JP2014103228A - 半導体装置の評価方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で、部分放電の十分な検出精度を実現できる半導体装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の電気的特性を評価する工程と、評価工程中に、半導体装置に取り付けられた温度モニタ素子を用いて、半導体装置の温度を検出する工程と、検出された半導体装置の温度があらかじめ定められたしきい値を超えている場合、その温度が検出された半導体装置において、放電が生じたものと判断する工程と、放電が生じたものと判断された半導体装置における、放電箇所を特定する工程とを備える。
【選択図】図４

Description

本発明は半導体装置の評価方法に関し、特に、半導体装置の電気的特性の評価に関するものである。

被測定物である半導体装置の、半導体ウエハ状態または半導体チップ状態等での電気的特性を評価する場合、一般に、真空吸着等により、被測定物の設置面（裏面）をチャックステージの表面に接触させて固定した後、被測定物の表面に電気的な入出力を行うためにコンタクトプローブを接触させる。このコンタクトプローブは、従来から、大電流または高電圧印加等の要求に応じて、多ピン化が実施されている。

ところで、被測定物の評価動作中に、例えばコンタクトプローブと被測定物との間に部分放電が生じることによって、被測定物の部分的な破損または不具合が生じることが知られている。このような部分放電を検出し、部分放電の生じた被測定物をその時点で特定しておくことは重要である。部分放電の生じた被測定物が特定されずに、後工程にそのまま当該被測定物が流出してしまった場合、後工程において改めてその被測定物を特定することは非常に困難となる場合があるからである。

上記の部分放電の発生を検出する手法は、例えば特許文献１および２に開示されている。特許文献１では、半導体素子モジュールの内部で発生する部分放電を、放電パルス電流とアコースティックエミッションセンサによる音とで判別する手法が開示されている。特許文献２では、電流検出手段によって放電電流を検出する手法が開示されている。

特開２００３−１３０９２５号公報 特開２００２−２２７９３号公報

しかし、特許文献１に開示されている手法は、被測定物が特にウエハテストやチップテストにおける半導体素子である場合には、容易に適用できるものではなかった。

また特許文献２に開示されている手法では、放電電流の検出に用いる回路構成が複雑であり、また外来ノイズにより検出精度が低下するという問題点があった。

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、簡易な構成で、部分放電の十分な検出精度を実現できる半導体装置の評価方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に関する半導体装置の評価方法は、（ａ）半導体装置の電気的特性を評価する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）中に、前記半導体装置に取り付けられた温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を検出する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）において検出された前記半導体装置の温度があらかじめ定められたしきい値を超えている場合、その温度が検出された前記半導体装置において、放電が生じたものと判断する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）において放電が生じたものと判断された前記半導体装置における、放電箇所を特定する工程とを備える。

本発明の上記態様によれば、半導体装置の評価工程中に、前記半導体装置に取り付けられた温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を検出する。そして、当該温度がしきい値を超えている場合に、その半導体装置において放電が生じたものと判断する。よって、簡易な構成で、半導体装置に生じた部分放電の十分な精度で特定することができる。

本発明の実施形態に関する半導体装置の平面概略図である。 本発明の実施形態に関する半導体評価装置の構成概略図である。 本発明の実施形態に関するコンタクトプローブの動作説明図である。 本発明の実施形態に関する半導体装置の評価動作の手順を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に関する、温度モニタ素子の配置の変形例を示した図である。 本発明の実施形態に関する、温度モニタ素子の配置の変形例を示した図である。 本発明の実施形態に関する半導体評価装置の変形例の構成概略図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。

＜実施形態＞
＜構成＞
図１および図２を参照しつつ、本実施形態に関する半導体装置の評価方法について説明する。

図１は、半導体装置１の平面概略図である。半導体装置１は、特に電力変換装置等に使用される高耐圧半導体装置であり、例えば、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ダイオード等である。図１においては、半導体装置１の縦方向、つまり面外方向（Ｚ軸方向）に大きな電流を流す縦型構造の半導体装置１が一例として示されているが、本発明における半導体装置はこれに限るものではなく、半導体装置の一面において入出力を行う、横型構造の半導体装置であってもよい。

