JP2014072157A - 放射線発生管 - Google Patents
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Abstract
【課題】ターゲットに生じた微小損傷を感度よく検出する手段を備えた放射線発生管を提供する。
【解決手段】電子放出源(電子銃20)から放出された電子22を受容するターゲット15と、ターゲット15を支持する支持基板13と、ターゲット15と支持基板13の間に設けられる半導体層14と、半導体層14に電気接続される電極と、前記電極に電気接続される電圧印加手段(第二電源32)及び電荷量測定手段(電流計33)と、を有し、ターゲット15が電子22を受容することによって放射線が発生することを特徴とする、放射線発生管1。
【選択図】図1
【解決手段】電子放出源(電子銃20)から放出された電子22を受容するターゲット15と、ターゲット15を支持する支持基板13と、ターゲット15と支持基板13の間に設けられる半導体層14と、半導体層14に電気接続される電極と、前記電極に電気接続される電圧印加手段(第二電源32)及び電荷量測定手段(電流計33)と、を有し、ターゲット15が電子22を受容することによって放射線が発生することを特徴とする、放射線発生管1。
【選択図】図1
Description
本発明は、放射線発生管に関する。
一般に、放射線を発生させるために用いられる放射線発生管は、電子を放出するための電子放出源と、タングステン等の金属で構成され電子放出源から放出された電子を捕捉するターゲットと、を有する部材である。電子放出源から放出される電子は、放射線発生管内の電圧を高くすることにより加速され、上記ターゲットに衝突する。ここで電子が上記ターゲットに衝突する際に、ターゲットからX線等の放射線が発生する。しかしこの放射線発生管を用いた放射線の発生効率は極めて悪く、一般に消費電力の99%程度はターゲットにおいて熱になる。ここでターゲットにて発生した熱は、ターゲット自体を高温にさせるため、ターゲットの熱損傷が起きる。ここで熱損傷としては、ターゲットを構成する材料の再結晶化、ターゲットのクラック、剥離等の態様がある。いずれの態様にしてもターゲットを構成する材料の結晶が一部脱離したり結晶構造が変化したりして線量線質の変化や放電等の問題を引き起こす。
ところで上述したターゲットの特性の変化を精密に分析する方法がいくつか提案されている。例えば、特許文献1にて提案された漏れ電流を測定する方法や、特許文献2にて提案された線量及び曝射条件からターゲットの温度や熱損傷を予測する方法が提案されている。上述したように放射線の線量線質の変化や放電等の問題は、ターゲットの特性が変化することによって生じているので、ターゲットの特性の変化を分析すれば、結果として、放射線の線量線質の変化を抑制することにつながる。
しかし、特許文献1にて提案された方法では、ターゲットに生じ得る小さな欠陥やクラック等の微小損傷を検出するのは容易ではない。なぜならば、微小損傷が生じたことによる電流変動は、一般に出力される漏れ電流に対して十分小さいからである。同様の理由で特許文献2にて提案された方法においても、微小損傷を検出するのは難しい。
ところでターゲットに生じ得る小さな欠陥やクラック等の微小損傷は、ターゲットの大規模な熱損傷の起点となることが多く、この微小損傷の発生はターゲットの熱損傷の予兆とも言える重要な現象である。しかし従来では、この微小損傷の発生を検出できないが故に放射線発生管を駆動させた際に突然大規模な熱損傷が発生して、X線等の放射線を発生させる放射線発生システムの利用を休止せざるを得なくなることが多々あった。従って、放射線発生管を安定して利用できるようにするために、ターゲットに生じた微小損傷を感度よく検出する手法が求められていた。
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、ターゲットに生じた微小損傷を感度よく検出する手段を備えた放射線発生管を提供することにある。
本発明の放射線発生管は、電子放出源から放出された電子を受容するターゲットと、
前記ターゲットを支持する支持基板と、
前記ターゲットと前記支持基板の間に設けられる半導体層と、
前記半導体層に電気接続される電極と、
前記電極に電気接続される電圧印加手段及び電荷量測定手段と、を有し、
前記ターゲットが前記電子を受容することによって放射線が発生することを特徴とする。
前記ターゲットを支持する支持基板と、
前記ターゲットと前記支持基板の間に設けられる半導体層と、
前記半導体層に電気接続される電極と、
