JP2014132044A - インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システム - Google Patents
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Abstract
【課題】未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、一般式Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎで表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物に関する。式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。
【選択図】なし
【解決手段】本発明は、一般式Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎで表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物に関する。式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。
【選択図】なし
Description
本発明は、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムに関する。
シリカ系被膜は、絶縁性、耐熱性、透明性、耐磨耗性等に優れていることから、様々な分野で適用されている。例えば、半導体デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性、バリア性の点から、配線間の絶縁膜用途、素子分離膜やマスク材として適用されており、液晶デバイスにおいては、絶縁性、耐熱性、透明性の点から、素子の保護膜等として適用されている。
従来、シリカ系被膜を得る一般的な方法として、気層成長法及び塗布法が知られている。半導体分野では、気層成長法が広く適応されており、緻密なシリカ膜が得られる等の特長がある。しかし、特殊な装置が必要であること、近年の処理基材の大型化に伴う装置コストの増大等の課題がある。一方、塗布法は比較的簡便な装置で成膜でき、大型基材への成膜も比較的容易である等の特長がある。塗布法にはスピンコート法、スプレー法、浸漬法、ロールコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
ところで、パターン化されたシリカ系被膜を形成する方法としては、フォトリソグラフィー法が主流となっている。しかし、フォトリソグラフィー法によるパターン化は、工程が複雑であり、コスト的に高いという欠点がある。そこで、近年、簡便に安くパターンを形成できる手法としてインクジェット法が検討されている（特許文献１）。インクジェット法は、所望のパターンを所望の位置に形成可能であることから、フォトリソグラフィー法のように基板全面にシリカ被膜を形成する必要がなく、使用する材料量を大きく削減できるため、コスト的にも環境的にも大きなメリットがある。
インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物を得る方法としては、アルコキシシランを原料としたゾルーゲル法が知られている（特許文献２、３）。
しかし、特許文献２に記載されているように、溶媒としてエタノール若しくは水を用いる場合、又は、特許文献３に記載されているように１００℃以下の溶媒が組成全体の７０〜９０重量％占めるような場合には、インクジェット描画で未吐出と吐出の操作を繰り返すと、ノズル目詰まりを引き起こしやすい。量産時においては、このような吐出と未吐出が繰り返されるため、従来のシリカ系被膜形成組成物は、実用に供し得るものとしては未だ充分ではない。
さらに、インクジェット対応のシリカ系被膜形成組成物には、これを用いてパターンを描画したときに、描画パターンの断面形状が矩形であることが望まれる。例えば、シリカ系被膜形成組成物を用いて絶縁膜を形成する場合、パターン断面形状が矩形ではないと、絶縁性が局所的に低下してしまい、その結果デバイス特性に悪影響を及ぼすことがある。
このように、インクジェットノズルが目詰まりを起こさず、かつ、描画パターンの断面形状を矩形とするためには、シリカ系被膜形成組成物を含有するインクが、
（１）インクがノズル先端部で乾燥しないこと、
（２）インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいこと
という特性を両立することが必要となる。しかしながら、これらの特性を両立することは非常に困難である。
（１）インクがノズル先端部で乾燥しないこと、
（２）インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいこと
という特性を両立することが必要となる。しかしながら、これらの特性を両立することは非常に困難である。
本発明は、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムを提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明は、下記（１）及び（２）に記載のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、下記（３）に記載のシリカ系被膜の形成方法、下記（４）に記載の半導体デバイス並びに下記（５）に記載の太陽電池システムを提供する。
（１）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎ …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（２）表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、（１）記載の組成物。
（３）インクジェット法により、（１）又は（２）に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備えるシリカ系被膜の形成方法。
（４）基板と、基板上に、（３）に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える半導体デバイス。
（５）（４）に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎ …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（２）表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、（１）記載の組成物。
（３）インクジェット法により、（１）又は（２）に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備えるシリカ系被膜の形成方法。
（４）基板と、基板上に、（３）に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、を備える半導体デバイス。
（５）（４）に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
本発明によれば、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こすことなく吐出することができ、かつ、より矩形に近い断面形状を有する描画パターンを形成することが可能なインクジェット用シリカ系被膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたシリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システムが提供される。
なお、本発明によって前記の効果が奏される理由について、本発明者らは以下のように推察する。
すなわち、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさず、かつ、描画時のパターン断面形状を矩形とするためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクが、（１）インクがノズル先端部で乾燥しないこと（以下「ノズル先端部での非乾燥性」ということがある。）と、（２）インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいこと（以下「インク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制」ということがある。）、という特性を両立することが必要となる。これらの特性を満足するためには、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の溶媒として、低沸点成分である第２の溶媒と高沸点成分であるγ-ブチロラクトン及び第３の溶媒を含有する混合溶媒を用いることが重要である。そして、この混合溶媒において、溶媒中の全質量に対するγ-ブチロラクトン及び第２の溶媒の質量比が特定の数値範囲になるように、それぞれの含有量を調整することが極めて重要である。これにより、主としてγ-ブチロラクトンと第３の溶媒の作用によりノズル先端部での非乾燥性が、また、主としてγ-ブチロラクトンと第２の溶媒の作用によりインク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制が、それぞれ高水準で達成されるものと考えられる。なお、本発明においては、第２の溶媒の沸点を８０〜１００℃、第３の溶媒の沸点を１８０〜２３０℃とし、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上で、かつ溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５としている。これは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を含有するインクのノズル先端部での非乾燥性と、インク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制の両立の点から、これらの条件が好適であるという本発明者らの知見に基づくものである。
