７を形成する。なお、対Ｃｕ拡散防止膜９７としてはＣｏＷＰ，ＣｏＷＢ，ＮｉＰ等を用いる。以降は、層間絶縁膜の形成、プラグの形成及び配線の形成を必要とする層数分だけ繰り返す。なお、密着層を設けずにめっきシード層を形成する場合には、Ｐｄを付着させてこのＰｄを触媒核として無電解めっきにより形成しても良い。

特開２００９−０６４９５４号公報特開２００９−１７０４９２号公報特開２０１２−０１５４０５号公報

ＳＡＰ方式では、上述のように、Ｃｕのめっき及びめっきフレームのシード層及び密着層を除去して、配線を電気的に分離する必要があり、このシード層を除去する手段として、ウェットエッチングやドライエッチング等が用いられる。この時、めっき部分からＣｕが飛散するなどにより、樹脂層９０の表面にＣｕ等の残渣が付着する場合があり、この残渣が配線間のリークや信頼性不良の問題となるので、この事情を図１４を参照して説明する。

図１４は従来のＳＡＰ方式の問題点の説明図であり、図１４（ａ）に示すように、Ｃｕシード層の除去工程において、配線層間にＣｕ等の残渣９８が除去しきれずに樹脂層９０の表面に残留する場合がある。

この状態でＴｉ密着層９２のエッチング除去を行った場合、図１４（ｂ）に示すように、残渣９８がエッチングマスクとして作用して、Ｔｉ密着層の一部も残留することがある。次いで、図１４（ｃ）に示すように、対Ｃｕ拡散防止層９７を無電解めっきで形成した場合、残渣９８の表面にもめっき膜９９が形成される。

このようなめっき膜９９は、樹脂層９０上での異常析出とみなされ、このようなめっき膜９９は導電性であるので、配線間リークや信頼性不良の原因となる。なお、Ｔｉ密着層を設けない場合にも、めっきに由来するＣｕの残渣やＰｄ触媒に由来する残渣が発生する。

したがって、配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハにおいて、導電性残渣に影響されない信頼性の高い微細配線構造を提供することを目的とする。

開示する一観点からは、絶縁膜と、前記絶縁膜上に密着層を介して設けられたＣｕを最大成分とするＣｕ系配線と前記Ｃｕ系配線の間の前記絶縁膜上に設けられた前記密着層の自己酸化物からなる酸化物層と、前記密着層と接する面以外の前記Ｃｕ系配線の表面に設けられたＣｕに対する拡散防止膜とを有することを特徴とする配線構造が提供される。

また、開示する別の観点からは、絶縁膜上に密着層及びめっきシード層を介してＣｕを最大成分とするＣｕ系配線を電解めっきにより形成する工程と、前記めっきシード層を除去する工程と、前記Ｃｕ系配線の露出表面及び前記密着層の露出部を酸化する工程と、前記Ｃｕ系配線の露出表面に形成されたＣｕ酸化物を除去する工程と、前記Ｃｕ系配線の露出表面にＣｕに対する拡散防止膜を選択成長する工程とを有することを特徴とする配線の形成方法が提供される。

また、開示するさらに別の観点からは、上述の配線構造と、前記配線構造で接続される複数の異種半導体チップとを備えたことを特徴とする再構築ウェーハが提供される。

開示の配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハによれば、導電性残渣に影響されない信頼性の高い微細配線構造を提供することが可能になる。

本発明の実施の形態の配線構造の形成工程の説明図である。本発明の実施例１の擬似ＳｏＣの製造工程の途中までの説明図である。本発明の実施例１の擬似ＳｏＣの製造工程の図２以降の途中までの説明図である。本発明の実施例１の擬似ＳｏＣの製造工程の図３以降の途中までの説明図である。本発明の実施例１の擬似ＳｏＣの製造工程の図４以降の説明図である。本発明の実施例１の擬似ＳｏＣの構造を示す概念的要部断面図である。本発明の実施例２の多層配線基板の製造工程の途中までの説明図である。本発明の実施例２の多層配線基板の製造工程の図７以降の途中までの説明図である。本発明の実施例２の多層配線基板の製造工程の図８以降の説明図である。本発明の実施例２の多層配線基板の構造を示す概念的要部断面図である。擬似ＳｏＣの概念的要部断面図である。従来の配線形成方法の途中までの説明図である。従来の配線形成方法の図１２以降の説明図である。従来のＳＡＰ方式の問題点の説明図である。