前記電極に電気接続される電圧印加手段及び電荷量測定手段と、を有し、
前記ターゲットが前記電子を受容することによって放射線が発生することを特徴とする。
本発明によれば、ターゲットに生じた微小損傷を感度よく検出する手段を備えた放射線発生管を提供することができる。
即ち、本発明に係る放射線発生管は、ターゲットと支持基板との間に半導体層が設けられており、電子発生源から発せられた電子はこの半導体層に入射される。ここでターゲットに微小なりとも欠陥が生じていた場合では、入射電子1個に対して多数の電子正孔対が生成される。本発明に係る放射線発生ユニットは、この電子正孔対を検出する手段を備えているため、高感度に漏れ電流を検出することができる。従って、ターゲットの大規模な損傷の発生の予兆である微小損傷を感度よく検出することができる。従って、安定して利用可能な放射線発生管を実現できる。
本発明の放射線発生管は、ターゲットと、支持基板と、半導体層と、電極と、電圧印加手段及び電荷量測定手段と、を有している。本発明において、ターゲットは、電子放出源から放出された電子を受容する部材である。本発明において、支持基板は、上記ターゲットを支持する部材である。本発明において、半導体層は、上記ターゲットと上記支持基板との間に設けられる部材である。本発明において、電極は、上記半導体層に電気接続される部材である。本発明において、電圧印加手段及び電荷量測定手段は、上記電極に電気接続される手段である。また本発明の放射線発生管は、上記ターゲットが電子放出源から放出された電子を受容することによって放射線が発生する。
以下、図面を適宜参照しながら本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。尚、以下の説明に記載されずまた図面において図示されていない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用することができる。
図1は、本発明の放射線発生管における第一の実施形態を示す断面模式図である。図1の放射線発生管1は、筒状部材11と、排熱部材12と、支持基板13と、で構成される真空容器10と、この真空容器10内に収納され電子放出源となる電子銃20と、を有する。また図1の放射線発生管1は、支持基板13の電子銃20に対向する面上に、半導体層14と、ターゲット15と、がこの順に設けられている。つまり、図1の放射線発生ユニット1において、半導体層14は、支持基板13とターゲットとの間に設けられている部材である。さらに図1の放射線発生管1は、真空容器10の内部を真空に保った状態で使用されている。
図1の放射線発生管1において、ターゲット15及び電子銃20は、それぞれ第一電源31に電気接続されている。具体的には、第一電源31の陽極側はターゲット15に電気接続され、第一電源31の陰極側は電子銃20に電気接続されている。尚、ターゲット15及び電子銃20は、いずれも真空容器10内に収納される態様で設けられる部材である。このため、ターゲット15及び電子銃20をそれぞれ第一電源31と電気接続する際には、例えば、筒状部材11の所定の領域に、電気接続のための配線を通過させるための貫通孔を二箇所設ける。尚、上述したように、真空容器10の内部を真空に保った状態にする必要があるため、上記貫通孔を設けた場所にそれぞれフィードスルー21を設ける必要がある。
図1の放射線発生管1において、支持基板13及びターゲット15は、それぞれ電子正孔対引き出し電源かつ電圧印加手段である第二電源32に電気接続されている。具体的には、第二電源32の陽極側はターゲット15に電気接続され、第二電源32の陰極側は電荷量測定手段である電流計33を介して支持基板13に電気接続されている。
第二電源32として、例えば、定電圧源が使用できる。電流計33(電荷量測定手段)としては、通常の電流計を用いてもよいが、電流計の代わりに、コンデンサ等を用いた積算方式の電荷量測定系を採用してもよい。
第二電源32と支持基板13及びターゲット15との電気接続の際に使用される電極及び配線の配置態様については、半導体層14に電圧を印加したときに電子正孔対を引き出せる構成であれば特に限定されない。ここで支持基板13が導電性の材料からなる基板である場合では、図1に示すように支持基板13自体を電極として使用して支持基板13上に配線を施してもよい。また排熱部材12が導電性であり少なくとも一部が半導体層14と接している場合は、排熱部材12を電極として使用して排熱部材12上に配線を施してもよい。また、ターゲット15等の部材を電極として用いず新たに電極を設けてもよい。新たに電極を設ける場合、電極となる部材としては、タングステン、モリブデン等の一般的に使用され、かつ高融点の電極材料が望ましい。