さらに、インクの微小な液滴が塗布対象である表面に着弾した時、その液滴が濡れ広がりにくいという効果が奏されるのは、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物が表面調整剤を含有することも一因であると考えられる。これにより、基板への濡れ性やシリカ系樹脂の流動性が制御されることによって、インク着弾時の液滴の濡れ広がりが抑制されると考えられる。より具体的には、インク着弾時の液滴の濡れ広がりは、インクの被塗布物への濡れ不均一性（ハジキ等）や、吐出時のインクの溶媒蒸発の不均一性による、局所的なインク粘度増大や表面張力変化によって引き起こされると考えられる。そこで、本発明における表面調整剤とは、（１）乾燥過程の塗膜の表面張力を均一化し、被塗物への濡れを改良する作用を有する化合物、（２）塗膜表面から溶剤の蒸発を均一化し、局所的な粘度増大や表面張力変化を小さくする作用を有する化合物、から選択される少なくとも一種の化合物として定義される。
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
［インクジェット用シリカ系被膜形成組成物］
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する。
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物。
Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎ …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（Ｂ）γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒（ただし、γ−ブチロラクトンを除く）を含有し、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である溶媒。
（Ｃ）表面調整剤。
Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎ …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］
（Ｂ）γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒（ただし、γ−ブチロラクトンを除く）を含有し、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である溶媒。
（Ｃ）表面調整剤。
以下、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分のそれぞれについて詳述する。
（Ａ）成分：ケイ素化合物
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物（以下、場合により「組成物」という）は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物を必須成分とする。
本実施形態に係るインクジェット用シリカ系被膜形成組成物（以下、場合により「組成物」という）は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物を必須成分とする。
なお、本明細書において、前記「加水分解・重縮合」とは、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解し、脱水（Ｈ２Ｏ）しながら縮合して重合することを意味する。
前記一般式（Ｉ）のＸとしては、加水分解により脱離しうる基として知られているものを特に制限なく選択することができ、具体的には、例えば、アルコキシ基、ハロゲン基、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられ、中でもアルコキシ基であることが好ましい。Ｘをアルコキシ基とすることにより、得られるケイ素化合物の液状安定性や得られる組成物中のハロゲン濃度を抑制することが可能となる。
Ｘがアルコキシ基である場合、前記一般式（Ｉ）で表される化合物はアルコキシシランである。アルコキシシランとしては、下記一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、下記一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシラン、下記一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシラン等が挙げられる。アルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
Ｓｉ（ＯＲ２）４ …（Ｉ−１）
［式中、Ｒ２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
Ｒ３Ｓｉ（ＯＲ４）３ …（Ｉ−２）
［式中、Ｒ３はアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
Ｒ５ ２Ｓｉ（ＯＲ６）２ …（Ｉ−３）
［式中、Ｒ５は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
［式中、Ｒ２は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
Ｒ３Ｓｉ（ＯＲ４）３ …（Ｉ−２）
［式中、Ｒ３はアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
Ｒ５ ２Ｓｉ（ＯＲ６）２ …（Ｉ−３）
［式中、Ｒ５は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基又はフェニル基を示し、フェニル基は置換基を有していてもよく、Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にアルキル基を示す。］
前記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）において、アルコキシ基のＲ（Ｒ２、Ｒ４及びＲ６）の炭素数は特に制限はないが、通常炭素数１〜１０であり、入手容易性の点から、炭素数１〜５が好ましく、炭素数１〜３がより好ましい。また、アルコキシ基のＲ（Ｒ２、Ｒ４及びＲ６）は、水素原子の一部がフッ素に置換されたものであってもよい。
一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラブトキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の取り扱いが容易な点から、テトラエトキシシランを用いるのが好ましい。
一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。中でも反応性や反応副生成物の取り扱いが容易な点から、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシランを用いるのが好ましい。
一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランとしては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン等が挙げられる。
前記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）で表されるアルコキシシランは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。前記一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）で表されるアルコキシシランを２種以上を組み合わせて用いる場合、混合比は特に限定されない。ただし、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の室温下での安定性（粘度安定性）が確保しやすいこと、及びインクジェット後に得られるシリカ系被膜の耐クラック性が向上することから、一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル量Ｍ１に対する、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル量Ｍ２及び一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランのモル量Ｍ３の合計量の比（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が０．１以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．８以上であることが極めて好ましい。また、下地基板との濡れ性が良好である観点で、（Ｍ２＋Ｍ３）／Ｍ１が４．０以下であることが好ましく、２．５以下であることがより好ましく、１．５以下であることが極めて好ましい。
アルコキシシランを加水分解・重縮合する際には、（Ｂ）成分を溶媒として用いてもよく、又は、（Ｂ）成分以外の溶媒を用いてもよい。アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に用いる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のケトン系溶媒；
ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン等のエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のアルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ｉｓｏ−プロピル、酢酸ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒；
Ｎ―メチルピロリジノン、Ｎ―エチルピロリジノン、Ｎ―プロピルピロリジノン、Ｎ―ブチルピロリジノン、Ｎ―ヘキシルピロリジノン、Ｎ―シクロヘキシルピロリジノン等のピロリジノン系溶媒；
メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール（ｉｓｏ−ブタノール）、２−ブタノール（ｓｅｃ−ブタノール）、２−メチル−２−プロパノール（ｔｅｒｔ−ブタノール）、１−ペンタノール、２−ペンタノール、２−メチルブタノール、２−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール（ｔｅｒｔ−ペンタノール）、３−メトキシブタノール、１−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、２−ヘキサノール、２−エチルブタノール、２−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサノール、２−オクタノール、１−ノニルアルコール、１−デカノール、２−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、２−テトラデシルアルコール、２−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール系溶媒；
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン等のエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のアルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒；
エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のアルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ｉｓｏ−プロピル、酢酸ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉｓｏ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒；
Ｎ―メチルピロリジノン、Ｎ―エチルピロリジノン、Ｎ―プロピルピロリジノン、Ｎ―ブチルピロリジノン、Ｎ―ヘキシルピロリジノン、Ｎ―シクロヘキシルピロリジノン等のピロリジノン系溶媒；
メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール（ｉｓｏ−ブタノール）、２−ブタノール（ｓｅｃ−ブタノール）、２−メチル−２−プロパノール（ｔｅｒｔ−ブタノール）、１−ペンタノール、２−ペンタノール、２−メチルブタノール、２−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール（ｔｅｒｔ−ペンタノール）、３−メトキシブタノール、１−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、２−ヘキサノール、２−エチルブタノール、２−ヘプタノール、１−オクタノール、２−エチルヘキサノール、２−オクタノール、１−ノニルアルコール、１−デカノール、２−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、２−テトラデシルアルコール、２−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶媒；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール系溶媒；
アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
なお、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に（Ｂ）成分以外の溶媒を用いた場合には、反応後に留去等によって溶媒を除去し、得られるシロキサン樹脂をインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の調製に供することができる。
前記の溶媒を用いて一般式（Ｉ−１）、一般式（Ｉ−２）及び一般式（Ｉ−３）を加水分解・重縮合する際の溶媒量は、反応の均一性等の点から、ＳｉＯ２換算濃度が５質量％〜３５質量％の範囲になるようにすることが好ましく、下限としては１０質量％以上の範囲が、上限としては３０質量％以下の範囲が、それぞれより好ましい。
また、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際、反応時間の短縮、反応の均一化のため、触媒を添加することが好ましい。触媒としては、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物等が挙げられるが、得られるインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の安定性確保の点から、酸触媒を用いることが好ましい。
酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸及びトリフルオロエタンスルフォン酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸及びフッ酸が挙げられる。これらの中で特に有機酸としてはマレイン酸、無機酸としては硝酸を用いることが好ましい。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
触媒の使用量は、アルコキシシランの種類及び使用量、触媒の種類等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用い、かつ、触媒として酸触媒を用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、酸触媒の使用量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１０］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／３０００］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）／１００］の範囲が更に好ましい。酸触媒の使用量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象の抑制が容易になる。
また、アルコキシシランを加水分解・重縮合させる際、使用する水の量は、アルコキシシランの種類及び使用量等に応じて適宜選定することができる。例えば、一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシラン、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシラン及び一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランを組み合わせて用いる場合、アルコキシシランの総モル数に対する一般式（Ｉ−１）で表されるテトラアルコキシシランのモル比率をＡ、一般式（Ｉ−２）で表されるトリアルコキシシランのモル比率をＢ、一般式（Ｉ−３）で表されるジアルコキシシランのモル比率をＣとすると、水の量（モル比率）は、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×０．５］〜［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×２］の範囲が好ましく、［（４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×０．５］〜［４Ａ＋３Ｂ＋２Ｃ）×１］の範囲が更に好ましい。水の量を前記の範囲内とすることで、反応を充分に進行させることができ、また、反応が進行しすぎてゲル化する現象の抑制が容易になる。
（Ａ）成分であるケイ素化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、溶媒への溶解性、インクジェット吐出性等の観点から、５００〜２００００であることが好ましく、５００〜１００００であるとより好ましい。当該重量平均分子量が前記範囲内であると、シリカ系被膜の成膜性と、ケイ素化合物と溶媒との相溶性とを高水準で達成できる。なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）により測定され、かつ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。
＜重量平均分子量の測定＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件によるＧＰＣにより測定することができる。
重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件によるＧＰＣにより測定することができる。
（条件）
試料：インクジェット用シリカ系被膜形成組成物 １０μＬ
標準ポリスチレン：東ソー株式会社製標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
検出器：株式会社日立製作所製、ＲＩ−モニター、商品名「Ｌ−３０００」
インテグレーター：株式会社日立製作所製、ＧＰＣインテグレーター、商品名「Ｄ−２２００」
ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−６０００」
デガス装置：昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ ＤＥＧＡＳ」
カラム：日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ−Ｒ４４０」、「ＧＬ−Ｒ４３０」、「ＧＬ−Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
測定温度：２３℃
流速：１．７５ｍＬ／分
測定時間：４５分
試料：インクジェット用シリカ系被膜形成組成物 １０μＬ
標準ポリスチレン：東ソー株式会社製標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
検出器：株式会社日立製作所製、ＲＩ−モニター、商品名「Ｌ−３０００」
インテグレーター：株式会社日立製作所製、ＧＰＣインテグレーター、商品名「Ｄ−２２００」
ポンプ：株式会社日立製作所製、商品名「Ｌ−６０００」
デガス装置：昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ ＤＥＧＡＳ」
カラム：日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ−Ｒ４４０」、「ＧＬ−Ｒ４３０」、「ＧＬ−Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
測定温度：２３℃
流速：１．７５ｍＬ／分
測定時間：４５分
