JP2014068035A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10は第1の主面に貫通電極形成領域とセンサ回路形成領域とを有する。貫通電極形成領域には電極パッドと、STI層110、ダミーアクティブ200を設ける。センサ回路形成領域にMOSFET形成を形成するときに、基板にはシリサイド層190が形成されるが、貫通電極形成領域には酸化膜マスクを設けることにより、ダミーアクティブにはシリサイド層が形成されないようにする。半導体基板を第2の主面からエッチングして、貫通電極形成領域に貫通孔を設ける。この時シリサイド層がないのでノッチは発生しない。貫通孔内に、電極パッドに接続する貫通電極を形成する。
【選択図】図7
Description
11 STI層
12 絶縁膜
13 電極パッド
18 絶縁膜
20 貫通電極
21 貫通孔
22 バリアメタル
23 めっきシード膜
24 めっき膜
25 裏面配線
30 能動素子
100 フィールド領域
130 ゲート電極
150 ドレイン・ソース拡散層
190 シリサイド層
200 ダミーアクティブ
Claims (7)
- 電極パッドと、半導体基板の第1の主面に形成されたトレンチに絶縁膜を埋設した絶縁部と前記半導体基板の第1の主面の基材を残すことにより得られるダミー部とからなる素子分離領域と、を前記第1の主面に有する前記半導体基板と、前記半導体基板の第2の主面から前記半導体基板を貫通して形成されるとともに前記電極パッドに接続された貫通電極と、を有する半導体装置であって、
前記ダミー部は、前記基材の表面に第1の導電層が形成される第1の領域と、第1の領域とは異なる前記基材の表面に第1の導電層が形成されない第2の領域とからなり、
前記貫通電極は、前記素子分離領域に形成されるとともに、前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記第2の領域をよぎって前記半導体基板を貫通して形成された貫通孔と、前記貫通孔の側壁に形成された絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された第2の導電層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の導電層は、シリサイド層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記貫通孔は、反応性イオンエッチングにより形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 半導体基板の基材の表面に形成された第1の導電層を介して前記半導体基板の前記基材と絶縁層とが接する第1の領域を第1主面に有する前記半導体基板と、
前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記第1の領域をよぎることなく前記半導体基板と前記絶縁層とを貫通し、前記絶縁層上に形成された電極パッドを露出する貫通孔と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の第1主面に形成されたトレンチに絶縁膜を埋設した絶縁部と前記半導体基板の第1主面の前記基材の表面を残すことにより得られるダミー部とからなる素子分離領域を有し、
前記ダミー部は、前記第1の領域と、前記第1の領域とは異なる前記第1の導電層を介することなく前記半導体基板の基材と前記絶縁層とが接する第2の領域と、からなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記貫通孔は、前記半導体基板の第2の主面から、外縁が前記第2の領域をよぎって前記半導体基板と前記絶縁層とを貫通し、前記絶縁層上に形成された電極パッドを露出することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記貫通孔の側壁に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層表面に形成された第2の導電層とを備えることを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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