JP2014096591A - 発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】電流広がりが改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、複数個の発光セル１００ａ、１００ｂと隣接する二つの発光セルを電気的に接続する複数個の導電型連結層１７０とを含み、複数個の発光セルのそれぞれは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、第１導電型半導体層上に配置される第１電極１３０と、第２導電型半導体層上に配置される第２電極１４０と、発光構造物の一部がエッチングされて第１導電型半導体層が露出したエッチング領域とを含み、発光構造物は、第２電極と隣接し、第２電極と並んでいる第１側面１２０ａ、及び第１側面と対向し、エッチング領域と接する第２側面１２０ｂを含み、上部から見た第１側面と第２側面との間の幅がＷである時、第２電極は、発光構造物の第１側面からＷ／５乃至Ｗ／２の間の距離に位置する。
【選択図】図２

Description

実施形態は、発光素子に関する。
半導体の３−５族または２−６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やレーザーダイオードのような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの様々な色を具現することができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせることによって効率の良い白色光線も具現可能であり、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性などの長所を有する。
したがって、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）表示装置のバックライトを構成する冷陰極管（ＣＣＦＬ：Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｌａｍｐ）を代替する発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替することができる白色発光ダイオード照明装置、自動車のヘッドライト及び信号灯にまでその応用が拡大されている。
水平型発光素子の場合、一般に、サファイア基板上にｎ−ＧａＮ層、活性層及びｐ−ＧａＮ層を含む発光構造物が積層されるが、水平型発光素子の特性上、ｎ−電極とｐ−電極が水平に形成されて、電流広がり抵抗が大きいという問題点が存在する。このような問題点は、複数個の発光セルが直列または並列に接続された発光素子においても発生する。したがって、電流広がりを改善するために、ｎ−電極及びｐ−電極の位置を最適化する必要がある。
そこで、実施形態により、電流広がりが改善された発光素子を提供する。
実施形態に係る発光素子は、基板と；前記基板上に離隔して配置された複数個の発光セルと；前記複数個の発光セルのうち隣接する二つの発光セルを電気的に接続する複数個の導電型連結層と；を含み、前記複数個の発光セルのそれぞれは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極と、前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極と、前記発光構造物の一部がエッチングされて前記第１導電型半導体層が露出したエッチング領域と、を含み、前記発光構造物は、前記第２電極と隣接し、前記第２電極と並んでいる第１側面、及び前記第１側面と対向し、前記エッチング領域と接する第２側面を含み、上部から見た前記第１側面と前記第２側面との間の幅がＷである時、前記第２電極は、前記発光構造物の第１側面からＷ／５乃至Ｗ／２の間の距離に位置する。
前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置され、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、前記第１方向に配置されてもよい。
前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置され、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、前記第１方向と異なる第２方向に配置されてもよい。
前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置された第１部分、及び前記第１方向と異なる第２方向に配置された第２部分を含むことができる。
前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、一端が前記第２部分と重なってもよい。
前記導電型連結層は、前記隣接する二つの発光セルのうち一方の発光セルの第１電極と、前記隣接する二つの発光セルのうち他方の発光セルの第２電極とを連結することができる。
前記導電型連結層は、前記隣接する二つの発光セルの間に複数個存在することができる。
前記複数個の発光セルのそれぞれの側面に位置する絶縁層を含み、前記絶縁層は、隣接する発光セルの間及び／または前記導電型連結層と前記発光セルとの間を電気的に遮断することができる。
前記第２部分は、少なくとも一部が前記Ｗ／５乃至Ｗ／２の間の距離の範囲を外れて位置することができる。
導電型連結層は、前記複数個の発光セルを直列または並列に接続することができる。
第２側面は、前記エッチング領域と既に設定された角度で配置することができる。
発光セルの上部に位置する前記導電型連結層の幅を、隣接する前記発光セルの間に位置する前記導電型連結層の幅よりも小さくすることができる。
一つの発光セルの第１電極は、前記一つの発光セルのエッジに位置することができる。
一つの発光セルに隣接する他の発光セルの第２電極は、前記一つの発光セルの第１電極と互いに異なる線上に位置することができる。
第１方向に配置された導電型連結層と接する前記発光セルの第１電極は、折曲部を含むことができる。
導電型連結層が位置する領域で、前記隣接する発光セルの配列方向が異なってもよい。
第２電極の第１部分の長さは、前記第２電極の第２部分の長さよりも大きくすることができる。
導電型連結層は、互いに異なる第１方向と第２方向に配置することができる。
他の実施形態は、基板と；前記基板上に離隔して配置された複数個の発光セルと；隣接する二つの発光セルを電気的に接続する複数個の導電型連結層と；を含み、前記複数個の発光セルのそれぞれは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極と、前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極と、前記発光構造物の一部がエッチングされて前記第１導電型半導体層が露出したエッチング領域と、を含み、前記発光構造物は、前記第２電極と隣接し、前記第２電極と並んでいる第１側面、及び前記第１側面と対向し、前記エッチング領域と接する第２側面を含み、上部から見た前記第１側面と前記第２側面との間の幅がＷである時、前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置された第１部分、及び前記第１方向と異なる第２方向に配置された第２部分を含み、前記第２部分は、少なくとも一部が前記発光構造物の第１側面からＷ／５乃至Ｗ／２の間の距離の範囲を外れて位置する発光素子を提供する。
