JP2014132637A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014132637A JP2014132637A JP2013214759A JP2013214759A JP2014132637A JP 2014132637 A JP2014132637 A JP 2014132637A JP 2013214759 A JP2013214759 A JP 2013214759A JP 2013214759 A JP2013214759 A JP 2013214759A JP 2014132637 A JP2014132637 A JP 2014132637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- deep layer
- conductivity type
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 272
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 31
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】p型高不純物層10に接触し、かつ、表面電極12の外縁部まで突き出した各トレンチ7の先端の少なくともコーナー部を覆うようにp型ディープ層18を形成する。そして、p型ディープ層18のp型不純物濃度をp型層5よりも高く設定する。これにより、リカバリ動作時に注入キャリアが引き抜かれる際にp型ディープ層18がp型高不純物層10を介してほぼ表面電極12と同じソース電位とされる。このため、p型ディープ層18に沿って等電位線が広がるようにできる。したがって、p型ディープ層18にて覆われたトレンチゲート先端のゲート絶縁膜8内に掛かる電位を低減して電界集中を緩和することができ、ゲート絶縁膜8が破壊されることを抑制することが可能になる。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置について、図1〜図4を参照して説明する。図1〜図4に示す半導体装置は、四角形状のセル領域1に縦型半導体素子としてSJ構造の多数のトレンチゲート型のMOSFETが形成されると共に、セル領域1を囲むように外周領域2が配置された構造とされている。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して半導体装置の製造方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してp型ディープ層18の上面レイアウトを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第3実施形態に対してSJ構造4のレイアウトとMOSFETのレイアウトの関係を変更したものであり、その他については第1〜第3実施形態と同様であるため、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 外周領域
3 n+型基板(半導体基板)
4 SJ構造
5 p型層
9 ゲート電極
10 p型高不純物層
12 表面電極
13 裏面電極
18 p型ディープ層
Claims (9)
- 表面および裏面を有する第1導電型の半導体基板(3)と、
前記半導体基板の表面側に、第1導電型カラム(4b)および第2導電型カラム(4a)とが前記半導体基板の表面と平行な一方向に繰り返された繰り返し構造からなるスーパージャンクション構造(4)と、
前記半導体基板の外周側を外周領域(2)、該外周領域の内側を縦型半導体素子が形成されるセル領域(1)として、前記セル領域および前記外周領域において前記スーパージャンクション構造の上に形成された半導体層(5)と、
前記セル領域において前記半導体層の表層部に形成された第1導電型のソース領域(6)と、
前記ソース領域および前記半導体層を貫通して前記第1導電型カラム(4b)に達し、一方向を長手方向として前記セル領域から前記外周領域に向けて延設されたトレンチ(7)の表面に形成されたゲート絶縁膜(8)と、
前記トレンチ内において前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極(9)と、
前記セル領域において前記半導体層に形成され前記スーパージャンクション構造よりも高不純物濃度とされた第2導電型の高不純物層(10)と、
前記セル領域から前記外周領域に入り込んで形成され、前記高不純物層および前記ソース領域に接して形成されたソース電極を構成する表面電極(12)と、
前記半導体基板の裏面側に電気的に接続されたドレイン電極を構成する裏面電極(13)と、
前記高不純物層に接し、前記スーパージャンクション構造よりも高不純物濃度とされ、前記トレンチの長手方向における先端の少なくともコーナー部を覆い、基板法線方向から見て、該トレンチの先端よりも外周側に突き出した第2導電型のディープ層(18)と、を有していることを特徴とする半導体装置。 - 前記ディープ層のうち最も内周側の端部は、前記表面電極における前記高不純物層との接触部位のうちの最も外周側の第1端部(P1)よりも前記セル領域の内側に位置しており、基板法線方向から見て、前記第1端部から前記内周方向において、前記表面電極における前記高不純物層との接触部位と前記ディープ層とが所定幅オーバラップさせられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記セル領域には前記トレンチが複数本並べられて形成されており、該複数本のトレンチの先端が前記表面電極の外縁に沿って配置されており、前記ディープ層が前記表面電極の外縁部を1周囲んだレイアウトとされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記セル領域には前記トレンチが複数本並べられて形成されており、該複数本のトレンチの先端のそれぞれにドット状に前記ディープ層が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記ディープ層は、前記半導体層の表面より所定距離深い位置から形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記ディープ層は、前記半導体層の表面から形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体層は、
前記外周領域において前記スーパージャンクション構造の上に形成された第2導電型のリサーフ層と、
前記セル領域において前記スーパージャンクション構造の上に形成された第2導電型のベース層と、を構成していることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 請求項1ないし7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の表面側に前記第1導電型カラムおよび前記第2導電型カラムとを有するスーパージャンクション構造を形成する工程と、
前記ディープ層の形成予定領域が開口するマスクを用いて第2導電型不純物をイオン注入することにより、前記スーパージャンクション構造の表層部に不純物注入層(23)を形成する工程と、
前記不純物注入層を形成した前記スーパージャンクション構造の表面に前記半導体層をエピタキシャル成長させると共に、熱処理により前記不純物注入層内の不純物を熱拡散させて前記ディープ層を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし7のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の表面側に前記第1導電型カラムおよび前記第2導電型カラムとを有するスーパージャンクション構造を形成する工程と、
前記スーパージャンクション構造の表面に前記半導体層を形成する工程と、
前記ディープ層の形成予定領域が開口するマスクを用いて前記第2導電型層の上から第2導電型不純物を高加速イオン注入することにより前記ディープ層を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013214759A JP5725125B2 (ja) | 2012-12-04 | 2013-10-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN201380062964.2A CN104838500B (zh) | 2012-12-04 | 2013-11-26 | 半导体装置及其制造方法 |
PCT/JP2013/006922 WO2014087600A1 (ja) | 2012-12-04 | 2013-11-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
US14/647,187 US9536944B2 (en) | 2012-12-04 | 2013-11-26 | Semiconductor device and method of manufacturing same |
