JP2014111771A - ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂 Download PDF

Info

Publication number
JP2014111771A
JP2014111771A JP2013267352A JP2013267352A JP2014111771A JP 2014111771 A JP2014111771 A JP 2014111771A JP 2013267352 A JP2013267352 A JP 2013267352A JP 2013267352 A JP2013267352 A JP 2013267352A JP 2014111771 A JP2014111771 A JP 2014111771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
substituted
polyhydroxyamide resin
optionally substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013267352A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5776912B2 (ja
Inventor
Kazuya Ebara
和也 江原
Hideo Suzuki
秀雄 鈴木
Takayuki Tamura
隆行 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to JP2013267352A priority Critical patent/JP5776912B2/ja
Publication of JP2014111771A publication Critical patent/JP2014111771A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5776912B2 publication Critical patent/JP5776912B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G69/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
    • C08G69/02Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
    • C08G69/26Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G69/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
    • C08G69/42Polyamides containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen, and nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Polyamides (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】電気絶縁性、耐熱性、機械的強度及び電気特性に優れ、かつ高解像回路パターン形成が可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式(1)で表される繰り返し単位を含むポリヒドロキシアミド樹脂(A)、及び、光により酸を発生する化合物(B)を含有するポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2014111771

(式中、Yは、少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含む有機基を表す。)
【選択図】なし

Description

本発明は、ポリヒドロキシアミド樹脂と光により酸を発生する化合物とのポジ型感光性樹脂組成物、及びポリヒドロキシアミド樹脂に関する。この樹脂組成物は、半導体、プリント基板等の回路基板の保護皮膜、絶縁皮膜等として好適に利用される。
卓越した機械特性、高い耐熱性を有する感光性ポリイミド樹脂に代表される感光性樹脂から作製された感光性樹脂絶縁膜は、その用途が拡大し、半導体分野のみならずディスプレイ分野にまで普及し始めており、これまでになかった絶縁膜に対する信頼性が要求されるようになってきた。
現在、使用されているポジ型感光性樹脂組成物の多くは、基材ポリマーに感光性溶解抑止剤(DNQ:ジアゾナフトキノン)を添加することで作製されている。この樹脂組成物から塗布膜を作製後、マスクを介して露光し、代表的な水溶性アルカリ現像液であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)に露光部を溶解させることで、ポジ型パターンが得られる。
代表的なポリイミド系ポジ型感光性樹脂組成物は、TMAHに対する溶解性が高すぎるため、トリエチルアミンのような塩基性有機化合物を用いて、ポリアミド酸の酸性度を減少させることにより、アルカリ現像液への溶解速度を抑制するという手法が用いられている(特許文献1)。
一方、ポリヒドロキシアミド樹脂は、TMAHに適度な溶解性を有しているため、ポジ型感光性樹脂組成物として好適に利用できるとする報告がなされている(例えば、特許文献2)。
ポリヒドロキシアミド樹脂を用いたポジ型感光性樹脂組成物に要求される特性は、電気絶縁性、耐熱性、機械的強度等の点で優れた膜物性を有すること、高解像回路パターン形成が可能なこと等が挙げられる。近年、これらポジ型感光性樹脂組成物に要求される特性は、益々厳しくなってきている。
通常、ポリヒドロキシアミド樹脂は、ジカルボン酸塩化物とジヒドロキシアミンを用いて塩基性条件下で合成される(非特許文献1)。しかし、上記方法では、反応溶液に塩化物イオン等の無機イオンが存在するため、反応終了後にポリマーを単離精製しなければならない。また得られるポジ型感光性樹脂組成物に無機イオンが混在するため、電子材料分野で使用する場合には腐食の原因となる問題がある。
こうした問題を解決するため、ジカルボン酸成分として1−ヒドロキシベンゾトリアゾールとジカルボン酸の反応から得られるジカルボン酸誘導体を用いてポリヒドロキシアミドを合成する手法が報告されている(特許文献3)。しかし、ジカルボン酸誘導体由来の脱離基が反応溶液に混在するため、除去工程が必要になり、高純度のポリヒドロキシアミドを得ることは困難である。
一方、クマリン2量体とジアミンから合成されたポリヒドロキシアミド樹脂をネガ型感光性材料として利用した報告もなされている(特許文献4)。
しかしこれまで、ポリヒドロキシアミド樹脂と光により酸を発生する化合物との組成物に関する報告例はない。
特開昭62−135824号公報 特開2003−302761号公報 特開平9−183846号公報 特開昭58−55926号公報
Polymer Letter.,Vol.2,pp655−659(1964)
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電気絶縁性、耐熱性、機械的強度及び電気特性に優れ、かつ高解像回路パターン形成が可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することである。
また、本発明の別の目的は、半導体素子、電子・電気回路等に悪影響を及ぼす塩化物、低分子化合物等を含まず、かつ簡便に合成可能なポジ型感光性樹脂を提供することである。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、下記に示される特定の構造を有するポリヒドロキシアミド樹脂(例えば、クマリン2量体と少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を有するジアミンとから合成されるポリヒドロキシアミド樹脂)と光により酸を発生する化合物との組成物が、電気絶縁性、耐熱性、機械的強度等の点で優れた膜物性を示し、さらにポジ型感光性樹脂組成物としてパターニングした場合に、高解像な回路パターン形成を可能にすることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は第1観点として、式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が3000乃至20000である少なくとも1種のポリヒドロキシアミド樹脂(A)、及び、光により酸を発生する化合物(B)を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式中、Xは、4価の脂肪族基又は芳香族基を表し、
1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表し、
Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、芳香族基を表し、
Yは、少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含む有機基を表し、
nは、1以上の整数を表し、
l及びmは、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、かつl+m≧2を満足する。)、
第2観点として、前記Xが、脂肪族基を表す、第1観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第3観点として、前記Xが、環状構造を有する脂肪族基を表す、第2観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第4観点として、前記Xにおいて、X−Ar1結合とX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合し、X−Ar2結合ともう一方のX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合している、第1観点乃至第3観点のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第5観点として、前記式(1)中、
Figure 2014111771
基が、下記式(2)で表される構造を有する、第4観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式中、Ar1、Ar2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
3乃至R6は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表す。)、
第6観点として、前記Ar1及びAr2が、それぞれ独立して、ベンゼン環である、第1観点乃至第5観点のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第7観点として、前記−Ar1(OH)l基及び−Ar2(OH)m基が、下記式(3)で表される構造を有する、第6観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式中、
7乃至R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、スルホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基又はスルホニル基を表す。)、
第8観点として、前記Yが、少なくとも1つのカルボキシル基で置換されたベンゼン環を含む有機基を表す、第1観点乃至第7観点のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第9観点として、前記Yが、更に下記式(4)で表される構造単位を含む、第8観点に
記載のポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式中、
11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、スルホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基又はスルホニル基を表す。)、