本実施形態において、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中の（Ａ）成分の含有量は、５〜３５質量％であることが好ましい。（Ａ）成分の含有量が５質量％以上であれば、形成されるシリカ系被膜の膜厚が薄過ぎず適度な厚さとなるため、所望の膜厚を得るために複数回の重ね描画が必要となる可能性を低減できる。これにより、プロセス時間の増大や重ね描画による描画パターンの滲み発生を抑制しやすくなる。一方、（Ａ）成分の含有量が３５質量％以下であれば、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物の保管安定性をより良好にすることができる傾向にあり、同様の観点で３０質量％以下であることが好ましい。
（Ｂ）成分：溶媒
本実施形態に係る（Ｂ）成分は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含有し、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である溶媒である。なお、本明細書において、「沸点」とは常圧での沸点を意味する。
本実施形態に係る（Ｂ）成分は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含有し、溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、かつ、溶媒の全質量に対する第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である溶媒である。なお、本明細書において、「沸点」とは常圧での沸点を意味する。
γ−ブチロラクトンは、沸点が２０４℃であり、２０℃における表面張力が４３．９ｄｙｎ／ｃｍ（４３．９×１０−３Ｎ／ｍ）の有機溶媒である。このような沸点と表面張力とを有するγ−ブチロラクトンを溶媒中に含有させることにより、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物のノズル先端部での非乾燥性とインク着弾時の液滴濡れ広がり抑制の両立が可能となると考えられる。
第２の溶媒は、沸点が８０℃〜１００℃であり、沸点がこのような範囲内であれば、特に制限はないが、前記沸点は８０℃〜９５℃であることが好ましく、８０℃〜９０℃であることがより好ましい。第２の溶媒としては、１−プロパノール、２−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、２−ブタノール等が挙げられる。なお、組成物に含まれる第２の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。
第３の溶媒は、沸点が１８０℃〜２３０℃である。前記γ−ブチロラクトンの沸点はこの範囲であるが、第３の溶媒からは除かれる。第３の溶媒の沸点は、１８０℃〜２２０℃であることがより好ましく、１８０℃〜２１０℃であることが更に好ましく、１８０℃〜２００℃であることが特に好ましい。ノズル先端部での非乾燥性とインク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制の両立には、前述のとおり、γ-ブチロラクトンを用いなければならないが、一方で、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物中のシロキサン樹脂の溶媒への相溶性向上や、インクの室温下での安定性向上を図るためには、γ-ブチロラクトンとγ-ブチロラクトン以外の溶媒とを併用することが好ましい。
第３の溶媒としては、アルコキシシランを加水分解・重縮合する際に用いる溶媒の説明で例示した、エーテル系溶媒、グリコール系溶媒、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒、アルキレングリコールジアルキルエーテル系溶媒、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート系溶媒等が挙げられ、中でも、γ-ブチロラクトンと第２の溶媒との相溶性に優れる点で、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒、グリコール系溶媒が好ましい。なお、組成物に含まれる第３の溶媒は、１種又は２種以上のいずれであってもよい。
本実施形態において、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含有する溶媒の全質量に対するγ−ブチロラクトンの質量比は０．２以上であるが、０．２〜０．７であることが好ましく、０．２〜０．６であることがより好ましい。γ−ブチロラクトンの質量比をこの範囲内とすることで、組成物を含有するインクを吐出する際のノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がりの抑制を両立できる。このため、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさずかつ描画パターンの断面を矩形にできる。
また、本実施形態において、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含有する溶媒の全質量に対する、第２の溶媒の質量比は０．２〜０．５であるが、０．２５〜０．５であることが好ましく、０．３〜０．５であることがより好ましい。第２の溶媒の質量比をこの範囲内とすることで、組成物を含有するインクを吐出する際のノズル先端部での非乾燥性と、着弾時の液滴濡れ広がりの抑制を両立できる。このため、未吐出と吐出の操作を繰り返してもインクジェットノズルの目詰まりを起こさずかつ描画パターンの断面を矩形にできる。
（Ｃ）成分：表面調整剤
本実施形態の組成物は（Ｃ）成分として表面調整剤を含有する。組成物が表面調整剤を含有することによって、インクの基板表面への濡れ性制御及び描画パターンの滲み防止が可能となり、描画パターンの断面形状を矩形に制御することができる。（Ｃ）成分としては、「表面調整剤」として市販されている化合物を特に制限なく使用することができ、具体的には、フッ素系表面調整剤、シリコーン系表面調整剤、ノニオン系表面調整剤等を用いることができる。中でも、特にシリコーン系表面調整剤を用いることがインク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制の上で効果的である。
本実施形態の組成物は（Ｃ）成分として表面調整剤を含有する。組成物が表面調整剤を含有することによって、インクの基板表面への濡れ性制御及び描画パターンの滲み防止が可能となり、描画パターンの断面形状を矩形に制御することができる。（Ｃ）成分としては、「表面調整剤」として市販されている化合物を特に制限なく使用することができ、具体的には、フッ素系表面調整剤、シリコーン系表面調整剤、ノニオン系表面調整剤等を用いることができる。中でも、特にシリコーン系表面調整剤を用いることがインク着弾時の液滴濡れ広がりの抑制の上で効果的である。
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分に対して、０．１質量％以上が好ましく、０．１５質量％以上がより好ましく、０．２質量％以上がさらに好ましい。また、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分に対して、１．０質量％以下が好ましく、０．９質量％以下がより好ましく、０．８質量％以下がさらに好ましい。なお、（Ｃ）成分は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
［シリカ系被膜の形成方法］
本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法は、インクジェット法により、前記の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を予備硬化させる工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備える。
本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法は、インクジェット法により、前記の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、描画パターン膜を予備硬化させる工程と、描画パターン膜を硬化させる工程と、を備える。
［描画パターン膜を形成する工程］
インクジェット法によるパターン描画は、インクジェット装置を用いて行うことができる。インクジェット装置は、一般的にコンティニュアス型（連続吐出型）とオンデマンド型の２種類の型式に大別されるが、本実施形態においてはオンデマンド型を用いることが好ましい。コンティニュアス型は、基板上にパターンを描画しないときであってもインクは常に連続して吐出する方式である。一方、オンデマンド型は、必要な時に必要な量だけインクを吐出し、基板上にパターンを描画する方式である。
インクジェット法によるパターン描画は、インクジェット装置を用いて行うことができる。インクジェット装置は、一般的にコンティニュアス型（連続吐出型）とオンデマンド型の２種類の型式に大別されるが、本実施形態においてはオンデマンド型を用いることが好ましい。コンティニュアス型は、基板上にパターンを描画しないときであってもインクは常に連続して吐出する方式である。一方、オンデマンド型は、必要な時に必要な量だけインクを吐出し、基板上にパターンを描画する方式である。
オンデマンド型には、電圧を加えると変形するピエゾ素子を用いたインクジェット装置と加熱によって生じる気泡を利用して吐出するサーマル方式のインクジェット装置がある。本発明のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、基本的にはどちらの方式を用いても構わないが、インクの組成変化を抑制する点からピエゾ素子を用いたインクジェット装置を用いることがより好ましい。
インクジェット法にてパターン描画する際に、描画する基板を５０〜１００℃の範囲で加熱しながら描画してもよい。基板加熱によって、基板上でのインクの即乾性を更に向上でき、描画パターンの乱れを防止できる。
［描画パターン膜を予備硬化させる工程］