ここで、図１を参照して、本発明の実施の形態の配線構造の形成方法を説明する。図１（ａ）に示すように、プラグ２を設けた絶縁膜１上に、密着層３を介してＣｕが最大成分となるＣｕ系配線４を形成する。この時、Ｃｕを主成分とする導電性残渣５も発生する。なお、この場合の密着層３は、樹脂等の絶縁膜と密着性の良好なＴｉ，Ａｌ，Ｚｒが望ましい。但し、これらの金属の酸化物は緻密で、ある程度酸化が進行すると酸素が中に侵入せずに酸化が停止するので、２ｎｍ乃至２０ｎｍの厚さが望ましい。なお、薄すぎると密着層としての機能が低下するとともに、Ｃｕに対する拡散防止機能が低下する。また、Ｃｕ系配線は純Ｃｕであっても良いし、ＡｌやＳｉを含むＣｕ合金でも良い。

次いで、図１（ｂ）に示すように、密着層３の露出部を酸化して密着層３の自己酸化物からなる酸化物層６に変換することにより、Ｃｕ系配線同士を電気的に分離する。この時、Ｃｕ系配線４の表面にもＣｕ酸化物７が形成されるとともに、導電性残渣５も酸化されて酸化物残渣８になる。なお、酸化条件は、酸素を含む雰囲気中での加熱工程、酸素を含む雰囲気中または酸化窒素雰囲気中でのプラズマ処理工程或いは過酸化水素を用いたウェット処理工程のいずれかを用いれば良い。

次いで、図１（ｃ）に示すように、エッチング処理を行うと、Ｃｕ系配線４の表面に形成されたＣｕ酸化物７と酸化物残渣８がエッチング除去される。この時、密着層の自己酸化物からなる酸化物層６はほとんどエッチングされることはない。なお、エッチング液としては、硫酸、硫酸−過酸化水素系エッチング液や過硫酸塩系エチング液等の硫酸系エッチング液或いは塩酸や酸化銅を溶かすことができる有機酸を用いれば良い。

次いで、図１（ｄ）に示すように、Ｃｕ系配線４の表面にＣｕに対する拡散防止膜９を選択的に成長させる。なお、拡散防止膜９は、拡散防止性の良好なＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＰ或いはＮｉＢを用いることが望ましく、これらの材料は無電解めっきが可能であるので、Ｐｄ置換を利用して選択成長させることができる。

このような配線構造は、再構成ウェーハを形成する際に樹脂モールドされた異種半導体チップ間を接続する配線構造、或いは、コア層の表側にＳＡＰ方式で形成する多層配線構造が典型的なものであるが、半導体装置の配線構造としても良い。なお、多層配線構造を形成するための層間絶縁膜としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、オレフィン系樹脂等を用いれば良い。

このように、本発明の実施の形態においては、拡散防止膜を形成するまえに、酸化処理を行って、密着層の露出部を酸化して絶縁化しているので密着層の露出部のエッチング除去が不要になり、導電性残渣の発生を低減することができる。また、同時にＣｕ系配線の形成工程にともなって発生する導電性残渣を酸化させているので、残渣を確実に除去することが可能になる。なお、仮に、残渣の除去が不十分であっても、酸化物であるので、無電解めっき層が堆積することがなく、したがって、配線間リークの原因となることがない。

次に、図２乃至図６を参照して、本発明の実施例１の擬似ＳｏＣの形成工程を説明する。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に、パッド２２_１〜２２_２を形成した複数の異種の半導体チップ２１₁〜２１_３を感光性絶縁膜２３を利用して貼り付ける。ここでは、半導体チップ２１_１〜２１_３をそれぞれＣＰＵ、センサ、メモリとする。なお、ガラス基板１０の背面にはパッド２２_１〜２２_３に対応する位置にマスクパターン１１_１〜１１_３を形成しておき、半導体チップ２１₁〜２１_３を貼り付ける際に、パッド２２_１〜２２_２との位置合わせをする。