図１に示されるように半導体装置１は、活性領域２と、終端領域３と、複数の温度モニタ素子４と、入出力部５とを備える。

活性領域２は、電流を制御する領域である。

終端領域３は、平面視上で活性領域２を囲んで形成された領域である。また終端領域３は、半導体装置１に分離耐圧を持たせる領域である。一般的な終端領域３の構造としては、ガードリング構造、リサーフ構造、またはＶＬＤ（Ｖａｒｉａｔｉｏｎ ｏｆ Ｌａｔｅｒａｌ Ｄｏｐｉｎｇ）構造等が考えられる。

温度モニタ素子４は、半導体装置１表面に複数設けられる。より具体的には、終端領域３近傍に沿う活性領域２上（活性領域２の外縁部分）において、互いに直列に接続されて設けられる。ただし、図１に示された温度モニタ素子４の配置および数は一例であり、図１に示されるような活性領域２を周回する形状で配置される場合に限られるものではない。そして温度モニタ素子４は、半導体装置１の表面の温度を検出する。ただし、温度モニタ素子４が検出する温度は、半導体装置１の表面の温度に限られるものではなく、温度モニタ素子４が配置される位置に応じて、半導体装置１の側面の温度または裏面の温度であってもよい。これらの温度のうち少なくとも１つを検出するものであればよい。

具体的な温度モニタ素子４としては、サーミスタ、またはＰ型半導体とＮ型半導体とを接合させたＰＮ接合を有するダイオード等がある。サーミスタが用いられる場合、抵抗値が温度依存性を有するため、抵抗値変化を参照することによって簡易に温度変化を検出することができる。この場合、温度上昇に応じて電気抵抗が低下する特性を有する、抵抗値変化の直線性に優れたＮＴＣ（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）型を用いることで、温度検出の精度が向上する。一方で、後述する半導体装置１の評価動作を瞬時に遮断するためには、ＮＴＣ型より直線性は劣るが、温度に対する抵抗値の変化が急峻であるＣＴＲ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）型を用いてもよい。

入出力部５は、外部機器（図示せず）と温度モニタ素子４との間で電気信号の入出力処理を行う。入出力部５と外部機器との接続は、コンタクトプローブを介してなされるが、詳細は後述する。

図１に示された入出力部５は、直列に接続された複数の温度モニタ素子４の両端部に設けられている。図１の例では、温度モニタ素子４が活性領域２の外縁（終端領域３の近傍領域）に沿って周回して設けられていることにより、温度モニタ素子４の両端部に設けられた２つの入出力部５が、隣接して配置されている。

図２は、半導体装置１の電気的特性を評価する半導体評価装置６の構成概略図である。

図２に示されるように、半導体評価装置６は、半導体装置１を配置するチャックステージ８と、プローブ基体７と、評価および制御部９とを備える。またプローブ基体７は、コンタクトプローブ１０と、絶縁性基体１６とを備える。プローブ基体７と評価および制御部９とは、接続部１９Ａを介して接続されている。また、チャックステージ８と評価および制御部９とは、接続部１９Ｂを介して接続されている。接続部１９Ａは、絶縁性基体１６に接続されている。接続部１９Ｂは、チャックステージ８の側面に接続されている。

プローブ基体７は、移動アーム２０により保持され、任意の方向へ移動可能となる。プローブ基体７を保持する移動アーム２０は、図２に示されるような単腕のものに限られず、複数の移動アームが備えられる場合であってもよい。なお、プローブ基体７が移動可能である代わりに、半導体装置１を配置したチャックステージ８側が移動可能であってもよい。

チャックステージ８は、半導体装置１を設置し固定する台座である。固定の手段として、例えば真空吸着の機能を有する。ただし、当該固定の手段は真空吸着に限るものではなく、静電吸着等であっても構わない。縦型構造の半導体装置１の電気的特性を評価する場合には、半導体装置１と接触するチャックステージ８表面が電極として機能する。チャックステージ８表面は、接続部１９Ｂから信号線１８を介して、評価および制御部９に接続されている。

