JP2014131038A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率を増加させる発光素子を提供すること。
【解決手段】実施形態の発光素子は、基板と、基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルと、隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線とを含み、隣接する発光セルのうちの一方は複数の第１セグメントを含み、隣接する発光セルのうちの他方は複数の第１セグメントとそれぞれ対向する複数の第２セグメントを含み、それぞれが連結配線と接する端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントの間の離隔距離よりも、それぞれが連結配線と接しない端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントの間の離隔距離がさらに小さい。
【選択図】図２

Description

実施形態は、発光素子に関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）の金属有機化学気相蒸着法及び分子線成長法などの発達に基づいて、高輝度及び白色光の具現が可能な赤色、緑色及び青色発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が開発された。

このようなＬＥＤは、白熱灯と蛍光灯などの既存の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないので環境性に優れ、長寿命、低電力消費特性などのような長所があるので、既存の光源を代替している。このようなＬＥＤ素子の核心競争要素は、高効率及び高出力チップ、及びパッケージング技術による高輝度の具現である。

高輝度を具現するために光抽出効率を高めることが重要である。光抽出効率を高めるために、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）構造、表面凹凸の形成（ｓｕｒｆａｃｅ ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）、凹凸が形成されたサファイア基板（ＰＳＳ：Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）技術、及び反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造などを用いた様々な方法が研究されている。

図１は、既存の発光素子１０の平面図を示す。

図１に示した発光素子１０は、第１及び第２電極パッド２２，２４、９個の発光領域４０、及び隣接する発光領域４０を電気的に接続する連結金属３０で構成される。このとき、隣接する発光領域４０間の距離Ｄは全て同一である。このような一般的な構造の発光素子１０に対して発光効率を増大させるための様々な方法が研究されている。

特に、図１の発光領域４０のそれぞれの発光構造物（図示せず）の側壁は、連結金属３０が切れるのを防止するために基板（図示せず）に対して傾斜することができる。この場合、発光領域の損失が不可避であるという問題点があるため、発光領域の増大がより要望されている。

実施形態は、発光領域を増大させることで、発光効率を増大させる発光素子を提供する。

実施形態の発光素子は、基板と、前記基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルと、隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線とを含み、前記隣接する発光セルのうちの一方は複数の第１セグメントを含み、前記隣接する発光セルのうちの他方は前記複数の第１セグメントとそれぞれ対向する複数の第２セグメントを含み、それぞれが前記連結配線と接する端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントの間の離隔距離よりも、それぞれが前記連結配線と接しない端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントの間の離隔距離がさらに小さい。

前記第１セグメントは、前記連結配線と接する端部を有する第１−１セグメントと、前記第１−１セグメントから延び、前記連結配線と接しない端部を有する第１−２セグメントとを含み、前記第２セグメントは、前記連結配線と接する端部を有し、前記第１−１セグメントと対向する第２−１セグメントと、前記第２−１セグメントから延び、前記連結配線と接しない端部を有し、前記第１−２セグメントと対向する第２−２セグメントとを含むことができる。

前記第１−２セグメントの前記第２−２セグメントと対向する端部は、前記第１−１セグメントの前記第２−１セグメントと対向する端部よりも第１突出長さだけさらに突出することができる。

前記第２−２セグメントの前記第１−２セグメントと対向する端部は、前記第２−１セグメントの前記第１−１セグメントと対向する端部よりも第２突出長さだけさらに突出することができる。

前記第１突出長さと前記第２突出長さは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。

前記第１−２セグメントは、前記第１−１セグメントの両側に延びて配置され、前記第２−２セグメントは、前記第２−１セグメントの両側に延びて配置されることができる。

前記第１−１セグメントの端部の幅と前記第２−１セグメントの端部の幅は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

前記第１−２セグメントの端部の幅と前記第２−２セグメントの端部の幅は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

前記隣接する発光セルのそれぞれは、前記基板上に配置された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層上に配置された活性層と、前記活性層上に配置された第２導電型半導体層とを含む。

前記第１−１セグメントにおいて前記第１導電型半導体層の端部は前記連結配線と接し、前記第２−１セグメントにおいて前記第２導電型半導体層の端部は前記連結配線と接することができる。

前記第１−２セグメントの端部と前記第２−２セグメントの端部との間の離隔距離は、５μｍ〜５０μｍであってもよい。

前記第１−１セグメントの端部と前記第２−１セグメントの端部との間の離隔距離は、１０μｍ〜５５μｍであってもよい。

前記第１−１セグメントの端部の幅は、５μｍ〜８μｍであってもよい。

前記第２−１セグメントの端部の幅は、５μｍ〜８μｍであってもよい。

前記第１セグメントを含む発光セル及び前記第２セグメントを含む発光セルは、垂直方向または水平方向のうち少なくとも一つの方向に隣接することができる。

前記発光素子は、下記式に示されたように増加した面積を有する発光領域を有することができる。

ここで、ＴＰＡは、前記発光領域の増加面積を示し、Ｗ１２は、前記第１−２セグメントの端部の幅を示し、△Ｌ１は、前記第１−２セグメントの前記第２−２セグメントと対向する端部が、前記第１−１セグメントの前記第２−１セグメントと対向する端部よりさらに突出した第１突出長さを示し、Ｗ２２は、前記第２−２セグメントの端部の幅を示し、△Ｌ２は、前記第２−２セグメントの前記第１−２セグメントと対向する端部が、前記第２−１セグメントの前記第１−１セグメントと対向する端部よりさらに突出した第２突出長さを示し、Ｍは、前記複数の発光セルの個数を示す。