次いで、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ２１_１〜２１_３をモールド樹脂２４でモールドして、複数の異種の半導体チップ２１₁〜２１_３を一体化する。次いで、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板１０の背面から光を照射して感光性絶縁膜２３を露光する。

次いで、図３（ｄ）に示すように、ガラス基板１０を剥離した後、露光した感光性絶縁膜２３を現像してビアホール２５_１〜２５_３を形成する。次いで、図３（ｅ）に示すように、ビアホール２５_１〜２５_３を導電性ペーストで埋め込んでプラグ２６_１〜２６_３を形成する。

次いで、図３（ｆ）に示すように、スパッタ法を用いて厚さが５ｎｍのＴｉ密着層２７を形成したのち、厚さが１００ｎｍのＣｕめっきシード層２８を形成する。なお、以下の工程の説明においては、プラグ以上の上層部の構成のみを拡大して図示する。

次いで、図４（ｇ）に示すように、厚さが８μｍの感光性レジストを塗布したのち、露光・現像することによって、めっきフレーム２９を形成する。次いで、図４（ｈ）に示すように、電解めっき法を用いて厚さが５μｍのＣｕめっき層３０を成長させる。

次いで、図４（ｉ）に示すように、有機溶剤を用いてめっきフレーム２９を剥離する。次いで、硫酸系エッチング液を用いてＣｕめっきシード層２８の露出部を除去することによって、Ｃｕめっき層３０及びＣｕめっきシード層２８からなるＣｕ配線３１を形成する。この時、除去されためっき成分に由来する残渣３２が発生する。

次いで、図４（ｊ）に示すように、２００℃のＯ_２雰囲気中での１分間のプラズマ処理を行ってＴｉ密着層２７の露出表面を酸化して酸化Ｔｉ膜３３に変換する。この時、Ｔｉ密着層２７の厚さは５ｎｍと薄いので内部まで全体が酸化することになる。また、このプラズマ処理工程において、Ｃｕ配線３１の露出表面も酸化されてＣｕ酸化膜３４が形成されるとともに、残渣３２も酸化されて酸化物残渣３５になる。

次いで、図５（ｋ）に示すように、１０ｗｔ％の硫酸で１分間の洗浄を行ってＣｕ酸化膜３４とともに、酸化物残渣３５を除去する。次いで、図５（ｌ）に示すように、Ｐｄイオンを含む中に浸漬することにより、Ｃｕ配線３１の表面に置換反応によって触媒となるＰｄを付着させたのち、Ｐｄを触媒とする無電解めっきを行うことにより、Ｃｕ配線３１の表面に厚さが２００ｎｍのＮｉＰからなる拡散防止膜３６を選択成長させる。なお、酸化Ｔｉ膜３３の表面ではＰｄの置換反応が起きないので、酸化Ｔｉ膜３３の表面にＮｉＰ膜が成長することはない。

次いで、図５（ｍ）に示すように、厚さが、１０μｍのフェノール樹脂を塗布したのち、固化することによって層間絶縁膜３７を形成する。次いで、図５（ｎ）に示すように、レーザ加工によって、拡散防止膜３６に達するビアホールを形成したのち、ビアホールを導電性ペーストで埋め込んでプラグ３８を形成する。

以降は、図３（ｆ）乃至図５（ｍ）に示した工程を必要とする層数分だけ繰り返して多層配線構造３９を形成したのち、最上層のプラグに接続するパッド１５を形成し、ソルダーレジスト１６を設けることによって、図６に示す擬似ＳｏＣの基本構成が得られる。

このように、本発明の実施例１においては、擬似ＳｏＣの再配線構造を形成する際に、エッチング工程に伴うめっきに由来する導電性の残渣を一旦酸化した後に洗浄除去しているので、残渣を確実に除去することが可能になる。また、密着層のエッチング工程が不要になるので、残渣の発生を抑えることができる。なお、この実施例１においては、基板への貼り付けに感光性絶縁膜を用いて、そのまま層間絶縁膜として使用しているが、基板への貼り付けに非感光性絶縁膜を用いても良い。その場合には、モールド樹脂で半導体チップをモールドした後、非感光性絶縁膜を剥離して、新たに絶縁膜を設けて、ビアホールの形成工程から始めれば良い。