評価および制御部９は、信号線１８を介して接続部１９Ａおよび接続部１９Ｂに接続されている。

コンタクトプローブ１０は、縦型構造の半導体装置１の電気的特性を評価するために活性領域２に接続されるものと、温度モニタ素子４の入出力部５に接続されるものとを含む。活性領域２に接続されるコンタクトプローブ１０は、半導体装置１表面の活性領域２に設けられた接続パッド（図３参照）と接触し、外部機器と接続するための電極として機能する。なお、コンタクトプローブ１０は、大電流が半導体装置１に印加されることを想定し、複数個設けられていることが望ましい。

複数のコンタクトプローブ１０は、絶縁性基体１６に取り付けられている。各コンタクトプローブ１０は、例えば絶縁性基体１６上に設けられた金属板（図示せず）を介して、接続部１９Ａに接続されている。

接続部１９Ａの絶縁性基体１６における配置位置は、各コンタクトプローブ１０における電流密度が略一致するように、接続部１９Ｂとの間で調整されることが望ましい。具体的には、接続部１９Ａと接続部１９Ｂとの距離がどのコンタクトプローブを介しても略一致する位置に、接続部１９Ａの配置位置および接続部１９Ｂの配置位置が調整されることが望ましい。すなわち、コンタクトプローブ１０を介して、接続部１９Ａと接続部１９Ｂとが対向する位置に配置されることが望ましい。

＜コンタクトプローブの接続動作＞
図３は、コンタクトプローブ１０の動作説明図である。コンタクトプローブ１０は、導電性を有する、例えば銅、タングステン、レニウムタングステン等の金属材料により作製されるが、これらに限るものではない。

図３に示されるようにコンタクトプローブ１０は、設置部１４と、先端部１２と、押し込み部１３と、電気的接続部１５とを備える。

設置部１４は、基台であり絶縁性基体１６と接続される部分である。

先端部１２は、コンタクト部１１を有する。コンタクト部１１は、半導体装置１表面に設けられた接続パッド１７と機械的かつ電気的に接触する部分である。コンタクト部１１は、導電性向上や耐久性向上等の観点から、コンタクトプローブ１０全体とは別の部材、例えば金、パラジウム、タンタル、プラチナ等を被覆されていてもよい。

押し込み部１３は、内部に組み込まれたスプリング等のばね部材によって、接触時に摺動が可能となる部分である。

電気的接続部１５は、先端部１２と電気的に通じており、外部への出力端となる部分である。

次に、コンタクトプローブ１０の動作を説明する。図３（ａ）には、コンタクトプローブ１０の初期状態が示されている。この状態から、図３におけるＺ軸下方（Ｚ軸マイナス方向）にコンタクトプローブ１０を下降させると、図３（ｂ）に示される状態となる。図３（ｂ）に示された状態は、接続パッド１７とコンタクト部１１とが接触している状態である。

その後、さらにコンタクトプローブ１０を下降させると、押し込み部１３が設置部１４内にばね部材を介して押し込まれ、半導体装置１の接続パッド１７とコンタクト部１１との接触がより確実なものとなる（図３（ｃ）参照）。

ここでは、コンタクトプローブ１０がＺ軸方向に摺動性を有したスプリング式のものである場合について説明したが、本発明に関する構成としてはこれに限られるものではなく、カンチレバー式（片持ち梁式）のコンタクトプローブであっても構わない。なおＺ軸方向に摺動性を有したものについても、スプリング式に限らず、積層プローブ、ワイヤープローブ等であっても構わない。

＜評価動作＞
次に図４を参照しつつ、半導体評価装置６による、半導体装置１の評価動作について説明する。なお図４は、半導体装置１の評価動作の手順を示すフローチャートである。

本実施形態のように、半導体評価装置６において複数のコンタクトプローブ１０が備えられている場合、評価動作前に、まず、コンタクトプローブ１０のコンタクト部１１の平行度をあらかじめ揃えておくことが望ましい。

次に、半導体装置１の設置面がチャックステージ８の表面に接触するように、半導体装置１をチャックステージ８上に設置する（ステップＳ１）。半導体装置１としては、例えば、複数の半導体チップが形成された半導体ウエハ、または半導体チップそのものが考えられるが、これらに限るものではなく、真空吸着等により固定する半導体装置１であればよい。