本実施形態においては、描画パターン膜を硬化させる工程の前に、描画パターン膜を予備硬化させる工程を備えていることが好ましい。予備硬化させる際には、一段目ベイク８０〜１４０℃、二段目ベイク１８０〜２５０℃の温度のホットプレート等にて、描画パターン膜中のシロキサン樹脂の重縮合反応促進と有機溶媒の乾燥とを段階的に分けて行ってもよい。また、前記一段目ベイク、二段目ベイク内をさらに多段化してもよい。多段ベイクによって、シロキサン樹脂は均一に硬化され、溶媒除去時の熱対流に伴う描画パターンの乱れが防止できる。
本実施形態においては、描画パターン膜を硬化させる工程の前に、描画パターン膜を予備硬化させる工程を備えていることが好ましい。予備硬化させる際には、一段目ベイク８０〜１４０℃、二段目ベイク１８０〜２５０℃の温度のホットプレート等にて、描画パターン膜中のシロキサン樹脂の重縮合反応促進と有機溶媒の乾燥とを段階的に分けて行ってもよい。また、前記一段目ベイク、二段目ベイク内をさらに多段化してもよい。多段ベイクによって、シロキサン樹脂は均一に硬化され、溶媒除去時の熱対流に伴う描画パターンの乱れが防止できる。
［描画パターン膜を硬化させる工程］
本工程において、最終硬化は、例えば、描画パターン膜（予備硬化していなくてもよい）を、３５０〜１０００℃の加熱温度で焼成して行う。なお、最終硬化の加熱温度が３５０℃以上であれば、充分な硬化が達成され易く、１０００℃以下であれば、基板に悪影響が生じ難い。
本工程において、最終硬化は、例えば、描画パターン膜（予備硬化していなくてもよい）を、３５０〜１０００℃の加熱温度で焼成して行う。なお、最終硬化の加熱温度が３５０℃以上であれば、充分な硬化が達成され易く、１０００℃以下であれば、基板に悪影響が生じ難い。
最終硬化の際の加熱時間は、２〜６０分が好ましく、２〜３０分であるとより好ましい。この加熱時間が６０分以下であれば、入熱量が過度に増大することがないため、徐々に基板の劣化が生じてしまうことが抑制される。また、加熱装置としては、石英チューブ炉その他の炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール（ＲＴＡ）、ＵＶ照射アニール、ＥＢ照射アニール等の加熱処理装置などを用いることが好ましい。
最終硬化時のガスの雰囲気は、基板に対して悪影響を及ぼさなければ、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスの雰囲気でも、酸素やオゾン等の活性ガスの雰囲気のどちらであってもよい。
本実施形態に係るシリカ系被膜の形成方法により形成されるシリカ系被膜の用途は特に制限されないが、例えば、半導体デバイス（素子）や多層配線板等の絶縁膜を備えるデバイスへの使用などが挙げられる。具体的には、半導体デバイスにおいては、表面保護膜（パッシベーション膜）、バッファーコート膜、層間絶縁膜、拡散防止膜等として使用することができる。一方、多層配線板においては、層間絶縁膜として好適に使用することができる。
［半導体デバイス］
本実施形態の半導体デバイスは、基板と、前記シリカ系被膜の形成方法により基板上に形成された、所定のパターンを有するシリカ系被膜と、を備えている。このような半導体デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子などが挙げられる。
本実施形態の半導体デバイスは、基板と、前記シリカ系被膜の形成方法により基板上に形成された、所定のパターンを有するシリカ系被膜と、を備えている。このような半導体デバイスとしては、例えば、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリー）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリー）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリー）、フラッシュメモリー等の記憶素子、マイクロプロセッサー、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ等の理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体等の集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結合素子等の光電変換素子などが挙げられる。
なお、多層配線板としては、例えば、ＭＣＭ等の高密度配線板が挙げられる。
［太陽電池システム］
本実施形態の太陽電池システムは、前記半導体デバイスを備えている。前述の半導体デバイスの中で、光電変換素子は太陽電池システムに使用される半導体デバイスであり、昨今の環境問題の影響もあって開発が活発になされている。代表的な光電変換素子としては、半導体のＳｉウェハにドーパントと呼ばれる不純物を拡散させて、ｐ−ｎ接合を形成したものが挙げられる。このような光電変換素子においては、太陽電池の高効率化のため、ドーパントの非拡散領域と拡散領域が１枚のＳｉウェハ上に混在するような素子を作製する場合がある。そのような場合、非拡散領域に拡散防止マスクを形成する必要が生じる。これまで、拡散防止マスクはＣＶＤ等で形成したシリカ系被膜をフォトリソグラフィー法でパターン化して得ていた。しかし、本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を用いれば、インクジェットによってパターン化したシリカ系被膜を得ることができ、工程数の削減や必要材料の削減が可能なため、有用である。
本実施形態の太陽電池システムは、前記半導体デバイスを備えている。前述の半導体デバイスの中で、光電変換素子は太陽電池システムに使用される半導体デバイスであり、昨今の環境問題の影響もあって開発が活発になされている。代表的な光電変換素子としては、半導体のＳｉウェハにドーパントと呼ばれる不純物を拡散させて、ｐ−ｎ接合を形成したものが挙げられる。このような光電変換素子においては、太陽電池の高効率化のため、ドーパントの非拡散領域と拡散領域が１枚のＳｉウェハ上に混在するような素子を作製する場合がある。そのような場合、非拡散領域に拡散防止マスクを形成する必要が生じる。これまで、拡散防止マスクはＣＶＤ等で形成したシリカ系被膜をフォトリソグラフィー法でパターン化して得ていた。しかし、本実施形態のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を用いれば、インクジェットによってパターン化したシリカ系被膜を得ることができ、工程数の削減や必要材料の削減が可能なため、有用である。
また、本実施形態に係るシリカ系被膜は、液晶用部品、光導波路、フォトレジスト等の用途としても使用することができるが、使用用途はこの限りではない。
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら制限されるものではない。
（ケイ素化合物Ａの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ａを得た。この時点でのケイ素化合物Ａのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでジプロピレングリコールモノメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ａを得た。この時点でのケイ素化合物Ａのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
（ケイ素化合物Ｂの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、トリエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２１６℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでトリエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｂを得た。この時点でのケイ素化合物Ｂのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、トリエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２１６℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでトリエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｂを得た。この時点でのケイ素化合物Ｂのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
（ケイ素化合物Ｃの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、γ-ブチロラクトン（沸点２０４℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでγ-ブチロラクトンを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、γ-ブチロラクトン（沸点２０４℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでγ-ブチロラクトンを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
（ケイ素化合物Ｄの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、２−プロパノール（沸点８２℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまで２−プロパノールを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、２−プロパノール（沸点８２℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまで２−プロパノールを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
（ケイ素化合物Ｅの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでテトラエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（沸点２７３℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでテトラエチレングリコールジメチルエーテルを加えてケイ素化合物Ｃを得た。この時点でのケイ素化合物Ｃのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