次に、図７乃至図９を参照して、本発明の実施例２の多層配線基板の製造方法を説明するが、説明を簡単にするためにコア基板の片側だけを示すが、実際にはコア基板の両側にＳＡＰ方式による配線構造の形成を行うものである。

まず、図７（ａ）に示すように、内部に配線構造を形成するとともに、表面に接続用のランド４２を設けたコア基板４１の表面に熱硬化性ポリイミド樹脂を塗布して硬化させて層間絶縁膜４３としたのち、ランド４２に達するビアホール４４を形成する

次いで、図７（ｂ）に示すように、スパッタ法を用いて厚さが５ｎｍのＡｌ密着層４５と厚さが１００ｎｍのＣｕめっきシード層４６を順次堆積させる。次いで、図７（ｃ）に示すように、感光性レジストを塗布したのち、露光・現像してめっきフレーム４７を形成する。次いで、図７（ｄ）に示すように、電解めっき法を用いてＣｕめっき層４８を形成する。

次いで、図８（ｅ）に示すように、有機溶剤を用いてめっきフレーム４７を剥離する。次いで、硫酸系エッチング液を用いてＣｕめっきシード層４６の露出部を除去することによって、Ｃｕめっきシード層４６とＣｕめっき層４８からなるＣｕ配線４９を形成する。この時、めっき成分に由来する残渣５０が発生する。次いで、図８（ｆ）に示すように、２００℃のＮ_２Ｏ雰囲気中で１分間のプラズマ処理を行うことによって、Ａｌ密着層４５の露出部を酸化してアルミナ膜５１に変換する。この時、Ｃｕ配線４９の表面も酸化されてＣｕ酸化膜５２が形成されるとともに、残渣５０も酸化されて酸化物残渣５３となる。

次いで、図８（ｇ）に示すように、１０ｗｔ％の硫酸で１分間の洗浄を行ってＣｕ酸化膜５２とともに、酸化物残渣５３を除去する。次いで、図８（ｈ）に示すように、Ｐｄイオンを含む中に浸漬することにより、Ｃｕ配線４９の表面に置換反応によって触媒となるＰｄを付着させたのち、Ｐｄを触媒とする無電解めっきを行うことにより、Ｃｕ配線４９の表面に厚さが２００ｎｍのＣｏＷＰからなる拡散防止膜５４を選択成長させる。なお、アルミナ膜５１の表面ではＰｄの置換反応が起きないので、アルミナ膜５１の表面にＣｏＷＰ膜が成長することはない。

次いで、図９（ｉ）に示すように、再び、熱硬化性ポリイミド樹脂を塗布したのち、固化することによって層間絶縁膜５５を形成する。次いで、レーザ加工によって、拡散防止膜５２に達するビアホール５６を形成する。

次いで、図９（ｊ）に示すように、図７（ｂ）乃至図８（ｈ）に示した工程を繰り返すことによって、第２層目の配線構造を形成する。以降は、同様の工程を必要とする層数分だけ繰り返して多層配線構造５７を形成したのち、最上層のプラグ５８に接続するパッド５９を形成し、ソルダーレジスト６０を設けることによって、図１０に示す多層配線基板の基本構成が得られる。

このように、本発明の実施例２においては、多層配線基板を形成する際に、エッチング工程に伴うめっきに由来する導電性の残渣を一旦酸化した後に洗浄除去しているので、残渣を確実に除去することが可能になる。また、密着層のエッチング工程が不要になるので、残渣の発生を抑えることができる。