半導体装置１をチャックステージ８上に固定した後、一部のコンタクトプローブ１０と接続パッド１７とを接触させ、残りのコンタクトプローブ１０と入出力部５とを接触させる（ステップＳ２）。接続パッド１７と接触したコンタクトプローブ１０は、接続パッド１７を介して活性領域２と電気的に接続される。

その後、評価および制御部９が、活性領域２と電気的に接続されたコンタクトプローブ１０を用いて半導体装置１の所望の電気的特性に関する評価動作を実施するが、同時に、温度モニタ素子４を用いて、半導体装置１表面の温度検出を実施する（ステップＳ３）。

上記の温度検出は、温度モニタ素子４からの温度を示す出力値が、入出力部５を介して、コンタクトプローブ１０、接続部１９Ａ、信号線１８と伝達されて、評価および制御部９において取得される。各温度モニタ素子４からは、温度モニタ素子４が配置された箇所（図１においては、活性領域２の外縁部分）における温度が検出される。

次に、温度モニタ素子４の、検出した温度を示す出力値があらかじめ設定したしきい値を越えたか否かを判断する（ステップＳ４）。しきい値を超えない場合には、ステップＳ３に戻り評価動作を続ける。

しきい値を超える場合には、当該温度が検出された箇所（半導体装置１における温度モニタ素子４が取り付けられた箇所）において部分放電が発生したものと判断される。この場合には、半導体装置１の電気的特性の評価動作途中であっても、当該評価動作を中断する（ステップＳ５）。そして、半導体ウエハの評価動作を実施していた場合であれば、その評価動作を実施していた半導体装置１の位置を特定し記憶する（ステップＳ６）。記憶する場所としては、評価および制御部９内部に備えられたメモリー等であってもよいし、評価および制御部９に接続された外部機器の記憶容量であってもよい。そして、部分放電が発生したと判断された半導体装置１は、その後の工程から除去され排除される（ステップＳ７）。

＜配置の変形例１＞
図５は、半導体装置１Ａ表面における、温度モニタ素子４の配置の変形例１を示した図である。

ところで、コンタクトプローブ１０と被測定物（半導体装置１Ａ）との間の部分放電は、半導体装置１Ａにおける、コンタクトプローブ１０が接触する部分の活性領域２だけでなく、終端領域３が囲まれた活性領域２の外縁部分においても頻繁に発生することが知られている。

図１に示された温度モニタ素子４の配置例では、活性領域２の外縁部分に複数の温度モニタ素子４を直列に接続して配置しているため、活性領域２の外縁部分に発生する部分放電を重点的に検出することができる。

一方で図５に示された温度モニタ素子４の配置例では、活性領域２全体に亘って、複数の温度モニタ素子４をマトリクス状（格子状）に配置しているため、コンタクトプローブと接触する部分の活性領域２に発生する部分放電を効果的に検出することができる。

さらに、図１の配置例と図５の配置例とが組み合わせられる態様で、温度モニタ素子４が配置されていてもよい。

＜配置の変形例２＞
図６は、半導体装置１Ｂ表面における、温度モニタ素子４の配置の変形例２を示した図である。

図６に示された温度モニタ素子４の配置の変形例２では、活性領域２の外縁部分に複数の温度モニタ素子４を直列に接続して配置しているが、各辺ごとに独立して配列されている。各辺の両端には、それぞれ入出力部５が配置されている。このように構成することで、半導体装置１Ｂ表面の温度を、領域ごとに区分して検出することができる。

ところで、コンタクトプローブ１０と被測定物（半導体装置１Ｂ）との間の部分放電は、半導体装置１Ｂにおける、コンタクトプローブ１０が接触する部分の活性領域２だけでなく、終端領域３が囲まれた活性領域２の外縁部分においても頻繁に発生することが知られている。

図１に示された温度モニタ素子４の配置例では、活性領域２の外縁部分に複数の温度モニタ素子４を直列に接続して配置しているため、活性領域２の外縁部分に発生する部分放電を重点的に検出することができる。しかし、全ての温度モニタ素子４を直列に接続しており、どの温度モニタ素子４で温度変化を検出したのかが分からない場合があった。