（ケイ素化合物Ｆの調製）
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでプロピレングリコールモノプロピルエーテルを加えてケイ素化合物Ｆを得た。この時点でのケイ素化合物Ｆのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
テトラエトキシシラン６６．２ｇと、フェニルトリエトキシシラン７６．１ｇとを、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）２１．３ｇに溶解させた溶液中に、マレイン酸０．４ｇを溶解させた水３６．０ｇを攪拌下で１０分間かけて滴下し、１０時間反応させて２００ｇのケイ素化合物溶液を得た。このとき、テトラエトキシシランのモル量Ｍ１に対するフェニルトリエトキシシランのモル量Ｍ２の比Ｍ２／Ｍ１は１．０であった。その後、エバポレータを用いて、前記ケイ素化合物溶液全量が９５ｇ以下になるまで、減圧留去した。その後、ケイ素化合物溶液全量が１００ｇになるまでプロピレングリコールモノプロピルエーテルを加えてケイ素化合物Ｆを得た。この時点でのケイ素化合物Ｆのシロキサン樹脂固形分濃度は６０質量％であった。
［実施例１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成株式会社製、商品名。ディスパロンは登録商標）を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成株式会社製、商品名。ディスパロンは登録商標）を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例５］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５３．４ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．１ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．３／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例７］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．４／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．４／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例８］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例９］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．６、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．６／０．２／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．６、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．６／０．２／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例１０］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．６、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．６、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例１１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例１２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例１３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例１４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例１５］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例１６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例１７］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例１８］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例１９］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２０］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例２１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例２２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成）を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１（楠本化成）を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２５］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例２６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例２７］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２８］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例２９］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例３０］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例３１］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例３２］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−メチル−２−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例３３］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−メチル−２−プロパノール（沸点８３℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−メチル−２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例３４］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／１−プロパノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例３５］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの１−プロパノール（沸点９７℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する１−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［実施例３６］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−ブタノール／トリエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［実施例３７］
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ｂに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−ブタノール（沸点１００℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−ブタノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［比較例１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１１．４ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．２／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、５．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１１．４ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．２／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．１ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．３／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．１ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．３％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．３／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、３２．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．４／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、３２．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．