図1の放射線発生ユニット1は、電子銃20から放出された電子22(加速電子)がターゲット15に衝突する際に放射線が発生する。図1の放射線発生ユニット1において、ターゲット15から生じた放射線は、半導体層14、支持基板13の順に通過してユニット外へ放出する。つまり、図1の放射線発生ユニット1は、支持基板13から放射線を透過させる透過型の放射線発生管である。
次に、図1の放射線発生ユニット1の構成部材について説明する。
筒状部材11は、真空容器10の構成部材として十分な強度を有していればその構成材料は限定されず、具体的には、ガラス、プラスチック、セラミックス等が挙げられる。
排熱部材12は、熱容量の大きな金属を構成材料として用いるのが好ましい。具体的な構成材料としては、銅、タングステン、モリブデン、鉄等の金属材料、これら金属材料を複数種組み合わせた合金等が好適に用いられる。また排熱部材12に、水冷装置等の冷却部材(不図示)をさらに設けて冷却効率を高めてもよい。本発明においては、半導体層14を排熱部材12に接触させる態様で設けていなければ排熱部材12の配置態様は特に限定されない。
図1の放射線発生ユニット1において、支持基板13は、少なくともX線等の放射線を透過する機能を有する材料から選択する必要があるが、さらに伝熱性や耐環境性を有する材料を選択するのが好ましい。支持基板13の構成材料として、ベリリウム、ダイヤモンド、シリコンカーバイド等が挙げられる。
図1の放射線発生ユニット1において、支持基板13は、排熱部材12に接するように設けられている。
尚、本発明は、反射型の放射線発生管においても適用可能である。係る場合には、支持基板13の構成材料は、X線等の放射線を透過する機能を有する材料である必要はなく、タングステン、モリブデン等の融点が高い金属材料やこの金属材料を複数種類組み合わせた合金を用いてもよい。
図1の放射線発生ユニット1は、支持基板13及び排熱部材12を、それぞれ真空容器10を構成する一部材とし、支持基板13をX線等の放射線の取り出し窓として利用している実施形態であるが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。例えば、支持基板13及び排熱部材12のいずれかを真空容器10の内部に収納して真空容器10を筒状部材11のみとする構成としてよい。また支持基板13又は排熱部材12を真空容器10内に収納して残りの部材を筒状部材11と共に真空容器10の外壁の一部をなす態様としてもよい。
図1の放射線発生ユニット1において、半導体層14は、ターゲット15における微小欠損の有無を検知するセンサーとして機能する。仮にターゲット15における微小欠損が存在する場合、電子銃20から発生する電子22は、当該微小欠損をすり抜けて半導体層14に到達する。ここで電子22が半導体層14を構成する半導体に衝突すると、電子正孔対が発生するため、この電子正孔対を検知することでターゲット15に微小欠損が存在するか否かがわかる。尚、電子正孔対の発生の原理については後述するが、本発明において、半導体層14は、電極又は電極に相当する部材に電気接続されている。
図2は、電子正孔対検出電極の配置態様の例を示す断面模式図である。電子正孔対検出電極23が半導体層14に接するように設けられていれば、電子正孔対検出電極23と半導体層14との電気接続は確保される。電子正孔対検出電極23の配置態様については特に制限はなく、図2(a)に示されるように半導体層14の側面にて半導体層14に接するように設けてもよいし、図2(b)に示されるように半導体層14の表面にて半導体層14に接するように設けてもよい。ただし図2の電子正孔対検出電極23は、必ずしも設ける必然性はない。図1のように半導体層14がターゲット15に接触している場合では、後述するようにターゲット15は導体からなる部材であるので、ターゲット15を半導体層14に電気接続する電極に相当する部材とすることができる。また図1の放射線発生管1のように、半導体層14が支持基板13及び排熱部材12と接している場合、支持基板13又は排熱部材12の構成材料が導体であれば、該当する部材を半導体層14に電気接続する電極に相当する部材とすることができる。
図1の放射線発生ユニット1において、半導体層14の構成材料としては、耐熱性、耐環境性を有する材料を選択するのがよい。具体的には、ダイヤモンド、シリコンカーバイド等が好適に選択される。図1の放射線発生ユニット1のように、ターゲット15から生じた放射線が、半導体層14、支持基板13を順次通過する透過型の放射線源の一部材として半導体層14を用いる場合、放射線透過能の高い材料を半導体層14の構成材料として用いるのが好ましい。具体的には、半導体層14として、原子番号が15以下の材料を主とする真正(ノンドープ)半導体層を用いるのが好ましい。