そこで図６に示された温度モニタ素子４の配置例では、活性領域２の外縁部分に複数の温度モニタ素子４を配置し、さらにそれらの温度モニタ素子４を、各辺ごとに電気的に独立させて配置しているため、各辺ごとに温度モニタ素子４の温度変化を把握することができる。そのため、部分放電の発生箇所の絞込み、特定を容易に行うことが可能となる。さらに詳細に部分放電の発生箇所を特定する場合には、各温度モニタ素子４ごとに入出力部５を配置し、各温度モニタ素子４を独立に温度検出できるようにすればよい。

なお、活性領域２を複数の領域に分割して温度検出ができるように、複数の入出力部５を例えばマトリクス状（格子状）に配置してもよい。

＜半導体評価装置の変形例＞
図７は、半導体評価装置６の変形例である半導体評価装置６Ａの構成概略図である。半導体評価装置６Ａは、半導体装置１の表裏面の双方からコンタクトプローブ１０を接触させる、いわゆる両面プローブ構成の半導体評価装置である。

図２に示された半導体評価装置６との違いは、両面プローブ構成の半導体評価装置６Ａにおいて、半導体装置１の表面、および裏面の双方の温度を、半導体装置１の表面、および裏面の双方に設けた温度モニタ素子４を用いて、電気的特性の評価中に検出することである。なお、チャックステージ８の代わりに半導体装置１の裏面側に配置されるコンタクトプローブ１０は、絶縁性基体１６に取り付けられ、さらに、例えば絶縁性基体１６上に設けられた金属板（図示せず）を介して、接続部１９Ｃに接続されている。

接続部１９Ａの絶縁性基体１６における配置位置は、各コンタクトプローブ１０における電流密度が略一致するように、接続部１９Ｃとの間で調整されることが望ましい。具体的には、接続部１９Ａと接続部１９Ｃとの距離がどのコンタクトプローブを介しても略一致する位置に、接続部１９Ａの配置位置および接続部１９Ｃの配置位置が調整されることが望ましい。

図７では、半導体装置１を水平に設置した例を示したが、これに限るものではなく、垂直に設置してもよい。本構成により、表面、および裏面の双方の温度を評価中に検出することで、部分放電の発生が、表面近傍、もしくは裏面近傍のいずれか一方に生じた場合でも検出可能となり、部分放電の検出精度が向上する。

＜効果＞
本発明に関する実施形態によれば、半導体装置の評価方法が、半導体装置１の電気的特性を評価する工程と、評価工程中に、半導体装置１に取り付けられた温度モニタ素子４を用いて、半導体装置１の温度を検出する工程と、検出された半導体装置１の温度があらかじめ定められたしきい値を超えている場合、その温度が検出された半導体装置１において、放電が生じたものと判断する工程と、放電が生じたものと判断された半導体装置１における、放電箇所を特定する工程とを備える。

このような構成によれば、半導体装置１の温度を直接検出することによって、半導体装置１に生じた部分放電を十分な精度で特定することができる。

また、半導体装置１に取り付けられることによって一体化した温度モニタ素子４を用いて、半導体装置１表面の温度を直接検出するため、温度検出の検出精度が向上する。

また、評価動作時に部分放電が発生した半導体装置１を特定でき、その後の工程から当該半導体装置１を確実に排除することができ、評価動作後に部分放電発生の確認をする必要がなくなり、確認工程を短縮することができる。

また、本発明に関する実施形態によれば、評価工程中に、半導体装置１において互いに独立して取り付けられた複数の温度モニタ素子４を用いて、半導体装置１の温度を各温度モニタ素子４ごとに検出し、放電が生じたものと判断された半導体装置１における放電箇所を、各温度モニタ素子４との対応に基づいて特定する。

このような構成によれば、各温度モニタ素子４が取り付けられた箇所に対応して放電箇所が特定されるため、より高精度に放電箇所を特定することができる。独立して温度検出される温度モニタ素子４の数が増えるほど、部分放電の発生箇所を特定する際の精度を向上させることができる。