実施形態に係る発光素子は、既存より発光領域がさらに広いので、光度及び動作電圧が改善され、電流密度が減少して信頼性を改善することができる。

下記の図面を参照して実施形態について詳細に説明する。ただし、図面中、同一の構成要素には同一の参照符号を付する。
既存の発光素子の平面図である。 実施形態に係る発光素子の平面図である。 図２の３−３'線に沿って切断した断面図である。 図２の４−４'線に沿って切断した断面図である。 図２に示した発光素子の回路図である。 図２に示した“Ａ”部分を拡大して示した平面図である。 発光面積の増加による光度及び動作電圧を示すグラフである。 実施形態に係る発光素子を含む照明装置の分解斜視図である。 実施形態に係る発光素子を含む表示装置を示す図である。

以下、本発明を具体的に説明するために実施形態を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施形態は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施形態に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

本発明の実施形態の説明において、各構成要素の「上／上部または下／下部（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、「上／上部または下／下部（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」は、二つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記二つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。

また、「上／上部又は下／下部（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。

図２は、実施形態に係る発光素子１００の平面図を示し、図３は、図２の３−３'線に沿って切断した断面図を示し、図４は、図２の４−４'線に沿って切断した断面図を示す。

図２乃至図４を参照すると、発光素子１００は、第１〜第Ｍ伝導層１１０−１〜１１０−Ｍ、（ここで、Ｍは、２以上の正の整数）、第１ボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ ｐａｄ）１２２、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎ（ここで、Ｎは、１以上の正の整数）、第２ボンディングパッド１２６、基板１３０及び発光構造物１４０を含む。

基板１３０は、半導体物質の成長に適した物質、キャリアウエハで形成することができる。また、基板１３０は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板または絶縁性基板であってもよい。また、基板１３０は、透光性を有する物質からなってもよく、発光素子の全体窒化物発光構造物１４０の反りを引き起こさないとともに、スクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程及びブレーキング（ｂｒｅａｄｉｎｇ）工程を通じて別個のチップによく分離させるための程度の機械的強度を有することができる。例えば、基板１３０は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧａＡｓ、Ｇｅのうち少なくとも一つを含む物質であってもよい。このような基板１３０の上面は凹凸パターン形状を有することができる。例えば、たとえ図示していないが、基板１３０は、ＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であってもよい。

また、たとえ図示していないが、基板１３０と発光構造物１４０との間にバッファ層がさらに配置されてもよい。バッファ層は、III−V族元素の化合物半導体を用いて形成することができる。バッファ層は、基板１３０と発光構造物１４０との間の格子定数の差を減少させる役割を果たす。例えば、バッファ層は、ＡｌＮを含むか、またはアンドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）窒化物を含むことができるが、これに限定されない。バッファ層は、基板１３０の種類及び発光構造物１４０の種類によって省略してもよい。

以下、説明の便宜上、発光セルの個数Ｍは９であると仮定するが、実施形態はこれに限定されず、発光セルが９個より多いか、または少ない場合にも同一に適用することができる。

発光セルは、基板１３０上に水平方向に互いに離隔して配列される。

まず、複数の発光領域Ｐ１〜ＰＭを順に第１発光領域〜第Ｍ発光領域という。すなわち、第１ボンディングパッド１２２が位置する発光領域を第１発光領域Ｐ１といい、第２ボンディングパッド１２６が位置する発光領域を第９発光領域Ｐ９という。

第１〜第Ｍ発光セルは、基板１３０の第１〜第Ｍ発光領域にそれぞれ配置される。すなわち、第１発光セルは基板１３０の第１発光領域Ｐ１に配置され、第２発光セルは基板１３０の第２発光領域Ｐ２に配置され、第３発光セルは基板１３０の第３発光領域Ｐ３に配置され、第４発光セルは基板１３０の第４発光領域Ｐ４に配置され、第５発光セルは基板１３０の第５発光領域Ｐ５に配置され、第６発光セルは基板１３０の第６発光領域Ｐ６に配置され、第７発光セルは基板１３０の第７発光領域Ｐ７に配置され、第８発光セルは基板１３０の第８発光領域Ｐ８に配置され、第９発光セルは基板１３０の第９発光領域Ｐ９に配置される。このように、第ｍ発光セル（１≦ｍ≦Ｍ）は、基板１３０の第ｍ発光領域Ｐｍに配置される。以下、説明の便宜上、第ｍ発光セルを‘Ｐｍ’と呼ぶ。

第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれは、基板１３０上に配置された発光構造物１４０、第ｍ伝導層１１０−ｍ、及び第１及び第２電極を含む。一つの発光セルをなす発光構造物１４０は、境界領域Ｂによって他の発光セルの発光構造物１４０と区分することができる。境界領域Ｂは、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの周りに位置する領域であってもよく、基板１３０であってもよい。複数の第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの面積は同一であってもよいが、これに限定されるものではなく、発光セルの発光頻度によって互いに異なる面積を有することもできる。