図1の放射線発生ユニット1において、半導体層14を設ける領域は、好ましくは、電子22の照射領域以上である。ここで電子22の照射領域は、一般にはターゲット15を設ける領域と同じか小さいので、言い換えると、半導体層14を設ける領域は、ターゲット15を設ける領域かこれよりも大きい領域にするのが好ましい。
ターゲット15の構成材料としては、電子銃20から照射された電子を受け取り放射線を発生させる金属材料、例えば、タングステン、モリブデン、ロジウム等の金属単体、これら金属単体を複数種類含む合金等が挙げられる。尚、図1に図示されていないが、ターゲット15には排熱部材をさらに設けてもよい。ここでターゲット15及び支持基板13が共に排熱部材を備え、各々を半導体層の電極として独立に用いる場合には、ターゲット15が有する排熱部材と支持基板13が有する排熱部材をそれぞれ別部材とし、両部材を電気的に絶縁させるのが好ましい。
電子銃20としては、フィラメント、含浸型カソード等の熱電子源、カーボンナノチューブ等の冷陰極電子源等が挙げられる。尚、図1に図示されていないが、電子22の移動の制御を目的として、電子銃20とターゲット15との間に、引き出し電極、電子レンズ、グリッド等の電子22を加速させるための制御部を設けてもよい。
次に、半導体層14にて発生する電子正孔対の発生原理について説明する。図3は、半導体層14にて発生する電子正孔対の発生原理を示す断面模式図であり、(a)は、ターゲット15に微小欠損が存在しない場合を示す図であり、(b)は、ターゲットに微小欠損が存在する場合を示す図である。また図4は、放射線源の駆動時間に対する半導体層に発生する電子正孔対の量を示す図である。
図1の放射線発生管1において、電子銃20にて発生し、上述した加速電子制御部によって加速された電子22がターゲット15に衝突することで放射線(不図示)が発生する。放射線発生管の通算駆動時間が短い状態、所謂初期状態の場合、ターゲット15には微小欠損を含めた欠陥はほとんど存在しないため、電子銃20から発生した電子22は、そのほとんどがターゲット15に衝突する。ここでターゲット15に衝突した電子のほとんどは、ターゲット15内にて放射線や熱を発生させることでエネルギーを失い、ターゲット15内を流れた後、加速電源(第一電源31)に流れて行く。ただし、ターゲット15にて衝突した電子22の一部は、ターゲット15を通過して半導体層14に到達する。半導体層14に到達した電子は、半導体層14の構成材料となる化合物との相互作用(電子22が有するエネルギーの半導体層14への供与)を起こす。この相互作用により、半導体層14内に、1個の正孔34と1個の電子35とからなる1組の電子正孔対36が生成される(図3(a))。ここで半導体層14内にて発生する電子正孔対36の発生量は、半導体層14に到達した電子22のエネルギー量に依存する。例えば、半導体層14の構成材料としてダイヤモンドを選択した場合、電子正孔対36を発生させるために要するエネルギーは13eV程度である。このため、13keVのエネルギーが付加された電子22(加速電子)が到達した場合に電子正孔対36が発生する。具体的には、加速電子(電子22)1個あたり約1000対の電子正孔対36が生成されることになる。ここで支持部材13及びターゲット15が導体である場合、図1や図3に示されるように、半導体層14に接する支持部材13及びターゲット15に電圧を印加すると、支持部材13及びターゲット15に接する半導体層14に電圧を印加していることとなる。このように半導体層14に電圧を印加すると、電子正孔対を構成する正孔34は負極側に、電子35は正極側に集められる。そして真空容器10の外部に電流計33等の通過する電荷量を測定可能な検出器を接続しておけば、発生した電子正孔対36の量、つまり増幅された漏れ電流の量が検出できる。ただし初期状態における電子正孔対36の生成量は、図4に示されるように、ターゲット15に欠陥が生じた状態と比較して微々たるものである。