更に他の実施形態は、基板と；前記基板上に離隔して配置された複数個の発光セルと；隣接する二つの発光セルを電気的に接続する複数個の導電型連結層と；を含み、前記複数個の発光セルのそれぞれは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極と、前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極と、前記発光構造物の一部がエッチングされて前記第１導電型半導体層が露出したエッチング領域と、を含み、前記発光構造物は、前記第２電極と隣接し、前記第２電極と並んでいる第１側面、及び前記第１側面と対向し、前記エッチング領域と接する第２側面を含み、上部から見た前記第１側面と前記第２側面との間の幅がＷである時、一つの発光セルの第１電極は、前記一つの発光セルのエッジに位置し、前記一つの発光セルに隣接する他の発光セルの第２電極は、前記一つの発光セルの第１電極と互いに異なる線上に位置することができる。
実施形態によれば、第１電極と第２電極との間の電流広がりが改善されて、発光素子の光度を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
第１実施形態に係る発光素子の平面図である。 図１のＡ部分を拡大して示した図である。 図２をＰＰ方向に切断して正面から見た断面図である。 実施形態によって第２電極を位置させたとき、第２電極の位置による出力パワー（Ｐｏ．）及び動作電圧Ｖｆを示したグラフである。 図１のＢ部分を拡大して示した図である。 他の実施形態に係る発光素子の平面図である。 図６のＣ部分を拡大して示した図である。 他の実施形態に係る発光素子の一部を上部から見た姿を示した図である。 実施形態に係る発光素子を含む発光素子パッケージの一実施形態を示した図である。 実施形態に係る発光素子パッケージが配置された表示装置の一実施形態を示した図である。 実施形態に係る発光素子または発光素子パッケージが配置された照明装置の一実施形態を示す図である。
以下、上記の目的を具体的に実現することができる本発明の好適な実施形態を、添付の図面を参照して説明する。
本発明に係る実施形態の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）または下（下部）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）または下（下部）は、二つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記二つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）」または「下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを必ずしも正確に反映するものではない。
図１は、第１実施形態に係る発光素子の平面図であり、図２は、図１のＡ部分を拡大して示した図であり、図３は、図２をＰＰ方向に切断して正面から見た断面図である。
図１乃至図３を参照すると、第１実施形態に係る発光素子１００Ａは、基板１１０と、基板１１０上に離隔して配置された複数個の発光セル１００と、隣接する二つの発光セル１００を電気的に接続する複数個の導電型連結層１７０と、を含む。
基板１１０は、半導体物質の成長に適した材料、熱伝導性に優れた物質で形成することができる。基板１１０は、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、及びＧａ２Ｏ３のうち少なくとも一つを使用することができる。基板１１０に対して湿式洗浄を行うことで、表面の不純物を除去することができる。
基板１１０上に、複数個の発光セル１００が互いに離隔して配置される。
発光セル１００は、複数の化合物半導体層、例えば、３族−５族元素の半導体層を用いたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を含み、ＬＥＤは、青色、緑色または赤色などのような光を放出する有色ＬＥＤであるか、または白色ＬＥＤ又はＵＶ ＬＥＤであってもよい。ＬＥＤの放出光は、様々な半導体を用いて具現することができ、これに限定しない。
図３を参照すると、複数個の発光セル１００のそれぞれは、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む発光構造物１２０と、前記第１導電型半導体層１２２上に配置される第１電極１３０と、前記第２導電型半導体層１２６上に配置される第２電極１４０と、を含む。
発光構造物１２０は、例えば、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学蒸着法（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線成長法（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ；Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）などの方法を用いて形成することができ、これに限定しない。
第１導電型半導体層１２２は、半導体化合物で形成することができ、例えば、３族−５族または２族−６族などの化合物半導体で形成することができる。また、第１導電型ドーパントがドープされていてもよい。前記第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層である場合、前記第１導電型ドーパントは、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどを含むことができるが、これに限定されない。前記第１導電型半導体層１２２がｐ型半導体層である場合、前記第１導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができるが、これに限定しない。
第１導電型半導体層１２２は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第１導電型半導体層１２２は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのいずれか一つ以上で形成することができる。
第２導電型半導体層１２６は、半導体化合物で形成することができ、例えば、３族−５族または２族−６族などの化合物半導体で形成することができる。また、第２導電型ドーパントがドープされていてもよい。第２導電型半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。前記第２導電型半導体層１２６は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのいずれか一つ以上で形成することができる。前記第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができるが、これに限定しない。前記第２導電型半導体層１２６がｎ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントは、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどを含むことができるが、これに限定されない。
以下、第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層、第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層である場合を例に挙げて説明する。
前記第２導電型半導体層１２６上には、前記第２導電型と反対の極性を有する半導体、例えば、前記第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層である場合、ｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これによって、発光構造物は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のいずれか一つの構造で具現することができる。
第１導電型半導体層１２２と第２導電型半導体層１２６との間に活性層１２４が位置する。