第10観点として、前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)が、更に下記式(5)で表される繰り返し単位を含む、第1観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式中、
X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
Qは、2価の有機基(但し、この基は−COOHを持たない)を表し、
pは、1以上の整数を表す。)、
第11観点として、前記Qが、芳香族基を含む有機基を表す、第10観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第12観点として、前記Qが、ベンゼン環を含む有機基を表す、第11観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第13観点として、前記Qが、ベンゼン環を2つ以上含む有機基を表す、第12観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第14観点として、前記Qが、下記式(6)乃至式(8)から選択される少なくとも1つの繰返し単位構造を含む有機基を表す、第10観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式(6)乃至式(8)中、
17乃至R51は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、スルホニル基、W4で置換されていてもよいフェニル基、W4で置換されていてもよいナフチル基、W4で置換されていてもよいチエニル基又はW4で置換されていてもよいフリル基を表し、
4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基又はスルホニル基を表し、
2乃至Z7は、それぞれ独立して、単結合、W5で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
5は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。)、
第15観点として、前記式(8)中、Z5及びZ7が、−O−を表し、Z6が、−S(O)2−を表す、第14観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第16観点として、前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)が、更に下記式(9)で表される少なくとも1種の繰り返し単位を含む、第1観点乃至第15観点のうちいずれか一つに記載のポジ型感光性樹脂組成物
Figure 2014111771
(式中、X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
13乃至R16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、スルホニル基、W6で置換されていてもよいフェニル基、W6で置換されていてもよいナフチル基、W6で置換されていてもよいチエニル基又はW6で置換されていてもよいフリル基を表し、
6は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基又はスルホニル基を表し、
8乃至Z10は、それぞれ独立して、単結合、W7で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
7は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、並びに、
qは、1以上の整数を表す。)、
第17観点として、前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)の100質量部に対して、前記光により酸を発生する化合物(B)を0.01乃至100質量部含有する、第1観点乃至第16観点のいずれか一つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第18観点として、更に架橋性化合物(C)を含有する、第1観点乃至第17観点のいずれか一つに記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第19観点として、前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)の100質量部に対して、前記架橋性化合物(C)を30乃至120質量部含有する、第18観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
第20観点として、第1観点乃至第19観点のうちいずれか一つに記載のポジ型感光性樹脂組成物が、少なくとも1種の溶剤に溶解していることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物含有ワニス、
第21観点として、第1観点乃至第20観点のうちいずれか一つに記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて作製される硬化膜、
第22観点として、第21観点に記載のポジ型感光性樹脂組成物含有ワニスを用いて作製される硬化膜、
第23観点として、基板上に、第21観点又は第22観点に記載の硬化膜からなる層を少なくとも一層備える構造体、
第24観点として、式(10)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が3000から20000であるポリヒドロキシアミド樹脂
Figure 2014111771
(式中、
Xは、4価の脂肪族基又は芳香族基を表し、
1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表し、
Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、芳香族基を表し、
Yは、少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含む有機基を表し、
nは、1以上の整数を表し、
l及びmは、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、かつl+m≧2を満足する。)、
第25観点として、前記Xが、脂肪族基である、第24観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第26観点として、前記Xが、環状構造を有する脂肪族基を表す、第25観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第27観点として、前記Xにおいて、X−Ar1結合とX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合し、X−Ar2結合ともう一方のX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合している、第24観点乃至第26観点のいずれか一つに記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第28観点として、前記式(10)中、
Figure 2014111771
基が、下記式(11)で表される構造を有する、第27観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂
Figure 2014111771
(式中、
Ar1、Ar2、Y、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
3乃至R6は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表す。)、
第29観点として、前記Ar1及びAr2が、それぞれ独立して、ベンゼン環を表す、第
24観点乃至第28観点のいずれか一つに記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第30観点として、前記−Ar1(OH)l基及び−Ar2(OH)m基が、下記式(12)で表される構造を有する、第29観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂
Figure 2014111771
(式中、
7乃至R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、スルホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基又はスルホニル基を表す。)、
第31観点として、前記Yが、少なくとも1つのカルボキシル基で置換されたベンゼン環を含む有機基を表す、第24観点乃至第30観点のいずれか一つに記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第32観点として、前記Yが、更に下記式(13)で表される構造単位を含む、第31観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂
Figure 2014111771
(式中、
11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、スルホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基又はスルホニル基を表す。)、
第33観点として、前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)が、更に下記式(14)で表される繰り返し単位を含む、第24観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂
Figure 2014111771
(式中、
X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
Qは、2価の有機基(但し、この基は−COOHを持たない)を表し、
pは、1以上の整数を表す。)、
第34観点として、前記Qが、芳香族基を含む有機基を表す、第33観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第35観点として、前記Qが、ベンゼン環を含む有機基を表す、第34観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第36観点として、前記Qが、ベンゼン環を2つ以上含む有機基を表す、第35観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第37観点として、前記Qが、下記式(15)乃至式(17)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位構造を含む有機基を表す、第32観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂
Figure 2014111771
(式(15)乃至式(18)中、
13乃至R51は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、
炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、スルホニル基、W4で置換されていてもよいフェニル基、W4で置換されていてもよいナフチル基、W4で置換されていてもよいチエニル基又はW4で置換されていてもよいフリル基を表し、
4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基又はスルホニル基を表し、
2乃至Z10は、それぞれ独立して、単結合、W5で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
5は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。)、
第38観点として、前記式(16)中、Z5及びZ7が、−O−を表し、Z6が、−S(O)2−を表す、第37観点に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
第39観点として、前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)が、更に下記式(18)で表される少なくとも1種の繰り返し単位を含む、請求項23乃至36のうちいずれか一項に記載のポリヒドロキシアミド樹脂、