各発光セルＰ１〜ＰＭの発光構造物１４０は、基板１３０の上部に順次配置された第１導電型半導体層１４２、活性層１４４及び第２導電型半導体層１４６を含む。

第１導電型半導体層１４２は、基板１３０と活性層１４４との間に配置され、半導体化合物を含むことができ、III−V族、II−VI族などの化合物半導体で具現することができ、第１導電型ドーパントがドープされてもよい。例えば、第１導電型半導体層１４２は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか一つ以上を含むことができる。第１導電型半導体層１４２がｎ型半導体層である場合、第１導電型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのようなｎ型ドーパントを含むことができる。第１導電型半導体層１４２は単層または多層構造を有することができ、これに限定しない。

活性層１４４は、第１導電型半導体層１４２と第２導電型半導体層１４６との間に配置され、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造、量子点構造または量子線構造のいずれか一つを含むことができる。活性層１４４は、III−V族元素の化合物半導体材料を用いて、井戸層と障壁層、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか一つ以上のペア構造を有することができるが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいエネルギーバンドギャップを有する物質からなることができる。

第２導電型半導体層１４６は、活性層１４４の上部に配置され、半導体化合物を含むことができる。第２導電型半導体層１４６は、III−V族、II−VI族などの化合物半導体で具現することができ、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、またはＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか一つ以上を含むことができる。

第２導電型半導体層１４６がｐ型半導体層である場合、第２導電型ドーパントは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのようなｐ型ドーパントであってもよい。第２導電型半導体層１４６は単層または多層構造を有することができ、これに限定しない。

第１導電型半導体層１４２はｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層１４６はｐ型半導体層で具現したり、または第１導電型半導体層１４２はｐ型半導体層であり、第２導電型半導体層１４６はｎ型半導体層で具現してもよい。これによって、発光構造物１４０は、ｎ−ｐ接合、ｐ−ｎ接合、ｎ−ｐ−ｎ接合、及びｐ−ｎ−ｐ接合構造のうち少なくとも一つを含むことができる。

以下、第１導電型半導体層１４２はｎ型半導体層で、第２導電型半導体層１４６はｐ型半導体層であると仮定して説明するが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、第１導電型半導体層１４２がｐ型半導体層で、第２導電型半導体層１４６がｎ型半導体層である場合にも本実施形態は適用可能である。

各発光セルＰ１〜ＰＭにおいて、第１電極は第１導電型半導体層１４２上に配置される。例えば、図４を参照すると、第８発光セルＰ８において、第１電極１５２は第１導電型半導体層１４２上に配置される。第１電極を第１導電型半導体層１４２上に配置するために、発光構造物１４０の第１導電型半導体層１４２の一部を露出させることができる。すなわち、第２導電型半導体層１４６、活性層１４４及び第１導電型半導体層１４２の一部がメサエッチング（ｍｅｓａ ｅｔｃｈｉｎｇ）によってエッチングされて、第１導電型半導体層１４２の一部を露出することができる。このとき、第１導電型半導体層１４２の露出面は、活性層１４４の下面よりも低く位置することができる。

または、各発光セルＰ１〜ＰＭにおいて、第１電極が第１導電型半導体層１４２上に別個に設けられる代わりに、第ｉ発光セルＰｉ（１≦ｉ≦Ｍ−１）の第１電極は第ｉ連結配線１２４−ｉと一体に設けられてもよい。このとき、第Ｍ発光セル（例えば、Ｐ９）の第１電極は第２ボンディングパッド１２６と一体に設けることができる。しかし、実施形態はこれに限定されず、第Ｍ発光セルＰＭの第１電極は第２ボンディングパッド１２６と別個に設けられてもよい。

各発光セルＰ１〜ＰＭにおいて、第２電極は第２導電型半導体層１４６上に配置される。例えば、図４を参照すると、第８発光セルＰ８において、第２電極１５４は第２導電型半導体層１４６上に配置されている。

または、各発光セルＰ１〜ＰＭにおいて、第２電極が第２導電型半導体層１４６上に別個に設けられる代わりに、第ｊ発光セルＰｊ（２≦ｊ≦Ｍ）の第２電極は第ｊ−１連結配線１２４−（ｊ−１）と一体に設けられてもよい。例えば、図４を参照すると、第７発光セルＰ７の第２電極は第６連結配線１２４−６と一体に設けられている。このとき、図３を参照すると、第１発光セルＰ１の第２電極は第１ボンディングパッド１２２と一体に設けられてもよい。しかし、実施形態はこれに限定されず、第１発光セルＰ１の第２電極は第１ボンディングパッド１２２と別個に設けられてもよい。

図４において、説明のために、第８発光セルＰ８の第１電極１５２と第８連結配線１２４−８は別個に設けられ、第８発光セルＰ８の第２電極１５４と第７連結配線１２４−７は別個に設けられる一方、第７発光セルＰ７の第２電極は第６連結配線１２４−６と一体に設けられる場合を図示した。しかし、工程の便宜上、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭの第１及び第２電極は全て一括的に連結配線と一体に設けられてもよく、または別個に設けられてもよいことは勿論である。

