JP2014077825A - 光インターコネクトデバイスの製造方法及び光インターコネクトデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 光導波路のコア断面寸法に応じて適切に光路変換あるいは光結合を行うことのできる光インターコネクトデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 光インターコネクタデバイスの製造方法は、基板上に形成された樹脂層の所定の箇所に座グリ部を形成し、前記基板を第１の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、光インターコネクトデバイスの製造方法と、光インターコネクトデバイスに関する。

近年、スーパーコンピュータ、ハイエンドサーバ、ルータなどの処理能力は飛躍的に向上している。装置内のボード間を接続するバックプレーンの伝送容量として１Ｔｂｐｓを超える大容量化が求められている。このため、帯域の制約が厳しい電気配線によるインターコネクションに代わり、光インターコネクションの導入が検討されている。

特に、ラック内や機器内など、比較的伝送距離の短いボード間、またはボード内の光インターコネクションには、高集積化、軽量化が可能なポリマ光導波路を用いることが期待されている。

光インターコネクションには、レーザダイオードやフォトダイオードなどの発光素子や受光素子が用いられる。面発光型や面受光型の光素子は、光の出射方向や受光方向が基板に対して垂直であり二次元アレイ化が可能なため、広帯域用の光インターコネクションに好適である。

図１では、光導波路１２０が形成された基板１１０上に面型光素子１４０がフェイスアップあるいはフェイスダウン実装されている。面型光素子１４０と光導波路１２０との間で光結合を実現する場合、光導波路１２０から水平方向に出射されるビームを垂直方向に光路変換、または面型光素子１４０から垂直方向に出射されるビームを水平方向に光路変換する技術が用いられる。そのひとつの方法として、４５度傾斜面に金属膜を形成した傾斜ミラー１３０がある。

しかし、クラッド１２２、１２３で挟まれた導波路コア１２１の端面から出射するビームや、面型光素子１４０から出射するビームは、１０〜３０度程度の発散角を有する発散ビームである。ビーム径は、導波路コア１２１から９０度光路変換を経て面型光素子１４０へ入射する場合、あるいはその逆の場合も、距離に対して概ね比例して拡がる。そのため、傾斜ミラー１３０によって面型光素子１４０と導波路コア１２１との間を高効率で光結合することは困難である。

ビームの伝搬経路中にレンズを挿入してビーム径を絞ることも可能であるが、部品数増加によりコストアップとなるのに加えて、機器の小型化の妨げとなる。

傾斜ミラーの反射面を楕円の凹面にしてビームを集光させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。まず、水酸化カリウムをエッチャントに用いた異方性エッチングでシリコン基板上に傾斜面を形成する。その後、フォトレジストにより傾斜面の一部に開口部を設け、フッ酸・硝酸・酢酸の混合液を用いた等方性エッチングにより傾斜面に楕円球状の凹部を形成する。凹部にＡｌを蒸着して集光ミラーを作製する。

この方法では、エッチングにより形成される楕円球の長径は５０μｍ、短径は２５μｍである。したがって、導波路コアの断面寸法が１０μｍ×１０μｍ程度の光導波路への適用が可能である。ボード内あるいはボード間光インターコネクションで標準的に適用されるマルチモード光導波路では、コア断面寸法は数十μｍ×数十μｍであり、この場合はより大きな楕円球凹部の形成が必要になる。しかし、傾斜面に形成されるフォトレジストは長時間のエッチングに耐えられず、均一な楕円球を形成できないため、大径の集光ミラーの作製が困難である。

特開２００１−１４１９６５ 特開平９−４０８７０

光導波路のコア断面寸法に応じて適切に光路変換あるいは光結合を行うことのできる光インターコネクトデバイスの製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決すべく、光インターコネクトデバイスの製造方法は、
基板上に形成された樹脂層の所定の箇所に座グリ部を形成し、
前記基板を第１の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、
前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、
前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、
前記凹面上に反射膜を形成し、
前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する。

光導波路のコア断面寸法に応じて適切に光路変換あるいは光結合を行うことのできる光インターコネクトデバイスを製造することができる。

傾斜ミラーを用いた光路変換を説明する図である。 実施形態のマイクロミラーの概略断面図である。 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。 実施形態のマイクロミラーの製造工程図である。 図８の工程を説明する図である。 実施形態のマイクロミラーを用いた光インターコネクトデバイスの一例を示す図である。 実施形態のマイクロミラー（光結合ミラー）が適用される光インターコネクションの一例を示す図である。

以下で、図面を参照して発明の実施形態を説明する。

図２は、実施形態のマイクロミラー３０を用いた光インターコネクトデバイス１０の概略構成図である。光インターコネクトデバイス１０は、基板１１上に形成された光導波路２０と、光導波路２０を伝搬するビームの方向を９０度変換して集光するマイクロミラー３０を含む。

マイクロミラー３０は、光導波路２０が形成されている光導波路層２６に設けられた座グリ部２５内に配置されている。光導波路２０は、下部クラッド２２と上部クラッド２３に挟まれた導波路コア２１を含む。マイクロミラー３０は、光導波路２０の光伝搬方向に対して傾斜した凹面３１ａを有する傾斜体３１と、傾斜体３１の凹面３１ａに形成された反射膜３２を有する。傾斜体３１は減圧下で発泡硬化する発泡性樹脂で形成されている。

後述するように、傾斜体３１の凹面３１ａは、減圧下での発泡性樹脂の発泡硬化と、常圧への復帰を利用して形成されているので、均一な凹曲面を有する。導波路コア２１の断面寸法とビームの発散角度に応じた座グリ部２５を形成することで、傾斜体３１の表面に正確な凹面３１ａを形成することができる。したがって、マルチモードコアにもシングルモードコアにも適したマイクロミラー３０を作製できる。

図２の例では、マイクロミラー３０は、導波路コア２１を伝搬し基板１１と水平な方向に出射したビームを９０度変換して垂直方向に集光するが、図２と逆の方向への光路変換または光結合も可能である。すなわち、図示しない光素子から基板１１と垂直な方向に出射されるビームの方向を９０度変換して、導波路コア２１に集光する光路変換ミラーとして機能することもできる。

図３〜図８に、図２のマイクロミラー３０の製造工程例を示す。図３（Ａ）は上面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＡ−Ａ'断面図である。

図３の工程で、基板１１上に樹脂層２６を形成し、樹脂層２６の所定の箇所にマイクロミラー３０を形成するための座グリ部２５を形成する。基板１１は、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板など任意の基板である。実施形態では、マイクロミラー３０自体の形成に異方性ドライエッチングを使用しないので、基板１１はシリコン基板に限定されず、任意の基板を用いることができる。

樹脂層２６は、この例では光導波路２０が形成されている光導波路層２６である。基板１１上に、フォトプロセスなどにより、下部クラッド２２、導波路コア２１、上部クラッド２３を有する埋め込み光導波路２０を形成する。光導波路層２６のうち、導波路コア２１が形成されている箇所が光導波路回路となる。下部クラッド２２、導波路コア２１、上部クラッド２３は、たとえばポリマ系の導波路フィルムで形成される。光導波路コア２１の断面寸法は、マルチモード用のサイズでもシングルモード用のサイズでもよい。

光導波路層２６の所定の箇所に座グリ部２５を形成して、導波路コア２１の断面を露出する。座グリ部２５は、座グリカッター、エンドミル、炭酸ガスレーザなど、適切なツールを用いて形成する。座グリ部２５の寸法は、導波路コア２１の断面サイズと、導波路コア２１から出射するビームの発散角度に応じて適切に設定される。

次に、図４の工程で、基板１１を４５度傾斜させた状態で，座グリ部２５に発泡性樹脂５１を供給する。この例では、導波路コア２１の露出した断面が高い位置になるように、基板１１を保持するステージ（不図示）を傾斜させる。インクジェット塗布機（不図示）を用いて、塗布ヘッド５４から座グリ部２５内に、マイクロミラー３０の形成に必要な容量の光硬化型の発泡性樹脂５１を滴下する。

光硬化型発泡性樹脂５１としては、たとえば光硬化発泡性シロキサン組成物を使用する。光硬化発泡性シロキサン組成物は、樹脂状モノマに紫外線を照射すると室温で速やかに発泡、硬化し、一液化が可能な発泡性シロキサンである。たとえば、オルガノヒドロキシポロシロキサンと、オルガノハイドロジェンポリシロキサンと、光活性型白金錯体触媒とを少なくとも含む混合物などがある（特許文献２参照）。

発泡性樹脂５１は、減圧下で発泡し、硬化することのできる材料であれば任意の材料を用いることができる。したがって、光硬化性樹脂に、アジド基やジアゾ基を有する化合物のような公知の発泡剤を添加した材料を用いてもよい。また、熱硬化型の発泡性樹脂を用いてもよい。

次に、図５の工程で、光硬化型発泡性樹脂５１を座グリ部２５に塗布した基板１１を４５度傾斜させたままの状態で、減圧容器４１に収容する。減圧容器４１には、大気開放弁４２が設けられている。減圧容器４１内を減圧し、光照射ヘッド５５から光硬化型発泡性樹脂５１に紫外線Ｌを照射することにより、光硬化型発泡性樹脂５１を発泡・硬化させる。紫外線の照射を受けて、光硬化型発泡性樹脂５１は微小な気泡を生成しながら膨張し、座グリ部２５の底面２５ａや側面２５ｂとの密着力を強めながら、徐々に硬化して発泡硬化樹脂５３となる。

次に、図６の工程で、発泡硬化樹脂５３から、凹面３１ａを有する傾斜体３１を形成する。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）のＢ−Ｂ'断面図である。具体的には、発泡硬化樹脂５３の硬化がほぼ完了した状態で、減圧容器４１の大気開放弁４２を開き、減圧容器４１の内部を大気開放する。発泡硬化樹脂５３内に生成された気泡は大気圧に比べて気圧が低いため、発泡硬化樹脂５３は収縮する。このとき、発泡硬化樹脂５３の大気と接していない面は、座グリ部２５の底面２５ａや側面２５ｂや、露出している光導波路２０の端面に対して密着硬化しているため、大気と接する面が窪み、凹面（曲面）３１ａが形成される。

次に、図７の工程で、傾斜体３１の凹面３１ａに反射膜３２を形成する。

図８は、図７の反射膜３２の工程をさらに説明する図である。まず、図８（Ａ）に示すように、傾斜体３１に凹面３１ａを形成した後に、基板１１上の光導波路層２６の表面にドライフィルムレジスト６１をラミネートし、露光、現像によりパターニングして、座グリ部２５に対応する領域に開口６１ａを形成する。

次に、図８（Ｂ）に示すように、無電解メッキならびに電解メッキ法により全面に金属膜６２を形成する。これにより、傾斜体３１の凹面３１や光導波路２０の露出面にも金属膜６２が形成される。

次に、図８（Ｃ）に示すように、基板１１を、光硬化型発泡性樹脂５１の滴下とは逆の向きに４５度傾斜させ、サンドブラスト装置のノズルヘッド６３からブラスト粒子を照射して、凹面３１ａの金属膜６２を残しつつ、光導波路２０の露出面の金属膜６２を除去する。サンドブラスト装置のノズルヘッド６３から出射されるブラスト粒子は直進性が高いため、凹面３１ａ上の金属膜６２にほとんど影響を与えずに、光導波路２０の露出面の金属膜６２を除去することができる。

次に、図８（Ｄ）に示すように、光導波路２０の露出面の金属膜６２を除去した後に、はく離液を用いてドライフィルムレジスト６１を除去する。これによって、光導波路２０に対して傾斜した凹面３１ａ上に反射膜３２を有するマイクロミラー３０が完成する。

この方法によると、光導波路２０の導波路コア２１の断面寸法が大きい場合でも、光導波路２０と基板１１に実装される面型光素子との間で、良好な光結合を実現するマイクロミラー３０が作製される。

図９は、光導波路２０とマイクロミラー３０が形成された基板１１上に、面型光素子７１または７３を実装した光インターコネクトデバイス７０Ａ、７０Ｂの概略図である。

図９（Ａ）では、面発光レーザなどの面発光素子７１が、導電性接着剤または半田などにより基板１１上に接合されている。マイクロミラー３０の反射面（凹面３１ａ上に形成された反射膜３２）は、面発光素子７１の発光面７２と、光導波路２０の導波路コア２１の端面に対して傾斜する。面発光素子７１の発光面７２から出射するビームは一定の角度で発散するが、マイクロミラー３０により、導波路コアの入射面に集光される。

図９（Ｂ）では、フォトダイオードアレイなどの面受光素子７３が、導電性接着剤または半田などにより基板１１上に接合されている。マイクロミラー３０の反射面（凹面３１ａ上に形成された反射膜３２）は、面受光素子７３の受光面７４と、光導波路２０の導波路コア２１の端面に対して傾斜する。光導波路２０の導波路コア２１の端面から出射するビームは、一定の角度で発散するが、マイクロミラー３０により、面受光素子７３の受光面７４に集光される。

図９（Ａ），図９（Ｂ）の光インターコネクトデバイス７０Ａ、７０Ｂでは、導波路コア２１の断面寸法に応じた凹面３１ａを有するマイクロミラー３０が形成されているので、ビームを適切に集光させることができる。

図１０は、実施形態の光インターコネクトデバイスが適用される電子機器（サーバラック、ネットワークラックなど）１の一例を示す。バックプレーン２に対して複数のボード３が挿入されている。各ボード３上には、光配線４によってノード５が相互接続されている。ノード５は、たとえば、図９（Ａ）、図９（Ｂ）に示す光素子７１、７３が、ＬＳＩチップ、メモリなどの電子デバイスとともに搭載された光電子モジュールである。実施形態の光インターコネクトデバイスは、各ノード５内での光インターコネクトのみならず、ノード５間での光インターコネクトにも適用できる。

厚みが１．６ｍｍの日立化成製のガラスエポキシプリント基板（型名：MCL-E-75G）の表面に、日立化成製のフィルム型光導波路材料を用いて、下部クラッド２２を厚み１００μｍ、導波路コア２１を厚み５０μｍ、上部クラッド２３を厚み１００μｍで形成して光導波路層２６を形成する。導波路コア２１は矩形コアであり、一般的なフォトリソグラフィ法で、コアフィルムを幅５０μm、高さ５０μｍの導波路に加工する。下部クラッド２２と導波路コア２１の上に上部クラッド２３を積層し、埋込み光導波路２０を有する光導波路層２６形成する（図３参照）。

光導波路層２６に、幅２００μｍ、長さ２５０μｍ、上部クラッド２３の上面からの深さが２５０μｍの座グリ部２５を形成する（図３参照）。

基板１１を４５度傾斜させた状態で、２５℃における粘度が３５００センチストークスのα，ω−ジヒドロキシポリシロキサン１００重量部と、２５℃における粘度が２〜５センチストークスのα，ω−メチルハイドロジェンポリシロキサン５重量部、アセチルアセトネート白金触媒０．０５重量部を混合した光硬化型発泡性樹脂５１を、市販のインクジェット塗布機を用いて座グリ部２５内に５．０ｎＬ滴下する（図４参照）。

基板１１を傾けた状態のまま、減圧容器４１に収容し、５Torrになるまで容器内を減圧する。減圧容器４１に設けた100mW/cm²、365nmの紫外線照射ヘッド５５から９０秒間紫外線を照射し、光硬化型発泡性樹脂５１を発泡、硬化させる。光硬化型発泡性樹脂５１は、気泡を発生しながら、傾斜させた座グリ部２５の底面２５ａならびに側面２５ｂをせり上がるように膨張する。その際の発泡倍率は約２倍、膨張後の発泡硬化樹脂５３の体積は約１０ｎＬである。この状態では、発生した気泡内のガスの気圧は、減圧容器４１内の気圧と等しい（図５参照）。

次に、減圧容器４１の大気開放弁４２を開き、減圧容器４１内の気圧を大気圧に戻す。発泡硬化樹脂５３の内部に発生していた気泡は、大気圧に押し戻されて収縮し、発泡硬化樹脂５３全体の体積は５．５ｎＬに減少する。発泡硬化樹脂５３は、座グリ部２５の底面２５ａや側面２５ｂによって拘束されているため、体積収縮により大気と接触する面が凹面３１ａに変化する。表面の曲率半径は約２５０μmとなる（図５参照）。

次に、凹面３１ａに反射膜３２を形成する（図７参照）。初めに，光導波路層２６の上面にメッキレジスト６１（日立化成工業製：RY-3625）をラミネートし、露光、現像により座グリ部２５に対応する箇所に開口６１ａを設ける（図８（Ａ）参照）。

次に、無電解メッキ法によりＣｕを０．１μｍ形成し、電解メッキ法によりＮｉを１．０μｍ、Ａｕを０．１μｍ形成してＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜６２を形成する（図８（Ｂ）参照）。

その後、基板１１を光硬化型発泡性樹脂５１の滴下時とは逆の向きに４５度傾斜させ、サンドブラスト装置（Elfo-tec製）を用いてブラスト加工する。これにより、凹面３１ａ上のＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜６２を残したまま、光導波路２０の露出面のＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜６２を除去する。上述のように、サンドブラスト装置のノズルヘッド６３から出射されるブラスト粒子６４は直進性が高いため、凹面３１ａ上にメッキ形成されたＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜６２はほとんど影響を受けない。また、光導波路２０は樹脂フィルムで形成されており、セラミックのブラスト粒子６４に比べて弾性率が１００倍程度小さいため、ブラスト処理後にも端面にはほとんど傷がつかない（図８（Ｃ）参照）。

その後、メッキレジスト６１をはく離する（図８（Ｄ）参照）。メッキレジスト６１の表面に残っていたＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜６２も除去される。これによりマイクロミラー３０が完成する。

この状態で、光導波路２０のもう一方の端面から波長８５０ｎｍのレーザ光を入射させたところ、ビームはマイクロミラー３０で反射して垂直方向に光路変換され、上部クラッド２３の上面から約１００μｍの高さに集光する。集光したビームのビーム径は約５０μmであることが確認された。

本発明は、上記実施例に限定されない。マイクロミラー３０の凹面３３１ａに形成する反射膜３２は、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ膜に限定されず、Al，Ni，Ti，Cu，Cr，Sn，Ag，Au，Pt，Ru，Pd，Rh，Os，Ir，あるいはこれらの合金を少なくとも含む単層または積層の金属膜とすることができる。

マイクロミラー３０の凹面３１ａ上への反射膜３２の形成はメッキ法に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法、エアロゾルデポジション法など、任意の方法を用いることができる。

マイクロミラー３０の傾斜体３１を構成する発泡性樹脂として熱硬化型の発泡性樹脂を用いる場合は、たとえば熱硬化性樹脂に加熱発泡剤を添加した材料を用いる。減圧容器４１内でハロゲンランプ（不図示）等により発泡性樹脂５１を加熱して発泡、硬化させる。発泡、硬化が進んだ状態で加熱を停止し、大気解放すると、発泡硬化樹脂５３の気泡が収縮し、大気と接する面に均一な凹面が形成される。

実施例では、基板１１上に樹脂材料で光導波路２０を有する光導波路層２６を形成した後に座グリ部２５を形成し、座グリ部２５内にマイクロミラー３０を形成しているが、この順番に限定されない。

たとえば、基板上１１に任意の樹脂層を形成し、樹脂層の所定の箇所に座グリ部２５を形成し、座グリ部２５の内部に上述した方法でマイクロミラー３０を形成する。その後、樹脂層の一部又は全部を除去し、マイクロミラー３０の反射面４２に光結合するように光導波路２０を形成してもよい。この場合は、サンドブラスト法を用いなくても、マイクロミラー３０の凹面３１ａ上にのみ金属膜６２を残し、それ以外の金属膜６２をはく離、除去することができる。

実施形態の光インターコネクトデバイスは、サーバやハイエンドコンピュータシステムの高速光伝送だけではなく、産業用、公共用等、任意の光伝送システムに利用可能である。また、光路変換を必要とする光学機器、医療機器、情報機器への利用も可能である。

以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
基板上に形成された樹脂層(26)の所定の箇所に座グリ部を形成し、
前記基板を第１の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、
前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、
前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、
前記凹面上に反射膜を形成し、
前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する
ことを特徴とする光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記２）
前記樹脂層は、光導波路を含む光導波路層であり、
前記座グリ部は、前記光導波路の導波路コアの端面が露出するように前記光導波路層に形成されることを特徴とする付記１に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記３）
前記基板を傾斜させる前記第１の方向は、前記座グリ部において前記導波路コアの前記露出した端面が高い位置となる傾斜方向であることを特徴とする付記２に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記４）
前記反射膜の形成は、前記凹面の形成の後に、前記基板の全面に金属膜を形成し、
前記基板を、前記第１の方向と逆の第２の方向に傾斜させ、前記導波路コアの前記露出面に形成された前記金属膜をサンドブラスト法で除去する工程、
を含むことを特徴とする付記３に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記５）
前記発泡性樹脂として、光硬化型発泡性樹脂を用い、
前記減圧雰囲気下で紫外線を照射して、前記光硬化型発泡性樹脂を発泡、硬化させることを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記６）
前記発泡性樹脂として、熱硬化型発泡性樹脂を用い、
前記減圧雰囲気下で加熱して前記熱硬化型発泡性樹脂を発泡、硬化させることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記７）
前記座グリ部内にインクジェット法により前記発泡性樹脂を滴下することを特徴とする付記１〜６のいずれか１に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記８）
前記座グリ部内に前記発泡性樹脂を配置した後に、前記基板の傾斜を維持したまま前記基板を減圧容器内に配置し、
前記減圧雰囲気下での発泡、硬化の後に、前記減圧容器を大気解放する、
ことを特徴とする付記１〜７のいずれか１に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
（付記９）
基板上の樹脂層と、
前記樹脂層に形成された座グリ部と、
前記座グリ部内に配置されるマイクロミラーと、
前記マイクロミラーに光結合する光導波路と、
を含み、前記マイクロミラーは、
減圧下で発泡する発泡性硬化樹脂で構成され、前記光導波路の導波路コアの端面に対して傾斜する凹面を有する傾斜体と、
前記凹面に形成された反射膜と、
を有することを特徴とする光インターコネクトデバイス。
（付記１０）
前記光導波路はマルチモード光導波路であることを特徴とする付記９に記載の光インターコネクトデバイス。
（付記１１）
前記マイクロミラーに光結合する面型光素子、
をさらに有し、
前記マイクロミラーは、前記面型光素子の入出力光の方向と、前記光導波路の出入力光との方向を９０度変換することを特徴とする付記９又は１０に記載の光インターコネクトデバイス。

１０、７０Ａ、７０Ｂ 光インターコネクトデバイス
１１ 基板
２０ 光導波路
２１ 導波路コア
２２、２３ クラッド
２５ 座グリ部
２６ 光導波路層（樹脂層）
３０ マイクロミラー
３１ 傾斜体
３１ａ 凹面
３２ 反射膜
５３ 発泡硬化樹脂
７１、７３ 面型光素子

Claims (6)

1. 基板上に形成された樹脂層の所定の箇所に座グリ部を形成し、
   前記基板を第１の方向に傾斜させた状態で、前記座グリ部内に発泡性樹脂を配置し、
   前記基板の傾斜を維持したまま、減圧雰囲気下で前記発泡性樹脂を発泡、硬化させ、
   前記発泡、硬化後に常圧に戻して前記発泡性樹脂の大気と接する面を凹面に変形させ、
   前記凹面上に反射膜を形成して、前記基板に対して傾斜する凹面状の反射面を有するマイクロミラーを形成する
   ことを特徴とする光インターコネクトデバイスの製造方法。
2. 前記樹脂層は、光導波路を含む光導波路層であり、
   前記座グリ部は、前記光導波路の導波路コアの端面が露出するように前記光導波路層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
3. 前記基板を傾斜させる前記第１の方向は、前記座グリ部において前記導波路コアの前記露出した端面が高い位置となる傾斜方向であることを特徴とする請求項２に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
4. 前記反射膜の形成は、前記凹面の形成の後に、前記基板の全面に金属膜を形成し、
   前記基板を、前記第１の方向と逆の第２の方向に傾斜させ、前記導波路コアの前記露出面に形成された前記金属膜をサンドブラスト法で除去する工程、
   を含むことを特徴とする請求項３に記載の光インターコネクトデバイスの製造方法。
5. 基板上の樹脂層と、
   前記樹脂層に形成された座グリ部と、
   前記座グリ部内に配置されるマイクロミラーと、
   前記マイクロミラーに光結合する光導波路と、
   を含み、前記マイクロミラーは、
   減圧下で発泡する発泡性硬化樹脂で構成され、前記光導波路の導波路コアの端面に対して傾斜する凹面を有する傾斜体と、
   前記凹面に形成された反射膜と、
   を有することを特徴とする光インターコネクトデバイス。
6. 前記光導波路はマルチモード光導波路であることを特徴とする請求項５に記載の光インターコネクトデバイス。

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