図1の放射線発生管1は、使用を続けると、使用した分だけターゲット15に負荷がかかる。この負荷が一定量を超えるとターゲット15の特定の場所に微小ながら欠損が生じる。図3(b)に示すように、ターゲット15に欠損15aが生じていたり、一部が薄膜化したりした場合には、その部分(欠損部分、薄膜化部分)に到達した電子22は、ターゲット15に衝突して消費されることなく(又は少ない消費量で)半導体層14に到達する。そうすると、半導体層14に到達した時点で電子22が有するエネルギー量はターゲットに衝突したときと比較して大きくなるので、半導体層14において電子正孔対の発生量が増加する。つまり半導体層14にて発生する漏れ電流量が増加する。このため、この漏れ電流量の変化を電子正孔対36の量として検出することにより、より微小な漏れ電流の変化を検出することが可能となるため、これを利用してより微小な欠損の検出が可能になる。
従って、微小欠損が発生した場合、図4に示されるように、電子正孔対36の発生量は初期状態と比較して格段に多くなる。そしてこの微小欠損が生じている状態で放射線源を使用し続けると、ターゲット15に生じている欠損がさらに拡大しついには大規模な損傷が発生する(図4)。ターゲット15に大規模な損傷が生じていると、半導体層14に到達する電子22の量が多くなると共に、この電子22が有するエネルギーも平均的に大きくなる。そうすると、半導体層14にて発生する電子正孔対36の発生量は、欠損が微小のときと比較して格段に多くなる。
以上を考慮すると、初期状態から微小欠損発生状態への変化を電子正孔対36の発生量の変化から検出し、管交換等の措置を施せば、大規模損傷を回避することができる。
図5は、本発明の放射線発生ユニットにおける第二の実施形態を示す模式図である。図2の放射線発生ユニット2は、筒状部材11からなる真空容器10内に、排熱部材12と、支持基板13と、半導体層14と、ターゲット15と、からなる複合部材16と、電子銃20と、が設けられている。図5の放射線発生ユニット2は、電子銃20から発生した電子22がターゲット15に衝突し、この衝突の際に放射線が発生することについては、図1の放射線発生ユニット1と共通する。一方で、図5の放射線発生ユニット2は、ターゲット15から発生する放射線を、電子22の照射側から取り出すという点で図1の放射線発生ユニット1と相違する。図5の放射線発生ユニット2において、取り出された放射線は、筒状部材11の所定の領域に設けられ放射線を透過する材料からなる放射線透過窓17から放射線発生管2の外部へ放出される。
図6は、本発明に係る放射線撮影システムの一例を説明する図である。
図6の放射線撮影システム5において、本発明の放射線発生管1は、駆動回路(不図示)と共に、放射線発生ユニット40に収納されている。また放射線発生ユニット40は、所定の位置に放射線の放出窓41が設けられ、この放出窓41部分に設けられた可動絞りユニット42と共に放射線発生装置43を構成している。可動絞りユニット42は、放射線発生ユニット40から照射される放射線の照射野の広さを調整する機能を有する。また、可動絞りユニット42として、放射線の照射野を可視光により模擬表示できる機能が付加されたものを用いることもできる。
システム制御装置51は、放射線発生装置43と、検出器53と信号処理部54とからなる放射線検出装置52と、を連携制御する。駆動回路(不図示)は、システム制御装置51による制御の下に、放射線発生管である放射線発生ユニット40に各種の制御信号を出力する。この制御信号により、放射線発生装置43から放出される放射線の放出状態が制御される。放射線発生装置43から放出された放射線は、被検体60を透過して検出器53で検出される。検出器53は、検出した放射線を画像信号に変換して信号処理部54に出力する。信号処理部54は、システム制御装置51による制御の下に、画像信号に所定の信号処理を施し、処理された画像信号をシステム制御装置51に出力する。システム制御装置51は、処理された画像信号に基づいて、表示装置55に画像を表示させるための表示信号を表示装置55に出力する。表示装置55は、表示信号に基づく画像を、被検体60の撮影画像としてスクリーンに表示する。放射線の代表例はX線であり、本発明の放射線発生管1を備えた放射線発生ユニット40と放射線撮影システム5は、X線発生ユニットとX線撮影システムとして利用することができる。X線撮影システムは、工業製品の非破壊検査や人体や動物の病理診断に用いることができる。
尚、図6の放射線撮影システム5では、放射線発生管1の構成部材である電流計33がシステム制御装置51に接続されている。このため、電流計33から出力される電気信号をシステム制御装置51が受け取ることが可能となり、システム制御装置51にて電流計33に関する情報を得ることができる。例えば、ターゲット15に微小なりとも欠陥が生じると、電流計33に流れる電流が上昇し、この電流の上昇に伴って電流計33から出力された電気信号は、システム制御装置51が受け取ることになる。そして、特定の装置(例えば、表示装置55)にて上記電気信号をアウトプットすることで、放射線発生管1を放射線発生装置43から取り外さなくてもターゲット15の状態を把握することができる。