Figure 2014111771
(式中、X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
13乃至R16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、スルホニル基、W6で置換されていてもよいフェニル基、W6で置換されていてもよいナフチル基、W6で置換されていてもよいチエニル基又はW6で置換されていてもよいフリル基を表し、
6は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基又はスルホニル基を表し、
8乃至Z10は、それぞれ独立して、単結合、W7で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
7は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、並びに、
qは、1以上の整数を表す。)に関する。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、電気絶縁性、耐熱性、機械的強度及び電気特性に優れた硬化膜を作製することができる。
さらに基板に塗布された本発明のポジ型感光性樹脂組成物に、特定のパターンのマスクを用いて露光し、その後アルカリ現像液で現像することにより、高解像な回路パターンを
形成することができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて作製される硬化膜は、半導体、プリント基板等の回路基板の保護皮膜及び絶縁皮膜として有用であり、特に、半導体の保護皮膜及び絶縁皮膜として好適である。
また、本発明のポジ型感光性樹脂は、簡便に合成可能であり、半導体素子、電子・電気回路等に悪影響を及ぼす塩化物、低分子化合物等を含有しないため、精製することなく、本発明のポジ型感光性樹脂組成物として用いることができる。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係るポジ型感光性樹脂組成物は、前記式(1)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が3,000乃至20,000である少なくとも1種のポリヒドロキシアミド樹脂(A)と、光により酸を発生する化合物(B)とを含有するものである。
また本発明は上記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)も対象とする。
<ポリヒドロキシアミド樹脂(A)>
本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂(A)は、下記式(1)で表される繰り返し単位を含む。
Figure 2014111771
(式中、Xは4価の脂肪族基又は芳香族基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表し、Ar1及びAr2はそれぞれ独立して芳香族基を表し、Yは少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含む有機基を表し、nは1以上の整数を表し、l及びmはそれぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、かつl+m≧2を満足する。)
上記式(1)において、Xは脂肪族基であることが好ましく、特に環状構造を有する脂肪族基であることがより好ましい。
またXにおいて、X−Ar1結合とX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合し、X−Ar2結合ともう一方のX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合していることが好ましい。
上記Xを含む、
Figure 2014111771
基の具体例としては、下記式(2)で表される構造を有する基が挙げられる。
Figure 2014111771
(式中、Ar1、Ar2、Y、l及びmは、前記と同じ意味を表し、R3乃至R6は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表す。)
上記式(1)において、Ar1及びAr2はそれぞれ独立してベンゼン環を表すことが好ましく、Ar1又はAr2を含む−Ar1(OH)l基及び−Ar2(OH)m基の具体例としては、下記式(3)で表される構造を有する基が挙げられる。
Figure 2014111771
(式中、R7乃至R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、スルホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基又はスルホニル基を表す。)
上記式(1)において、Yは少なくとも1つのカルボキシル基で置換されたベンゼン環を含む有機基であることが好ましく、特に、カルボキシル基で置換された1つのベンゼン環を含む有機基であることがより好ましい。
上記Yの例としては、下記式(4)で表される構造を有する基が挙げられる。
Figure 2014111771
(式中、
11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、スルホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基又はスルホニル基を表す。)
上記式(4)で表される構造を有する化合物の具体例としては、4,4’−ジヒドロキシカルボニルベンジジン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニルビフェニル、3,3’−ジアミノ−2,2’−ジヒドロキシカルボニルビフェニル、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)メタン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニル−ジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニル−ジフェニルチオエーテル、(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニル)フェニル(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニル)アニリド、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシカルボニル)フェニル]スルホン、2,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸、3,4−ジアミノフタル酸、3,5−ジアミノフタル酸、3,6−ジアミノフタル酸、4,5−ジアミノフタル酸、2,4−ジアミノイソフタル酸、2,5−ジアミノイソフタル酸、4,5−ジアミノイソフタル酸、4,6−ジアミノイソフタル酸、2,3−ジアミノテレフタル酸、2,5−ジアミノテレフタル酸、2,6−ジアミノテレフタル酸、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)チオエーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)スルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシカルボニルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシカルボニル−5,5’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシカルボニル−5,5’−ジメトキシビフェニル、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)フェニル]スルホン、又は2,2−ビス[4−(3−アミノ−4−
ヒドロキシカルボニルフェノキシ)フェニル]プロパンが挙げられるが、これに限定されるものではない。好ましくは、2,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸であり、より好ましくは購入の容易さから、3,5−ジアミノ安息香酸である。
また、本発明のポリヒドロキシアミド樹脂は、上記式(1)で表される繰り返し単位に加え、下記式(5)で表される繰り返し単位を含んでもよい。
Figure 2014111771
(式中、X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、Qは、2価の有機基(但し、この基は−COOHを持たない)を表し、pは、1以上の整数を表す。)
上記式(5)において、Qは芳香族基、特にベンゼン環を含む有機基、好ましくはベンゼン環を2つ以上含む有機基であることが望ましい。
上記Qの例としては、下記式(6)乃至(8)で表される構造を有する基が挙げられる。
Figure 2014111771
(式(6)乃至式(8)中、
17乃至R51は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、スルホニル基、W4で置換されていてもよいフェニル基、W4で置換されていてもよいナフチル基、W4で置換されていてもよいチエニル基又はW4で置換されていてもよいフリル基を表し、
4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基又はスルホニル基を表し、
2乃至Z7は、それぞれ独立して、単結合、W5で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
5は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。)
上記式(8)中、Z5及びZ7が、−O−を表し、Z6が、−S(O)2−を表すことが好ましい。
上記式(6)乃至式(8)で表される構造を有する具体的な化合物としては、以下のものが挙げられる。2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、2,6,2’,6’−テトラキス(トリフルオロメチル)ベンジジン、2,2−ビス(4−アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−トルイル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,4,6−トリメチル−1,3−フェニレンジアミン、2,3,5,6−テトラメチル−1,4−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−メチレン−ビス(2−メチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジメチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジエチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2−イソプロピル−6−メチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリン)、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、ベンジジン、o−トリジン、m−トリジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベンジジン、などの芳香族ジアミン;1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン;1,6−ヘキサンジアミン、1,4−シクロヘキサンジアミン、1,3−シクロヘキサンジアミン、1,4−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジシクロヘキシルメタンなどの脂肪族ジアミン。なお、これらに限定されるものではない。
さらに本発明のポリヒドロキシアミド樹脂(A)は、上記式(1)で表される繰り返し単位に加え、下記式(9)で表される繰り返し単位を含んでもよい。
Figure 2014111771