４／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、５０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．５／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、５０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．１、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．１／０．５／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例５］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５４．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．８である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５４．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．８である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例６］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１１．４ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、５．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．１であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．１／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１１．４ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、５．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．１であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．１／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例７］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．８であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．８／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．８であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．８／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例８］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．８、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．１であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．８、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．１であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［比較例９］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．６／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．６であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は２３．１％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．６／０．２である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１０］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．７であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［比較例１１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇのプロピレングリコールモノプロピルエーテル（沸点１５０℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するプロピレングリコールモノプロピルエーテルの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／プロピレングリコールモノプロピルエーテル／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１５］
前記ケイ素化合物Ａに、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１６］
前記ケイ素化合物Ａに、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、４０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．２／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例１７］
前記ケイ素化合物Ａに、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、１６０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２００．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．４、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［比較例１８］
前記ケイ素化合物Ａに、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
前記ケイ素化合物Ａに、２８０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、８０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．７、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は１３．０％であり、これをインクジェット用シリカ系被膜形成組成物とした。
［比較例１９］
前記ケイ素化合物Ｃに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｃに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２０］
前記ケイ素化合物Ｄに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｄに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２１］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇのジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、３６１．５ｇのジプロピレングリコールモノメチルエーテル（沸点１８８℃）を添加・攪拌してシロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２２］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１７．２ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．３／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１７．２ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は５１．２％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．３／０．７である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２３］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．４／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２４］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．５／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（２−プロパノール／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．５／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２５］
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２６］
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１６．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、２４．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．３であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４２．９％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．３／０．５である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２７］