以下、実施例により本発明の放射線発生管について詳細に説明する。ただし、以下に説明する実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、相対配置、工程の順序等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲を限定させるものではない。
図1の放射線発生ユニット1を用いた実施例を以下に説明する。
本実施例においては、排熱部材12として銅を使用し、支持基板13としてベリリウムからなる基板を使用し、半導体層14としてダイヤモンド膜を使用し、ターゲット15としてタングステンを、それぞれ使用した。本実施例において、半導体層14としてダイヤモンドが用いられているが、ダイヤモンド自体は耐熱性が高いため、パワーが大きい放射線発生ユニットを作製する際には好ましい。
本実施例では、排熱部材12、支持基板13、半導体層14及びターゲット15からなる複合部材は、以下に説明する方法により作製した。まずスパッタリング法を用いて、半導体層14(φ2mm、厚さ:500μm)を構成するダイヤモンド上にタングステンを成膜してターゲット15を形成した。このときターゲット15の大きさはφ1mmであり、厚さは10μmであった。次に、金属はんだを用いて、半導体層14と支持基板13(φ5mm、厚さ:2mm)との間を接着した後、金属はんだを用いて、支持基板13と排熱部材12との間を接着した。尚、半導体層14を、ターゲット15と同等以上の大きさで作製すると、ターゲット15の欠損をもれなく検出することができるため好ましい。
また、ターゲット15の形成方法は、上述したスパッタリング法に限定されず、蒸着法等の一般的な薄膜成膜法を用いて形成してもよい。また金属加工によりターゲット15になる板状部材を形成して半導体層14上にこの板状部材を接着してもよい。このとき接着の具体的な方法としては、上述した金属はんだが挙げられるが、溶接、接合等の一般的な接着方法も利用することができる。
電子銃20は、酸化物カソードを用いた。この電子銃20は、加熱手段(不図示)によってカソードを加熱することで電子を放出する。
本実施例では、上記複合部材を作製した後、真空容器10内の所定の空間に酸化物カソード(電子銃20)を設置し、半導体層14等の真空容器10内に設けられる部材について必要な電極及び配線を適宜設置した。次に、筒状部材11と上記複合部材とを接合した後、真空容器10の内部を真空にすることにより、図1に示される放射線発生管1を得た。
得られた放射線発生管1について、第一電源31の電圧(電子の加速電圧)を100kVに設定し、第二電極32の電圧(電子正孔対検出電源の電圧)を10Vとした。また第二電極32と支持基板13との間に接続される電流計33を電子正孔対検出器として用いた。まず電子銃20である酸化物カソードを加熱し、電子銃20とターゲット15との間に10mAの電流を流したところ、焦点サイズは約1mm2になり、電流計33は0.5mAの電流を検出した。次に、酸化物カソードの加熱を一旦終了して真空容器10内からターゲット15を取り出してその特性を確認したところ、微小欠陥は発見されなかった。次に、ターゲット15を再度設置して真空容器10内を再び真空にした後、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、再び電流計33が0.5mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を20mAに設定したところ、電流計33が10mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、電流計33が5mAの電流を検出した。この後、ターゲット15の状態を確認したところ、放射線発生管1を駆動する前には見られなかった微小欠陥が複数見つかり、その面積和は10μmφ相当であった。
以上より、本実施例の放射線発生管は、管を構成するターゲットに生じる微小欠損を精度よく検出することができた。
本実施例では、実施例1において、ターゲット15としてタングステンを使用し、半導体層14としてシリコンカーバイドを使用し、支持基板13としてベリリウム製基板を使用し、排熱部材12として銅を使用した。これを除いては、実施例1と同様の方法により、図1の放射線発生管1を得た。尚、半導体層14の構成材料としてシリコンカーバイドを用いることで、入力パワーの大きな放射線発生装置に適用する際、費用を安価にできるため好ましい。
得られた放射線発生管について、実施例1と同様の方法により駆動させた。まず電子銃20とターゲット15との間に10mAの電流を流したところ、焦点サイズは約1mm2になり、電流計33は0.5mAの電流を検出した。次に、酸化物カソードの加熱を一旦終了して真空容器10内からターゲット15を取り出してその特性を確認したところ、微小欠陥は発見されなかった。次に、ターゲット15を再度設置して真空容器10内を再び真空にした後、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、再び電流計33が0.5mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を20mAに設定したところ、電流計33が3mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、電流計33が2mAの電流を検出した。この後、ターゲット15の状態を確認したところ、放射線発生管1を駆動する前には見られなかった微小欠陥が複数見つかり、その面積和は5μmφ相当であった。
以上より、本実施例の放射線発生管は、管を構成するターゲットに生じる微小欠損を精度よく検出することができた。
本実施例では、図7に示される放射線発生管3を作製した。本実施例では、実施例1において、図1に示される排熱部材12、支持基板13、半導体層14及びターゲット15からなる複合部材に相当する部材を、以下に説明する方法により作製した。まずスパッタリング法を用いて、半導体層14(φ5mm、厚さ:1mm)を構成するダイヤモンド上にタングステンを成膜してターゲット15を形成した。このときターゲット15の大きさはφ4mmであり、厚さは10μmであった。次に、スパッタリング法を用いて、半導体層14のターゲット15が形成されていない面上にアルミニウムを成膜して電極層24を形成した。このとき電極層24の大きさはφ2mmであり、厚さは500μmであった。次に、金属はんだを用いて、半導体層14と排熱部材12との間を接着した。尚、本実施例において、半導体層14は、支持基板としての機能も兼ねている。このため、支持基板を半導体層14とは別個に設ける必要がなく、より安価に放射線発生ユニットを作製することができる。また本実施例において、電極層24は、電流計33を介して第二電源32と電気接続されている。
以上を除いては、実施例1と同様の方法により放射線発生管を作製した。
得られた放射線発生管について、実施例1と同様の方法により駆動させた。まず電子銃20とターゲット15との間に10mAの電流を流したところ、焦点サイズは約1mm2になり、電流計33は0.5mAの電流を検出した。次に、酸化物カソードの加熱を一旦終了して真空容器10内からターゲット15を取り出してその特性を確認したところ、微小欠陥は発見されなかった。次に、ターゲット15を再度設置して真空容器10内を再び真空にした後、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、再び電流計33が0.5mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を20mAに設定したところ、電流計33が3mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、電流計33が2mAの電流を検出した。この後、ターゲット15の状態を確認したところ、放射線発生ユニット3を駆動する前には見られなかった微小欠陥が複数見つかり、その面積和は5μmφ相当であった。
以上より、本実施例の放射線発生管は、管を構成するターゲットに生じる微小欠損を精度よく検出することができた。
本実施例では、図8に示される放射線発生管4を作製した。図8に示される放射線発生管4は、図7に示される放射線発生管3と比較してターゲット15の設置数を複数(少なくとも2個)にしたことを除いては、図7に示される放射線発生管3と共通する。図8に示される放射線発生管4は、ターゲット15が複数設けられているが、各ターゲット15において構成材料や大きさについては、同じにしてもよいしそれぞれ異なるようにしてもよい。また図8に示される放射線発生管4は、ターゲット15が複数設けられているため、ターゲット15の個数と同じ個数の電子銃20を設置する必要がある。
本実施例においては、ターゲット15、半導体層14及び電極層24の構成材料、厚さ及び大きさを実施例3と同じ条件にした。
得られた放射線発生管について、実施例1と同様の方法により駆動させた。まず電子銃20とターゲット15との間に10mAの電流を流したところ、焦点サイズは約1mm2になり、電流計33は0.5mAの電流を検出した。次に、酸化物カソードの加熱を一旦終了して真空容器10内からターゲット15を取り出してその特性を確認したところ、微小欠陥は発見されなかった。次に、ターゲット15を再度設置して真空容器10内を再び真空にした後、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、再び電流計33が0.5mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を20mAに設定したところ、電流計33が3mAの電流を検出した。次に、第一電源31の電圧を100kVとし、印加する電流を10mAに設定したところ、電流計33が2mAの電流を検出した。この後、ターゲット15の状態を確認したところ、放射線発生管4を駆動する前には見られなかった微小欠陥が複数見つかり、その面積和は5μmφ相当であった。
以上より、本実施例の放射線発生ユニットは、ユニットを構成するターゲットに生じる微小欠損を精度よく検出することができた。
図5に示される放射線撮影システムに基づいて本発明の放射線撮影システムの実施例について説明する。図5の放射線撮影システム5は、実施例1にて作製した放射線発生管1を備える放射線発生装置を用いた。
本実施例では、定期点検での線量測定の際に併せて、電子正孔対検出器(電流計33)の測定値を記録しその経時変化を確認した。そして電流計33にて検知した電流に変動が見られた時点で放射線発生管1を交換するメンテナンスを行うようルールを決めて放射線撮影システム5を稼動させた。その結果、ターゲット15の大破壊による放射線撮影システム5の使用不能期間は発生しなくなった。
以上より、本発明の放射線撮影システムは、信頼性の高い放射線撮影装置であった。
1(2、3、4):放射線発生管、5:放射線撮影システム、10:真空容器、11:筒状部材、12:排熱部材、13:支持基板、14:半導体層、15:ターゲット、17:放射線透過窓、20:電子銃、21:フィードスルー、22:電子(加速電子)、23:電極、24:電極層、31:第一電源、32:第二電源、33:電流計、36:電子正孔対、40:放射線発生ユニット、43:放射線発生装置、51:システム制御装置、52:放射線検出装置、53:検出器、54:信号処理部、55:表示装置、60:被検体
Claims (6)
- 電子放出源から放出された電子を受容するターゲットと、
前記ターゲットを支持する支持基板と、
前記ターゲットと前記支持基板の間に設けられる半導体層と、
前記半導体層に電気接続される電極と、
前記電極に電気接続される電圧印加手段及び電荷量測定手段と、を有し、
前記ターゲットが前記電子を受容することによって放射線が発生することを特徴とする、放射線発生管。 - 前記半導体層が、ダイヤモンドからなる層であることを特徴とする、請求項1に記載の放射線発生管。
- 前記半導体層が、シリコンカーバイドからなる層であることを特徴とする、請求項1に記載の放射線発生管。
- 前記半導体層が、前記支持基板を兼ねることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の放射線発生管。
- 前記半導体層を設ける領域が、前記電子の照射領域以上であることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の放射線発生管。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の放射線発生管を備える放射線発生ユニットと、
前記放射線発生ユニットから放出され被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、を備えることを特徴とする、放射線撮影システム。
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WO2021140187A1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-15 | Comet Ag | X-ray target assembly, x-ray anode assembly and x-ray tube apparatus |
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