(式中、X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
13乃至R16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、スルホニル基、W6で置換されていてもよいフェニル基、W6で置換されていてもよいナフチル基、W6で置換されていてもよいチエニル基又はW6で置換されていてもよいフリル基を表し、
6は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基又はスルホニル基を表し、
8乃至Z10は、それぞれ独立して、単結合、W7で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
7は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、並びに、
qは、1以上の整数を表す。)
前記式(9)中、Z8乃至Z10が、それぞれ独立して、炭素原子数1乃至3のアルキレン基、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表すことが好ましい。特にZ8及びZ10がプロピレン基を表し、Z9が−O−を表すことがより好ましい。
本発明に用いる上記式(1)で表されるポリヒドロキシアミド樹脂は、例えばクマリン二量体成分とジアミン成分を反応させて得ることができる。
[クマリン二量体成分]
本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂(A)を構成する単量体成分であるクマリン二量体成分は、以下の一般式(19)で表される
Figure 2014111771
(式中、R56、R57、R58、R59、R60及びR61は、それぞれ独立して、炭素原子数1乃至10のアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、カルボキシ基、炭
素原子数1乃至10のアルコキシカルボニル基、炭素原子数1乃至10のハロゲン化アルキル基又はヒドロキシ基を表す。)
[ジアミン成分]
本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂(A)を構成する単量体成分であるジアミン成分は、少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含むジアミンであれば特に限定されない。
例えば4,4’−ジヒドロキシカルボニルベンジジン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニルビフェニル、3,3’−ジアミノ−2,2’−ジヒドロキシカルボニルビフェニル、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)メタン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニルベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニル−ジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシカルボニル−ジフェニルチオエーテル、(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニル)フェニル(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニル)アニリド、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシカルボニル)フェニル]スルホン、2,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸、3,4−ジアミノフタル酸、3,5−ジアミノフタル酸、3,6−ジアミノフタル酸、4,5−ジアミノフタル酸、2,4−ジアミノイソフタル酸、2,5−ジアミノイソフタル酸、4,5−ジアミノイソフタル酸、4,6−ジアミノイソフタル酸、2,3−ジアミノテレフタル酸、2,5−ジアミノテレフタル酸、2,6−ジアミノテレフタル酸、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)チオエーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシカルボニルフェニル)スルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシカルボニルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシカルボニル−5,5’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシカルボニル−5,5’−ジメトキシビフェニル、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)フェニル]スルホン、又は2,2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシカルボニルフェノキシ)フェニル]プロパンが挙げられるが、これに限定されるものではない。好ましくは、2,4−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸であり、より好ましくは購入の容易さから3,5−ジアミノ安息香酸が好ましい。
また本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂(A)を構成する単量体成分であるジアミン成分として、上述の少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含むジアミンに加えて、その他のジアミンも使用することができる。
その他のジアミン成分としては特に限定されないが、好ましくは芳香族基を含むジアミン、特にベンゼン環を1つまたはそれ以上含むジアミンであることが望ましい。
上記その他のジアミンとして、芳香族基を含むジアミンとしては、p−フェニレンジア
ミン、m−フェニレンジアミン、2,4,6−トリメチル−1,3−フェニレンジアミン、2,3,5,6−テトラメチル−1,4−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−メチレン−ビス(2−メチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジメチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジエチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2−イソプロピル−6−メチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス(2,6−ジイソプロピルアニリン)、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、ベンジジン、o−トリジン、m−トリジン、3,3’,5,5’−テトラメチルベンジジン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンまたは2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンが挙げられる。
この中でも、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)や1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(DA4P)を特に好適なものとして挙げられる。
さらに、本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂(A)を構成する単量体成分であるジアミン成分として、上述の少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含むジアミンに加えて、シロキサン含有ジアミンも使用することができる。シロキサン含有ジアミンを組合せて用いることにより、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)からなる塗膜の基板への密着性を向上させることができる。
該シロキサン含有ジアミンとして好適な例は、式(20)
Figure 2014111771
(式中、R62は2価の有機基を示し、R63はそれぞれ独立に1価の有機基を示し、kは1以上の整数である。)で表されるシロキサン含有ジアミンが好ましく、中でも、ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(APDS)がより好ましい。
本発明に用いるポリヒドロキシアミド樹脂(A)は、上記クマリン二量体成分とジアミン成分、すなわち少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含むジアミン、さらに所望によりその他のジアミン成分及び/またはシロキサン含有ジアミンを反応させることにより得られ、通常、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジグライムなどの極性溶媒中で反応せしめることにより得られる。その際、使用する溶媒としては、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)を溶解しうる溶媒であれば特に限定されない。またクマリン二量体成分とジアミン成分の反応温度範囲の下限は通常−20℃以上、好ましくは−5℃以上であり、またその温度範囲の上限は通常150℃以下、好ましくは100℃以下であり、その上限と下限の範囲の中から任意の温度を選択することができる。
<光により酸を発生する化合物(B)>
本発明に用いる光により酸を発生する化合物(B)は、光反応により酸を発生し、光照
射部のアルカリ現像液への溶解性を高める機能を有するものであれば特に限定されない。また、これらは1種又は2種以上を組み合わせて使うこともできる。
上記化合物(B)としては、従来公知の光酸発生剤のいずれも適用することができるが、あえてその具体例を挙げるとすると、o−キノンジアジド化合物、アリルジアゾニウム塩、ジアリルヨ−ドニウム塩、トリアリルスルホニウム塩、o−ニトロベンジルエステル、p−ニトロベンジルエステル、トリハロメチル基置換s−トリアジン誘導体、イミドスルホネ−ト誘導体等がある。
また必要に応じて、光により酸を発生する化合物(B)には増感剤を併用することができる。そのような増感剤としては、例えば、ペリレン、アントラセン、チオキサントン、ミヒラ−ケトン、ベンゾフェノン、フルオレンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
光により酸を発生する化合物(B)の中でも、ポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜について高感度と高い解像度が得られる点から、o−キノンジアジド化合物が好ましい。
o−キノンジアジド化合物は、通常、o−キノンジアジドスルホニルクロライドと、ヒドロキシ基及びアミノ基から選ばれる少なくとも一方の基を有する化合物とを、塩基性触媒の存在下で縮合反応することにより、o−キノンジアジドスルホン酸エステルもしくはo−キノンジアジドスルホンアミドとして得られる。
上記のo−キノンジアジドスルホニルクロライドを構成するo−キノンジアジドスルホン酸成分としては、例えば、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−6−スルホン酸などを挙げることができる。
上記のヒドロキシ基を有する化合物としては、例えば、フェノ−ル、o−クレゾ−ル、m−クレゾ−ル、p−クレゾ−ル、ヒドロキノン、レゾルシノ−ル、カテコ−ル、o−メトキシフェノ−ル、4,4−イソプロピリデンジフェノ−ル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、4,4’−ジヒドロキシフェニルスルホン、4,4−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフェノ−ル、4,4’,4’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’− [1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノ−ル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸メチル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸イソアミルエステル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸−2−エチルブチルエステル、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノンなどのフェノ−ル化合物、エタノ−ル、2−プロパノ−ル、4−ブタノ−ル、シクロヘキサノ−ル、エチレングリコ−ル、プロピレングリコ−ル、ジエチレングリコ−ル、ジプロピレングリコ−ル、2−メトキシエタノ−ル、2−ブトキシエタノ−ル、2−メトキシプロパノ−ル、2−ブトキシプロパノ−ル、乳酸エチル、乳酸ブチルなどの脂肪族アルコ−ル類、アニリン、o−トルイジン、m−トルイジン、p−トルイジン、4−アミノジフェニルメタン、4−アミノジフェニル、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルなどのアニリン類、アミノシクロヘキサンなどを挙げることができる。
更に、ヒドロキシ基とアミノ基の両方を有する化合物としては、o−アミノフェノ−ル、m−アミノフェノ−ル、p−アミノフェノ−ル、4−アミノレゾルシノ−ル、2,3−ジアミノフェノ−ル、2,4−ジアミノフェノ−ル、4,4’−ジアミノ−4’’−ヒドロキシトリフェニルメタン、4−アミノ−4’,4’’−ジヒドロキシトリフェニルメタ
ン、ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンなどのアミノフェノ−ル類、2−アミノエタノ−ル、3−アミノプロパノ−ル、4−アミノシクロヘキサノ−ルなどのアルカノ−ルアミン類を挙げることができる。
o−キノンジアジドスルホニルクロライドと、ヒドロキシ基及びアミノ基から選ばれる少なくとも一方を有する化合物とを縮合反応させると、その化合物のヒドロキシ基またはアミノ基の一部または全部がo−キノンジアジドスルホニルクロライドのo−キノンジアジドスルホニル基で置換された2置換体、3置換体、4置換体または5置換体のo−キノンジアジド化合物が得られる。斯かるo−キノンジアジド化合物をポジ型感光性樹脂組成物の成分として用いる場合、上記の多置換体のo−キノンジアジド化合物を単独で、又は上記の多置換体から選ばれる2種以上の多置換体の混合物として用いるのが一般的である。
上述のo−キノンジアジド化合物のうち、ポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜について露光部と未露光部の現像溶解度差のバランスが良好であり且つ現像時におけるパタ−ン底部の現像残渣(パタ−ンエッジ部の残渣)が無いという観点から、p−クレゾ−ルのo−キノンジアジドスルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノ−ルのo−キノンジアジドスルホン酸エステル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸メチルエステルのo−キノンジアジドスルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンのo−キノンジアジドスルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンのo−キノンジアジドスルホン酸エステルなどが好ましく、これら化合物をそれぞれ単独で用いても、又、これら化合物から任意に選ばれる二種以上のものを混合して用いてもよい。
本発明に用いる光により酸を発生する化合物(B)の含有量は、特に限定されないが、本発明のポジ型感光性樹脂組成物から得られる塗膜について露光部と未露光部の現像液溶解度差が高くなるとの観点から、化合物(B)の含有量はポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して好ましくは0.01質量部以上、より好ましくは10質量部以上である。また、この組成物を用いて得られる塗膜が高感度のものとなり且つ該塗膜から得られる硬化膜の機械特性も優れたものとなるとの観点から、光により酸を発生する化合物(B)の含有量は100質量部以下が好ましく、30質量部以下がより好ましい。
<架橋性化合物(C)>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、架橋性化合物(C)を含有することができる。架橋性化合物(C)は、そのポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜を硬化膜に転換する工程(以下、最終硬化時という。)において、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)に含有される有機基と反応し得る基を有する化合物であれば、特に限定されない。架橋性化合物(C)としては、例えば、エポキシ基を2個以上含有する化合物、又は、アミノ基の水素原子がメチロール基、アルコキシメチル基若しくはその両方で置換された基を有するところのメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリル等が挙げられる。このメラミン誘導体及びベンゾグアナミン誘導体は、二量体又は三量体であっても良く、又、単量体、二量体及び三量体から任意に選ばれた混合物であっても良い。これらのメラミン誘導体及びベンゾグアナミン誘導体としては、トリアジン環1個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均3個以上6個未満有するものが好ましい。
また、本発明における架橋性化合物(C)は、1種単独で、又は2種以上のものを組み
合わせて使用することができる。
架橋性化合物(C)としては、市販品の化合物を用いることができる。市販品は入手が容易なので、より好ましい。以下にその具体例(商品名)を挙げるが、これに限定されない。
エポキシ基を2個以上含有する化合物としては、エポリードGT−401、エポリードGT−403,エポリードGT−301、エポリードGT−302、セロキサイド2021、セロキサイド3000(以上、ダイセル化学工業(株)製)などのシクロヘキセン構造を有するエポキシ化合物、エピコート1001、エピコート1002、エピコート1003、エピコート1004、エピコート1007、エピコート1009、エピコート1010、エピコート828(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)などのビスフェノールA型エポキシ化合物、エピコート807(ジャパンエポキシレジン(株)製)などのビスフェノールF型エポキシ化合物、エピコート152、エピコート154(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)、EPPN201、EPPN202(以上、日本化薬(株)製)などのフェノールノボラック型エポキシ化合物、ECON−102、ECON−103S、ECON−104S、ECON−1020、ECON−1025、ECON−1027(以上、日本化薬(株)製)、エピコート180S75(ジャパンエポキシレジン(株)製)などのクレゾールノボラック型エポキシ化合物、デナコールEX−252(ナガセケムテックス(株)製)、CY175、CY177、CY179、アラルダイトCY−182、アラルダイトCY−192、アラルダイトCY−184(以上、CIBA−GEIGY A.G製)、エピクロン200、エピクロン400(以上、大日本インキ化学工業(株)製)エピコート871、エピコート872(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)ED−5661、ED−5662(以上、セラニーズコーティング(株)製)などの脂環式エポキシ化合物、デナコールEX−611、デナコールEX−612、デナコールEX−614、デナコールEX−622、デナコールEX−411、デナコールEX−512、デナコールEX−522、デナコールEX−421、デナコールEX−313、デナコールEX−314、デナコールEX−312(以上、ナガセケムテックス(株)製)などの脂肪族ポリグリシジルエーテル化合物が挙げられる。
アミノ基の水素原子がメチロール基、アルコキシメチル基若しくはその両方で置換された基を有するところのメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリルとしては、トリアジン環1個当たりメトキシメチル基が平均3.7個置換されているMX−750、トリアジン環1個当たりメトキシメチル基が平均5.8個置換されているMW−30(以上、(株)三和ケミカル製)、若しくはサイメル300、サイメル301、サイメル303、サイメル350、サイメル370、サイメル771、サイメル325、サイメル327、サイメル703、サイメル712などのメトキシメチル化メラミン、サイメル235、サイメル236、サイメル238、サイメル212、サイメル253、サイメル254などのメトキシメチル化ブトキシメチル化メラミン、サイメル506、サイメル508などのブトキシメチル化メラミン、サイメル1141のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、サイメル1123のようなメトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル1123−10のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル1128のようなブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル1125−80のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン(以上、日本サイテックインダストリーズ(株)(旧三井サイアナミド(株))製)、サイメル1170のようなブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル1172のようなメチロール化グリコールウリル等が挙げられる。
また架橋性化合物(C)としては、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜について最終硬化時における膜減りが無い点、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる硬化膜について耐熱性、耐薬品性及び膜密度が良好である点から、下記の式
(21)及び式(22)で表される構成単位を有し、且つ、式(22)で表される構成単位を2個以上有するエポキシ化合物が、より好ましい。
Figure 2014111771
(式中、R64、R65、R66及びR67はそれぞれ独立に水素原子、ヒドロキシ基又は炭素原子数1乃至10の有機基を表し、R68は炭素原子数1乃至4のアルキル基を表す。)
斯かるエポキシ化合物の具体例としては、例えば、以下の市販品が挙げられる。
クレゾールノボラック型エポキシ化合物に相当するところのECON−102、ECON−103S、ECON−104S、ECON−1020、ECON−1025、ECON−1027(以上、日本化薬(株)製)、エピコート180S75(ジャパンエポキシレジン(株)製)等。
上記のエポキシ化合物の中で、数平均分子量が500乃至10,000である同化合物がより好ましい。数平均分子量が500より小さいと、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる硬化膜について機械的強度、耐熱性及び耐薬品性が低下し、数平均分子量が10,000より大きいと、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)との相溶性が極端に低下する場合がある。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物における架橋性化合物(C)の含有量は、特に限定されないが、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる硬化膜の吸水性が低くかつ耐熱性及び耐薬品性が高くなるので、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して好ましくは1質量部以上、より好ましくは5質量部以上である。また架橋性化合物(C)の含有量は、前記ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性が損なわれない点より、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して好ましくは100質量部以下、より好ましくは50質量部以下である。
<密着性を高めるための化合物>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、それを用いて得られる塗膜及び硬化膜と基板との接着性を高めるために、有機シラン化合物又はアルミニウムキレート化合物を含有することができる。斯かる有機シラン化合物及びアルミニウムキレート化合物としては、例えば、GE東芝シリコーン(株)製、信越化学工業(株)製等の市販品を用いることもでき、これらは容易に入手できるので、より好ましい。
有機シラン化合物としては、例えば、ビニルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルジエトキシエチルシラン、3−グリシドキシプロピルエトキシジエチルシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメトキシメチルシラン、3−グリシドキシプロピルメトキシジメチルシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメトキシジメチルシラン、3−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルジメトキシメチルシラン、3−アミノプロピルメトキシジメチルシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルジエトキシエチルシラン、3−アミノプロピルエトキシジエチルシランなどが挙げられる。
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、トリス(アセチルアセトネート)アル
ミニウム、アセチルアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどが挙げられる。
本発明においては、有機シラン化合物及びアルミニウムキレート化合物から選ばれる1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
中でも、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシランがより好ましい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物における、有機シラン化合物及びアルミニウムキレート化合物から選ばれる化合物の含有量は、特に限定されないが、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いて得られる塗膜及び硬化膜と基板との密着性を十分高めることができる点より、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して好ましくは0.1質量部以上、より好ましくは0.5質量部以上である。また、有機シラン化合物及びアルミニウムキレート化合物から選ばれる化合物の含有量が30質量部以下である場合は、ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性が良好であり且つ該組成物を用いて得られるパターン底部の残渣が無いので、好ましく、該含有量が20質量部以下である場合がより好ましい。
<界面活性剤>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、塗布性、塗布された塗膜表面の均一性を高めるために、更に界面活性剤を含有することができる。この目的で使用される界面活性剤は特に限定されず、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤などが使用されうる。これらの界面活性剤としては、例えば、住友スリーエム(株)製、大日本インキ化学工業(株)製及び旭硝子(株)製等の市販品が容易に入手できるので、好ましい。
中でも、フッ素系界面活性剤は、塗布性の改善効果が高いので好ましい。より好ましいものは、エフトップEF301、エフトップEF303、エフトップEF352((株)ジェムコ製)、メガファックF171、メガファックF173、メガファックR−30(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC430、フロラードFC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、サーフロンSC101、サーフロンSC102、サーフロンSC103、サーフロンSC104、サーフロンSC105、サーフロンSC106(旭硝子(株)製)である。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物に用いる界面活性剤の含有量は、特に限定されないが、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して0.01質量部未満であると、塗布性の改善効果が得られない場合があるため、界面活性剤の含有量はポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して好ましくは0.01質量部以上、より好ましくは0.05質量部以上である。一方、界面活性剤の含有量がポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して15質量部を超えると、塗膜表面の均一性が得られない場合があるため、界面活性剤の含有量はポリヒドロキシアミド樹脂(A)100質量部に対して好ましくは15質量部以下、より好ましくは10質量部以下である。
<有機溶媒>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、通常、有機溶媒に溶解しワニスの形態にて用いられる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物含有ワニスに用いる有機溶媒としては、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)及び光により酸を発生する化合物(B)、並びに場合により配合される架橋化合物(C)、密着性を高めるための化合物又は界面活性剤などを均一に溶解することができ、且つ、これら成分が互いに相溶しうるものであれば、特に限定されない。
上記有機溶媒の具体例としては、例えば、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチレングリコール、エ
チレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−tert−ブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、3−メチル−3−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、n−へキサン、n−ペンタン、n−オクタン、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−ブトキシエタノール、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、乳酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸、3−メトキシプロピオン酸、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライムなどが挙げられる。
これらの有機溶媒は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上のものを適宜組み合わせて用いてもよい。
中でも、ポジ型感光性樹脂組成物において取扱いが容易である点などから、有機溶媒としては、メチルエチルケトン、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル及び乳酸ブチルから選ばれる一種又は二種以上の混合物が好ましい。
<ポジ型感光性樹脂組成物>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物を得る方法は特に限定されない。この種の組成物は、通常、ワニスの形態にて使用されるので、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は一般にポリヒドロキシアミド樹脂(A)及び光により酸を発生する化合物(B)、並びに所望により架橋化合物(C)などその他の成分を有機溶媒に溶解することにより調製される。
その際、ポリヒドロキシアミド樹脂(A)を構成する単量体として例えばクマリン二量体世知分とジアミン成分とを有機溶媒中で重合反応させ、得られた反応溶液をそのまま用いることもできる。
また、複数種の有機溶媒を用いる場合は、初めに複数種の有機溶媒を混合して用いるだけではなく、複数種の有機溶媒を任意に分けて添加することもできる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物の固形分濃度は、各成分が均一に溶解している限りは特に限定されない。一般に、固形分濃度1乃至50質量%の範囲から任意に選択された固形分濃度を有するポジ型感光性樹脂組成物の溶液を使用するとき、容易に塗膜を形成することができる。
<塗膜及び硬化膜>
一般に、スピンコート、浸漬、印刷等の公知の方法により、例えば、本発明のポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー、ガラス板、セラミックス基板、又は酸化膜若しくは
窒化膜などを有する基材上に塗布し、その後、温度60℃乃至160℃、好ましくは70℃乃至130℃で予備乾燥することにより、本発明のポジ型感光性樹脂組成物からなる塗膜を形成することができる。
塗膜の形成後、所定のパターンを有するマスクを用いて塗膜に対し例えば紫外線等により露光し、アルカリ現像液で現像することにより、露光部が洗い除去され、これにより端面がシャープ(鮮明)なレリーフパターンが基板上に形成される。その際、用いられる現像液としては、アルカリ性水溶液であれば特に限定されず、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンなどの水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンなどのアミン水溶液などが挙げられる。
前記のアルカリ現像液として一般に10質量%以下のアルカリ性水溶液が用いられ、工業的には0.1乃至3.0質量%のアルカリ性水溶液が使用される。また、アルカリ現像液は、アルコール類又は界面活性剤などを含有することもでき、これらはそれぞれ、0.05乃至10質量%程度含有することが好ましい。
現像工程においては、アルカリ現像液の温度を任意に選択することができるが、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いる場合は、露光部の溶解性が高いため、室温で容易にアルカリ現像液による現像を行うことができる。
かくして得られたレリーフパターンを有する基板を温度180℃乃至400℃で熱処理(焼成)することにより、吸水性が低い故に電気特性に優れ且つ耐熱性及び耐薬品性も良好である、レリーフパターンを有する硬化膜を得ることができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、斯かる優れた効果を有しているため、電気・電子デバイス、半導体装置及びディスプレイ装置等に用いることができる。特に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、無機イオンを含有しないという特徴的な効果を有するので、発光素子の無機イオンによる損傷が大きな問題となっている有機EL(electroluminescent)素子やLED(Light−Emitting Diode)等の絶縁膜及び隔壁材、又は、半導体パッケージにおいて銅配線のイオンマイグレーション無機イオンの有無で大きく影響されるところのバッファーコートにおいて、大変有用である。
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例で用いる略記号>
以下の実施例で用いる略記号の意味は、次のとおりである。
[溶媒]
NMP:N−メチルピロリドン
DMAc:N,N−ジメチルアセトアミド
[アミン類]
DA1M:ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン
DBA:3,5−ジアミノ安息香酸
APDS:ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
ODA:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
ABA:4−アミノベンジルアミン
DHCM: 4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジシクロヘキシルメタン
[エステル環化物]
CD:クマリンダイマー
[感光剤、その他]
P200:東洋合成工業(株)製 P−200(商品名) 4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール1モルと1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロライド2モルとの縮合反応によって合成される感光剤
TMAH:2.38wt%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
<数平均分子量及び重量平均分子量の測定>
ポリマーの重量平均分子量(以下Mwと略す)と分子量分布は、日本分光(株)製GPC装置(Shodex(登録商標)カラムKF803L及びKF805L)を用い、溶出溶媒としてジメチルホルムアミドを流量1mL/分、カラム温度50℃の条件で測定した。なお、Mwはポリスチレン換算値とした。
<塗布膜成分分析の測定>
塗布膜の成分分析は、日本電子(株)製GC−MS(JMS−700T(登録商標)カラムTC−WAX)を用いた。各種塗布膜から試料として10mg取り、初期温度と最終温度をそれぞれ60℃と220℃(昇温10/分)とし、得られる成分を検出した。
<合成例>
<合成例:ポリヒドロキシアミド(P1)の合成>
DA1M2.12g(0.0056モル)、DBA0.32g(0.0014モル)、およびCD2.05g(0.007モル)をNMP17.9gに溶解し、100℃で24時間反応させた。得られたポリマーのMwは6500、分子量分布1.53であった。また、得られたポリマー溶液1.00gをアルミカップに移し、ホットプレートで200℃、2時間加熱することで、固形分を算出した。得られた固形分は、19.99wt%であった。得られたポリマーはTMAHに可溶であった。
<合成例:ポリヒドロキシアミド(P2)の合成>
合成例1と同様の方法にて、各種ジアミンと、エステル環化物を溶媒中で反応させ、ポリマーを合成した。反応に使用したジアミン、エステル環化物、溶媒の種類及び使用量、得られたポリマーのMwと分子量分布、並びに固形分量を表1に示した。得られたポリマーはTMAHに可溶であった。
<比較合成例:ポリヒドロキシアミド(H1)の合成>
ODA1.00g(0.005モル)、CD1.62g(0.005モル)をDMAc10.49gに溶解し、90℃で24時間反応させた。得られたポリマーのMwは7000、分子量分布1.73であった。また、得られたポリマー溶液1.00gをアルミカップに移し、ホットプレートで200℃、2時間加熱することで、固形分を算出した。得られた固形分は、20.93wt%であった。得られたポリマーはTMAHに可溶であった。
<比較合成例:ポリヒドロキシアミド(H2及びH3)の合成>
比較例1と同様の方法にて、各種ジアミンと、エステル環化物を溶媒中で反応させ、ポリマーを合成した。反応に使用したジアミン、エステル環化物、溶媒の種類及び使用量、得られたポリマーのMwと分子量分布、並びに固形分量を表2に示した。なお、得られたポリマーはTMAHに不溶であった。
Figure 2014111771
Figure 2014111771
<サンプル作製>
表3に示す組成で、ポリマー溶液、感光剤およびフッ素系界面活性剤(大日本インキ化学工業(株)製、メガファックR−30)0.0002gを加え、室温で3時間以上攪拌し、ポジ型の感光性樹組成物を調整した。
Figure 2014111771
<現像評価>
表3で得られたポジ型感光性樹脂組成物を次の手法で評価した。使用した現像条件と評価結果を表4に示す。
[キュア前膜厚]
ポジ型感光性樹脂組成物を段差50mm×50mmITO基板(山容真空製)上にスピンコーターを用いて塗布した後、温度100℃で120秒間ホットプレート上においてプリベークを行い、塗布膜を形成した。膜厚は接触式膜厚測定器((株)ULVAC製Dektak 3ST)を使用した。
[現像時間、解像度、現像後残存残膜率]
得られた塗膜に1/1から100/100まで書かれたライン/スペースのマスクを通してキャノン製紫外線照射装置PLA−600により、紫外光を16秒間(100mJ/cm2)照射した。露光後、2.38wt%TMAHに浸漬して現像し、20秒間純水で洗浄工程を行うことで現像後の膜厚を測定した。
Figure 2014111771
サンプル1、2は、すべてポジ型パターンが得られたが、サンプル3は未露光部が完全に抜け切らなかった。

Claims (16)

  1. 式(10)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が3000から20000であるポリヒドロキシアミド樹脂。
    Figure 2014111771
    (式中、
    Xは、4価の脂肪族基又は芳香族基を表し、
    1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表し、
    Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、芳香族基を表し、
    Yは、少なくとも1つのカルボキシル基で置換された芳香族基を含む有機基を表し、
    nは、1以上の整数を表し、
    l及びmは、それぞれ独立して、0又は1以上の整数を表し、かつl+m≧2を満足する。)
  2. 前記Xが、脂肪族基である、請求項1に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  3. 前記Xが、環状構造を有する脂肪族基を表す、請求項2に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  4. 前記Xにおいて、X−Ar1結合とX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合し、X−Ar2結合ともう一方のX−C(O)結合がそれぞれX中の隣接する原子に結合している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  5. 前記式(10)中、
    Figure 2014111771
    基が、下記式(11)で表される構造を有する、請求項4に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
    Figure 2014111771
    (式中、Ar1、Ar2、Y、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
    3乃至R6は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1乃至10のアルキル基を表す。)
  6. 前記Ar1及びAr2が、それぞれ独立して、ベンゼン環を表す、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  7. 前記−Ar1(OH)l基及び−Ar2(OH)m基が、下記式(12)で表される構造を有する、請求項6に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
    Figure 2014111771
    (式中、
    7乃至R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
    1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基又はホスホニル基を表す。)
  8. 前記Yが、少なくとも1つのカルボキシル基で置換されたベンゼン環を含む有機基を表す、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  9. 前記Yが、更に下記式(13)で表される構造単位を含む、請求項8に記載のポリヒドロキシアミド樹脂
    Figure 2014111771
    (式中、
    11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、
    炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基、ホスホニル基、W1で置換されていてもよいフェニル基、W1で置換されていてもよいナフチル基、W1で置換されていてもよいチエニル基又はW1で置換されていてもよいフリル基を表し、
    1は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシル基又はホスホニル基を表す。)
  10. 前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)が、更に下記式(14)で表される繰り返し単位を含む、請求項1に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
    Figure 2014111771
    (式中、
    X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
    Qは、2価の有機基(但し、この基は−COOHを持たない)を表し、
    pは、1以上の整数を表す。)
  11. 前記Qが、芳香族基を含む有機基を表す、請求項10に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  12. 前記Qが、ベンゼン環を含む有機基を表す、請求項11に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  13. 前記Qが、ベンゼン環を2つ以上含む有機基を表す、請求項12に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  14. 前記Qが、下記式(15)乃至式(17)から選択される少なくとも1つの繰り返し単位構造を含む有機基を表す、請求項9記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
    Figure 2014111771
    (式(15)乃至式(17)中、
    17乃至R51は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、W4で置換されていてもよいフェニル基、W4で置換されていてもよいナフチル基、W4で置換されていてもよいチエニル基又はW4で置換されていてもよいフリル基を表し、
    4は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基又はホスホニル基を表し、
    2乃至Z7は、それぞれ独立して、単結合、W5で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
    5は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表す。)
  15. 前記式(16)中、Z5及びZ7が、−O−を表し、Z6が、−S(O)2−を表す、請求項14に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
  16. 前記ポリヒドロキシアミド樹脂(A)が、更に下記式(18)で表される少なくとも1種の繰り返し単位を含む、請求項1乃至13のうちいずれか一項に記載のポリヒドロキシアミド樹脂。
    Figure 2014111771
    (式中、X、Ar1、Ar2、R1、R2、l及びmは、前記と同じ意味を表し、
    13乃至R16は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基、ホスホニル基、W6で置換されていてもよいフェニル基、W6で置換されていてもよいナフチル基、W6で置換されていてもよいチエニル基又はW6で置換されていてもよいフリル基を表し、
    6は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基、炭素原子数1乃至10のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、ホルミル基、シアノ基又はホスホニル基を表し、
    8乃至Z10は、それぞれ独立して、単結合、W7で置換されていてもよい炭素原子数1乃至10のアルキレン基、−C(O)O−、−C(O)NH−、−O−、−S−、−S(O)2−又は−C(O)−を表し、
    7は、炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数1乃至10のハロアルキル基又は炭素原子数1乃至10のアルコキシ基を表し、並びに、
    qは、1以上の整数を表す。)
JP2013267352A 2008-07-09 2013-12-25 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂 Active JP5776912B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013267352A JP5776912B2 (ja) 2008-07-09 2013-12-25 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008179105 2008-07-09
JP2008179105 2008-07-09
JP2013267352A JP5776912B2 (ja) 2008-07-09 2013-12-25 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010519801A Division JP5534225B2 (ja) 2008-07-09 2009-07-08 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014111771A true JP2014111771A (ja) 2014-06-19
JP5776912B2 JP5776912B2 (ja) 2015-09-09

Family

ID=41507141

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010519801A Active JP5534225B2 (ja) 2008-07-09 2009-07-08 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂
JP2013267352A Active JP5776912B2 (ja) 2008-07-09 2013-12-25 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010519801A Active JP5534225B2 (ja) 2008-07-09 2009-07-08 ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP5534225B2 (ja)
KR (1) KR101759962B1 (ja)
CN (1) CN102089711B (ja)
TW (1) TWI461849B (ja)
WO (1) WO2010005028A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101750463B1 (ko) 2013-11-26 2017-06-23 제일모직 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
KR102337564B1 (ko) * 2018-09-28 2021-12-13 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855926A (ja) * 1981-09-29 1983-04-02 Masaki Hasegawa ポリアミド系線状高分子を用いる画像形成方法
JPS61179229A (ja) * 1985-02-04 1986-08-11 Masaki Hasegawa 光学活性ポリアミド
JPS6422923A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Idemitsu Kosan Co Production of polyamide
US4975517A (en) * 1985-01-07 1990-12-04 Masaki Hasegawa Polyamide from optically active, anti head-to-head coumarin dimer
JPH11258795A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2000230049A (ja) * 1999-02-15 2000-08-22 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5129758B2 (ja) * 1972-12-22 1976-08-27
DE59606657D1 (de) * 1995-08-31 2001-05-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden
JP4558976B2 (ja) * 2001-05-14 2010-10-06 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP2004133088A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Toray Ind Inc 電子部品用感光性耐熱性樹脂組成物および電子部品用感光性耐熱性樹脂前駆体組成物
JP4438296B2 (ja) * 2003-01-27 2010-03-24 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
TWI360565B (en) * 2003-07-09 2012-03-21 Toray Industries Photosensitive resin precursor composition
JP2005139302A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Nippon Shokubai Co Ltd ポリイミド前駆体およびこれを含む感光性ポリアミック酸ワニス
CN1902548A (zh) * 2004-01-14 2007-01-24 日立化成杜邦微系统股份有限公司 感光性树脂组合物、图案制造方法及电子部件
JP2006227063A (ja) 2005-02-15 2006-08-31 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP2007187710A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
WO2008149730A1 (ja) * 2007-06-05 2008-12-11 Nissan Chemical Industries, Ltd. ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855926A (ja) * 1981-09-29 1983-04-02 Masaki Hasegawa ポリアミド系線状高分子を用いる画像形成方法
US4975517A (en) * 1985-01-07 1990-12-04 Masaki Hasegawa Polyamide from optically active, anti head-to-head coumarin dimer
JPS61179229A (ja) * 1985-02-04 1986-08-11 Masaki Hasegawa 光学活性ポリアミド
JPS6422923A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Idemitsu Kosan Co Production of polyamide
JPH11258795A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2000230049A (ja) * 1999-02-15 2000-08-22 Toshiba Chem Corp 感光性樹脂組成物およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010005028A1 (ja) 2010-01-14
JP5776912B2 (ja) 2015-09-09
JP5534225B2 (ja) 2014-06-25
JPWO2010005028A1 (ja) 2012-01-05
KR20110022730A (ko) 2011-03-07
TW201015225A (en) 2010-04-16
TWI461849B (zh) 2014-11-21
CN102089711B (zh) 2013-05-22
KR101759962B1 (ko) 2017-07-20
CN102089711A (zh) 2011-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5477527B2 (ja) 末端官能基含有ポリイミドを含むポジ型感光性樹脂組成物
JP2007156243A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜
US9975996B2 (en) Positive photosensitive resin composition and polyhydroxyamide resin
US20040197699A1 (en) Positive photosensitive polyimide resin composition
TWI458753B (zh) 聚羥基醯亞胺的製造方法及含有由該製造方法所得到之聚羥基醯亞胺的正型感光性樹脂組成物
JP5435227B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜並びに表示素子
JP4525937B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
KR101804308B1 (ko) 폴리히드록시이미드의 제조방법
JP4466877B2 (ja) ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物
JP5263523B2 (ja) ポリヒドロキシウレア樹脂含有ポジ型感光性樹脂組成物
JP5776912B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びポリヒドロキシアミド樹脂
JP2019032489A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、プリント配線板および半導体素子
WO2023276517A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法、電子部品、表示装置および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150610

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150623

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5776912

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350