各発光セルＰ１〜ＰＭの第１及び第２電極のそれぞれは、接着層（図示せず）、バリア層（図示せず）及びボンディング層（図示せず）が順次積層された構造を有することができる。第１電極の接着層は、第１導電型半導体層１４２とオーミック接触する物質を含み、第２電極の接着層は、第２導電型半導体層１４６とオーミック接触する物質を含むことができる。例えば、接着層は、Ｃｒ、Ｒｄ及びＴｉのうち少なくとも一つの材料で、単層または多層構造で形成することができる。

バリア層は、接着層上に配置され、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＰｔのうち少なくとも一つを含む材料で、単層または多層に形成することができる。例えば、バリア層は、ＣｒとＰｔの合金からなることができる。

また、バリア層と接着層との間にＡｇなどからなる反射層を介在してもよいが、省略してもよい。ボンディング層は、バリア層の上に配置され、Ａｕを含むことができる。

第１ボンディングパッド１２２は、第１電源を提供するためのワイヤ（図示せず）がボンディングされ得る。図２及び図３を参照すると、第１ボンディングパッド１２２は、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのいずれか一つの発光セル（例えば、Ｐ１）の第２導電型半導体層１４６上に配置され、第２導電型半導体層１４６と接触することができる。

また、第２ボンディングパッド１２６は、第２電源を提供するためのワイヤ（図示せず）がボンディングされ得る。図２及び図４を参照すると、第２ボンディングパッド１２６は、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのうちの他の一つの発光セル（例えば、Ｐ＝９）の第１導電型半導体層１４２上に配置され、第１導電型半導体層１４２と接触することができる。

また、第２電極と第２導電型半導体層１４６との間に伝導層１１０−１〜１１０−Ｍがさらに配置されてもよい。各伝導層１１０−ｍは、全反射を減少させるだけでなく、透光性が良いので、活性層１４４から放出されて第２導電型半導体層１４６を経た光の抽出効率を増加させることができる。各伝導層１１０−ｍは、発光波長に対して透過率の高い透明な酸化物系物質、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＴＯ（Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／ＡｕまたはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち少なくとも一つ以上を用いて単層または多層で具現することができる。

第２導電型半導体層１４６上に配置された各伝導層１１０−ｍの面積は、第２導電型半導体層１４６の上部面の面積以下とすることができる。

一方、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎは、複数の発光セルＰ１〜ＰＭを互いに電気的に接続する役割を果たす。すなわち、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎは、隣接する発光セルを電気的に接続する役割を果たす。すなわち、第ｉ連結配線１２４−ｉ（１≦ｉ≦Ｍ−１）は、第ｉ発光領域Ｐｉ、第ｉ＋１発光領域Ｐ（ｉ＋１）及びそれら［Ｐｉ，Ｐ（ｉ＋１）］の間の境界領域Ｂ上に位置して、隣接する第ｉ発光セルＰｉと第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）とを電気的に接続する役割を果たす。例えば、第１連結配線１２４−１（ｉ＝１）は、隣接する第１発光セルＰ１と第２発光セルＰ２とを電気的に接続し、図４に示すように、第７連結配線１２４−７は、第７発光領域Ｐ７、第８発光領域Ｐ８及びそれら（Ｐ７，Ｐ８）の間の境界領域Ｂ上に位置し、隣接する第７発光セルＰ７の第１導電型半導体層１４２と第８発光セルＰ８の第２導電型半導体層１４６とを互いに電気的に接続する。

図２乃至図４の場合、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎによって第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭが互いに電気的に直列接続されている。この場合、Ｎ＝Ｍ−１である。第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎは、第１ボンディングパッド１２２が位置する第１発光セルＰ１を始点とし、第２ボンディングパッド１２６が位置する第Ｍ発光領域ＰＭを終点として、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭを直列接続することができる。しかし、実施形態はこれに限定されず、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのうち少なくとも一部が連結配線によって電気的に互いに並列に接続されてもよい。

第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎのそれぞれは、第１及び第２電極のそれぞれと同一または互いに異なる物質からなることができる。もし、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎが第１及び第２電極と同一の物質からなる場合、前述したように、連結配線は第１電極または第２電極と一体型とすることもできる。第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎのそれぞれは、Ｃｒ、Ｒｄ、Ａｕ、Ｎｉ、ＴｉまたはＰｔのうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されない。

一方、絶縁層１６０は、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎと、その連結配線によって接続される隣接する発光セルとの間に配置されて、連結配線と発光セルとを電気的に絶縁させる。すなわち、絶縁層１６０は、第ｉ連結配線１２４−ｉと、その配線１２４−ｉによって接続される隣接する第ｉ及び第ｉ＋１発光セルＰｉ，Ｐ（ｉ＋１）との間に配置されて、第ｉ連結配線１２４−ｉと第ｉ発光セルＰｉとを電気的に絶縁させ、第ｉ連結配線１２４−ｉと第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）とを電気的に絶縁させる。例えば、図４を参照すると、絶縁層１６０は、第７連結配線１２４−７と、第７及び第８発光セルＰ７，Ｐ８との間に配置されて、第７連結配線１２４−７と、第７及び第８発光セルＰ７，Ｐ８のそれぞれとを電気的に絶縁させる。

また、絶縁層１６０は、複数の発光セルＰ１〜ＰＭ及び境界領域Ｂの上に配置されてもよい。すなわち、絶縁層１６０は、複数の発光セルＰ１〜ＰＭの上面及び側面を覆い、境界領域Ｂを覆うこともできる。このとき、絶縁層１６０は、第１及び第２ボンディングパッド１２２，１２６と、各発光セルＰ１〜ＰＭの第１及び第２電極は露出させる。

例えば、図３を参照すると、絶縁層１６０は、第１ボンディングパッド１２２を露出させながら、第１、第６及び第７発光セルＰ１，Ｐ６，Ｐ７の各発光構造物１４０の上面と側面及び境界領域Ｂを覆う。また、図４を参照すると、絶縁層１６０は、第２ボンディングパッド１２６を露出させ、第７、第８及び第９発光セルＰ７，Ｐ８，Ｐ９のそれぞれの第１及び第２電極を露出させながら、発光構造物１４０の上面と側面及び境界領域Ｂを覆う。絶縁層１６０は、透光性絶縁物質、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、Ｓｉ_３Ｎ_４、またはＡｌ_２Ｏ_３で形成することができ、分散ブラッグ反射層（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）などとして具現してもよく、実施形態はこれに限定されない。

図５は、図２に示した発光素子１００の回路図である。

図２及び図５を参照すると、発光素子１００は、共通の一つの（＋）端子、例えば、一つの第１ボンディングパッド１２２を有し、共通の一つの（−）端子、例えば、一つの第２ボンディングパッド１２６を有することができる。

図６は、図２に示した“Ａ”部分を拡大して示した平面図である。

一方、図２及び図６を参照すると、隣接する第ｉ発光セルＰｉ（１≦ｉ≦Ｍ−１）と第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）のうち第ｉ発光セルＰｉは、複数の第１セグメントＳ１を含み、第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）は、複数の第１セグメントＳ１とそれぞれ対向する複数の第２セグメントＳ２を含む。

まず、第ｉ発光セルＰｉの第１セグメントＳ１は、第１−１セグメントＳ１−１及び第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂを含む。第１−１セグメントＳ１−１は、第ｉ連結配線１２４−ｉと接する端部を有し、第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂは、第１−１セグメントＳ１−１から延び、第ｉ連結配線１２４−ｉと接しない端部を有する。このとき、第１−１セグメントＳ１−１の両側に第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂがそれぞれ延びて配置され得る。

例えば、図６を参照すると、第１−１セグメントＳ１−１は、第７連結配線１２４−７と接する端部２１２を有する。第１−２セグメントＳ１−２Ａは、第１−１セグメントＳ１−１の一方から延び、第７連結配線１２４−７と接しない端部２１４を有し、第１−２セグメントＳ１−２Ｂは、第１−１セグメントＳ１−１の他方から延び、第７連結配線１２４−７と接しない端部２１６を有する。

また、第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）の第２セグメントＳ２は、第２−１セグメントＳ１−１及び第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂを含む。第２−１セグメントＳ２−１は、第ｉ連結配線１２４−ｉと接する端部を有し、第１−１セグメントＳ１−１と対向する。第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂは、第２−１セグメントＳ２−１から延び、第ｉ連結配線１２４−ｉと接しない端部を有し、第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂと対向する。このとき、第２−１セグメントＳ２−１の両側に第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂがそれぞれ延びて配置され得る。

例えば、図６を参照すると、第２−１セグメントＳ２−１は、第７連結配線１２４−７と接する端部２２２を有し、第１−１セグメントＳ１−１と対向する。第２−２セグメントＳ２−２Ａは、第２−１セグメントＳ２−１の一方から延び、第７連結配線１２４−７と接しない端部２２４を有し、第１−２セグメントＳ１−２Ａと対向する。第２−２セグメントＳ２−２Ｂは、第２−１セグメントＳ２−１の他方から延び、第７連結配線１２４−７と接しない端部２２６を有し、第１−２セグメントＳ１−２Ｂと対向する。

また、それぞれが第ｉ連結配線１２４−ｉと接する端部を有して互いに対向する第１セグメントＳ１と第２セグメントＳ２との間の離隔距離よりも、それぞれが第ｉ連結配線１２４−ｉと接しない端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントＳ１，Ｓ２の間の離隔距離がさらに小さい。

すなわち、第ｉ発光セルＰｉの複数の第１セグメントＳ１−１，Ｓ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂのうち、第ｉ連結配線１２４−ｉと接する端部を有するセグメント［例えば、第１−１セグメントＳ１−１］と、第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）の複数の第２セグメントＳ２−１，Ｓ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂのうち、第ｉ連結配線１２４−ｉと接する端部を有するセグメント［例えば、第２−１セグメントＳ２−１］との間の離隔距離を‘Ｄ１’とする。また、複数の第１セグメントＳ１−１，Ｓ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂのうち、第ｉ連結配線１２４−ｉと接しない端部を有するセグメント［例えば、第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂ］と、複数の第２セグメントＳ２において第ｉ連結配線１２４−ｉと接しない端部を有するセグメント［例えば、第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂ］との間の離隔距離を‘Ｄ２'とする。このとき、Ｄ１よりもＤ２がさらに小さい。

例えば、図４及び図６を参照すると、第１−１セグメントＳ１−１の端部２１２と第２−１セグメントＳ２−１の端部２２２との間の離隔距離Ｄ１よりも、第１−２セグメントＳ１−２Ａの端部２１４と第２−２セグメントＳ２−ＳＡの端部２２４との間の離隔距離Ｄ２がさらに小さい。また、第１−１セグメントＳ１−１の端部２１２と第２−１セグメントＳ２−１の端部２２２との間の離隔距離Ｄ１よりも、第１−２セグメントＳ１−２Ｂの端部２１６と第２−２セグメントＳ２−ＳＢの端部２２６との間の離隔距離Ｄ２がさらに小さい。

このように、離隔距離Ｄ２を離隔距離Ｄ１よりも小さくするために、第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂは突出せずに、第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂのみが第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）側に突出したり、または第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂは突出せずに、第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂのみが第ｉ発光セルＰｉ側に突出したり、または第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂ及び第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂが全て突出してもよい。

図４及び図６を参照すると、第１−２セグメントＳ１−２Ａにおいて第２−２セグメントＳ２−２Ａと対向する端部２１４は、第１−１セグメントＳ１−１において第２−１セグメントＳ２−１と対向する端部２１２よりも第１突出長さ△Ｌ１１だけさらに突出することができる。これと同様に、第１−２セグメントＳ１−２Ｂにおいて第２−２セグメントＳ２−２Ｂと対向する端部２１６は、端部２１２よりも第１突出長さ△Ｌ１２だけさらに突出することができる。ここで、△Ｌ１１と△Ｌ１２は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。以下では、便宜上、△Ｌ１１と△Ｌ１２は同一であり、図６に示したように、△Ｌ１と称するものとする。

また、第２−２セグメントＳ２−２Ａにおいて第１−２セグメントＳ１−２Ａと対向する端部２２４は、第２−１セグメントＳ２−１において第１−１セグメントＳ１−１と対向する端部２２２よりも第２突出長さ△Ｌ２１だけさらに突出することができる。これと同様に、第２−２セグメントＳ２−２Ｂにおいて第１−２セグメントＳ１−２Ｂと対向する端部２２６は、第２−１セグメントＳ２−１において第１−１セグメントＳ１−１と対向する端部２２２よりも第２突出長さ△Ｌ２２だけさらに突出することができる。ここで、△Ｌ２１と△Ｌ２２は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。以下では、便宜上、△Ｌ２１と△Ｌ２２は同一であり、図６に示されたように、△Ｌ２と称するものとする。

前述した第１突出長さ△Ｌ１と前記第２突出長さ△Ｌ２は互いに異なっていてもよく、互いに同一であってもよい。

また、第ｉ発光セルＰｉにおいて第１−１セグメントＳ１−１の端部２１２の幅Ｗ１１と、第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）において第２−１セグメントＳ２−１の端部２２２の幅Ｗ２１とは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。

また、第ｉ発光セルＰｉにおいて第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂの端部２１４，２１６の幅Ｗ１２と、第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）において第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂの端部２２４，２２６の幅Ｗ２２とは互いに同一であってもよく、または異なっていてもよい。

また、第１−１セグメントＳ１−１において第１導電型半導体層１４２の端部は、第ｉ連結配線１２４−ｉと接し、第２−１セグメントＳ２−１において第２導電型半導体層１４６の端部は、第ｉ連結配線１２４−ｉと接することができる。例えば、図６を参照すると、第１−１セグメントＳ１−１において第１導電型半導体層１４２の端部は、第７連結配線１２４−７と接し、第２−１セグメントＳ２−１において第２導電型半導体層１４６の端部は、第７連結配線１２４−ｉと接することができる。

水平方向に隣接した発光セル間のＤ１とＤ２は、前述した通りである。また、垂直方向に隣接した発光セルに対しても、前述した説明は同一に適用することができる。例えば、図６を参照すると、垂直方向に隣接した発光セル（Ｐ６とＰ７、またはＰ５とＰ８）間の間隔であるＤ３もＤ２と同一にすることができる。

図１に示された既存の発光素子１０の場合、発光領域４０間の離隔距離Ｄは全て同一である。反面、実施形態によれば、Ｄ２はＤ１よりも小さい。このように、第ｉ連結配線１２４−ｉが第ｉ発光セルＰｉと第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）とを電気的に接続させる部分で電気的な短絡が発生しないように、Ｄ１、Ｗ１１及びＷ２１のうち少なくとも一つは一定の値を維持しなければならない。例えば、Ｄ１が１０μｍより小さいか、５５μｍより大きいとき、第ｉ連結配線１２４−ｉによって第ｉ発光セルＰｉと第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）とが電気的に接続される部分で電気的な短絡が発生することもある。したがって、Ｄ１は、１０μｍ〜５５μｍであればよい。

また、Ｗ１１及びＷ２１のそれぞれが５μｍより小さか、または８μｍより大きいとき、第ｉ連結配線１２４−ｉによって第ｉ発光セルＰｉと第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）とが電気的に接続される部分で電気的な短絡が発生することもある。したがって、Ｗ１１及びＷ２１のそれぞれは５μｍ〜８μｍであればよい。

このように、電気的な短絡が防止されるようにＤ１、Ｗ１１、Ｗ２１を一定の値に維持すれば、第ｉ連結配線１２４−ｉと端部が接しない第１及び第２セグメントＳ１，Ｓ２の端部［（２１４、２２４）または（２１６、２２６）］の間の距離であるＤ２を最大限減少させることができる。もし、Ｄ２が５μｍよりも小さい場合、具現が困難になり得、５０μｍよりも大きい場合、発光領域の増加は極めて小さくなり得る。したがって、Ｄ１、Ｗ１１、Ｗ２１が、前述したような値を有する時、Ｄ２は、例えば、５μｍ〜５０μｍであってもよいが、実施形態はこれに限定されない。

したがって、図１に示された既存の発光素子１０と比較するとき、実施形態によれば、第１−２セグメントＳ１−２Ａ，Ｓ１−２Ｂは、互いに同一の第１突出長さ△Ｌ１及び互いに同一の幅Ｗ１２を有し、第２−２セグメントＳ２−２Ａ，Ｓ２−２Ｂは、互いに同一の第２突出長さ△Ｌ２及び互いに同一の幅Ｗ２２を有し、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの面積は同一であり、四角形であり、図１のＤが図６のＤ１に該当すると仮定するとき、総発光領域ＴＰＡは、次の数学式２のように増加することができる。

前述した数学式２からわかるように、実施形態による発光素子１００は、既存の発光素子１０よりＴＰＡだけ大きい発光領域を有する。したがって、光抽出効率を改善することができる。

以下、図２乃至図４にそれぞれ示した発光素子１００において、発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの面積は同一であり、Ｍ＝２１とする場合、発光セルの単位面積の増加による光度Ｐｏの改善及び動作電圧Ｖｆの改善を、次のように説明する。

図７は、発光面積の増加による光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆを示すグラフであって、横軸は発光面積を示し、縦軸は光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆをそれぞれ示す。

発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの横（ｘ）と縦（ｙ）の大きさを変化させながら、光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆの変化を説明すると、次の表１及び図７の通りである。

ここで、単位面積とは、一つの発光セルの面積を意味し、全体面積は、２１個の発光セルの面積を全て加算した面積を意味し、Ａｃｔｉｖｅ増加とは、発光領域の増加された程度であって、パーセントで示す。

前述した数学式２、表１及び図７から、実施形態でのように、Ｗ１１、Ｗ２２、△Ｌ１、△Ｌ２による個別発光セルの発光領域の面積の変化がたとえわずかな増加であっても、発光セルの個数（Ｍ＝２１）が多くなれば、光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆが改善可能であることがわかる。さらに、電流密度が減少することで、信頼性の改善が可能である。

前述した図２乃至図６に示した発光素子１００の第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれは水平型構造を有するものと例示したが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、第１〜第Ｍ発光セルのそれぞれが垂直型またはフリップチップ構造を有する場合にも本実施形態を適用できることは勿論である。

前述した実施形態に係る発光素子の複数個を基板上に発光素子パッケージの形態で配列することができ、発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどを配置することができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材はバックライトユニットとして機能することができる。

更に他の実施形態は、上述した実施形態に記載された発光素子を含む表示装置、指示装置、照明システムとして具現することができ、例えば、照明システムは、ランプ、街灯を含むことができる。

図８は、実施形態に係る発光素子を含む照明装置の分解斜視図である。図８を参照すると、照明装置は、光を投射する光源７５０と、光源７５０が内蔵されるハウジング７００と、光源７５０の熱を放出する放熱部７４０と、光源７５０及び放熱部７４０をハウジング７００に結合するホルダー７６０とを含む。

ハウジング７００は、電気ソケット（図示せず）に結合されるソケット結合部７１０と、ソケット結合部７１０と連結され、光源７５０が内蔵されるボディー部７３０とを含む。ボディー部７３０には、一つの空気流動口７２０が貫通して形成されてもよい。

ハウジング７００のボディー部７３０上に複数個の空気流動口７２０が備えられ、空気流動口７２０は一つまたは複数個であってもよい。空気流動口７２０は、ボディー部７３０に放射状に配置したり、様々な形態で配置することができる。

光源７５０は、基板７５４上に備えられる複数個の発光素子パッケージ７５２を含む。基板７５４は、ハウジング７００の開口部に挿入可能な形状とすることができ、後述するように、放熱部７４０に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなることができる。複数個の発光素子パッケージは、前述した発光素子を含むことができる。

光源７５０の下部にはホルダー７６０が備えられ、ホルダー７６０は、フレーム及び他の空気流動口を含むことができる。また、図示していないが、光源７５０の下部には光学部材が備えられて、光源７５０の発光素子パッケージ７５２から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。

図９は、実施形態に係る発光素子を含む表示装置を示す。

図９を参照すると、表示装置８００は、ボトムカバー８１０と、ボトムカバー８１０上に配置される反射板８２０と、光を放出する発光モジュール８３０，８３５と、反射板８２０の前方に配置され、前記発光モジュール８３０，８３５から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板８４０と、導光板８４０の前方に配置されるプリズムシート８５０，８６０を含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネル８７０と、ディスプレイパネル８７０と連結され、ディスプレイパネル８７０に画像信号を供給する画像信号出力回路８７２と、ディスプレイパネル８７０の前方に配置されるカラーフィルター８８０とを含むことができる。ここで、ボトムカバー８１０、反射板８２０、発光モジュール８３０，８３５、導光板８４０、及び光学シートはバックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）をなすことができる。

発光モジュールは、基板８３０上の発光素子パッケージ８３５を含んでなる。ここで、基板８３０としてはＰＣＢなどを使用することができる。発光素子パッケージ８３５は、前述した実施形態に係る発光素子を含むことができる。

ボトムカバー８１０は、表示装置８００内の構成要素を収納することができる。そして、反射板８２０は、本図でのように別途の構成要素として設けてもよく、導光板８４０の後面やボトムカバー８１０の前面に反射度の高い物質でコーティングする形態で設けることも可能である。

ここで、反射板８２０は、反射率が高く、超薄型に形成可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を使用することができる。

そして、導光板８４０は、ポリメチルメタクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、またはポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）などで形成することができる。

そして、第１プリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、透光性で且つ弾性を有する重合体材料で形成することができ、重合体は、複数個の立体構造が反復して形成されたプリズム層を有することができる。ここで、複数個のパターンは、図示のように、山と谷が反復的にストライプタイプに備えられてもよい。

そして、第２プリズムシート８６０において支持フィルムの一面の山と谷の方向は、第１プリズムシート８５０内の支持フィルムの一面の山と谷の方向と垂直をなすことができる。これは、発光モジュールと反射シートから伝達された光をディスプレイパネル８７０の全面に均一に分散させるためである。

そして、図示していないが、導光板８４０と第１プリズムシート８５０との間に拡散シートが配置されてもよい。拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系列の材料からなることができ、バックライトユニットから入射された光を、屈折及び散乱を通じて光投射角を最大に広げることができる。そして、拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光出射面（第１プリズムシート方向）と光入射面（反射シート方向）に形成され、光拡散剤を含んでいない第１レイヤー及び第２レイヤーを含むことができる。

実施形態において、拡散シート、第１プリズムシート８５０、及び第２プリズムシート８６０が光学シートを構成するが、光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイからなってもよく、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組み合わせ、または一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組み合わせなどからなってもよい。

ディスプレイパネル８７０としては液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）を配置できるが、液晶表示パネルの他に、光源を必要とする他の種類の表示装置を備えることもできる。

以上、実施形態を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない様々な変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施形態に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルと、
   隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線とを含み、
   前記隣接する発光セルのうちの一方は複数の第１セグメントを含み、前記隣接する発光セルのうちの他方は前記複数の第１セグメントとそれぞれ対向する複数の第２セグメントを含み、
   それぞれが前記連結配線と接する端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントの間の離隔距離よりも、それぞれが前記連結配線と接しない端部を有して互いに対向する第１及び第２セグメントの間の離隔距離がさらに小さい、発光素子。
2. 前記第１セグメントは、
   前記連結配線と接する端部を有する第１−１セグメントと、
   前記第１−１セグメントから延び、前記連結配線と接しない端部を有する第１−２セグメントとを含み、
   前記第２セグメントは、
   前記連結配線と接する端部を有し、前記第１−１セグメントと対向する第２−１セグメントと、
   前記第２−１セグメントから延び、前記連結配線と接しない端部を有し、前記第１−２セグメントと対向する第２−２セグメントとを含む、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１−２セグメントの前記第２−２セグメントと対向する端部は、前記第１−１セグメントの前記第２−１セグメントと対向する端部よりも第１突出長さだけさらに突出した、請求項２に記載の発光素子。
4. 前記第２−２セグメントの前記第１−２セグメントと対向する端部は、前記第２−１セグメントの前記第１−１セグメントと対向する端部よりも第２突出長さだけさらに突出した、請求項２又は３に記載の発光素子。
5. 前記第１突出長さと前記第２突出長さは互いに異なる、請求項４に記載の発光素子。
6. 前記第１−２セグメントは、前記第１−１セグメントの両側に延びて配置され、前記第２−２セグメントは、前記第２−１セグメントの両側に延びて配置された、請求項２ないし５のいずれかに記載の発光素子。
7. 前記第１−１セグメントの端部の幅と前記第２−１セグメントの端部の幅は互いに異なる、請求項２ないし６のいずれかに記載の発光素子。
8. 前記第１−２セグメントの端部の幅と前記第２−２セグメントの端部の幅は互いに異なる、請求項２ないし７のいずれかに記載の発光素子。
9. 前記隣接する発光セルのそれぞれは、
   前記基板上に配置された第１導電型半導体層と、
   前記第１導電型半導体層上に配置された活性層と、
   前記活性層上に配置された第２導電型半導体層とを含む、請求項２ないし８のいずれかに記載の発光素子。
10. 前記第１−１セグメントにおいて前記第１導電型半導体層の端部は前記連結配線と接し、前記第２−１セグメントにおいて前記第２導電型半導体層の端部は前記連結配線と接する、請求項９に記載の発光素子。

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