DE112013005788.3T DE112013005788B4 (de) | 2012-12-04 | 2013-11-26 | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012265311 | 2012-12-04 | ||
JP2012265311 | 2012-12-04 | ||
JP2013214759A JP5725125B2 (ja) | 2012-12-04 | 2013-10-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014132637A true JP2014132637A (ja) | 2014-07-17 |
JP5725125B2 JP5725125B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=51411568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013214759A Active JP5725125B2 (ja) | 2012-12-04 | 2013-10-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5725125B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018041853A (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224273A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004134597A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体素子 |
JP2007281034A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
JP2008004643A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010153622A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
JP2011181805A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2011228490A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Denso Corp | 縦型半導体素子を備えた半導体装置およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-10-15 JP JP2013214759A patent/JP5725125B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003224273A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004134597A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体素子 |
JP2007281034A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
JP2008004643A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010153622A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
JP2011181805A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2011228490A (ja) * | 2010-04-20 | 2011-11-10 | Denso Corp | 縦型半導体素子を備えた半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018041853A (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10199460B2 (en) | 2016-09-08 | 2019-02-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
US10453917B2 (en) | 2016-09-08 | 2019-10-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5725125B2 (ja) | 2015-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9653599B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
KR101792449B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP5641131B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
EP2787534B1 (en) | Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP6415749B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
US9825164B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for same | |
WO2014087600A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6266975B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置 | |
US20140159053A1 (en) | Sic trench gate transistor with segmented field shielding region and method of fabricating the same | |
JP2014017469A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
CN107251198B (zh) | 绝缘栅功率半导体装置以及用于制造这种装置的方法 | |
US9698217B1 (en) | Semiconductor device | |
US20110220991A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2015104949A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2013058575A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR102068842B1 (ko) | 반도체 전력소자 | |
US9711642B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20210043765A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of same | |
KR101360070B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2017191817A (ja) | スイッチング素子の製造方法 | |
JP5725125B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010056380A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR102660669B1 (ko) | 수퍼 정션 반도체 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP2012195394A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013179171A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150316 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5725125 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |