JP2014075162A - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】熱揺らぎ耐性が高く、また書き込み特性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板の上に、少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した、１層又は２層以上の磁性層からなる垂直磁性層とを、この順で具備する磁気記録媒体であって、前記垂直磁性層を構成する少なくとも１層の前記磁性層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含み、前記Ｒｈの含有量が、１０〜４０原子％の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
【選択図】図４

Description

本発明は、磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関する。

磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率５０％以上増えており、今後も増加傾向が続くと言われている。ハードディスク装置の記録密度の増加に伴って、高記録密度化に適した磁気記録媒体の開発が進められている。

現在市販されている磁気記録再生装置には、磁気記録媒体として、磁性膜内の磁化容易軸が垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体が搭載されているものがある。垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際にも記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるため、ノイズの増加が抑えられる。しかも、垂直磁気記録媒体は、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくて済むため、熱揺らぎ特性に優れている。

また、垂直磁気記録媒体の記録再生特性および熱揺らぎ特性を向上させるために、配向制御層を用い、その上部に多層の磁性層を形成して、それぞれの磁性層の結晶粒子を連続した柱状晶とし、これにより磁性層の垂直配向性を高めることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、本発明に関連する特許文献２には、コバルト、白金、ルテニウムよりなる３元系合金であって、その組成がＣｏ_ａ Ｐｔ_ｂ Ｒｕ_ｃ 、２０≦ａ≦７０、１０≦ｂ≦７０、１０≦ｃ≦６０、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ （ただしａ、ｂ、ｃは原子％による組成比）であり、かつ膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁気記録膜が開示されている。

特開２００４−３１０９１０号公報 特開平０６−１２７１３号公報

現在、磁気記録媒体に用いられる磁気記録膜（以下、垂直磁性層とも称する。）としてはＣｏＣｒＰｔ系の磁性合金が用いられている。
ＣｏＣｒＰｔ系の磁性合金は、ＣｏＰｔ系の磁性合金をベースとして、書き込み特性の最適化、具体的には飽和磁化（Ｍｓ）を低減する目的でＣｒを添加している。
一方で、ＣｏＰｔ系合金にＣｒを添加すると合金の磁気異方性定数（Ｋｕ）が低下し、これによって熱揺らぎ特性が悪化する問題があった。すなわち、熱揺らぎ特性は、（Ｋｕ・Ｖ）／（ｋ・Ｔ）、（Ｖは磁性合金の体積、Ｔは温度、ｋは定数）で示され、Ｋｕの低下により熱揺らぎ特性も低下する。
このような問題は、ＣｏＰｔ系合金にＣｒを添加する場合に限らず、特許文献２に記載のように、ＣｏＰｔ系合金にＲｕを添加する場合にも同様の問題が生じていた。

本発明は、上記事情に鑑みて提案されたものであり、ＭｓとＫｕを適度にバランスさせた磁性合金、具体的には、ＣｏＰｔ系合金において、Ｋｕが高く、一方でＭｓを適度に調整した磁性合金を提供し、もって熱揺らぎ耐性が高く、また書き込み特性に優れた磁気録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決すべく検討した結果、垂直磁性層を構成する磁性層としてＣｏＰｔＲｈ系磁性合金を用いることで上記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成させた。すなわち本発明は、以下の手段を提供する。

（１）非磁性基板の上に、少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した、１層又は２層以上の磁性層からなる垂直磁性層とを、この順で具備する磁気記録媒体であって、前記垂直磁性層を構成する少なくとも１層の前記磁性層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含み、前記Ｒｈの含有量が、１０〜４０原子％の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記Ｐｔの含有量が、１０〜４０原子％の範囲内であることを特徴とする上記（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記磁性合金が、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｒの中から選ばれる１種類以上の元素を合計で１〜１０原子％の範囲内で含むことを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記磁性合金の磁気異方性定数は８×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上であり、飽和磁化は７００〜１２００ｅｍｕ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする上記（１）〜（３）の何れか一項に記載の磁気記録媒体。

（５）上記（１）〜（４）の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。

本発明の磁性合金を有する垂直磁性層を用いた磁気記録媒体は、書き込み特性、熱揺らぎ耐性に優れるため、記録再生特性（信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ））に優れ高記録密度に適した磁気記録媒体および磁気記録再生装置を提供可能となる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を示した断面模式図である。 図２は、図１に示す磁気記録媒体における配向制御層と垂直磁性層の積層構造を説明するための拡大模式図であり、各層の柱状晶が基板面に対して垂直に成長した状態を示した断面図である。 図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。 図４は、ＣｏＰｔＲｈ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＲｕ系合金における磁気異方性定数（Ｋｕ）の組成比依存性を説明するためのグラフであり、（ａ）は、ＣｏＰｔＲｈ系合金の結果、（ｂ）は、ＣｏＰｔＣｒ系合金の結果、（ｃ）は、ＣｏＰｔＲｕ系合金の結果である。 図５は、ＣｏＰｔＲｈ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＲｕ系合金における飽和磁化（Ｍｓ）の組成比依存性を説明するためのグラフであり、（ａ）は、ＣｏＰｔＲｈ系合金の結果、（ｂ）は、ＣｏＰｔＣｒ系合金の結果、（ｃ）は、ＣｏＰｔＲｕ系合金の結果である。 図６は、ＣｏＰｔＲｈ系合金のキュリー温度（Ｔｃ）と一軸結晶磁気異方性（Ｋｕ）との相関を示すグラフである。

本願発明の磁気記録媒体は、非磁性基板の上に、少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した、１層又は２層以上の磁性層からなる垂直磁性層とを、この順で具備する磁気記録媒体であって、垂直磁性層を構成する少なくとも１層の磁性層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含み、当該Ｒｈの含有量が、１０〜４０原子％の範囲内であることを特徴とする。
なお、本発明における垂直磁性層の構造は、磁性層単層であってもよく、複数の磁性層からなる積層構造としてもよい。垂直磁性層が複数の磁性層からなる場合、そのうちの１層以上がＣｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含めばよい。
以下、本発明における磁性合金について、本発明者らの検討を併せて説明する。

図４は、本願発明者が見出したＣｏＰｔＲｈ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＲｕ系合金におけるＫｕの組成比依存性である。
本結果は、ガラス基板の上に、５ｎｍのＴａ薄膜、６ｎｍのＰｔ薄膜、２０ｎｍのＲｕ薄膜を形成後、ＣｏＰｔＲｈ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＲｕ系合金それぞれの磁性合金薄膜をスパッタリング法を用いて、アルゴンガス圧０．６Ｐａ、成膜速度１ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍで形成し、その後、炭素膜を７ｎｍ成膜し、そのＫｕを測定して得た。図４（ａ）は本願発明の磁性合金であるＣｏＰｔＲｈ系合金の結果、図４（ｂ）はＣｏＰｔＣｒ系合金の結果、図４（ｃ）はＣｏＰｔＲｕ系合金の結果である。
図４（ａ）と、図４（ｂ）（ｃ）との対比から明らかなように、ＣｏＰｔ系合金にＣｒまたはＲｕを加えるとＫｕが著しく減少するのに対し、本願発明のＣｏＰｔＲｈ系合金はＲｈ添加によってもＫｕの減少が極めて少ない。

また図５は、本願発明者が見出したＣｏＰｔＲｈ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＲｕ系合金におけるＭｓの組成比依存性である。
本結果は、ガラス基板の上に、５ｎｍのＴａ薄膜、６ｎｍのＰｔ薄膜、２０ｎｍのＲｕ薄膜を形成後、上記ＣｏＰｔＲｈ系合金等の磁性合金薄膜をスパッタリング法を用いて、アルゴンガス圧０．６Ｐａ、成膜速度１ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍで形成し、その後、炭素膜を７ｎｍ成膜し、そのＭｓを測定して得た。図５（ａ）は本願発明の磁性合金であるＣｏＰｔＲｈ系合金の結果、図５（ｂ）はＣｏＰｔＣｒ系合金の結果、図５（ｃ）はＣｏＰｔＲｕ系合金の結果である。
図５（ａ）と、図５（ｂ）（ｃ）との対比から明らかなように、ＣｏＰｔ系合金にＣｒまたはＲｕを加えるとＭｓが著しく減少するのに対し、本願発明のＣｏＰｔＲｈ系合金はＲｈ添加によってもＭｓの減少が少ない。この結果は、本願発明者の検討によると、Ｃｒ、Ｒｕ原子はＣｏ原子と隣接した場合において分極が生じないのに対し、Ｒｈ原子はＣｏ原子と隣接した場合に分極を生じ、これによってＭｓの減少が緩やかになるものと考えられる。

以上の図４（ａ）、図５（ａ）の結果から明らかなように、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含む磁性合金において、磁性合金のＰｔの含有量を１０〜４０原子％（１０原子％以上４０原子％以下）の範囲内とし、Ｒｈの含有量は１０〜４０原子％（１０原子％以上４０原子％以下）の範囲内とし、残部をＣｏとすることにより、Ｋｕを８×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上とし、Ｍｓを７００〜１２００ｅｍｕ／ｃｍ^３の範囲内とした磁性合金を得ることができる。そしてこの合金は、従来のＣｏＰｔＣｒ系合金、または、ＣｏＰｔＲｕ系合金に比べ、Ｋｕが高く、一方で適度にＭｓを低下させることができるため、ＭｓとＫｕが適度にバランスし、このような磁性合金を用いた磁気記録媒体は、熱揺らぎ耐性が高く、また書き込み特性に優れたものとなる。

また本願発明の磁性合金は、結晶組織の微細化のため、微量の添加物として、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｒの中から選ばれる１種類以上の元素を合計で１原子％〜１０原子％（１原子％以上１０原子％以下）の範囲内で含有させることができる。

また図６は、本願発明者が見出したＣｏＰｔＲｈ系合金のキュリー温度（Ｔｃ）と一軸結晶磁気異方性（Ｋｕ）との相関を示す図である。
本結果は、ガラス基板の上に、５ｎｍのＴａ薄膜、６ｎｍのＰｔ薄膜、２０ｎｍのＲｕ薄膜を形成後、ＣｏＰｔＲｈ系合金の磁性合金薄膜をスパッタリング法を用いて、アルゴンガス圧０．６Ｐａ、成膜速度１ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍで形成し、その後、炭素膜を７ｎｍ成膜し、その飽和磁化（Ｍｓ）、Ｋｕを測定して得た。なお、キュリー温度は得られたＭｓから算出した。
図６中の太線は、それぞれ、ＣｏＲｈ合金、ＣｏＰｔ合金のＫｕおよびＴｃを示し、ＣｏＲｈ合金に示されたプロットは、左からＲｈ＝５０、４０、３５、３０、２５、２０原子％、ＣｏＰｔ合金に示されたプロットは、左からＰｔ＝５０、４０、３５、３０、２５原子％の場合のＫｕおよびＴｃを示す。また、×は純ＣｏのＫｕおよびＴｃを示す。
ＣｏＲｈ合金、ＣｏＰｔ合金の太線それぞれの各プロット同士を結ぶ細い線は、ＣｏＰｔＲｈ合金のＫｕおよびＴｃを示し、プロットに付された数字は、ＰｔとＲｈの合計におけるＲｈの比率（ｙ原子％：Ｐｔ_{１００−ｙ}Ｒｈ_ｙ）を示す。例えば、２点破線（プロット“○”：ｘ＝５０（ａｔ．％））は、Ｃｏ_５０（Ｐｔ_{１００−ｙ}Ｒｈ_ｙ）_５０合金のＫｕおよびＴｃの変化を示し、各プロットは、左からｙ＝８０，６０，４０，２０，１０の値を示す。
従来のＣｏＰｔ系の材料の場合、７０Ｃｏ３０Ｐｔの組成領域にてＫｕの最大値を発現するが、一方でこの時のキュリー温度は９００℃付近と高温である。そして、Ｐｔの添加量を増すと、Ｔｃは低下するが、Ｋｕも大きく変化する。
ここで、ＣｏＲｈ系合金の場合、Ｒｈ添加によりＴｃが低下するが、Ｋｕはそれほど変化せず、磁気特性の変動が少ない。そして、Ｔｃは５００℃以下まで下げることが可能である。このような磁性合金の組成変化におけるＴｃやＫｕの挙動は、将来有望な熱アシスト媒体用途の合金の磁気特性に適している。

次に、本発明の磁性合金を用いた磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、例えば、非磁性基板の上に、少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した垂直磁性層とを、この順で有する。
そして、本発明における垂直磁性層は、１層又は２層以上の磁性層からなり、垂直磁性層を構成する少なくとも１層の磁性層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含むことを特徴とする。

以下、本発明の磁気記録媒体の一例として、図１および図２に示す磁気記録媒体を詳細に説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を示した断面模式図である。また、図２は、図１に示す磁気記録媒体における配向制御層と垂直磁性層の積層構造を説明するための拡大模式図であり、各層の柱状晶が基板面に対して垂直に成長した状態を示した断面図である。なお、図２においては、配向制御層３を構成する第１配向制御層３ａおよび第２配向制御層３ｂと垂直磁性層４以外の部材の記載を省略して示している。図１では、第２配向制御層３ｂと垂直磁性層４との間に非磁性下地層８を設けているが、この非磁性下地層８も基板面に対して垂直に成長した柱状晶によって構成され、この柱状晶は第２配向制御層３ｂ、垂直磁性層４の柱状晶と連続して形成される。

図１に示す磁気記録媒体は、非磁性基板１の上に、軟磁性下地層２と、配向制御層３と、非磁性下地層８と、垂直磁性層４と、非磁性層７と、保護層５と、潤滑層６とが積層された構造を有している。

「非磁性基板」
非磁性基板１としては、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラスや、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。また、非磁性基板１としては、これら金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、ＮｉＰ層又はＮｉＰ合金層が形成されたものを用いてもよい。

ガラス基板としては、例えば、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。

また、非磁性基板１は、Ｃｏ又はＦｅが主成分となる軟磁性下地層２と接することで、表面の吸着ガスや、水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。このため、非磁性基板１と軟磁性下地層２の間に密着層（不図示）を設けることが好ましい。密着層を設けることにより、腐食を抑制できる。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択することが可能である。また、密着層の厚みは２ｎｍ（３０Å）以上であることが好ましい。

「軟磁性下地層」
図１に示す磁気記録媒体を製造するには、上記の非磁性基板１の上に、軟磁性下地層２を形成する。軟磁性下地層２の形成方法は特に限られるものではなく、例えば、スパッタリング法などを用いることができる。なお、非磁性基板１と軟磁性下地層２の間に密着層を設ける場合には、軟磁性下地層２を形成する前に、例えば、スパッタリング法などを用いて密着層を形成する。

軟磁性下地層２は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、垂直磁性層４の磁化の方向を非磁性基板１に垂直な方向により強固に固定するために設けられている。この作用は、特に記録再生用の磁気ヘッドとして垂直記録用の単磁極ヘッドを用いる場合に、より顕著なものとなる。

軟磁性下地層２としては、例えば、Ｆｅや、Ｎｉ、Ｃｏなどを含む軟磁性材料を用いることができる。具体的な軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＦｅ系合金（ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒＮｂなど）、ＦｅＣｏ系合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど）、ＦｅＮｉ系合金（ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど）、ＦｅＡｌ系合金（ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど）、ＦｅＣｒ系合金（ＦｅＣｒ、ＦｅＣｒＴｉ、ＦｅＣｒＣｕなど）、ＦｅＴａ系合金（ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど）、ＦｅＭｇ系合金（ＦｅＭｇＯなど）、ＦｅＺｒ系合金（ＦｅＺｒＮなど）、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金などを挙げることができる。

軟磁性下地層２は、２層の軟磁性膜から構成されていることが好ましく、２層の軟磁性膜の間にはＲｕ膜が設けられていることがさらに好ましい。Ｒｕ膜の膜厚を０．４〜１．０ｎｍ、又は１．６〜２．６ｎｍの範囲で調整することで、２層の軟磁性膜をＡＦＣ（反強磁性交換結合）構造とすることができる。軟磁性下地層２が、このようなＡＦＣ構造を採用したものである場合、いわゆるスパイクノイズを抑制できる。

「配向制御層」
次に、図２に示すように、軟磁性下地層２の上に配向制御層３を形成する。配向制御層３は、直上の層である垂直磁性層４の配向性を制御するものであり、垂直磁性層４の結晶粒を微細化し、記録再生特性を改善するものである。配向制御層３は、以下に示すように、第１配向制御層３ａと、第２配向制御層３ｂによって形成することができる。

本願発明の第１配向制御層３ａとしては、ＮｉＷ合金を用いることができる。第１配向制御層３ａにＮｉＷ合金を用いることで、その上にｃ軸配向性の高いｈｃｐ構造の磁性粒子を成長させて垂直磁性層を形成できる。その他、第１配向制御層３ａとしては、ｆｃｃ構造を有する層等を用いることができるが、具体的には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌを含む層が例示できる。
なお、第１配向制御層３ａは、図２に示すように、成長面Ｓ１ａを有する柱状晶Ｓ１を有し、軟磁性下地層２（図２には不図示）上に形成されている。

本願発明の第１配向制御層３ａの膜厚は、１〜５ｎｍの範囲であることが好ましい。第１配向制御層３ａの膜厚が１ｎｍ未満であると、本発明の効果が不十分となる。一方、第１配向制御層３ａの膜厚が５ｎｍを超えると、第２配向制御層３ｂの結晶サイズが大きくなるために好ましくない。

第２配向制御層３ｂは、垂直磁性層をｃ軸配向した柱状晶とするための層であり、その成長面Ｓ２ａはドーム状の形状を有している。このような第２配向制御層３ｂは、Ｒｕ又はＲｕ合金によって形成できる。Ｒｕ合金としては、例えば、ＲｕＣｏ、ＲｕＡｌ、ＲｕＭｎ、ＲｕＭｏ、ＲｕＦｅ合金を例示できる。Ｒｕ合金中のＲｕ量は５０原子％以上９０原子％以下がよい。
なお、図２に示すように、第２配向制御層３ｂは、成長面Ｓ２ａを有する、第２配向制御層３ａの柱状晶Ｓ１と連続した柱状晶Ｓ２として形成されている。

また、第２配向制御層３ｂの膜厚は、３０ｎｍ以下、好ましくは１６ｎｍ以下であることが好ましい。第２配向制御層３ｂを薄くすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層２との間の距離が小さくなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。その結果、軟磁性下地層の膜厚を更に薄くすることができ、生産性を向上させることが可能となる。

「非磁性下地層」
次に、図１に示すように、配向制御層３の上に非磁性下地層８を形成する。非磁性下地層８の形成方法は特に限られるものではなく、例えば、スパッタリング法などを用いることができる。
非磁性下地層８は、配向制御層３の第１配向制御層３ａおよび第２配向制御層３ｂの柱状晶Ｓ１，Ｓ２と連続した柱状晶として、配向制御層３の第２配向制御層３ｂ上にエピタキシャル成長されている。

非磁性下地層８は、配向制御層３と垂直磁性層４の間に設けられていることが好ましいが、設けられていなくてもよい。配向制御層３の直上の垂直磁性層４の初期部には、ノイズの原因となる結晶成長の乱れが生じやすい。非磁性下地層８を設けることで、ノイズの発生を抑制できる。
非磁性下地層８の厚みは、０．２ｎｍ以上３ｎｍ以下であることが好ましい。非磁性下地層８の厚さが３ｎｍを超えると、保磁力Ｈｃ及び核形成磁界Ｈｎの低下が生じるために好ましくない。

非磁性下地層８は、Ｃｒと酸化物とを含んだ材料からなるものであることが好ましい。Ｃｒの含有量は、２５ａｔ％（原子％）以上５０ａｔ％以下とすることが好ましい。酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、その中でも特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などを好適に用いることができる。酸化物の含有量としては、磁性粒子を構成する、例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の合金を１つの化合物として算出したｍｏｌ総量に対して、３ｍｏｌ％以上１８ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

また、非磁性下地層８は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２などを好適に用いることができる。さらに、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２、ＣｏＣｒ−ＴｉＯ_２、ＣｏＣｒ−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、ＣｏＣｒ−ＴｉＯ_２−Ｃｒ２Ｏ_３、ＣｏＣｒ−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２などを好適に用いることができる。また、結晶成長の観点からＰｔを添加してもよい。

「垂直磁性層」
次に、図１に示すように、非磁性下地層８の上に本願発明のＣｏＰｔＲｈ系合金を含む垂直磁性層４を形成する。垂直磁性層４の形成方法は特に限られるものではなく、例えば、スパッタリング法などを用いることができる。
なお、上述したように、本発明における垂直磁性層の構造は、磁性層単層であってもよく、複数の磁性層からなる積層構造としてもよいが、本実施形態では、図１に示すように、３層の磁性層４ａ〜４ｃから構成される垂直磁性層４について説明する。

垂直磁性層４は、磁化容易軸が非磁性基板１に対して垂直に配向したものである。図１に示す垂直磁性層４は、非磁性基板１側から、下層の磁性層４ａと、中層の磁性層４ｂと、上層の磁性層４ｃとの３層を含むものである。

なお、図１に示す磁気記録媒体では、下層の磁性層４ａと中層の磁性層４ｂとの間に下層の非磁性層７ａを含み、中層の磁性層４ｂと上層の磁性層４ｃとの間に上層の非磁性層７ｂを含むことで、これら磁性層４ａ〜４ｃと非磁性層７ａ，７ｂとが交互に積層された構造を有している。
各磁性層４ａ〜４ｃ及び各非磁性層７ａ，７ｂを構成する結晶粒子は、図２に示すように、配向制御層３の第１配向制御層３ａおよび第２配向制御層３ｂそれぞれの柱状晶Ｓ１、Ｓ２と連続した柱状晶Ｓ３として、非磁性下地層８（図２には不図示）上にエピタキシャル成長されている。

本実施形態の磁性層４ａ〜４ｃにおいて、磁性層４ａ、４ｂはグラニュラー構造の磁性層、磁性層４ｃは非グラニュラー構造の磁性層とすることができる。
ここで、本願発明のＣｏＰｔＲｈ系磁性合金は、グラニュラー構造の磁性層、非グラニュラー構造の磁性層の何れにも用いてもバランスの取れたＫｕおよびＭｓ値を得ることができるが、図４（ａ）、図５（ａ）に示したＫｕおよびＭｓは非グラニュラー構造の磁性合金の結果である。そして、グラニュラー構造のＣｏＰｔＲｈ系磁性合金の場合は、含有される酸化物等およびその含有量の影響により、図４（ａ）、図５（ａ）とは若干異なる特性となるが、本発明の効果は十分に享受できる。

本願発明におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含む磁性合金において、Ｒｈの含有量は、１０〜４０原子％の範囲内である。
Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含む磁性合金において、Ｒｈの含有量を１０〜４０原子％の範囲内とすることにより、Ｋｕを８×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上とし、Ｍｓを７００〜１２００ｅｍｕ／ｃｍ^３の範囲内とした磁性合金を得ることができる。より好ましくは、Ｒｈの含有量を２０〜３０原子％の範囲内とする。
なお、上記のように、Ｒｈの含有量を１０〜４０原子％とすれば、所望のＭｓとＫｕとをバランス良く得ることができるが、さらに、磁性合金のＰｔの含有量を１０〜４０原子％の範囲内とし、残部をＣｏとすることにより、磁気特性をより優れたものとすることができる。
Ｒｈの含有量を４０原子％以下とすると、Ｋｕが向上し、より良好な熱揺らぎ特性を確保することが可能となる。また、Ｐｔについても同様に、Ｋｕを向上させることができるため上記範囲内とすることが好ましい。

本願発明において、垂直磁性層が複数の磁性層からなる場合、そのうちの１層以上がＣｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含めばよいが、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金は、本実施形態の磁性層４ａ〜４ｃにおける最上層、すなわち、非グラニュラー構造の磁性層４ｃに用いるのが好ましい。この層は、磁気記録媒体に対するリードライトするに際し、磁気ヘッドに最も近い層であるため、その層の電磁変換特性は磁気記録媒体の電磁変換特性に最も影響を及ぼすからである。

なお、本願発明において、垂直磁性層が複数の磁性層からなる場合、そのうちの１層以上がＣｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含めばよいため、それ以外の磁性層は、本願発明の磁性合金以外を含ませてもよい。磁性層４ａ〜４ｃにおいて本願発明の磁性合金以外を含ませる場合は、例えば下記の磁性合金を用いることができる。
すなわち、ＣｏＰｔＲｈ系以外のグラニュラー構造の磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含む磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）と、酸化物とを含むものであることが好ましい。そして、磁性層中のＣｒの含有量は、４ａｔ％以上１９ａｔ％以下（さらに好ましくは６ａｔ％以上１７ａｔ％以下）であることが好ましい。また、磁性層中のＰｔの含有量は、８ａｔ％以上２０ａｔ％以下であることが好ましい。具体的な合金組成としては、例えば、９０（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１４ａｔ％、Ｐｔ含有量１８ａｔ％、残部Ｃｏからなる磁性粒子を１つの化合物として算出したモル濃度が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、９２（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ_２）、９４（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）−６（Ｃｒ_２Ｏ_３）の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ_２Ｏ_５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＳｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＳｉＯ_２）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ_２Ｏ_３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ_２Ｏ_３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ_２）などの組成物を挙げることができる。

ＣｏＰｔＲｈ系以外の非グラニュラー構造の磁性層としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ系では、Ｃｏ１４〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ｛Ｃｒ含有量１４〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、残部Ｃｏ｝、ＣｏＣｒＰｔＢ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ０〜１６Ｂ｛Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｂ含有量０〜１６ａｔ％、残部Ｃｏ｝が好ましい。その他の系としては、ＣｏＣｒＰｔＴａ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ１〜５Ｔａ｛Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、残部Ｃｏ｝、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系では、Ｃｏ１０〜２４Ｃｒ８〜２２Ｐｔ１〜５Ｔａ１〜１０Ｂ｛Ｃｒ含有量１０〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量８〜２２ａｔ％、Ｔａ含有量１〜５ａｔ％、Ｂ含有量１〜１０ａｔ％、残部Ｃｏ｝の他にも、ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ系、ＣｏＣｒＰｔＮｂ系、ＣｏＣｒＰｔＢＷ系、ＣｏＣｒＰｔＭｏ系、ＣｏＣｒＰｔＣｕＲｕ系、ＣｏＣｒＰｔＲｅ系などの材料を挙げることができる。

また、本実施形態では、垂直磁性層４として３層の磁性層４ａ〜４ｃで構成されたものを例示して説明してきたが、本発明では、上記垂直磁性層４を４層以上の磁性層で構成することも可能である。例えば、上記磁性層４ａ，４ｂに加えて、さらにグラニュラー構造の磁性層を形成し、これら３層のグラニュラー構造の磁性層の上に、酸化物を含まない非グラニュラー構造の磁性層４ｃを設けた構成としてもよいし、酸化物を含まない非グラニュラー構造の磁性層４ｃを２層構造として、磁性層４ａ，４ｂの上に設けた構成としてもよい。

なお、本発明において、垂直磁性層を構成する磁性層の厚みは、１層当たり３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。磁性層の厚さが２０ｎｍを超えると、磁性粒子が粗大化するために好ましくない。

また、本発明では、図１に示すように、垂直磁性層４を構成する複数の磁性層間に非磁性層７（図１では符号７ａ，７ｂで示す）を設けることが好ましい。非磁性層７の形成方法は特に限られるものではなく、例えば、スパッタリング法などを用いることができる。非磁性層７を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができる。その結果、Ｓ／Ｎ比をより向上させることが可能である。
非磁性層７の厚みは、垂直磁性層４を構成する各磁性層の静磁結合を完全に切断しない範囲とされ、具体的には０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下（より好ましくは０．１以上０．８ｎｍ以下）とすることが好ましい。

「保護層」
次に、垂直磁性層４上に、例えば、ＣＶＤ（化学気相成長）法などを用いて保護層５を形成する。
保護層５は、垂直磁性層４の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気記録媒体に偶発的に接触したときの媒体表面の損傷を防ぐためのものである。保護層５としては、従来公知の材料を使用することができ、例えばＣ、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２を含むものを使用することが可能である。保護層５の厚みは、１〜１０ｎｍとすることが、磁気ヘッドと磁気記録媒体との距離を小さくできるので高記録密度の点から好ましい。

「潤滑層」
次に、保護層５上に、例えば、ディッピング法などを用いて潤滑層６を形成する。
潤滑層６としては、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を用いることが好ましい。
以上の工程により、図１に示す磁気記録媒体が得られる。

（磁気記録再生装置）
図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。
この磁気記録再生装置は、上述した図１に示す磁気記録媒体５０と、磁気記録媒体５０を回転駆動させる媒体駆動部５１と、磁気記録媒体５０に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッド５２と、この磁気ヘッド５２を磁気記録媒体５０に対して相対運動させるヘッド駆動部５３と、記録再生信号処理系５４とを備えている。

記録再生信号処理系５４は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド５２に送り、磁気ヘッド５２からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能なものである。
磁気ヘッド５２には、再生素子として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有する高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。

図３に示す磁気記録再生装置は、図１に示す磁気記録媒体５０と、磁気記録媒体５０に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッド５２とを備えるものであるので、書き込み特性（ＯＷ）、及び熱揺らぎ特性が得られる磁気記録媒体を備えた優れたものとなる。

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
（実施例１）
以下に示す製造方法により、実施例１の磁気記録媒体を作製し、評価した。

まず、洗浄済みのガラス基板（コニカミノルタ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０^−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気し、このガラス基板の上に、Ｃｒターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。
このようにして得られた密着層の上に、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅ含有量２０ａｔ％、Ｚｒ含有量５ａｔ％、Ｔａ含有量５ａｔ％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚２５ｎｍの軟磁性層を成膜し、この上にＲｕ層を層厚０．７ｎｍで成膜し、さらにＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａの軟磁性層を層厚２５ｎｍで成膜し、これを軟磁性下地層とした。

次に、軟磁性下地層の上に、第１の配向制御層として、スパッタリング法を用いて０．８Ｐａで膜厚６０ｎｍの９０Ｎｉ１０Ｗ膜を成膜した。

次に、第１配向制御層上に、Ｒｕからなるターゲット、Ａｒガスからなるスパッタリングガスを用い、スパッタリングガス圧０．８Ｐａでスパッタリング法により、Ｒｕからなる層を膜厚１０ｎｍで形成し、その上に、スパッタリングガス圧１０ＰａでＲｕからなる層を膜厚１３ｎｍで形成し第２配向制御層とした。

その後、第１配向制御層及び第２配向制御層からなる配向制御層上に、垂直磁性層を形成した。
まず、配向制御層上に、９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ_２）−３（ＴｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１５ａｔ％、Ｐｔ含有量１６ａｔ％、残部Ｃｏの合金を９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物を６ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝の組成の磁性層を、スパッタリングガス圧を２Ｐａとして層厚９ｎｍで成膜した。

次に、磁性層の上に、８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ_２）からなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
次に、非磁性層の上に、９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ_２）−３（ＴｉＯ_２）からなる磁性層を、スパッタリングガス圧を２Ｐａとして層厚６ｎｍで成膜した。
次に、磁性層の上に、Ｒｕからなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
次に、非磁性層の上に、５０Ｃｏ３０Ｐｔ２０Ｒｈ｛Ｃｏ含有量５０ａｔ％、Ｐｔ含有量３０ａｔ％、Ｒｈ含有量２０ａｔ％｝からなるターゲットを用いて、スパッタリングガス圧を０．６Ｐａとして磁性層を層厚７ｎｍで成膜した。なお、このＲｈを含む磁性層のＫｕは１．２×１０^７ｅｒｇ／ｃｍ^３、Ｍｓは１０００ｅｍｕ／ｃｍ^３であった。

次に、ＣＶＤ法により層厚３．０ｎｍの保護層を成膜し、次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を成膜し、実施例１の磁気記録媒体を得た。

（電磁変換特性の評価）
このようにして得られた実施例１の磁気記録媒体について、米国ＧＵＺＩＫ社製のリードライトアナライザＲＷＡ１６３２及びスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて、記録再生特性として信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ）、記録特性（ＯＷ）の各評価を行った。その結果、本実施例１の磁気記録媒体のＳ／Ｎは１４．１２ｄＢ、ＯＷは４４．４３ｄＢで電磁変換特性に優れていた。

なお、磁気ヘッドには、書き込み側にシングルポール磁極を用い、読み出し側にＴＭＲ素子を用いたヘッドを使用した。
また、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ）については、記録密度７５０ｋＦＣＩとして測定した。
記録特性（ＯＷ）については、先ず、７５０ｋＦＣＩの信号を書き込み、次いで１００ｋＦＣＩの信号を上書し、周波数フィルターにより高周波成分を取り出し、その残留割合によりデータの書き込み能力を評価した。

（比較例）
上記実施例１の５０Ｃｏ３０Ｐｔ２０Ｒｈ磁性層を、６５Ｃｏ１８Ｃｒ１５Ｐｔ２Ｂ磁性層に変えたこと以外は同様にして磁気記録媒体を製造し電磁変換特性を評価した。その結果、本比較例の磁気記録媒体のＳ／Ｎは１３．９８ｄＢ、ＯＷは４３．８８ｄＢであった。

（実施例２）
実施例２では、本願発明の磁性合金を用いてビットパターンドメディアを製造した。
先ず、ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバを予め１．０×１０^−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板は、Ｌｉ_２Ｓｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ、Ａｌ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ_２Ｏ_５、Ｓｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスを材質とし、外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）が２オングストローム（単位：Å、０．２ｎｍ）である。

次に、このガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、軟磁性下地層として層厚６０ｎｍのＦｅＣｏＢ膜、配向制御層として層厚１０ｎｍのＲｕ膜と、垂直磁性層として、層厚１５ｎｍの５０Ｃｏ２７Ｐｔ１８Ｒｈ５Ｂ合金膜、層厚１４ｎｍの５０Ｃｏ３０Ｐｔ２０Ｒｈ合金膜とをこの順で積層した。なお、この垂直磁性層のＫｕは１．２×１０^７ｅｒｇ／ｃｍ^３、Ｍｓは９８０ｅｍｕ／ｃｍ^３であった。

次に、この上に、レジストをスピンコート法により塗布し、層厚１００ｎｍのレジスト層を形成した。なお、レジストには、紫外線硬化樹脂であるノボラック系樹脂を用いた。そして、磁気記録ビットパターンのポジパターンを有するガラス製のスタンプを用いて、このスタンプを１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ^２）の圧力でレジスト層に押し付けた状態で、波長２５０ｎｍの紫外線を、紫外線の透過率が９５％以上であるガラス製のスタンプの上部から１０秒間照射し、レジスト層を硬化させた。その後、スタンプをレジスト層から分離し、レジスト層に磁気記録パターンに対応した凹凸パターンを転写した。

なお、レジスト層に転写したビットパターンは、凸部が直径６０ｎｍの円周状であり、この凸部を３０ｎｍ間隔で千鳥状に配置した。レジスト層の凸部の層厚は６５ｎｍ、凹部の深さは約５ｎｍであった。また、凹部の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。

次に、レジスト層の凹部の箇所をドライエッチングで除去した。ドライエッチングの条件は、Ｏ_２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力を０．３Ｐａ、高周波プラズマ電力を３００Ｗ、ＤＣバイアスを３０Ｗ、エッチング時間を１０秒とした。

次に、垂直磁性層でマスク層に覆われていない箇所をイオンビームで加工した。イオンビームは、窒素ガス４０ｓｃｃｍ、水素ガス２０ｓｃｃｍ、ネオン２０ｓｃｃｍの混合ガスを用いて発生させた。イオンの量は５×１０^１６原子／ｃｍ^２、加速電圧は２０ｋｅＶ、エッチング速度は０．１ｎｍ／秒とし、エッチング時間を９０秒とした。なお、垂直磁性層の加工深さは１５ｎｍで、その加工位置の下の約１４ｎｍの厚さの垂直磁性層はイオンビームの注入により非晶質化し保磁力が約８０％低下していた。

次に、この表面に、ＳＯＧ膜をスピンコート法で形成した。スピンコートは、組成物０．５ｍｌをスピンコーター内にセットした基板上に滴下し、基板を５００ｒｐｍで５秒間回転、次いで３０００ｒｐｍで２秒間、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させることにより行った。そして、このＳＯＧ膜を加熱により硬化させた。

次に、イオンビームによりＳＯＧ膜表面をエッチングし、垂直磁性層のビットパターンを表出させると共に、表面の平滑化を行った。イオンビームは、窒素ガス４０ｓｃｃｍ、水素ガス２０ｓｃｃｍ、ネオン２０ｓｃｃｍの混合ガスを用いて発生させた。イオンの量は５×１０^１６原子／ｃｍ^２、加速電圧は２０ｋｅＶとした。

次に、ＣＶＤ法にてＤＬＣ膜を厚さ４ｎｍ形成し、潤滑剤を２ｎｍ塗布してビットパターンドメディア（磁気記録媒体）を作製した。

以上の方法により作製された磁気記録媒体について、電磁変換特性（ＳＮＲ）を測定した。なお、電磁変換特性の評価はスピンスタンドを用いて実施した。また、評価用のヘッドには、記録には垂直記録ヘッド、読み込みにはＴｕＭＲヘッドを用いた。

その結果、本発明を適用して製造された磁気記録媒体は、ＳＮＲが１２．８ｄＢであり、電磁変換特性に優れていることが確認できた。

１…非磁性基板、２…軟磁性下地層、３…配向制御層、３ａ…第１配向制御層、３ｂ…第２配向制御層、４…垂直磁性層、４ａ、４ｂ、４ｃ…磁性層、５…保護層、６…潤滑層、７、７ａ、７ｂ…非磁性層、８…非磁性下地層、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…柱状晶、Ｓ１ａ…凹凸面、５０…磁気記録媒体、５１…媒体駆動部、５２…磁気ヘッド、５３…ヘッド駆動部、５４…記録再生信号処理系。

Claims (5)

1. 非磁性基板の上に、少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して垂直に配向した、１層又は２層以上の磁性層からなる垂直磁性層とを、この順で具備する磁気記録媒体であって、
   前記垂直磁性層を構成する少なくとも１層の前記磁性層が、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｈを含有する磁性合金を含み、前記Ｒｈの含有量が、１０〜４０原子％の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記Ｐｔの含有量が、１０〜４０原子％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記磁性合金が、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｒの中から選ばれる１種類以上の元素を合計で１〜１０原子％の範囲内で含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁性合金の磁気異方性定数は８×１０^６ｅｒｇ／ｃｍ^３以上であり、飽和磁化は７００〜１２００ｅｍｕ／ｃｍ^３の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
5. 請求項１〜４の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対する情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。