ここで、実施例１乃至実施例４を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）絶縁膜と、前記絶縁膜上に密着層を介して設けられたＣｕを最大成分とするＣｕ系配線と前記Ｃｕ系配線の間の前記絶縁膜上に設けられた前記密着層の自己酸化物からなる酸化物層と、前記密着層と接する面以外の前記Ｃｕ系配線の表面に設けられたＣｕに対する拡散防止膜とを有することを特徴とする配線構造。
（付記２）前記密着層とＣｕ系配線との間にめっきシード層を有することを特徴とする付記１に記載の配線構造。
（付記３）前記密着層が、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒのいずれかであることを特徴とする付記１または付記２に記載の配線構造。
（付記４）前記拡散防止膜が、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＰ或いはＮｉＢのいずれかであることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１に記載の配線構造。
（付記５）絶縁膜上に密着層及びめっきシード層を介してＣｕを最大成分とするＣｕ系配線を電解めっきにより形成する工程と、前記めっきシード層を除去する工程と、前記Ｃｕ系配線の露出表面及び前記密着層の露出部を酸化する工程と、前記Ｃｕ系配線の露出表面に形成されたＣｕ酸化物を除去する工程と、前記Ｃｕ系配線の露出表面にＣｕに対する拡散防止膜を選択成長する工程とを有することを特徴とする配線の形成方法。
（付記６）前記Ｃｕ系配線の露出表面及び前記密着層の露出部を酸化する工程が、酸素を含む雰囲気中での加熱工程、酸素を含む雰囲気中または酸化窒素雰囲気中でのプラズマ処理工程或いは過酸化水素を用いたウェット処理工程のいずれかであることを特徴とする付記４に記載の配線の形成方法。
（付記７）付記１乃至付記４のいずれか１に記載の配線構造を備えたことを特徴とする多層配線基板。
（付記８）付記１乃至付記４のいずれか１に記載の配線構造と、前記配線構造で接続される複数の異種半導体チップとを備えたことを特徴とする再構築ウェーハ。

１絶縁膜
２プラグ
３密着層
４Ｃｕ系配線
５導電性残渣
６酸化物層
７Ｃｕ酸化物
８酸化物残渣
９拡散防止膜
１０ガラス基板
１１_１〜１１_３マスクパターン
２１_１〜２１_３半導体チップ
１５パッド
１６ソルダーレジスト
２２，２２_１〜２２_３パッド
２３感光性絶縁膜
２４モールド樹脂
２５_１〜２５_３ビアホール
２６，２６_１〜２６_３プラグ
２７Ｔｉ密着層
２８，４６Ｃｕめっきシード層
２９，４７めっきフレーム
３０，４８Ｃｕめっき層
３１，４９Ｃｕ配線
３２，５０残渣
３３酸化Ｔｉ膜
３４，５２Ｃｕ酸化膜
３５，５３酸化物残渣
３６，５４拡散防止膜
３７層間絶縁膜
３８プラグ
３９，５７多層配線構造
４１コア基板
４２ランド
４３，５５層間絶縁膜
４４，５６ビアホール
４５Ａｌ密着層
５１アルミナ膜
５８プラグ
５９パッド
６０ソルダーレジスト
７１，７２半導体チップ
７３，７４パッド
７５モールド樹脂
７６感光性絶縁膜
７７多層配線構造
７８，７９パッド
８０ソルダーレジスト
８１，８２開口部
９０樹脂層
９１プラグ
９２Ｔｉ密着層
９３Ｃｕめっきシード層
９４めっきフレーム
９５Ｃｕめっき層
９６Ｃｕ配線
９７対Ｃｕ拡散防止膜
９８残渣
９９めっき膜

Claims

絶縁膜と、
前記絶縁膜上に密着層を介して設けられたＣｕを最大成分とするＣｕ系配線と
前記Ｃｕ系配線の間の前記絶縁膜上に設けられた前記密着層の自己酸化物からなる酸化物層と、
前記密着層と接する面以外の前記Ｃｕ系配線の表面に設けられたＣｕに対する拡散防止膜と
を有することを特徴とする配線構造。
前記密着層が、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒのいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項１に記載の配線構造。
前記拡散防止膜が、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＰ或いはＮｉＢのいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線構造。
絶縁膜上に密着層及びめっきシード層を介してＣｕを最大成分とするＣｕ系配線を電解めっきにより形成する工程と、
前記めっきシード層を除去する工程と、
前記Ｃｕ系配線の露出表面及び前記密着層の露出部を酸化する工程と、
前記Ｃｕ系配線の露出表面に形成されたＣｕ酸化物を除去する工程と、
前記Ｃｕ系配線の露出表面にＣｕに対する拡散防止膜を選択成長する工程と
を有することを特徴とする配線の形成方法。
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の配線構造と、
前記配線構造で接続される複数の異種半導体チップと
を備えたことを特徴とする再構築ウェーハ。