活性層１２４は、電子と正孔とが会って、活性層（発光層）物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。第１導電型半導体層１２２がｎ型半導体層で、第２導電型半導体層１２６がｐ型半導体層である場合、前記第１導電型半導体層１２２から電子が注入され、前記第２導電型半導体層１２６から正孔が注入される。
活性層１２４は、単一井戸構造、多重井戸構造、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造のうち、少なくともいずれか一つで形成することができる。例えば、前記活性層１２４は、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）、及びトリメチルインジウムガス（ＴＭＩｎ）が注入されて多重量子井戸構造が形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
活性層１２４が多重井戸構造で形成される場合、活性層１２４の井戸層／障壁層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか一つ以上のペア構造で形成されてもよいが、これに限定されない。前記井戸層は、前記障壁層のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する物質で形成することができる。
発光構造物１２０と基板１１０との間にはバッファー層１１５が位置することができる。バッファー層１１５は、発光構造物１２０と基板１１０の材料の格子不整合及び熱膨張係数の差を緩和するためのものである。バッファー層１１５の材料は、３族−５族化合物半導体、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮのうち少なくとも一つで形成することができる。
基板１１０と第１導電型半導体層１２２との間にアンドープ半導体層（図示せず）が位置してもよい。アンドープ半導体層は、第１導電型半導体層１２２の結晶性の向上のために形成される層であって、ｎ型ドーパントがドープされないので、第１導電型半導体層に比べて低い電気伝導性を有すること以外は、前記第１導電型半導体層１２２と同一にすることができる。
発光構造物１２０は、一部がエッチングされて、第１導電型半導体層１２２が露出したエッチング領域Ｓを含む。エッチング領域Ｓとは、第２導電型半導体層１２６、活性層１２４及び第１導電型半導体層１２２の一部がエッチングされて露出した第１導電型半導体層１２２の領域を意味する。
第２導電型半導体層１２６上に第２電極１４０が配置され、第２電極１４０は、第２導電型半導体層１２６と電気的に接続される。
エッチングによって露出した第１導電型半導体層１２２のエッチング領域Ｓに第１電極１３０が配置され、第１電極１３０は、第１導電型半導体層１２２と電気的に接続される。
第１電極１３０及び第２電極１４０は、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、ロジウム（Ｒｈ）またはイリジウム（Ｉｒ）のうち少なくとも一つを含み、単層または多層構造で形成することができる。
第２電極１４０が形成される前に、第２導電型半導体層１２６上には導電層１５０を配置することができる。
実施形態によって、第２導電型半導体層１２６が露出するように導電層１５０の一部がオープンされて、第２導電型半導体層１２６と第２電極１４０とが接することができる。
または、図３に示したように、導電層１５０を挟んで第２導電型半導体層１２６と第２電極１４０とが電気的に接続されてもよい。
導電層１５０は、第２導電型半導体層１２６の電気的特性を向上させ、第２電極１４０との電気的接触を改善するためのもので、層または複数のパターンで形成することができる。導電層１５０は、透過性を有する透明電極層で形成することができる。
導電層１５０には透光性導電層と金属が選択的に使用されてもよい。例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ＩＺＯ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−ＧａＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−ＧａＺｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、またはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含んで形成されてもよいが、これらの材料に限定されない。
隣接する二つの発光セル１００の間に導電型連結層１７０が配置される。導電型連結層１７０は、隣接する二つの発光セル１００を電気的に接続する。導電型連結層１７０は、図１乃至図３に示したように、隣接する二つの発光セル１００のいずれか一方の発光セル１００の第１電極１３０と、他方の発光セル１００の第２電極１４０とを連続して接続することによって、複数個の発光セル１００を直列接続することができる。直列接続された複数個の発光セル１００の簡略な回路図を図１の下段に示した。または、導電型連結層１７０は、図示していないが、隣接する二つの発光セル１００のいずれか一方の発光セル１００と他方の発光セル１００において、同極性の電極（１３０と１３０；１４０と１４０）を接続することによって、複数個の発光セル１００を並列接続することもできる。
一例として、図３を参照すると、導電型連結層１７０は、隣接する二つの発光セル１００ａ，１００ｂを電気的に接続する。具体的に、導電型連結層１７０は、隣接する二つの発光セル１００ａ，１００ｂのいずれか一つの発光セル１００ａの第２電極１４０から、発光セル１００ａの側面及び他方の発光セル１００ｂの側面に沿って発光セル１００ｂの第１電極１３０まで延びて配置されて、隣接する二つの発光セル１００ａ，１００ｂを直列接続することができる。
図３を参照すると、隣接する二つの発光セル１００ａ，１００ｂは互いに離隔して配置される。そして、発光構造物１２０のそれぞれの側面及び上面に絶縁層１６０が位置する。絶縁層１６０は、発光構造物１２０の側面及び上面において、第１電極１３０と第２電極１４０が配置される領域を除外した残りの領域に配置することができる。絶縁層１６０は、導電型連結層１７０が存在する部分では、発光セル１００と導電型連結層１７０との間に位置する。
絶縁層１６０は、隣接する発光セル１００の間、または導電型連結層１７０と発光セル１００との間を電気的に遮断する役割を果たす。
絶縁層１６０は、非伝導性酸化物または窒化物からなることができ、一例として、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層、酸化窒化物層、酸化アルミニウム層からなることができるが、これに限定しない。
図１乃至図３を参照すると、発光構造物１２０は、第２電極１４０と隣接し、前記第２電極１４０と並んでいる第１側面１２０ａ、及び前記第１側面１２０ａと対向し、エッチング領域Ｓと接する第２側面１２０ｂを含む。第２電極１４０と並んでいるということは、第２電極１４０の長手方向と並んでいることを意味する。第２電極１４０の長手方向とは、第２電極１４０の最も長い辺が配列された方向を意味する。
なお、図３において、第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとの間の幅がＷにより定められる。このＷは、第２導電型半導体層の上面における第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとの間の距離である。
第２側面１２０ｂは、第１電極１３０が位置するエッチング領域Ｓと接し、エッチング領域Ｓから所定の角度θを有するように配置される。エッチング領域Ｓと第２側面１２０ｂとがなす角度θは、９０度以上とすることができる。第２側面１２０ｂは、発光構造物１２０の一部がエッチングされてエッチング領域Ｓを形成する時に、エッチングにより露出した発光構造物１２０の一側面に該当する。
上部から見たとき、複数個の発光セル１００のそれぞれの第２電極１４０は、第１側面１２０ａと並んでいる第１方向に配置される。
上部から見た第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとの間の幅がＷである時、第２電極１４０は、前記第１側面１２０ａからＷ／５乃至Ｗ／２の間の領域Ｄに位置する。
発光素子１００Ａの光度を向上させ、動作電圧を低くするためには、第１電極１３０及び第２電極１４０から注入された電流が発光構造物１２０の全面にわたって均一に広がることが重要である。第２電極１４０が第１側面１２０ａからＷ／５以内の領域に位置する場合、第１電極１３０と第２電極１４０の離隔間隔が広くなって電流広がりがよくなされず、第２電極１４０が第１側面１２０ａからＷ／２を超える領域に位置する場合、第２電極１４０と第１側面１２０ａとの間の間隔が広くなって電流広がりがよくなされない。
図４は、実施形態によって第２電極を位置させたとき、第２電極の位置による出力パワー（Ｐｏｗｅｒ）及び動作電圧Ｖｆを示したグラフである。
図４を参照すると、第２電極１４０が、第１側面１２０ａからＷ／５の距離だけ離隔した位置から、Ｗ／２の距離だけ離隔した位置に移動するほど、出力パワー（Ｐｏｗｅｒ）が上昇し、動作電圧Ｖｆが減少することを確認することができる。特に、第２電極１４０が、第１側面１２０ａからＷ／５の距離だけ離隔した位置から、２Ｗ／５の距離だけ離隔した位置に行くほど、出力パワー（Ｐｏｗｅｒ）及び動作電圧Ｖｆの改善効果が著しい。そして、第２電極１４０が、第１側面１２０ａから２Ｗ／５の距離だけ離隔した位置から、Ｗ／２の距離だけ離隔した位置に行くほど、出力パワー（Ｐｏｗｅｒ）及び動作電圧Ｖｆの改善効果が収束することがわかる。
第２電極１４０が、第１側面１２０ａからそれぞれＷ／５、２Ｗ／５、及び、Ｗ／２の距離だけ離隔した位置での具体的な数値は、下記の表１の通りである。
Figure 2014096591
すなわち、第１電極１３０と第２電極１４０との間の間隔が最適化されながら、電流広がりがよくなされ、これによって、出力パワー（Ｐｏｗｅｒ）が上昇し、動作電圧Ｖｆは減少する効果が現れる。
再び図２を参照すると、複数個の導電型連結層１７０のうち少なくとも一つは、前記第１方向とは異なる第２方向に配置することができる。実施形態によって、第２方向は、前記第１方向と垂直な方向とすることができる。
導電型連結層１７０の両端部が、それぞれ、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂのいずれか一方の発光セル１００ａの第２電極１４０、及び他方の発光セル１００ｂの第１電極１３０と重なりながら、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂを電気的に接続する。
導電型連結層１７０は、活性層１２４で生成された光の吸収を最小化するために、発光構造物１２０の上部に位置する部分の幅を、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂの間に位置する部分の幅よりも狭くすることができる。
図５は、図１のＢ部分を拡大して示した図である。
図５を参照すると、複数個の導電型連結層１７０のうち少なくとも一つは、前記第１方向に配置することができる。このとき、隣接する二つの発光セル１００ｂ、１００ｄのいずれか一方の発光セル１００ｄの第１電極１３０は、活性層１２４の損失を最小化するために発光セル１００ｂのエッジ領域に位置し、他方の発光セル１００ｂの第２電極１４０は、第１側面１２０ａからＷ／５の距離だけ離隔した位置乃至Ｗ／２の距離だけ離隔した位置の間の領域Ｄに位置することで、前記第１電極１３０と第２電極１４０とが同一線上に位置しない。すなわち、互いに異なる線上に位置することができる。したがって、第１方向に配置された導電型連結層１７０と接する発光セル１００ｄの第１電極１３０は、折曲部Ｇを含むことができる。
図１を参照すると、実施形態によって、第１方向に配置された導電型連結層１７０が位置する部分は、発光素子１００Ａにおいて発光セル１００の配列方向が変わる部分であってもよい。
図１を参照すると、複数個の発光セル１００の配列において一端部に存在する発光セル１００Ｚ１は、第２電極１４０に電極パッド１４０ｐを含むことで、ワイヤボンディングのための面積を確保することができる。同様に、複数個の発光セル１００の配列において他端部に存在する発光セル１００Ｚ２は、第１電極１３０に電極パッド１３０ｐを含むことで、ワイヤボンディングのための面積を確保することができる。
図６は、他の実施形態に係る発光素子の平面図で、図７は、図６のＣ部分を拡大して示した図である。発光素子の側断面図の図示は省略し、図３を参照して説明する。上述した実施形態と重複する内容は再び説明せず、以下では、差異点を中心に説明する。
図６及び図７を参照すると、第２実施形態に係る発光素子１００Ｂは、基板１１０と、基板１１０上に離隔して配置された複数個の発光セル１００と、隣接する二つの発光セル１００を電気的に接続する複数個の導電型連結層１７０と、を含む。
複数個の発光セル１００のそれぞれは、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む発光構造物１２０と、前記第１導電型半導体層１２２上に配置される第１電極１３０と、前記第２導電型半導体層１２６上に配置される第２電極１４０と、を含む。
発光構造物１２０は、一部がエッチングされて第１導電型半導体層１２２が露出したエッチング領域Ｓを含む。エッチング領域Ｓとは、第２導電型半導体層１２６、活性層１２４及び第１導電型半導体層１２２の一部がエッチングされて露出した第１導電型半導体層１２２の領域を意味する。
隣接する二つの発光セル１００の間に導電型連結層１７０が配置される。導電型連結層１７０は、隣接する二つの発光セル１００を電気的に接続する。
第２電極１４０は、第１部分１４０ａ、及び前記第１部分１４０ａと連結され、前記第１部分１４０ａと異なる方向に配置された第２部分１４０ｂを含む。
発光構造物１２０は、第２電極１４０の第１部分１４０ａと隣接し、前記第１部分１４０ａと並んでいる第１側面１２０ａ、及び前記第１側面１２０ａと対向し、エッチング領域Ｓと接する第２側面１２０ｂを含む。第２電極１４０の第１部分１４０ａと並んでいるということは、第１部分１４０ａの長手方向と並んでいることを意味する。第１部分１４０ａの長手方向とは、第１部分１４０ａの最も長い辺が配列された方向を意味する。
第２電極１４０の第１部分１４０ａは、第１側面１２０ａと並んでいる第１方向に配置され、第２電極１４０の第２部分１４０ｂは、前記第１方向と異なる第２方向に配置される。実施形態によって、第２方向は、前記第１方向と垂直な方向とすることができる。
上部から見た第１側面１２０ａと第２側面１２０ｂとの間の幅がＷである時、第２電極１４０の第１部分１４０ａは、前記第１側面１２０ａからＷ／５の距離だけ離隔した位置乃至Ｗ／２の距離だけ離隔した位置の間の領域Ｄに位置する。このとき、第２電極１４０の第２部分１４０ｂは、前記の領域Ｄ内に位置してもよく、少なくとも一部は前記領域Ｄの範囲を外れて位置してもよい。
発光素子１００Ａの光度を向上させ、動作電圧を低くするためには、第１電極１３０及び第２電極１４０から注入された電流が、発光構造物１２０の全面にわたって均一に広がることが重要である。第２電極１４０の第１部分１４０ａが第１側面１２０ａからＷ／５の距離以内の領域に位置する場合、第１電極１３０と第２電極１４０の離隔間隔が広くなって電流広がりがよくなされず、第２電極１４０の第１部分１４０ａが第１側面１２０ａからＷ／２の距離を超える領域に位置する場合、第２電極１４０と第１側面１２０ａとの間の間隔が広くなって電流広がりがよくなされない。
第２電極１４０を第１部分１４０ａ及び第２部分１４０ｂを有するように形成することによって、第１部分１４０ａのみでなされた場合に比べて、電流広がりがよくなされ得る。
第２電極１４０の第１部分１４０ａは、第２部分１４０ｂに比べて長く形成することができる。すなわち、発光構造物において、長い方向に対応して形成された第１部分１４０ａの長さを、より短い方向に対応して形成された第２部分１４０ｂの長さよりも長くすることができる。
複数個の導電型連結層１７０のうち少なくとも一つは、前記第１方向とは異なる第２方向に配置することができる。
導電型連結層１７０の端部が、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂのいずれか一方の発光セル１００ａの第１電極１３０及び他方の発光セル１００ｂの第２電極１４０と重なりながら、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂを電気的に接続する。または、導電型連結層１７０の端部は、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂのいずれか一方の発光セル１００ｂの第１電極１３０及び他方の発光セル１００ａの第２電極１４０と重なりながら、隣接する発光セル１００ａ，１００ｂを電気的に接続する。
また、複数個の導電型連結層１７０のうち少なくとも一つは、前記第１方向に配置することができる。このとき、隣接する二つの発光セル１００ｂ，１００ｄのいずれか一方の発光セル１００ｄの第１電極１３０は、活性層１２４の損失を最小化するために発光セル１００ｄのエッジ領域に位置し、他方の発光セル１００ｂの第２電極１４０は、第１部分１４０ａが第１側面１２０ａからＷ／５の距離だけ離隔した位置乃至Ｗ／２の距離だけ離隔した位置の間の領域Ｄに位置することで、前記発光セル１００ｄの第１電極１３０と発光セル１００ｂの第２電極１４０の第１部分１４０ａとが同一線上に位置しない。したがって、第１方向に配置された導電型連結層１７０と接する発光セル１００ｄの第１電極１３０は、折曲部Ｇを含むことができる。
導電型連結層１７０が第１方向に配置される場合、導電型連結層１７０は、一端が第２電極１４０の第２部分１４０ｂと重なってもよい。
実施形態によって、第１方向に配置された導電型連結層１７０が位置する部分は、発光素子１００ｂにおいて発光セル１００の配列方向が変わる部分であってもよい。
図８は、他の実施形態に係る発光素子の一部を上部から見た姿を示した図である。上述した実施形態と重複する内容は再び説明せず、以下では、差異点を中心に説明する。
導電型連結層１７０は、隣接する二つの発光セルの間に複数個存在することができる。例えば、図８を参照すると、隣接する二つの発光セル１００ｂ，１００ｄの間に二つの導電型連結層１７０が存在し、隣接する二つの発光セル１００ａ，１００ｂの間に二つの導電型連結層１７０が存在する。
隣接する二つの発光セル１００の間に存在する導電型連結層１７０の個数は、実施形態によって変更可能であり、複数個が互いに離隔して配置される。
図９は、実施形態に係る発光素子を含む発光素子パッケージの一実施形態を示す図である。
一実施形態に係る発光素子パッケージ３００は、ボディー３１０と、前記ボディー３１０に配置された第１リードフレーム３２１及び第２リードフレーム３２２と、前記ボディー３１０に配置され、前記第１リードフレーム３２１及び第２リードフレーム３２２と電気的に接続される上述した各実施形態に係る発光素子１００と、前記キャビティに形成されたモールディング部３４０と、を含む。前記ボディー３１０にはキャビティを形成することができる。発光素子１００は、上述したように、直列または並列接続された複数個の発光セルが一つのチップとして形成されたものである。
前記ボディー３１０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成することができる。前記ボディー３１０が金属材質などの導電性物質からなると、図示していないが、前記ボディー３１０の表面に絶縁層がコーティングされて、前記第１、２リードフレーム３２１，３２２間の電気的短絡を防止することができる。
前記第１リードフレーム３２１及び第２リードフレーム３２２は互いに電気的に分離され、前記発光素子１００に電流を供給する。また、前記第１リードフレーム３２１及び第２リードフレーム３２２は、前記発光素子１００から発生した光を反射させて、光効率を増加させることができ、前記発光素子１００から発生した熱を外部に排出させることもできる。
前記発光素子１００は、前記ボディー３１０上に配置されたり、前記第１リードフレーム３２１または第２リードフレーム３２２上に配置されてもよい。本実施形態では、第１リードフレーム３２１と発光素子１００が直接通電され、第２リードフレーム３２２と前記発光素子１００は、ワイヤ３３０を介して接続されている。発光素子１００は、ワイヤボンディング方式以外にフリップチップ方式またはダイボンディング方式などによってリードフレーム３２１，３２２と接続されてもよい。
前記モールディング部３４０は、前記発光素子１００を包囲して保護することができる。また、前記モールディング部３４０には蛍光体３５０が含まれて、前記発光素子１００から放出される光の波長を変化させることができる。
蛍光体３５０は、ガーネット（Ｇａｒｎｅｔ）系蛍光体、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系蛍光体、ナイトライド（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体、またはオキシナイトライド（Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体を含むことができる。
例えば、前記ガーネット系蛍光体は、ＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋）またはＴＡＧ（Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋）であってもよく、前記シリケート系蛍光体は、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋であってもよく、前記ナイトライド系蛍光体は、ＳｉＮを含むＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋であってもよく、前記オキシナイトライド系蛍光体は、ＳｉＯＮを含むＳｉ６−ｘＡｌｘＯｘＮ８−ｘ：Ｅｕ２＋（０＜ｘ＜６）であってもよい。
前記発光素子１００から放出された第１波長領域の光が、前記蛍光体３５０によって励起されて第２波長領域の光に変換され、前記第２波長領域の光は、レンズ（図示せず）を通過しながら光経路が変更され得る。
実施形態に係る発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされ、前記発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどを配置することができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。更に他の実施形態は、上述した各実施形態に記載された半導体発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとすることができ、例えば、照明システムとしては、ランプ、街灯を含むことができる。
以下では、上述した発光素子または発光素子パッケージが配置された照明システムの一実施形態として、バックライトユニット及び照明装置を説明する。
図１０は、実施形態に係る発光素子パッケージが配置された表示装置の一実施形態を示した図である。
図１０を参照すると、実施形態に係る表示装置８００は、発光モジュール８３０，８３５と、ボトムカバー８１０上の反射板８２０と、前記反射板８２０の前方に配置され、前記発光モジュールから放出される光を表示装置の前方にガイドする導光板８４０と、前記導光板８４０の前方に配置される第１プリズムシート８５０及び第２プリズムシート８６０と、前記第２プリズムシート８６０の前方に配置されるパネル８７０と、前記パネル８７０の前方に配置されるカラーフィルター８８０と、を含んでなる。
発光モジュールは、回路基板８３０上の上述した発光素子パッケージ８３５を含んでなる。ここで、回路基板８３０としては、ＰＣＢなどを使用することができ、発光素子パッケージ８３５は、図６などで説明した通りである。
前記バータームカバー８１０は、表示装置８００内の構成要素を収納することができる。前記反射板８２０は、図１０のように別途の構成要素として設けてもよく、前記導光板８４０の後面や、前記ボトムカバー８１０の前面に反射度の高い物質でコーティングされる形態で設けてもよい。
ここで、反射板８２０は、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を使用することができる。
導光板８４０は、発光素子パッケージモジュールから放出される光を散乱させて、その光が液晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布するようにする。したがって、導光板８４０は、屈折率及び透過率の良い材料からなり、ポリメチルメタクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、またはポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）などで形成することができる。そして、導光板が省略されて、反射シート８２０上の空間で光が伝達されるエアーガイド方式も可能である。
前記第１プリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、透光性で且つ弾性を有する重合体材料で形成され、前記重合体は、複数個の立体構造が反復して形成されたプリズム層を有することができる。ここで、前記複数個のパターンは、図示のように、山と谷が反復形成されるストライプ状に備えることができる。
前記第２プリズムシート８６０において、支持フィルムの一面の山と谷の方向は、前記第１プリズムシート８５０内の支持フィルムの一面の山と谷の方向と垂直をなすことができる。これは、発光モジュール及び反射シートから伝達された光を前記パネル８７０の全方向に均一に分散させるためである。
本実施形態において、前記第１プリズムシート８５０及び第２プリズムシート８６０が光学シートを構成するが、前記光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイからなったり、または拡散シートとマイクロレンズアレイとの組み合わせ、または一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組み合わせなどからなることができる。
前記パネル８７０としては、液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）を配置してもよいが、液晶表示パネルの他に、光源を必要とする他の種類のディスプレイ装置を備えてもよい。
前記パネル８７０は、ガラスボディー同士間に液晶が位置し、光の偏光性を用いるために偏光板を両ガラスボディーに載せた状態となっている。ここで、液晶は、液体と固体の中間的な特性を有するもので、液体のように流動性を有する有機分子である液晶が、結晶のように規則的に配列された状態を有し、前記分子配列が外部電界によって変化する性質を用いて画像を表示する。
表示装置に使用される液晶表示パネルは、アクティブマトリクス（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）方式であって、各画素に供給される電圧を調節するスイッチとしてトランジスタを使用する。
前記パネル８７０の前面にはカラーフィルター８８０が備えられ、前記パネル８７０から投射された光を、それぞれの画素ごとに赤色、緑色及び青色の光のみを透過することで画像を表現することができる。
図１１は、発光素子または発光素子パッケージが配置された照明装置の一実施形態を示した図である。
本実施形態に係る照明装置は、カバー１１００、光源モジュール１２００、放熱体１４００、電源提供部１６００、内部ケース１７００、及びソケット１８００を含むことができる。また、実施形態に係る照明装置は、部材１３００とホルダー１５００のうち、いずれか一つ以上をさらに含むことができ、光源モジュール１２００としては、上述した実施形態に係る発光素子パッケージを含むことができる。
カバー１１００は、バルブ（ｂｕｌｂ）または半球の形状を有し、中が空いており、一部分が開口した形状に提供することができる。前記カバー１１００は、前記光源モジュール１２００と光学的に結合可能である。例えば、前記カバー１１００は、前記光源モジュール１２００から提供される光を拡散、散乱または励起させることができる。前記カバー１１００は、一種の光学部材であり得る。前記カバー１１００は、前記放熱体１４００と結合可能である。前記カバー１１００は、前記放熱体１４００と結合する結合部を有することができる。
カバー１１００の内面には乳白色塗料をコーティングすることができる。乳白色の塗料は、光を拡散させる拡散材を含むことができる。前記カバー１１００の内面の表面粗さは、前記カバー１１００の外面の表面粗さよりも大きく形成することができる。これは、前記光源モジュール１２００からの光を十分に散乱及び拡散させて外部に放出させるためである。
カバー１１００の材質は、ガラス（ｇｌａｓｓ）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などとすることができる。ここで、ポリカーボネートは、優れた耐光性、耐熱性、及び強度を有する。前記カバー１１００は、外部から前記光源モジュール１２００が見えるように透明であってもよく、または不透明であってもよい。前記カバー１１００は、ブロー（ｂｌｏｗ）成形を通じて形成することができる。
光源モジュール１２００は、前記放熱体１４００の一面に配置することができる。したがって、光源モジュール１２００からの熱は前記放熱体１４００に伝導される。前記光源モジュール１２００は、発光素子パッケージ１２１０、連結プレート１２３０、及びコネクタ１２５０を含むことができる。
部材１３００は、前記放熱体１４００の上面の上に配置され、複数の発光素子パッケージ１２１０とコネクタ１２５０が挿入されるガイド溝１３１０を有する。ガイド溝１３１０は、前記発光素子パッケージ１２１０の基板及びコネクタ１２５０と対応する。
部材１３００の表面は、光反射物質で塗布またはコーティングされたものであってもよい。例えば、部材１３００の表面は、白色の塗料で塗布またはコーティングされたものであってもよい。このような前記部材１３００は、前記カバー１１００の内面に反射されて前記光源モジュール１２００側方向に戻ってくる光を再び前記カバー１１００の方向に反射する。したがって、実施形態に係る照明装置の光効率を向上させることができる。
部材１３００は、一例として、絶縁物質からなってもよい。前記光源モジュール１２００の連結プレート１２３０は電気伝導性の物質を含むことができる。したがって、前記放熱体１４００と前記連結プレート１２３０との間に電気的な接触がなされ得る。前記部材１３００は、絶縁物質で構成されて、前記連結プレート１２３０と前記放熱体１４００との電気的短絡を遮断することができる。前記放熱体１４００は、前記光源モジュール１２００からの熱及び前記電源提供部１６００からの熱の伝達を受けて放熱する。
ホルダー１５００は、内部ケース１７００の絶縁部１７１０の収納溝１７１９を塞ぐ。したがって、前記内部ケース１７００の前記絶縁部１７１０に収納される前記電源提供部１６００は密閉される。ホルダー１５００はガイド突出部１５１０を有する。ガイド突出部１５１０は、前記電源提供部１６００の突出部１６１０が貫通するホールを有する。
電源提供部１６００は、外部から提供された電気的信号を処理または変換して前記光源モジュール１２００に提供する。電源提供部１６００は、前記内部ケース１７００の収納溝１７１９に収納され、前記ホルダー１５００によって前記内部ケース１７００の内部に密閉される。前記電源提供部１６００は、突出部１６１０、ガイド部１６３０、ベース１６５０、及び延長部１６７０を含むことができる。