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２０．０ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、４０．０ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．４であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３７．５％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．４／０．４である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２８］
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｅに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、２６．７ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、６６．７ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．５であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は３１．０％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／テトラエチレングリコールジメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．５／０．３である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例２９］
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇのアセトン（沸点５６．５℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するアセトンの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／アセトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ａに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇのアセトン（沸点５６．５℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対するアセトンの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／アセトン／ジプロピレングリコールモノメチルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
［比較例３０］
前記ケイ素化合物Ｆに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／プロピレングリコールモノプロピルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
前記ケイ素化合物Ｆに、シリコーン系表面調整剤であるディスパロン１７１１を０．３ｇ添加・攪拌し、１３．３ｇのγ―ブチロラクトン（沸点２０４℃）と、１３．３ｇの２−プロパノール（沸点８２℃）を添加・攪拌した。この時点で、溶媒の全質量に対するγ―ブチロラクトンの質量比は０．２、溶媒の全質量に対する２−プロパノールの質量比は０．２であった。また、この時点でのシロキサン樹脂固形分濃度は４７．４％であった。そこで、シロキサン樹脂固形分濃度が１３．０％になるまで、（γ―ブチロラクトン／２−プロパノール／プロピレングリコールモノプロピルエーテル）の質量組成比が０．２／０．２／０．６である混合溶媒を添加し、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物を作製した。
このようにして得られた実施例１〜３７及び比較例１〜３０のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物について、以下の評価を実施した。
［再吐出時のノズル目詰まり評価］
再吐出時のノズル目詰まり評価においては、（株）マイクロジェット社製のＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００ Ｓｔａｎｄａｒｄのインクジェット吐出機を用いた。そして、室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。
再吐出時のノズル目詰まり評価においては、（株）マイクロジェット社製のＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００ Ｓｔａｎｄａｒｄのインクジェット吐出機を用いた。そして、室温（２３℃）下で吐出（３分）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）、未吐出（５分）、吐出（３０秒）の順序でインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）の吐出と未吐出を繰り返した際に、ノズル目詰まりすることなくインクが吐出されているかどうかを判定した。
［描画パターン断面形状の評価］
描画パターンの断面形状は以下のようにして評価した。まず、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００ Ｓｔａｎｄａｒｄのインクジェット吐出機を用いてインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）を吐出し、７０℃に加熱した鏡面Ｓｉウェハ上に所定のパターンを描画した。この時、装置の描画条件を「幅８００μｍ、長さ２００００μｍ、膜厚１．２μｍ」に設定した。そして、描画したパターン断面形状を段差計で測定した。段差計は、Ｖｅｅｃｏ社製のＤｅｋｔａｋ１５０を用いた。このとき、膜厚０μｍ（底辺）における描画パターン断面幅に対する、膜厚１．１μｍにおける描画パターンの断面幅の割合（％）を矩形度として算出した。そして、矩形度が８５％以上ある場合には、断面形状は矩形であると評価した。
描画パターンの断面形状は以下のようにして評価した。まず、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ−１１００ Ｓｔａｎｄａｒｄのインクジェット吐出機を用いてインク（各インクジェット用シリカ系被膜形成組成物）を吐出し、７０℃に加熱した鏡面Ｓｉウェハ上に所定のパターンを描画した。この時、装置の描画条件を「幅８００μｍ、長さ２００００μｍ、膜厚１．２μｍ」に設定した。そして、描画したパターン断面形状を段差計で測定した。段差計は、Ｖｅｅｃｏ社製のＤｅｋｔａｋ１５０を用いた。このとき、膜厚０μｍ（底辺）における描画パターン断面幅に対する、膜厚１．１μｍにおける描画パターンの断面幅の割合（％）を矩形度として算出した。そして、矩形度が８５％以上ある場合には、断面形状は矩形であると評価した。
実施例１〜３７及び比較例１〜３０のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物の組成、並びに前記の評価結果を、表１〜９に示す。
表１に記載の実施例及び比較例では、用いる３種類の溶媒の質量比を固定し、また、合成時の溶媒は異なるものの同一組成のシロキサン化合物（テトラエトキシシラン及びフェニルトリエトキシシラン）を用いて評価を行った。実施例に示すように、本発明のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、溶媒としてγ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含むことが少なくとも重要であることが確認された。
以上のとおり、実施例１〜３７においては、再吐出時のノズル目詰まりはなく、パターン断面形状も、膜厚１．１μｍにおける断面幅が描画パターン断面の底辺幅に対し８５％以上であり、矩形であった。このことから、本発明のインクジェット用シリカ系被膜形成組成物は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を、それぞれ適切な質量比で含むことにより、極めて優れた特性を示すことが確認された。
Claims (5)
- 下記一般式（Ｉ）で表される化合物を加水分解・重縮合して得られるケイ素化合物と、溶媒と、表面調整剤と、を含有し、
前記溶媒は、γ−ブチロラクトン、沸点が８０〜１００℃である第２の溶媒及び沸点が１８０〜２３０℃である第３の溶媒を含み、
前記溶媒の全質量に対する前記γ−ブチロラクトンの質量比が０．２以上であり、前記溶媒の全質量に対する前記第２の溶媒の質量比が０．２〜０．５である、インクジェット用シリカ系被膜形成組成物。
Ｒ１ ｎＳｉＸ４−ｎ …（Ｉ）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、複数存在するＲ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、複数存在するＸは同一でも異なっていてもよい。］ - 前記表面調整剤がシリコーン系表面調整剤である、請求項１記載の組成物。
- インクジェット法により、請求項１又は２に記載の組成物を吐出してパターン描画を行い描画パターン膜を形成する工程と、
前記描画パターン膜を硬化させる工程と、
を備えるシリカ系被膜の形成方法。 - 基板と、
該基板上に、請求項３に記載の方法により形成されたシリカ系被膜と、
を備える半導体デバイス。 - 請求項４に記載の半導体デバイスを備える太陽電池システム。
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|---|---|---|---|---|
| WO2016088352A1 (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜用インク、成膜方法、膜付きデバイスおよび電子機器 |
-
2011
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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