また、本発明に関する実施形態によれば、評価工程中に、半導体装置１における活性領域２の外縁部分に取り付けられた温度モニタ素子４を用いて、半導体装置１の温度を検出する。

このような構成によれば、部分放電の発生可能性が高い、活性領域２と終端領域３との境界近傍に特化して温度モニタ素子４が取り付けられているため、効率よく部分放電の発生箇所を特定することができる。

また、本発明に関する実施形態によれば、評価工程中に、半導体装置１の基板表面および基板裏面のうち少なくとも一方に取り付けられた温度モニタ素子４を用いて、半導体装置１の温度モニタ素子４が取り付けられた面の温度を検出する。

このような構成によれば、半導体装置１の表裏面いずれかの温度モニタ素子４に不具合が生じた場合も、他方の温度モニタ素子４により半導体装置１の温度検出を行うことができ、バックアップが可能となる。

また、本発明に関する実施形態によれば、放電が生じたものと判断された半導体装置１の評価動作を中断する。

このような構成によれば、放電が生じた半導体装置１がある場合には、評価動作が終了する前であっても評価動作を中断し、コンタクトプローブ１０や電極パッド等の破損防止、または破損拡大を未然に防止することができる。

本発明の実施形態では、各構成要素の材質、材料、実施の条件等についても記載しているが、これらは例示であって記載したものに限られるものではない。

なお本発明は、その発明の範囲内において、本実施形態における任意の構成要素の変形もしくは省略が可能である。

１，１Ａ，１Ｂ 半導体装置、２ 活性領域、３ 終端領域、４ 温度モニタ素子、５ 入出力部、６，６Ａ 半導体評価装置、７ プローブ基体、８ チャックステージ、９ 評価および制御部、１０ コンタクトプローブ、１１ コンタクト部、１２ 先端部、１３ 押し込み部、１４ 設置部、１５ 電気的接続部、１６ 絶縁性基体、１７ 接続パッド、１８ 信号線、１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ 接続部、２０ 移動アーム。

Claims (8)

1. （ａ）半導体装置の電気的特性を評価する工程と、
   （ｂ）前記工程（ａ）中に、前記半導体装置に取り付けられた温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を検出する工程と、
   （ｃ）前記工程（ｂ）において検出された前記半導体装置の温度があらかじめ定められたしきい値を超えている場合、その温度が検出された前記半導体装置において、放電が生じたものと判断する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｃ）において放電が生じたものと判断された前記半導体装置における、放電箇所を特定する工程とを備えることを特徴とする、
   半導体装置の評価方法。
2. 前記工程（ｂ）が、前記工程（ａ）中に、前記半導体装置において互いに独立して取り付けられた複数の前記温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を各前記温度モニタ素子ごとに検出する工程であり、
   前記工程（ｄ）が、前記工程（ｃ）において放電が生じたものと判断された前記半導体装置における放電箇所を、各前記温度モニタ素子との対応に基づいて特定する工程であることを特徴とする、
   請求項１に記載の半導体装置の評価方法。
3. 前記工程（ｂ）が、前記工程（ａ）中に、前記半導体装置における活性領域の外縁部分に取り付けられた前記温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の温度を検出する工程であることを特徴とする、
   請求項１または２に記載の半導体装置の評価方法。
4. 前記工程（ｂ）が、前記工程（ａ）中に、前記半導体装置の基板表面および基板裏面のうち少なくとも一方に取り付けられた前記温度モニタ素子を用いて、前記半導体装置の前記温度モニタ素子が取り付けられた面の温度を検出する工程であることを特徴とする、
   請求項１または２に記載の半導体装置の評価方法。
5. （ｅ）前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｃ）において放電が生じたものと判断された前記半導体装置の評価動作を中断する工程をさらに備えることを特徴とする、
   請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の評価方法。
6. 前記温度モニタ素子が、ｐｎ接合ダイオードであることを特徴とする、
   請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の評価方法。
7. 前記温度モニタ素子が、抵抗値が温度依存性を有するサーミスタであることを特徴とする、
   請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の評価方法。
8. 前記温度モニタ素子が、温度上昇に応じて電気抵抗が低下する特性を有するサーミスタであることを特徴とする、
   請求項７に記載の半導体装置の評価方法。

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