前記ガイド部１６３０は、前記ベース１６５０の一側から外部に突出した形状を有する。前記ガイド部１６３０は、前記ホルダー１５００に挿入することができる。前記ベース１６５０の一面上に多数の部品を配置することができる。多数の部品は、例えば、外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、前記光源モジュール１２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール１２００を保護するためのＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護素子などを含むことができるが、これに限定しない。
前記延長部１６７０は、前記ベース１６５０の他側から外部に突出した形状を有する。前記延長部１６７０は、前記内部ケース１７００の連結部１７５０の内部に挿入され、外部からの電気的信号を受ける。例えば、前記延長部１６７０の幅は、前記内部ケース１７００の連結部１７５０の幅と同一または小さくすることができる。前記延長部１６７０には、“＋電線”と“−電線”の各一端が電気的に接続され、“＋電線”と“−電線”の他端はソケット１８００に電気的に接続可能である。
内部ケース１７００は、内部に前記電源提供部１６００と共にモールディング部を含むことができる。モールディング部は、モールディング液体が固まった部分であって、前記電源提供部１６００を前記内部ケース１７００の内部に固定できるようにする。
以上のように、本発明は、限定された実施形態及び図面によって説明されたが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から様々な変形及び修正が可能である。
したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態に限定されて決められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等なものなどによって定められなければならない。

Claims (12)

  1. 基板と、
    前記基板上に離隔して配置された複数個の発光セルと、
    前記複数個の発光セルのうち隣接する二つの発光セルを電気的に接続する複数個の導電型連結層と、を含み、
    前記複数個の発光セルのそれぞれは、
    第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間の活性層を含む発光構造物と、
    前記第１導電型半導体層上に配置される第１電極と、
    前記第２導電型半導体層上に配置される第２電極と、
    前記発光構造物の一部がエッチングされて前記第１導電型半導体層が露出したエッチング領域と、を含み、
    前記発光構造物は、前記第２電極と隣接し、前記第２電極と並んでいる第１側面、及び前記第１側面と対向し、前記エッチング領域と接する第２側面を含み、
    上部から見た前記第１側面と前記第２側面との間の幅がＷであるとき、前記第２電極は、前記発光構造物の第１側面からＷ／５乃至Ｗ／２の間の距離に位置する、発光素子。
  2. 前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置され、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、前記第１方向に配置された、請求項１に記載の発光素子。
  3. 前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置され、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、前記第１方向と異なる第２方向に配置された、請求項１に記載の発光素子。
  4. 前記第２電極は、前記第１側面と並んでいる第１方向に配置された第１部分、及び前記第１方向と異なる第２方向に配置された第２部分を含み、前記複数個の導電型連結層のうち少なくとも一つは、一端が前記第２部分と重なる、請求項１に記載の発光素子。
  5. 前記導電型連結層は、前記隣接する二つの発光セルのうち一方の発光セルの第１電極と、前記隣接する二つの発光セルのうち他方の発光セルの第２電極とを連結する、請求項１に記載の発光素子。
  6. 前記導電型連結層は、前記隣接する二つの発光セルの間に複数個存在する、請求項５に記載の発光素子。
  7. 前記複数個の発光セルのそれぞれの側面に位置する絶縁層を含み、前記絶縁層は、隣接する発光セルの間及び／または前記導電型連結層と前記発光セルとの間を電気的に遮断する、請求項１に記載の発光素子。
  8. 前記第２部分は、少なくとも一部が前記Ｗ／５乃至Ｗ／２の間の距離の範囲を外れて位置する、請求項４に記載の発光素子。
  9. 前記発光セルの上部に位置する前記導電型連結層の幅が、隣接する前記発光セルの間に位置する前記導電型連結層の幅よりも小さい、請求項１に記載の発光素子。
  10. 一つの発光セルの第１電極は、前記一つの発光セルのエッジに位置し、前記一つの発光セルに隣接する他の発光セルの第２電極は、前記一つの発光セルの第１電極と互いに異なる線上に位置する、請求項１に記載の発光素子。
  11. 前記第１方向に配置された導電型連結層と接する前記発光セルの第１電極は、折曲部を含む、請求項２に記載の発光素子。
  12. 前記第１電極は前記エッチング領域に配置される、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015199388A1 (ko) * 2014-06-27 2015-12-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2017059629A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 豊田合成株式会社 発光ユニット

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI440210B (zh) 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
TWI532215B (zh) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
TWD169527S (zh) * 2014-08-20 2015-08-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
US10090449B2 (en) * 2014-11-18 2018-10-02 PlayNitride Inc. Light emitting device
TWD172675S (zh) * 2014-12-19 2015-12-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
CN110676286B (zh) * 2015-02-13 2024-01-19 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及发光二极管
KR102424364B1 (ko) * 2015-05-27 2022-07-25 서울바이오시스 주식회사 발광소자
US9905729B2 (en) * 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
CN104766914A (zh) * 2015-04-20 2015-07-08 电子科技大学 一种高取光率的高压led芯片结构
TWI699902B (zh) 2015-04-22 2020-07-21 新世紀光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
TWD178892S (zh) * 2015-11-17 2016-10-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
KR20170104031A (ko) * 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
TWD181129S (zh) * 2016-05-11 2017-02-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
JP7290001B2 (ja) 2017-08-03 2023-06-13 クリーエルイーディー・インコーポレーテッド 高密度ピクセル化ｌｅｄチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
JP7348520B2 (ja) * 2018-12-25 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び表示装置
TWI818070B (zh) * 2019-08-30 2023-10-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
US11817526B2 (en) 2019-10-29 2023-11-14 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117035A (ja) * 2003-09-19 2005-04-28 Showa Denko Kk フリップチップ型窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
JP2007221175A (ja) * 2007-06-04 2007-08-30 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2010016333A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 交流駆動発光装置
JP2010157638A (ja) * 2008-12-27 2010-07-15 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US20100219432A1 (en) * 2007-10-15 2010-09-02 Kim Geun Ho Light emitting device and method for fabricating the same
JP2011181925A (ja) * 2010-02-27 2011-09-15 Samsung Led Co Ltd マルチセルアレイを有する半導体発光装置、発光モジュール及び照明装置
JP2012015480A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 光電素子
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
JP2012519377A (ja) * 2009-02-26 2012-08-23 ブリッジラックス インコーポレイテッド 個々のセグメントｌｅｄの光出力における製造工程でのばらつきを補償するセグメントｌｅｄを用いた光源

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1892764B1 (en) * 2002-08-29 2016-03-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US8698184B2 (en) * 2011-01-21 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting diodes with low junction temperature and solid state backlight components including light emitting diodes with low junction temperature
CN102779918B (zh) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
WO2009088084A1 (ja) * 2008-01-11 2009-07-16 Rohm Co., Ltd. 半導体発光装置
TW201011890A (en) 2008-09-04 2010-03-16 Formosa Epitaxy Inc Alternating current light emitting device
JPWO2010146808A1 (ja) * 2009-06-18 2012-11-29 パナソニック株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
EP2367203A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
TWI451555B (zh) 2010-10-25 2014-09-01 Epistar Corp 整流單元、發光二極體元件及其組合
CN102110705B (zh) * 2010-12-14 2013-03-20 武汉迪源光电科技有限公司 一种交流发光二极管

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117035A (ja) * 2003-09-19 2005-04-28 Showa Denko Kk フリップチップ型窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
JP2007221175A (ja) * 2007-06-04 2007-08-30 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
US20100219432A1 (en) * 2007-10-15 2010-09-02 Kim Geun Ho Light emitting device and method for fabricating the same
JP2010016333A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 交流駆動発光装置
JP2010157638A (ja) * 2008-12-27 2010-07-15 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP2012519377A (ja) * 2009-02-26 2012-08-23 ブリッジラックス インコーポレイテッド 個々のセグメントｌｅｄの光出力における製造工程でのばらつきを補償するセグメントｌｅｄを用いた光源
JP2011181925A (ja) * 2010-02-27 2011-09-15 Samsung Led Co Ltd マルチセルアレイを有する半導体発光装置、発光モジュール及び照明装置
JP2012015480A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 光電素子
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015199388A1 (ko) * 2014-06-27 2015-12-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9985172B2 (en) 2014-06-27 2018-05-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP2017059629A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 豊田合成株式会社 発光ユニット
US10096646B2 (en) 2015-09-15 2018-10-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting unit

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